ESTRUTURA CURRICULAR: Curso de Especializao em Microeletrnica nfase em Microfabricao

NOME DA DISCIPLINA (*) DEPARTAMENTO CLASSIFICAO OB OP CARGA HORRIA CH/T CH/P CRDITOS

DOCENTE (S) RESPONSVEL (IS)

Fsica de Semicondutores Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores Elementos de Circuitos Lgicos Processos e equipamentos de microfabricao Materiais da tecnologia de semicondutores e microeletrnica Mtodos e equipamentos para caracterizao e correo de falhas Aplicao: transdutores em silcio VLSI digital

DF DF DCC DF DF DF DEE DEE

x x x x x x x x

60 45 30 60 45 60 30 30

4 3 2 4 3 4 2 2

Paulo Srgio Soares Guimares Wagner Nunes Rodrigues Antnio Otvio Fernandes Flvio Plentz Alfredo Gontijo de Oliveira Elmo Salomo Alves Davies William de Lima Monteiro Digenes Ceclio da Silva Jr

(*) Em anexo: ementa e bibliografia das disciplinas propostas

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Fsica de Semicondutores Departamento Responsvel: Departamento de Fsica Carga Horria: Teoria: 60 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 60 horas-aula Crditos: 04 No de Vagas: 30 Cdigo: Unidade: Instituto de Cincias Exatas Professor Responsvel: Paulo Srgio S. Guimares

Ementa: A estrutura cristalina, Elementos de mecnica quntica, Bandas de energia eletrnicas, Propriedades eletrnicas de defeitos, Estatstica de portadores no equilbrio, Fenmenos de transporte de portadores, Propriedades vibracionais, Processos de espalhamento de portadores, Propriedades pticas, Portadores em excesso, Heteroestruturas, Nanoestruturas Objetivo:

Estudo dos fundamentos da fsica da matria condensada com nfase em materiais semicondutores. Essa disciplina a base para o estudo posterior da fsica de dispositivos e seus processos de fabricao. A abordagem privilegiar os fenmenos, procurando transmitir uma viso abrangente das propriedades eletrnicas desses materiais.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x35 pontos 3x10 pontos

Professores Designados: Nome: Paulo Srgio S. Guimares Titulao: Bacharel em Fsica, Mestre em Fsica da Matria Condensada, Doutor em Fsica da Matria Condensada. Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DFIS/UFMG e externos Titulao:

Programa Terico:

1 - Introduo 1.1 - Motivao e viso geral da disciplina. 2 - A estrutura cristalina 2.1 - Arranjo peridioco de tomos 2.2 - Vetores de translao da rede 2.3 - A base e a estrutura cristalina 2.4 - A clula da rede primitiva 2.5 - Tipos de rede 2.6 - Indexao dos planos cristalinos 2.7 - Periodicidade, difrao e a rede recproca 2.8 - Zonas de Brillouin 3 - Elementos de mecnica quntica 3.1 - A radiao de corpo negro 3.2 - A dualidade onda-partcula: do fton e do eltron 3.3 - Ondas, pacotes de ondas e o princpio da incerteza 3.4 - O tomo de Bohr 3.5 - A teoria de Schroedinger da mecnica quntica 3.6 - Solues da Equao de Schroedinger independente do tempo 3.7 - O tomo de hidrognio 3.8 - tomos de muitos eltrons e molculas 4 - Bandas de energia eletrnicas 4.1 - Modelo do eltron quase-livre 4.2 - Funes de Bloch 4.3 - Eltrons em potencial peridico 4.4 - Nmero de orbitais em uma banda 4.5 - A banda proibida 4.6 - Simetrias 4.7 - A massa efetiva 4.8 - Buracos 4.9 - Ligaes qumicas e bandas de energia 5 - Propriedades eletrnicas de defeitos 5.1 - O cristal perfeito 5.2 - Quebra de simetria 5.3 - Classificao dos defeitos 5.4 - Defeitos rasos ou tipo tomo de hidrognio 5.5 - Defeitos profundos 6 - Estatstica de portadores no equilbrio 6.1 - A densidade de estados 6.2 - Estatstica de Fermi 6.3 - Distribuio de portadores 6.4 - Densidade efetiva de estados 6.5 - Lei de ao de massas 6.6 - Distribuio de impurezas e defeitos 7 - Fenmenos de transporte de portadores 7.1 - Corrente de deriva 7.2 - Mobilidade de portadores 7.3 - Efeitos de campos intensos/dimenses pequenas 7.4 - Resistividade: o mtodo das quatro pontas 7.5 - Efeito Hall 7.6 - Difuso de portadores 7.7 - Alta frequncia

