ITC

DGEST

SES

SEP

Fsica de semiconductores.

PROFESOR: M.A. Omar Domnguez

Unidad 5.
Dispositivos especiales.
Alumno. Ortiz Garca Josu Oswaldo

Tercer semestre Ingeniera en electrnica

H.H. Cuautla Mor. 12 de diciembre de 2011.

Tiristor SCR.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

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Funcionamiento bsico del SCR. El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son: VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0). VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0). IF: Mxima corriente directa permitida. PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado. IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR. dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

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Tiristor / SCR y la corriente continua Activacin, el pulso, desactivacin, tiristor con carga inductiva El funcionamiento de un tiristor en corriente continua es fcil de entender. Normalmente el tiristor trabaja con polarizacin directa entre nodo (A) y ctodo (C o K) (la corriente circula en el sentido de la flecha del tiristor). Con esta condicin, slo es necesario aplicar un pulso en la compuerta (G) para activarlo. Este pulso debe de tener una amplitud mnima, para que la corriente de compuerta (IG) provoque la conduccin. Activacin del tiristor En el grfico siguiente se ve una aplicacin sencilla del tiristor en corriente continua. El SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con un pulso de tensin que causa una pequea corriente. (se cierra momentneamente el interruptor S). El tiristor conduce y se mantiene conduciendo, no necesitando de ninguna seal adicional para mantener la conduccin. No es posible desactivar el tiristor (que deje de conducir) con la compuerta. Caractersticas del pulso de disparo La duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente largo para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de retencin. Otro aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso, que influye en la duracin de ste. Desactivacin de un tiristor El tiristor una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH). Normalmente la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que este est conduciendo. Opciones para desactivar un tiristor:

1. Se abre el circuitos del nodo (corriente IA = 0) 2. Se polariza inversamente el circuito nodo-ctodo (el ctodo tendr un nivel de tensin mayor que el del nodo) 3. Se deriva la corriente del nodo IA , de manera que esta corriente se reduzca y sea menor a la corriente de mantenimiento IH. Tiristor / SCR y la corriente alterna 12 de diciembre del 2011 Pgina 4

Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer los tutoriales el tiristor y el tiristor en corriente continua. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine Control de fase con tiristor Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. La suministrada a la carga se controla variando el ngulo de conduccin. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la a la compuerta del SCR. Como R es un potencimetro, el valor resistivo puede variar y as producir un corrimiento de fase ajustable, que causar que la entrega de potencia a la carga (el bombillo) tambin sea variable. Con sto se logra que la intensidad de la en el bombillo vare. El diodo en la compuerta del SCR se usa para bloquear la tensin de compuerta durante el ciclo negativo (de 180 a 360) Aplicaciones: Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente contina en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Rectificacin de corriente carga de bateras soldadura generacin de potencia a distancia procesos electroqumicos regulacin de fuentes de alimentacin

Control de velocidad de motores mquinas herramientas vehculos de traccin Pgina 5

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Sustitucin de dispositivos electromecnicos rels protectores de sobre carga graduadores de iluminacin sistema de encendido de motores de explosin control de temperatura con termopares

Control de potencia radar, laser de impulsos generadores de ultrasonidos

Circuitos lgicos multivibradores de potencia control de tiempo, contadores fines de carrera, deteccin de niveles circuitos de alarma control de alumbrado de emergencia.

En la figura se muestra un circuito simple para la seal de fase de control de la AC y una red resistiva en el gatillo. Durante el medio ciclo positivo de la SCR es en el bloque directo. En un momento la tensin VAC proporciona un voltaje y, en consecuencia, una corriente en activar lo suficiente como para disparar el SCR. Este momento puede ser controlado por el potencimetro R1.

