Practica7 12671432023358 Phpapp02

[REPORTE DE PRCTICA No.
7]

[EL BJT COMO INTERRUPTOR Y COMO APLIFICADOR DE VOLTAJE DE
SEALES PEQUEAS EN EMISOR COMN]

ALUMNOS:
JORGE ANTONIO GAXIOLA TIRADO.
GUSTAVO HERNANDEZ MEJA.
JOS DE JESS FLORES SANCHEZ.

PROFESOR: GUSTAVO ADOLFO VEGA GMEZ.

MATERIA: LABORATORIO DE ELECTRNICA I.

CARRERA: LICENCIATURA EN INGENIERA BIOMDICA.

GUADALAJARA, JALISCO. 25 DE NOVIEMBRE DEL 2009

UNIVERSIDAD DE GUADALAJARA
CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS EXACTAS E INGENIERAS

REPORTE DE PRCTICA No. 7
EL BJT COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR DE VOLTAJE

LABORATORIO DE ELECTRNICA I 25/NOV/2009

OBJETIVO GENERAL
Comprobar el funcionamiento del BJT como interruptor y como amplificador de
seales pequeas en emisor comn. Realizando los clculos y experimentos
necesarios para confirmar los resultados tericos, simulados y prcticos se aproximan
tanto para C.D, como para C.A.

MARCO TERICO

Por definicin, el transistor de unin es un dispositivo semiconductor que contiene tres
porciones vecinas dopadas alternativamente, en el cual la regin media es muy
estrecha en comparacin con la longitud de fusin de portadores minoritarios
correspondiente a esa zona.

Como se muestra en la figura, el contacto de la regin central estrecha hacia el mundo
exterior se conoce como base. Los contactos en las porciones externas reciben los
nombres de emisor y colector. Las designaciones de emisor y colector nacen de las
funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del dispositivo. An cuando
en la figura pueden lucir como dos zonas intercambiables, en los dispositivos prcticos
actuales, la zona emisora generalmente est mucho ms dopada que la colectora y no
se pueden intercambiar los terminales sin modificar las caractersticas del dispositivo.

En la figura anterior se ilustra el smbolo circuital utilizado para el transistor de unin
pnp, al mismo tiempo que se definen simultneamente las polaridades de voltaje y
corriente pertinentes. Aunque en la figura aparecen los signos + y - para definir las
polaridades de los voltajes, en realidad son redundantes porque el doble subndice en
el smbolo de voltaje ndice igualmente dichas polaridades. El primer subndice
especifica la referencia de polaridad supuesta como +. Por ejemplo, V
EB
supone que
E tiene el signo + y B el signo -. Ntese que como que como consecuencia de
las leyes de Kirchhoff, solamente hay dos voltaje y dos corrientes independientes. Si se
conocen dos voltajes o corrientes, tambin se conoce la tercera.

E C
+ -
-
B
/
B
+ -
/
C
/
E
-
V
BC
V
EB

V
EC
+
V
CB

+


Transistor npn Transistor pnp

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT

El transistor bipolar tiene cuatro regiones o zonas de funcionamiento o
polarizacin en cc. Las regiones de funcionamiento se determinan de acuerdo con las
polaridades de los voltajes en las uniones colector-base y base-emisor. La zona ms
comn de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa, que se define como
aquella que tiene la unin E-B polarizada en directo y la unin C-B polarizada en
inverso. Para el p
+
np esto significa que la E-B tiene una polaridad de + a - y que la
C-B tiene una polaridad de - a + Casi todos los amplificadores de seal lineales
tienen sus transistores bipolares polarizados en la regin activa, porque es en esa
regin donde tienen mayor ganancia de seal y menor distorsin.

La zona de saturacin se define como aquella en la que tanto la unin E-B
como la unin C-B estn polarizadas en directa. Para el pnp, esto significa que los
voltajes V
EB
y V
CB
son positivos. En los circuitos lgicos y cuando el transistor acta
como conmutador, esto implica la regin de funcionamiento en la que |V
CE
| es
pequea e |I
C
| es elevada; es decir, el dispositivo acta como un conmutador cerrado,
o sea en conduccin. Un conmutador cerrado tiene poco o ningn voltaje entre sus
bornes aun cuando fluya una corriente elevada. En un circuito lgico, denominamos a
esto un nivel lgico cero o bajo.

Definimos la zona o regin de corte como aquella en la que ambas uniones
estn polarizadas en inversa. Para el transistor pnp esto hace necesario un voltaje
negativo de VEB y de VCB. Esto representa generalmente el estado abierto, o sea en
corte, para el transistor como conmutador, o el nivel lgico uno o alto en circuitos
digitales. Cuando est en corte el transistor es similar a un circuito abierto en que
|I
C
| es casi cero y |V
CE
| es elevado.