8 - Propriedades vibracionais 8.1 - Vibraes da rede 8.2 - Espectro de fonons 9 - Processos de espalhamento de portadores 9.1 - Potenciais de espalhamento 9.2 - Blindagem 9.3 - Tempo de relaxao 10 Propriedades pticas 10.1 - Interao eletron-fonon 10.2 - Absoro banda-banda 10.3 - Excitons 10.4 - Absoro por portadores livres 10.5 - Refletividade 10.6 - Absoro por impurezas 11 Portadores em excesso 11.1 - Recombinao 11.2 - Continuidade de portadores 11.3 - Difuso e deriva 11.4 - No-uniformidades 11.5 - Fors termodinmicas 11.6 - Energia de quasi-fermi 12 Heteroestruturas 12.1 - Regio de carga espacial 12.2 - Fluxo de corrente 12.3 - Tunelamento 12.4 - Capacitncia 12.5 - Metal-semicondutor 12.6 - Semicondutor-semicondutor 13 Nanoestruturas 13.1 - Efeitos de tamanho nas propriedades eletrnicas 13.2 - Transporte de portadores 13.3 - Propriedades pticas

Bibliografia: Livro Texto: C. M. Wolfe, N. Holonyak Jr, G. E. Stillman "Physical Properties of Semiconductors, PrenticeHall International Editions, 1989.

Bibliografia Adicional: S.M.Sze; Physics of Semicondutor Devices (2nd ed.), Wiley, 1981. R.F.Pierret; Advanced Semiconductor Fundamentals Addison-Wesley, 1989. K. Seeger, Semiconductor Physics: An Introduction Springer, 1989 C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (8th) Wiley 2005

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores Departamento Responsvel: Departamento de Fsica Carga Horria: Teoria: 45 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 45 horas-aula Crditos: 03 No de Vagas: 30 Cdigo: Unidade: Instituto de Cincias Exatas Professor Responsvel: Wagner Nunes Rodrigues

Ementa: Juno p-n; transistor bipolar; JFET; MESFET; diodo MIS; CCD; MOSFET; dispositivos optoeletrnicos Objetivo:

Estudo de dispostivos semicondutores, tecnologia de fabricao, mecanismos de operao e aplicaes. Esta disciplina forma a base para a atuao na rea de microeletrnica, processos de fabricao e MEMS (sistemas micro-eletro-mecnicos) que envolvam dispositivos singulares e sistemas. O enfoque ser dado operao, aspectos tecnolgicos e aplicabilidade dos dispositivos.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x35 pontos 3x10 pontos

Professores Designados: Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DFIS/UFMG e externos Titulao: Nome: Titulao: Bibliografia: Livro Texto: S. M. Sze "Semiconductor Devices: Physics and Technology (2nd ed)", Wiley, 2002.

Bibliografia Adicional S.M.Sze; Physics of Semicondutor Devices (2nd ed.), Wiley, 1981. G.W.Neudeck and R.F.Pierret; Modular Series on Solid State Devices, Addison-Wesley, 1988.