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Tiristor TRIAC.
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Disparo del tiristor Un tiristor es encendido haciendo su puerta positiva con el respecto a su ctodo, esto hace que circule corriente en la compuerta. Cuando el voltaje de puerta alcanza el voltaje de umbral VGT, hace que la corriente de compuerta IGT, llegue al valor umbral dentro de un tiempo muy corto conocido como tiempo de encendido, controlado por compuerta, tgt, la corriente de carga puede fluir desde a a k. Si la corriente de puerta consiste de un pulso muy estrecho, por ejemplo menos de 1ms, su nivel de pico tendr que aumentar para anchos de pulso progresivamente ms estrechos para garantizar el disparo efectuado de esta manera. Cuando la corriente de carga aumente, hasta el valor de corriente de enganche (latching) del tiristor, la corriente de carga se mantendr pareja despus de la remocin de la corriente de puerta. Mientras la corriente adecuada de carga contina circulando, el tiristor continuar conduciendo, sin la corriente de puerta. Esto es lo que denominamos tiristor disparado. Ntese que el valor de VGT, IGT e IL de especificaciones dadas en datos estn a 25 C. Estos parmetros aumentarn a temperaturas ms bajas, as tambin el circuito de disparo debe proveer voltaje adecuado, corriente y duracin para la temperatura de funcionamiento mas baja.

1 REGLA. Para disparar un tiristor (o triac), una corriente de compuerta / IGT debe aplicarse hasta que la corriente de carga sea / IL. Esta condicin debe encontrarse tambin al bajar la temperatura de funcionamiento esperada. El tiristor es de puerta sensible (sensitive gate), tal como el BT150 puede ser proclive a dispararse por corriente de fuga (nodo a ctodo), a altas temperaturas. Si la temperatura de juntura TJ es incrementada por encima de Tjmax, en este punto las corrientes de fuga son tales que pueden alcanzar la corriente de disparo del tiristor o triac. Por lo cual puede ser conveniente su reemplazo o bien tener en cuenta este efecto al momento de su utilizacin. Para resolver los problemas de los disparos no deseados (espurios o aleatorios) se pueden seguir algunos de los siguientes mtodos:

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1- Asegurar que la temperatura no exceda a Tjmax. 2- Utilizar un tiristor con compuerta menos sensible por ejemplo el BT151, o reducir la sensibilidad del tiristor existente por una resistencia de 1kohm o menor entre el ctodo y la compuerta (resistencia de desensibilizacin). 3- Si esto no es posible utilizar un tiristor de menor sensibilidad en compuerta, aplicar en la compuerta una pequea seal negativa durante los periodos de inactividad del tiristor en cuestin. Esta seal tiene el efecto de incrementar IL Durante la circulacin de corriente negativa, debe tenerse una particular atencin a fin de minimizar la potencia disipada en compuerta. Apagado (conmutacin). Para apagar al tiristor, la corriente de carga debe reducirse por debajo de la IH (corriente de mantenimiento), por el tiempo suficiente para permitir a todos los portadores evacuar la juntura. Esto es logrado por "conmutacin forzada" en circuitos CC o al final del hemiciclo de conduccin en circuitos de CA. (La conmutacin forzada es cuando la corriente de carga neta del circuito ocasiona que la misma se haga cero de forma tal, que el tiristor se apague). A este punto, el tiristor habr vuelto totalmente a su estado bloqueando. Si la corriente de carga no es mantenida por debajo de IH por el tiempo suficiente, el tiristor no habr vuelto totalmente al estado bloqueando, y cuando la tensin nodo ctodo suba nuevamente, el tiristor podr volver al estado de conduccin sin excitacin de puerta.

Un triac poder mirarse como un "tiristor bidireccional" debido a que conduce en ambas direcciones. Por el triac estndar, la corriente circula actual en cualquiera de las dos direcciones entre los terminales principales MT1 y MT2. Esto es iniciado por una corriente pequea de seal aplicada entre el terminal de puerta y MT1. 12 de diciembre del 2011 Pgina 8

Encendido Distinto de los tiristores, el triac estndar puede ser disparado por circulacin de corriente positiva o negativa entre compuerta y MT1. (Las reglas para VGT, IGT e IL son al igual que para el. 2 REGLA. Para apagar (conmutar) un tiristor (o triac), la corriente de carga debe ser < IH por un tiempo suficiente para permitir que este retorne al estado de bloqueo. Esta condicin tiene que ser satisfecha para alcanzar la mejor operacin con la temperatura.

