elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.
TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 51 16 34 52 Nombre del Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) Ge (Germanio) P (Fsforo) As (Arsnico) Sb (Antimonio) S (Azufre) Se (Selenio) Te (Telurio) VIa No metal Metaloide Va IVa Metaloide No metal Metaloide 6e
-
Nmeros de valencia +2 +3
IIIa
Metal
-
4e
+4
5e
+3, -3, +5
+2, -2 +4, +6
DIODO: Es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. TRANSISTOR: Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos celulares, etc. TECONOLOGA TTL: TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, "lgica transistor a transistor". Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares.
Caractersticas TTL:
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se ve un rango muy estrecho). Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,2V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto). La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz. Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas). TTL trabaja normalmente con 5V.
La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra:
Etapa de entrada por emisor: Se utiliza un transistor multi-emisor en lugar de la matriz de diodos de DTL. Separador de fase: Es un transistor conectado en emisor comn que produce en su colector y emisor seales en contrafase. Driver: Est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel alto.
Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia, principalmente la etapa de salida, que depende de si son bferes o no y si son de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc. Mayores variaciones se encuentran entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H difieren principalmente en el valor de las resistencias de polarizacin, pero la mayora de los 74LS (y no 74S) carecen del transistor multi-emisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una matrz de diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen ms amplio de tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interface con CMOS. Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor pnp a la entrada de cada lnea, para disminuir la corriente de entrada y as cargar menos el bus. Existen dispositivos de interface que integran impedancias de adaptacin al bus para disminuir las reflexiones u aumentar la velocidad.
TECNOLOGA CMOS: Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas. En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo. VENTAJAS La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de circuitos integrados digitales:
El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en estado estacionario. Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin. Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas. INCONVENIENTES
Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas. Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o alimentacin. Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos). DIFERENCIA ENTRE CMOS Y TTL *CMOS son ms rpidos y ms pequeos, as que ellos son los mejores, el nico problema que al tener que manipularlos hay que ser muy cuidadosos ya que si les tocas las patillas dejara de funcionar ya que para montarlos lo ms recomendable es usar pinzas. *TTL son algo ms lentos y ms grandes, pero son duros como una piedra es decir, cuesta mucho que se estropeen debes hacer una barbaridad como meterle la alimentacin al revs o algo as para que se estropee.
SISTEMAS NUMERICOS