Programa Terico: 14 Introduo 14.1 - Motivao e viso geral da disciplina. 15 Juno p-n 15.1 - Processo de fabricao 15.2 - Formao da regio de depleo e alterao da banda de energia 15.3 - Caractersticas da regio de depleo 15.4 - Caractersticas C-V e I-V 15.5 - Ruptura 15.6 - Heterojunes 16 Transistor Bipolar 16.1 - Topologia 16.2 - O efeito transistor e ganho de corrente 16.3 - Caractersticas estticas e modos de operao 16.4 - Configuraes de base comum e emissor comum 16.5 - Resposta em frequncia de transistores bipolares 16.6 - Fabricao de transistores bipolares em Silcio 16.7 - Transistores com heterojunes 16.8 - Tiristores 17 JFET Transistor de efeito de campo de juno 17.1 - Topologia do JFET 17.2 - Modos de operao 17.3 - Caractersticas 17.4 - MESFET 18 Diodos MIS e CCDs 18.1 - Topologia 18.2 - Bandas de energia e curvatura 18.3 - Tenso de porta e regio de depleo 18.4 - Efeito de cargas e planarizao de bandas de energia 18.5 - CCDs: SCCD e BCCD 18.6 - Fabricao de CCDs 19 MOSFET 19.1 - Topologia 19.2 - Modos de operao 19.3 - Tipos de MOSFET 19.4 - Correo da tenso de limiar 19.5 - Qualidade da interface Si/SiO2 e rotulao de wafers 19.6 - Tecnologia CMOS 19.7 - Tecnologia de porta (metal x polisilcio) 19.8 - Componentes parasitas e efeito latch-up 19.9 - MOSFET de potncia 20 Dispositivos Optoeletrnicos 20.1 - LEDs 20.2 - Lasers 20.3 - Fotodetectores 20.4 - Clulas solares

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Elementos de Circuitos Lgicos Departamento Responsvel: Cincia da Computao Carga Horria: Teoria: 30 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 30 horas-aula Crditos: 02 No de Vagas: 30 Unidade: ICEx Professor Responsvel: Antnio Otvio Fernandes Cdigo:

Ementa: lgebra de Boole. Portas lgicas. Sntese de Circuitos Combinatrios. Sntese de Circuitos Sequenciais. Objetivo: Fornecer ao aluno conhecimentos bsicos de projeto de circuitos lgicos digitais sncronos. Ao final do curso o aluno ser capaz de entender o funcionamento dos blocos bsicos de um computador digital e de projetar circuitos lgicos sncronos combinacionais e sequenciais. Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides (X) Trabalho Terico Extra-Classe (X) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios Projeto -

60 pontos 25 pontos 15 pontos

Professores Designados: Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DCC e DELT/UFMG e externos Titulao: Nome: Titulao:

Programa Terico: 21 Introduo 21.1 - Sistemas digitais 21.2 - Tecnologias de circuitos digitais 22 Representaes de projetos digitais 22.1 - Chaves 22.2 - Tabelas verdade 22.3 - lgebra de Boole 22.4 - Portas lgicas 22.5 - Formas de ondas 23 Lgica combinatria de dois nveis 23.1 - Funes lgicas 23.2 - Portas lgicas 23.3 - Simpificao e otimizao 24 Lgica combinatria multi-nvel 24.1 - Redes nand-nand e nor-nor 24.2 - Resposta de tempo 24.3 - Rudos e glitches 25 Lgica programvel 25.1 - PLA 25.2 - CPLD 25.3 - FPGA 26 Circuitos Aritmticos 26.1 - Sistemas de numerao 26.2 - Somadores 26.3 - ALU 27 Lgica Sequencial 27.1 - Latches e flip-flops 27.2 - Temporizao 27.3 - Contadores 27.4 - Mquinas de estados finitas

Bibliografia: Livro Texto: Randy H. Katz; Contemporary Logic Design, Prentice Hall, 1993.

:
Bibliografia Adicional John Hayes,Digital Logic Design, Addison Wesley, 1993. Notas de Aula e Artigos de revistas e peridicos (internet).