La cuarta regin de funcionamiento es la zona o regin inversa, denominada
tambin regin activa inversa. Para el funcionamiento en activa inversa, la unin E-B
est polarizada en inversa y la unin C-B lo est en directa. El uso ms comn de esta
zona de funcionamiento es en circuitos de lgica digital, como la lgica TTL (transistor-
transistor-logic), en los que la ganancia de seal no es un objetivo.

E C
- +
+ B
/
B
- +
/
C
/
E
+
V
CB
V
EB

V
CE

-
V
BC
-
E C
+ -
- B
/
B
+ -
/
C
/
E
-
V
BC
V
EB

V
EC

+
V
CB

+


CONFIGURACIONES DEL BJT

En aplicaciones de circuito, el transistor funciona tpicamente con un terminal comn
entre la entrada y la salida, ya sea en cc o en seal con una masa comn. Debido a que
el transistor tiene solamente tres terminales, hay tres tipos posibles de amplificador.
Se designan como en base comn, emisor comn y colector comn; estos nombres
indican el terminal que es comn a los circuitos tanto de entrada como de salida.

PNP
V
CB

V
EB

Corte
Saturacin
Activa
directa
Activa
inversa

B
>0
V
CB
=0

B
>0

B
=0

C
V
EC

B
=0
Corte
Activa
Activa
inversa
Corte
Saturacin
Saturacin
NPN
V
BC

V
BE

Corte
Saturacin
Activa
directa
Activa
inversa

B
>0
V
BC
=0

B
>0

B
=0

C
V
CE

B
=0
Corte
Activa
Activa
inversa
Corte
Saturacin
Saturacin
Entrada
+

C
i
c
i
E

E
+
V
EB

P
+
N P

V
CB

Salida
Base comn


Emisor comn

Esta es la configuracin de transistor que se encuentra ms frecuentemente para los
transistores npn y pnp.

B
Salida
V
EB

+ +
i
B

C
P
N
P
+

Entrada
i
c

V
EC

B
Salida
V
CB

+

i
B

+
E
P
N
P
Entrada
i
E

V
EC

Emisor comn Colector comn
I
B

n
n
p
I
E

I
C

B
C
E
V
CC

V
BB

I
B

p
p
n
I
E

I
C

B
C
E
V
CC

V
BB

NPN PNP
I
B

I
C

I
E

C
E
B
I
B

I
C

I
E

C
E
B


Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
relaciona las terminales tanto de entrada como de salida (para este caso, ser comn
tanto la terminal base como a la de colector). Tambin en esta configuracin se
necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir completamente el
comportamiento de la configuracin de emisor-comn: uno para el circuito de entrada
o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de colector-emisor.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin
convencional real para la corriente. Incluso aunque cambi la configuracin del
transistor, las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la configuracin
de base comn continan siendo aplicables. Es decir:

I
E
= I
C
+I
B
e I
C
= I
E

Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida representan
una grfica de la corriente de salida (I
C
) en funcin del voltaje de salida (V
CE
) para un
rango de valores de corriente de entrada (I
B
). Las caractersticas de entrada
representan una grfica de la corriente de entrada (I
B
) en funcin del voltaje de
entrada (V
BE
) para un rango de valores de voltaje de salida (V
CE
).

La regin activa para la configuracin de emisor comn es la parte del cuadrante
superior derecho que tiene la mayor linealidad, es decir, la regin en la que las curvas
de IB son casi rectas e igualmente espaciadas.

En la regin activa de un amplificador de emisor comn, la unin base-emisor se
encuentra en polarizacin directa, mientras que la unin colector-base se encuentra en
1
2
3
4
5
6
7
8
0 5 10 15 2
0
V
CEsat

I
CEO
I
CBO

(Regin de corte)
(Regin de
saturacin)
I
B
=0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
90A
(Regin activa)
V
CE
(V)
I
C
(mA)


hfe
I
I
B
C
= = |

hfb
I
I
E
C
= = o

Ganancia de corriente del BJT en colector comn hfe hfc ~
Ganancia de corriente del BJT en base comn 1
Ganancia de corriente del BJT en emisor comn
50 600
polarizacin inversa. Esta regin de emisor comn puede emplearse para amplificacin
de voltaje, corriente o potencia.

La regin de corte para la configuracin de emisor comn, no se encuentra tan bien
definida como para la configuracin de base comn.

Para propsitos de amplificacin lineal (de menor distorsin), el corte de la
configuracin de emisor comn se definir mediante I
C
= I
CEO
.

En otras palabras, la regin por debajo de I
B
=0 A debe evitarse si se busca una seal de
salida sin distorsin.