Donde la compuerta debe ser excitada por Corriente Continua o por pulsos unipolares en el cruce por cero de la corriente de carga, corriente negativa de compuerta es la preferida por lassiguientes razones. La construccin interna de los triac medios hace que la compuerta este ms alejada desde la regin de portadores mayoritarios cuando opera en el 3 cuadrante. Esto resulta en:

1. IGT ms alta, esto implica un pico ms alto de IG requerido. 2. Retraso mayor entre IG y el principio de la circulacin de corriente principal, esto requiere una mayor duracin de IG. 3. Mucha menor capacidad de di/dt esto puede implicar una degradacin progresiva de puerta cuando controlamos cargas con di/dt iniciales (P.E: filamentos de lmpara incandescente fra). 4. Mayor IL (tambin cierto para la 1 operacin) - > IG ms largo, la duracin mayor podra necesitarse para cargas muy pequeas cuando conduzcan desde el comienzo de un hemiciclo para permitir la corriente de carga alcanzar el IL. 12 de diciembre del 2011 Pgina 9

En controles comunes de ngulo de fase, como por ejemplo atenuadores de luces y controles de motores universales (taladros de mano), la polaridad de la tensin entre compuerta y MT2 son siempre las mismas. Esto significa la operacin es siempre en el 1 o 3 cuadrante, donde el los parmetros de conmutacin del triac son iguales. Esto resulta en un simtrico funcionamiento de conmutacin del triac donde la puerta est a su ms sensible estado. 3 REGLA. Cuando diseamos un circuito de disparo para triacs, trataremos de no dispararlo al mismo en el 3 cuadrante. (MT2-,G+), cuando esto sea posible. Mtodos alternativos de disparo. Hay algunas maneras indeseables con las que un triac pueden encenderse. Algn son benignas, mientras otras son potencialmente destructivas. (a) Seal de ruido en la compuerta. En ambientes elctricamente ruidosos, disparos espurios pueden ocurrir si el nivel de ruido excede la tensin VGT y si suficiente corriente de puerta circula para iniciar accin regenerativa dentro de el triac. La primer lnea de defensa es minimizar la ocurrencia del ruido en primer lugar. Uno de los mejores resultados es logrado por realizar las conexiones de puerta tan corta tan sea posible y asegurando que el retorno comn desde el circuito de disparo se conecte directamente al terminal MT1 (o ctodo en el caso de un tiristor). (los tiristores y triac de potencia incluyen este terminal en su dispositivo). En situaciones donde las conexiones de puerta son de conductor macizo, par torcido o apantallado podra ser necesario minimizar acortarlo. La inmunidad adicional de ruido puede proveerse agregando un resistor de 1kW o menor entre la puerta y MT1 para reducir la sensibilidad de puerta. Tambin es posible la utilizacin de un capacitor de tipo cermico o de poliester para filtrar las altas frecuencia o dv/dt. La Alternativa de usar una serie H de triac (p. ej. BT139-600H). Estos son los tipos insensibles con 10 mA min. de IGT. Estos son triac diseados especficamente para proveer un alto el grado de inmunidad de ruido. (b) Excediendo el valor permitido de dv/dt Esta es la mas probable ocurrencia cuando tenemos una carga altamente reactiva, donde existe un considerable desfasaje entre la tensin de carga y la corriente de la misma. Cuando el triac conmuta, esto es la corriente se hace cero, la tensin aplicada en los bornes del mismo no es cero, debido al desfasaje entre ambas magnitudes, como es mostrado en la figura. El triac entonces repentinamente requerir bloquear esta tensin. El resultado de esta 4 REGLA. Para minimizar el ruido que toma la compuerta, el largo de conexin tiene que ser lo mas corto posible. El retorno al terminal MT1 (o ctodo) tiene que retornar en forma directa al terminal propiamente dicho. Colocar una resistencia de no mas de 1 kW, entre los terminales de compuerta y MT1 o ctodo. Una red snubber es aconsejable para la compuerta. La alternativa de utilizar la serie H de triacs, si lo anterior es insuficiente. conmutacin puede forzar al triac a volver