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Processos e Equipamentos para Microfabricao Departamento Responsvel: Departamento de Fsica Carga Horria: Teoria: 60 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 60 horas-aula Crditos: 04 No de Vagas: 30 Cdigo: Unidade: Instituto de Cincias Exatas Professor Responsvel:
Flavio Plentz

Ementa: Crescimento de cristais; Epitaxia; Produo de wafers; Oxidao; Deposio de filmes: PVD, CVD; Difuso; Implantao inica; Fotolitografia; Tcnicas de escrita direta; Padres; Encapsulamento e rendimento; Ambientes limpos; Processos CMOS. Objetivo:

Estudo dos processos pertinentes fabricao de circuitos integrados, incluindo a purificao do semicondutor, o processamento do substrato e a deposio de camadas. O curso visa tambm mostrar como a tecnologia CMOS e seu progresso esto intimamente ligados aos cuidados apresentados nos processos vistos. O enfoque ser dado aos processos e ao equipamentos utilizados para realiz-los.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x35 pontos 3x10 pontos

Professores Designados: Nome: Davies William de Lima Monteiro (DEE/UFMG) Titulao: BSc Fsica, MSc Fsica da Matria Condensada, PhD Microeletrnica Nome: Flvio Plentz Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Juan Carlos Gonzalez Perez Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Marcus Vinicius Baeta Moreira Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DFIS/UFMG e externos

Programa Terico: 28 Introduo 28.1 - Motivao e viso geral da disciplina. 29 Crescimento de Cristais 29.1 - Purificao do Silcio 29.2 - Mtodos: Czochralski, Refluxo Zonal, Bridgman 30 Epitaxia 30.1 - VPE Vapour-phase epitaxy 30.2 - Camadas embutidas 30.3 - LPE Liquid-Phase Epitaxy 30.4 - MBE- Molecular-Beam Epitaxy 30.5 - Defeitos 31 Produo de wafers 31.1 - Corte 31.2 - Orientao 31.3 - Flats 31.4 - Polimento 32 Oxidao 32.1 - Cintica da oxidao: mida e seca 32.2 - Qualidade do xido e verificao 32.3 - Fornos e cmaras de oxidao 33 Deposio de Filmes 33.1 - Evaporao 33.2 - Sputtering 33.3 - CVD Chemical Vapour Deposition 33.4 - Deposio de Silcio amorfo e de polisilcio 33.5 - Deposio de Nitreto de Silcio (Si3N4) 33.6 - Deposio de oxinitretos e de dieltricos de alto k 33.7 - Metalizao 34 Difuso 34.1 - Cintica da difuso 34.2 - Difuses sucessivas 34.3 - Mtodos e equipamentos 35 Implantao Inica 35.1 - Processo de implantao 35.2 - Implantao seletiva 35.3 - Channeling, defeitos e tratamento trmico 35.4 - Mtodos e equipamentos 36 Fotolitografia 36.1 - Processo e resoluo litogrfica 36.2 - Deposio e tratamento de fotoresiste 36.3 - Transferncia de padres 36.4 - Fontes de luz 36.5 - Fabricao de mscaras fotolitogrficas 36.6 - Equipamentos 37 Tcnicas de escrita direta 37.1 - Feixe de eltrons 37.2 - Feixe de ons

38 -

Transferncia de Padres 38.1 - Via mida 38.2 - Corroso eletroqumica 38.3 - Corroso por ons: sputtering 38.4 - Corroso por plasma 38.5 - Corroso por plasma reativo 39 Encapsulamento e Rendimento 39.1 - Fixao e conexo externa de chips 39.2 - Tipos de encapsulamento 39.3 - Conceitos de rendimento 40 Ambientes limpos 40.1 - Classes 40.2 - Materiais e equipamentos 40.3 - Mtodos e equipamentos 41 Processos CMOS 41.1 - Processo CMOS padro 41.2 - CMOS digital x CMOS analgico 41.3 - Efeitos do escalonamento da tecnologia CMOS 41.4 - Isolamento de porta e de dispositivos 41.5 - Difuso lateral de dreno 41.6 - Gettering 41.7 - Tecnologia dos contatos eltricos 41.8 - Processo BiCMOS 41.9 - Tecnologia para memrias 41.10 - SOI Silicon on Insulator

Bibliografia: Livro Texto: R.C.Jaeger; Introduction to Microelectronic Fabrication, Addison-Wesley, 1993.

Bibliografia Adicional:
P. van Zant; Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing, McGrawHill, 2000. S.Wolf & R.N Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 1: Process Technology, 2nd Ed., LATTICE PRESS, Sunset/ CA, 2000. S. Wolf; Silicon Processing for the VLSI Era: Vol. 2 - Process Integration, LATTICE PRESS, Sunset/ CA, 1990. S. Wolf; Silicon Processing for the VLSI Era: Vol. 3 - The Submicron MOSFET, LATTICE PRESS, Sunset/ CA, 1995. S. Wolf; Silicon Processing for the VLSI Era: Volume-4 - Deep-Submicron Process Technology, LATTICE PRESS, Sunset/ CA, 2002. S. Wolf; MICROCHIP MANUFACTURING, LATTICE PRESS, Sunset/ CA, 2004.

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Materiais da tecnologia de semicondutores e microeletrnica Departamento Responsvel: Departamento de Fsica Carga Horria: Teoria: 45 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 45 horas-aula Crditos: 03 No de Vagas: 30 Cdigo:

Unidade: Instituto de Cincias Exatas Professor Responsvel:

Alfredo Gontijo de Oliveira

Ementa: Silcio, SiGe, strained Si; Silicetos, polisilcio, SiC, cermicas; Compostos III-V: arsenetos, fosfetos e nitretos; Metais; Dieltricos: high-k, xidos, nitretos e oxinitretos; Polmeros: PMMA, HDMS, PDMS, SU-8, PTFE; Fotoresistes e eletron-resistes;Gases, solues e reaes qumicas nos processos de fabricao Objetivo:

Estudo dos principais materiais de uso na microeletrnica atual. As propriedades fsicas e qumicas desses materiais, e em especial as caractersiticas que os tornam adequados s aplicaes em microeletrnica, sero abordadas. Uma viso das solues atuais e as demandadas tambm ser abordada.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x35 pontos 3x10 pontos

Professores Designados: Nome: Marcus Vinicius Baeta Moreira Titulao: Doutor em Fsica da Matria Condensada Nome: Flvio Plentz Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Juan Carlos Gonzalez Perez Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Arilza Porto Titulao: Doutora em Qumica Nome: Nelcy Mohallem Titulao: Doutora em Fsica Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DF, DQ e DEE/UFMG e externos

Fotoresistes e eletron-resistes 49.1 - Introduo 49.2 - Propriedades trmicas e mecnicas. 49.3 - Propriedades eltricas e pticas 42 - 49.4 - Propriedades de superfcie Introduo 42.1 - -Motivao e viso geral dade materiais para dispositivos eletrnicos. 49.5 Relevncia dessa classe disciplina. 43 - - Silcio, SiGe, strained Si 50 Gases, solues e reaes qumicas nos processos de fabricao 43.1 - -Introduo 50.1 Introduo 43.2 - -Propriedades estruturais 50.2 Corroso 43.3 - -Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 50.3 Limpeza 43.4 - -Estrutura de bandas materiais e dispositivos em atmosferas oxidantes, redutoras ou 50.4 Condicionamento de 43.5 - inertes. Propriedades eltricas e pticas 43.6 - Propriedades de superfcie 43.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. 44 Silicetos, polisilcio, SiC, cermicas 44.1 - Introduo 44.2 - Propriedades estruturais 44.3 - Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 44.4 - Estrutura de bandas 44.5 - Propriedades eltricas e pticas 44.6 - Propriedades de superfcie 44.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. 45 Compostos III-V: arsenetos, fosfetos e nitretos 45.1 - Introduo 45.2 - Propriedades estruturais 45.3 - Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 45.4 - Estrutura de bandas 45.5 - Propriedades eltricas e pticas 45.6 - Propriedades de superfcie 45.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. 46 Metais 46.1 - Introduo 46.2 - Propriedades estruturais 46.3 - Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 46.4 - Estrutura de bandas 46.5 - Propriedades eltricas e pticas 46.6 - Propriedades de superfcie 46.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. 47 Dieltricos: high-k, xidos, nitretos e oxinitretos 47.1 - Introduo 47.2 - Propriedades estruturais 47.3 - Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 47.4 - Estrutura de bandas 47.5 - Propriedades eltricas e pticas 47.6 - Propriedades de superfcie 47.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. 48 Polmeros: PMMA, HDMS, PDMS, SU-8, PTFE 48.1 - Introduo 48.2 - Propriedades estruturais 48.3 - Propriedades trmicas, mecnicas e vibracionais. 48.4 - Estrutura de bandas 48.5 - Propriedades eltricas e pticas 48.6 - Propriedades de superfcie 48.7 - Relevncia dessa classe de materiais para dispositivos eletrnicos. Programa Terico:

49 -

Bibliografia:

Livro Texto: R.C.Jaeger; Introduction to Microelectronic Fabrication, Addison-Wesley, 1993.

Bibliografia Adicional: P. van Zant; Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing, McGrawHill, 2000. Properties of Silicon Carbide (E M I S Datareviews Series) Gary L. Harris (Editor), INSPEC Properties of Amorphous Silicon and Its Alloys (E M I S Datareviews Series) Tim Searle (Editor), INSPEC Properties of Silicon Germanium and SiGe: Carbon (Emis Datareviews, 24) (Hardcover) Erich Kasper (Editor), K. Lyutovich (Editor), INSPEC Properties of Crystalline Silicon (Emis Series) (Hardcover) R. Hull (Editor) INSPEC

Properties of Metal Silicides (E M I S Datareviews Series) K. Maex and M. van Rossum

(Eds.), INSPEC

Properties of Group III Nitrides (E M I S Datareviews Series)J. Edgar (Ed.) INSPEC Properties of Aluminium Gallium Arsenide (E M I S Datareviews Series) S. Adachi (Ed.)
INSPEC

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Mtodos e equipamentos para caracterizao e correo de falhas Departamento Responsvel: Departamento de Fsica Cdigo:

Unidade: Instituto de Cincias Exatas

Carga Horria: Crditos: Professor Responsvel: Teoria: 60 horas-aula 04 Elmo Salomo Alves Prtica: 0 horas-aula No de Vagas: Total: 60 horas-aula 30 Ementa: Mtodos e tcnicas de caracterizao estrutural, Mtodos e tcnicas de caracterizao qumica, Mtodos e tcnicas de caracterizao eltrica, Mtodos e tcnicas de caracterizao ptica Objetivo:

Apresentao dos mtodos de caracterizao dos materiais e dispositivos semicondutores usados no contexto da microeletrnica. Procurar-se- oferecer uma viso abrangente, cobrindo as propriedades mais relevantes do ponto de vista tecnolgico.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x35 pontos 3x10 pontos

Professores Designados: Nome: Klaus Krambrock Titulao: Doutor em Fsica da Matria Condensada Nome: Rogrio Paniago Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Juan Carlos Gonzalez Perez Titulao: Doutor em Fsica da matria condensada Nome: Geraldo Mathias Ribeiro Titulao: Doutor em Fsica Nome: Franklin Matinaga Titulao: Doutora em Fsica Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DF, DQ e DEE/UFMG e externos

Programa Terico:

51 -

Introduo 51.1 - Motivao e viso geral da disciplina. 52 Mtodos e tcnicas de caracterizao estrutural 52.1 - Difrao de raios-x 52.2 - SEXAFS e EXAFS 52.3 - Difrao de eltrons 52.4 - Microscopia eletrnica de varredura e transmisso 52.5 - Microscopia de varredura por sonda 53 Mtodos e tcnicas de caracterizao qumica 53.1 - SIMS 53.2 - XPS 53.3 - AES 53.4 - EELS 53.5 - Microsonda 53.6 - Outros mtodos de caracterizao qumica 54 Mtodos e tcnicas de caracterizao eltrica 54.1 - Condutividade: mtodo das quatro-pontas, van der Pauw 54.2 - Resistncia de contato 54.3 - Resistncia de folha 54.4 - Densidade de portadores e mobilidade: Efeito Hall 54.5 - Mtodos de regio de carga espacial: C-V, DLTS, Admitncia complexa 54.6 - Magnetoresistncia 54.7 - Outros mtodos de caracterizao eltrica 55 Mtodos e tcnicas de caracterizao ptica 55.1 - Refletividade 55.2 - Absoro ptica 55.3 - Fotoluminescncia 55.4 - Fotocondutividade 55.5 - Magnetoluminescncia 55.6 - Outros mtodos de caracterizao ptica 56 Mtodos de caracterizao de processos 56.1 - Espessura e adeso de filmes 56.2 - Topografia 56.3 - Dureza 56.4 - Outros processos de caracterizao de lminas de semicondutores importantes para microeletrnica

Bibliografia: Livro Texto: W. R. Runyan, T. J. Shaffner; Semiconductor Measurements and Instrumentation, McGraw-Hill, 1997. Bibliografia Adicional: D. K. Schroder; Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley, 1998 T.E.Jenkins; Semiconductor Science: Growth and Characterization Techniques, Prentice Hall, 1995

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: Aplicao: Transdutores em Silcio Departamento Responsvel: Engenharia Eltrica Carga Horria: Teoria: 30 horas-aula Prtica: 0 horas-aula Total: 30 horas-aula Crditos: 02 No de Vagas: 30 Unidade: Escola de Engenharia Professor Responsvel:
Davies W. de Lima Monteiro

Cdigo:

Ementa: Microusinagem bulk; Microusinagem de superfcie; Sensores; Atuadores; Sinais analgicos; Circuitos de interface Objetivo:

Estudo de transdutores (sensores e atuadores) em Silcio. Esta disciplina aborda sensores em vrios domnios de sinal (ptico, mecnico, trmico, magntico), assim como os circuitos bsicos para a interface com sistemas de aquisio de dados. O enfoque ser dado aos princpios de operao e aspectos tecnolgicos dos dispositivos.
Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides ( ) Trabalho Terico Extra-Classe ( ) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios -

2x40 pontos 2x10 pontos

Professores Designados: Nome: Davies William de Lima Monteiro (DEE) Titulao: BSc Fsica, MSc Fsica da Matria Condensada, PhD Microeletrnica Nome: possibilidde de colaborao de outros professores do DELT, DEE e externos Titulao:

Programa Terico: 57 58 Introduo 57.1 - Motivao e viso geral da disciplina Microusinagem bulk 58.1 - Corroso isotrpica e anisotrpica 58.2 - Dependncia da orientao cristalogrfica 58.3 - Geometria de mscaras 58.4 - Solues Microusinagem de superfcie 59.1 - Camadas de sacrifcio, materiais e solues 59.2 - Mtodos 59.3 - Estresse em filmes finos 59.4 - Compatibilidade com circuitos integrados Sensores 60.1 - Domnios e converso de sinal 60.2 - Princpios de sensores de radiao 60.3 - Princpios de sensores mecnicos 60.4 - Princpios de sensores trmicos 60.5 - Princpios de sensores magnticos 60.6 - Princpios de sensores de umidade Atuadores 61.1 - Tcnicas de atuao 61.2 - Caractersticas bsicas de fabricao 61.3 - Micromotores 61.4 - Microbombas 61.5 - Micromanipuladores 61.6 - Microatuadores pticos Sinais Analgicos 62.1 - Amostragem 62.2 - Offset e rudo Circuitos de Interface 63.1 - Estgio de amplificao e circuitos com amplificador operacional 63.2 - Conversores A/D e D/A 63.3 - Conceitos de filtros ativos

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Bibliografia: Livro Texto: S. Middelhoek, S. Audet, P. French; "Silicon Sensors", Apostila TU-Delft, 2000.