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al estado de conduccin si se excede el valor permitido de dv/dt. Esto es debido a que los portadores en la juntura no tienen el tiempo suficiente para abandonarla totalmente. La capacidad para soportar dv/dt es afectada por dos de condiciones: 1. El valor de la cada de corriente en la conmutacin esto es la di/dt. Alta di/dt implica una capacidad de dv/dt. 2. La temperatura de juntura Tj. Si esta temperatura aumenta disminuye la capacidad de soportar dv/dt. Si el triac es probable que supere la mxima dv/dt permitida por el dispositivo, es probable tambin, que sufra falsos disparos. La manera ms comn para mitigar este problema es con el uso de una red RC de amortiguacin. Estas redes se las conoce como red snubber. Esta deber estar entre los terminales MT1-MT2 para limitar el valor de cambio de voltaje. Los valores comunes son: resistencia de 100 W de carbn elegida por su manejo de corriente y un capacitor de 100nF.

Otra alternativa es usar un Hi-Com triac. (b) Excediendo el valor permitido de di/dt Altas di/dt son causadas por cargas altamente inductivas, alta frecuencia de lnea o onda no senoidal de corriente de carga. Una causa bien conocida de corrientes de carga no senoidales y de di/dt un rectificador que alimenta una cara inductiva. Esto puede generalmente implicar una conmutacin fallada en un triac comn. Como la tensin de alimentacin baja mas, el EMF la corriente de la carga y de el triac baja rpidamente a cero.

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El efecto de esto se muestra en la figura siguiente. Durante esta condicin de corriente cero de triac, la corriente de carga ser informal sobre el circuito rectificador. Las cargas de esta naturaleza pueden generar di/dt tan altas que el triac no las soportar una dv/dt suave reaplicada de 50 Hz que sube desde cero Volt. En este caso no trae ningn beneficio poner una red snubber, ya que el problema no es la dv/dt. La di/dt tendr que ser limitada agregando una inductancia de algunos mH en serie con la carga.

(d) Excediendo el valor permitido de dv/dt Si un valor muy alto de cambio de voltaje se aplica a travs de un triac bloqueado (o el tiristor sensible de puerta en particular) sin exceder su VDRM , por la capacidad interna puede circular la corriente suficiente para activar al triac, esta condicin se ve magnificada por el aumento de la temperatura. Cuando ocurre este problema, la dv/dt debe ser limitada por una red snubber entre sus terminales MT1 y MT2 (o nodo y ctodo, para el caso del tiristor). La utilizacin de Hi com triacs en este caso puede ser beneficioso.

(e) Excediendo el valor permitido de VDRM (Tensin mxima repetitiva de trabajo) Si el MT2 de voltaje excede VDRM tal como podra ocurrir durante severo y anormal transitorio de lnea, la corriente de fuga entre los terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de conduccin. Esto se ve. Si la carga permite que un alto incremento de corriente fluya hacia la mima, la densidad de corriente dentro de la pastilla del semiconductor puede hacer que se forme un "punto caliente", estos puntos van destruyendo las caractersticas del triac (o tiristor), hasta su destruccin total del mismo. Las lmparas incandescentes, cargas capacitivas y protecciones del tipo crowbar son circuitos que frecuentemente ocasionan estos inconvenientes. El encendido por sobre pasamiento de VDRM no es necesariamente la amenaza principal a su supervivencia. Si lo es la di/dt que le sigue, esta si es muy probable que pueda ocasionar el 5 REGLA. Cuando altas dvD/dt o dvCOM/dt es probable que causen problemas, una solucin es la colocacin de una red snubber entre los terminales MT1 y MT2. Cuando altas diCOM/dt son probables causas del problema, la colocacin de un inductor de algunos mH en serie con la carga mitiga el problema.