Bibliografia Adicional G. Kovacs; Micromachined Transducers Sourcebook, WCB-McGraw-Hill, 1998. M. Madou; Fundamentals of Microfabrication, 2nd ed., CRC Press, 2002. M. Bao, S. Middelhoek, Micro Mechanical Transducers; Elsevier, 2000. J. Gardner, V. Varandan, O. Awadelkarim, "Microsensors, MEMS and Smart Devices", John Wiley and Sons, 2002

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS INSTITUTODE CINCIAS EXATAS PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA Disciplina: VLSI Digital Departamento Responsvel: Engenharia Eltrica Carga Horria: Teoria: 30 horas-aula Total: 30 horas-aula Crditos: 02 No de Vagas: 30 Ementa: Transistor CMOS. Tecnologia de fabricao CMOS. Regras de projeto. Caracterizao e desempenho de circuitos: atraso, resistncia e capacitncia. Projeto de nvel lgico, portas lgicas e flip-flops. Clocking e lgica domin. Subsistemas CMOS: ROM, PLA, Gate array, RAM, contadores e subsistemas sequenciais. Testabilidade. Projeto semi-custom e standard-cell. Objetivo: Prover os fundamentos da tecnologia e de projeto de circuitos integrados VLSI, projetar clulas bsicas, e projetar sistemas digitais a partir de bibliotecas de clulas bsicas. Metodologia de Ensino: (X) Aulas Expositivas em Quadro-Negro (X) Utilizao de Transparncias ou Slides (X) Trabalho Terico Extra-Classe (X) Trabalho Prtico Extra-Classe (X) Estudo Dirigido / Listas de Exerccios Critrios de Avaliao: 2 Provas Tericas Listas de Exerccios Projeto Professores Designados: Nome: Titulao: Nome: Titulao: Unidade: Escola de Engenharia Professor Responsvel: Digenes C. Da Silva Jr. Cdigo:

60 pontos 25 pontos 15 pontos

Programa Terico: 64 65 Introduo 64.1 - Motivao e Viso geral da disciplina. Circuitos CMOS 65.1 - Introduo ao transistor MOS 65.2 - Processo de fabricao CMOS 65.3 - Regras de projeto CMOS Projeto Fsico 66.1 - Teoria do transistor MOS 66.2 - Caracterizao e Desempenho de circuitos 66.3 - Atraso, resistncia e capacitncia 66.4 - Chaveamento

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Projeto Full-Custom 67.1 - Portas lgicas: inversor, nor e nand 67.2 - Flip-flop, contadores e registradores 67.3 - Clock: Duas fases, lgica domin 68 Projeto Semi-Custom 68.1 - Subsistemas CMOS, standard-cell. 68.2 - ROM, PLA, PLD, Gate Arrays 68.3 - RAM 68.4 - Somadores e multiplicadores 68.5 - Contadores e subsistemas sequenciais 69 Mtodos de Projeto 69.1 - Floorplan 69.2 - Roteamento 69.3 - Distribuio de clock

Bibliografia: Livro Texto: Digital Integrated Circuits: A Design Perspective,2nd Edition Jan Rabaey, Anantha Chandrakasan e Borivoje Nikolic, Prentice Hall. Principles of CMOS VLSI Design: A Systems Perspective, 2a. Edio, Neil Weste e Kamram Eshraghian, Addison-Wesley. Notas de Aula e Artigos de revistas e peridicos (internet)

Bibliografia Adicional: CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design, Sung-Mo Kang and Yusuf Leblebici, McGraw-Hill.