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El uso de Hi-com Triacs es una solucin alternativa para ambos casos. Debido al tiempo requerido para que la conduccin sea generalizada en toda la juntura. El valor permitido de di/dt en estas condiciones, es inferior al que se produce si el triac es encendido correctamente por una seal de puerta. Si de alguna manera se puede proteger al triac para que la di/dt en estas condiciones no sobrepase a este valor (dado en los manuales de datos del dispositivo), es muy probable que el Triac o tiristor en cuestin sobreviva. Aplicaciones: Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila. Se utilizan Triacs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semi-ciclo de la onda de Corriente alterna.

El elemento principal de este circuito es el Triac BTA12 que regula el paso de la corriente en funcin de su patilla de control que en este caso se gobierna con el Diac DIC3202. Con el potencimetro P1 ajustaremos la intensidad de la/s bombilla. El Triac puede ser montado sin disipador para cargas de hasta 100w, pero pasada esa potencia se hace indispensable el uso de uno. El potencimetro conviene que sea lineal, para que el brillo vare en forma pareja a lo largo de todo el cursor.
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IGBT.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. 12 de diciembre del 2011 Pgina 14

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias, energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

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Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo ON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. 12 de diciembre del 2011 Pgina 16

El IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. APLICACIONES:

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano. Esta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigorficos, lavavajillas, ect., en los que los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten. La mayor parte de los ruidos de los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado rpidos y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas. Pero las aplicaciones de IGBT van mucho ms all del control de motores. Algunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los estn utilizando para mejorar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades. Por ejemplo, una de las ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los telfonos mviles para dotar a sus cmaras de un flash de xenn realmente potente. Esto ha sido posible gracias a que los IGBT han reducido enormemente sus dimensiones. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan IGBTs.
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GTO.

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar ms dimensionado.
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El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia. Funcionamiento del gto.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

La ganancia se calcula con la siguiente formula.

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Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible): alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) este muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCRs. alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta.

Especificaciones de puerta del gto

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FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una parte de la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR). Forma de onda en el apagado del gto

Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10. Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente. Consideraciones en el encendido Como consecuencia de la geometra de un GTO, considerado como un tiristor convencional con un nodo y muchas islas ctodos, al encenderlo mediante un impulso positivo de puerta se inyectan huecos h+ en muchas zonas del mismo. De esta forma, la conduccin comenzar en muchas reas de la pastilla al mismo tiempo, creciendo la corriente de forma muy rpida,
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esto es, la derivada de intensidad di/dt resulta elevada. Encendido de un GTO Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el encendido de un GTO la corriente mxima por la puerta IGM y la velocidad de variacin de dicha corriente al principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas ctodo. Si esto no fuese as y slo algunas islas ctodo condujeran, la densidad de corriente en estas islas sera tan elevada que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podra provocar la destruccin del dispositivo. Intensidad de puerta en el encendido de un GTO.

Del mismo modo, como muestra la figura, se requiere mantener una pequea corriente iG durante todo el tiempo que se desee que el GTO conduzca, y evitar as que alguna isla se apague de modo accidental. Si la corriente de puerta se hace cero una vez que el tiristor ha entrado en conduccin y la corriente que circula desde el nodo hasta el ctodo (y que depende del circuito exterior) disminuye lo suficiente, algunas islas ctodos podran dejar de conducir. De igual forma, si por accin del circuito exterior la corriente de nodo volviera a aumentar slo conduciran aquellas islas ctodo que no se apagaron. La densidad de corriente de estas islas es muy alta y el excesivo calentamiento, localizado en algunos puntos, podran destruir al GTO. Consideraciones en el apagado Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de nodo a ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la densidad de corriente en estas zonas. De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a ctodo ha
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quedado reducida a pequeos filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la tensin vAK, hasta entonces muy pequea al estar el GTO en funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su destruccin, se utiliza un condensador snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular. As, cuando vAK comienza a aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba por el GTO lo hace ahora por el condensador. Apagado de un GTO.

Como consecuencia de que al apagar un GTO la corriente que circula desde el nodo hasta el ctodo se concentra en las zonas entre los terminales de puerta, la corriente de puerta debe circular lateralmente en la capa P2. Esta circulacin lateral de corriente provoca la aparicin de una cada de tensin lateral denominada vL desde la zona de ctodo, donde se concentra la corriente de nodo a ctodo, hasta la zona de terminal de puerta. Si vL se hace lo suficientemente grande (tpicamente 10 V), la unin J3 podra entrar en ruptura por avalancha. Si sto ocurriese, un aumento de la corriente de puerta se desplazar hacia la zona de avalancha de J3, lo que no contribuye al apagado del GTO. Por ltimo, observar que la corriente de puerta negativa que se emplea para apagar un GTO se encuentra limitada por la relacin entre IG e IA segn OFF:

Apagado de un GTO En un GTO, la ganancia de corriente de apagado OFF es pequea, oscilando entre los valores de 3 a 5. Afortunadamente, esta corriente en el circuito de puerta slo se requiere durante un
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tiempo pequeo. A continuacin, se detalla el funcionamiento del circuito de la figura y que representa el apagado de un GTO provisto de snubber. Las formas de onda de la tensin vAK, as como de las intensidades iG e iT se muestran en la figura. Circuito de GTO con snubber.

El intervalo de tiempo t1 recibe el nombre de tiempo de almacenamiento. En l, la regin de puerta se vaca de portadores y al final del mismo la intensidad de nodo comienza a disminuir. El intervalo de tiempo t2 recibe el nombre de tiempo de cada y en l la corriente iT comienza a disminuir. La diferencia entre I0 e iT pasa al condensador. Debido a la inductancia parsita, se observa un pequeo pico en vAK. Al final de este intervalo, el exceso de portadores ha sido eliminado. El intervalo de tiempo t3 se define como aqul que transcurre desde que iT se hace prcticamente cero hasta que vAK se estabiliza a su valor. Este tiempo viene determinado por la intensidad de nodo que se debe bloquear, y depende del valor del condensador, que define el ritmo de subida de vAK. Este tiempo t3 no debe ser inferior a un cierto valor, debido a que una disipacin prcticamente instantnea puede destruir al dispositivo. Adems, durante un tiempo continua circulando una pequea corriente de nodo denominada corriente de cola, debida a la pequea carga an remanente entre las uniones N1 y P2. Si el tiempo durante el cual circula esta corriente es muy grande se origina una gran disipacin de potencia.

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Formas de onda en el apagado de un GTO con snubber.

GTO con cortocircuito de nodo Este tipo de GTO se caracteriza por la introduccin de zonas P1 en la capa N1 que se cortocircuitan al terminal de nodo.

Un GTO con cortocircuito de nodo posee un tiempo de apagado menor que un GTO normal. Como contrapartida soporta menos tensin inversa (de 20 a 30 V tpicamente) debido a la gran densidad de dopaje a ambos lados de la unin J3. As, si en el apagado de un GTO convencional se extrae corriente por la puerta, en el de un GTO con cortocircuito de nodo la propia estructura N2P2N1hace que se pierdan las propiedades regenerativas de los tiristores PNPN. Por ello, el tiempo de apagado es menor.

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GTO con cortocircuito de nodo.

Por otro lado, al cortocircuitar P1N1, la tensin en la unin J1 vale cero, por lo que al someter al GTO a bloqueo inverso toda la tensin cae en J3.Como esta unin est muy dopada es capaz de bloquear menos tensin inversa que los GTOs convencionales.

APLICACIONES: Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia. a nivel industrial algunos usos son: Convertidores. Control de motores asncronos. Inversores. Caldeo inductivo. Rectificadores. Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.

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http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/index.php?option=com_content &view=article&catid=14%3Abloque-1-semiconductores&id=32%3A63-caracteristicas-de-disparode-un-gto&Itemid=67

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