RELACIN ENTRE GANANCIA DE CORRIENTE

B C E
I I I + =
|
C
C E
I
I I + =
|
|
.
|
\
|
+ =
|
1
1
C E
I I
|
|
.
|
\
| +
=
|
| 1
C E
I I

o
|
|
=
+
=
1
E
C
I
I
( ) | o | = +1 | | o o | = 1
o
o
|
=
1

OBSERVACIONES

En la regin de saturacin (V
CE
V
CEsat
) se utiliza el BJT como interruptor
cerrado.

En la regin de corte V
CC
= V
CE
se utiliza el BJT como interruptor abierto.

En la regin activa o lineal ( I
C
/I
B
= ) se utiliza el BJT como amplificador lineal.

B
E
I
I
hfc =


BJT EN EMISOR COMN COMO AMPLIFICADOR DE SEAL PEQUEA
LINEAL

V
pk-pk
=10mV
V
pk-pk
=500mV
Amplificador
Lineal
V
pk-pk

V mV
Seales pequeas
R
L

~
R
C

~
R
1

R
2

R
E

r
s

v
s

C
E

R
L

C
C

C
B

- + V
CC

I
CQ

X
C
= 1 .
wc
X
C

R
C

~
R
BB

I
B

R
E

r
s

v
s

V
BB

C
B

I
C
= I
CQ
+ i
C

+

i
b
i
B

+ V
CC

Reactancia
Capacitiva

X
C
= 1 = X
C
|
CD

wc
i
C
= i
B

Esta polarizacin es ms estable
porque no depende de la para
estabilizarlo, (estabilizar I
C
); Si
vara mucho, la I
C
no se altera tanto.


|
|
.
|
\
|
+
= =
2 1
1
R R
R
V Vth V
CC BB

2 1
2 1
R R
R R
Rth R
BB
+
= =

Si la base se hace corto circuito

Todo anlisis comienza en la malla B-E

E E BE BB B BB
R I V R I V + + =
C E
I I ~
B C
I I = |

E B BB B BE BB
R I R I V V | + =
CESAT CE
B
C
V V
I
I
> = cumple se |
( )
E
BB
BE BB
E BB
BE BB
C
R
R
V V
R R
V V
I
+
=
+
=
|
|
|

R
C

R
1

R
2

R
E

- + V
CC

R
C

R
1

R
2

R
E

+

R
C

R
BB

I
B

R
E

V
BB

I
C
= I
CQ
+ i
C

+

i
B

+ V
CC

+

+

+

V
CE



De la malla C-E

E E CE C C CC
R I V R I V + + =
C E
I I ~
E C CE C C CC
R I V R I V + + =

E C
CE CC
C
R R
V V
I
+
=
E C
CC
VCE
C
R R
V
I
+
=
=0
max

E C
CC
CE
E C
C
R R
V
V
R R
I
+
+
+
=
1

( )
E C C CC CE E C CE C C CC
R R I V V R I V R I V + = + + =

CC
Ic
CE
V V =
=0
max

CESAT CE
CESAT CE
V V
V V
<
>

PROCEDIMIENTO DE OBTENCIN DEL MODELO DE SEAL PEQUEA DE
UN AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

1. Represente al BJT como un modelo elctrico que satisfaga i
c
= hfe*i
b
.

2. Realice corto circuito en los capacitores y cada una de las fuentes de C.D.
con que cuente el circuito.

I
CQ

V
CEQ

I
B

V
CC

.

R
C
+ R
E

V
CC

R
ENT
= Z
ENT
= R
BB
|| r
be

Modelo del BJT en emisor comn
para seales pequeas

r
S

v
S

R
BB
r
be
R
C
R
L

hfe*i
b

i
C

b
e
c
i
b

i
L

Capacitores en
corto (2)

+

Z
SAL
= R
C



MODELO DE UN AMPLIFICADOR DE VOLTAJE

En un Amplificador de voltaje
es casi estrictamente necesario que se cumpla

|
|
.
|
\
|
+
=
rs R
R
V V
ent
ent
S ent
rs R
ent
>>

|
|
.
|
\
|
+
= =
sal L
L
ent V sal L
R R
R
V G V V
sal L
R R >>

( )
rbe i
R R i hfe
V
V
V
V
G A
b
C L b
ent
L
ent
sal
V V
= = = =

|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= =
ent
b
b
C
C
L
ent
L
i
i
i
i
i
i
i
i
i
G
|
|
.
|
\
|
+
=
rbe R
R
i i
BB
BB
ent b

|
|
.
|
\
|
+
=
L C
C
C L
R R
R
i i

( )
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
rbe R
R
hfe
R R
R
G
BB
BB
C L
C
i

V i P
G G G =

...tomando en cuenta ya a los capacitores...

r
S

v
S

V
ENT

R
ENT
R
C

v
L

G
V
(v
ENT
)
+

+

+
R
SAL

+
R
ENT
>> r
s
, R
L
>> R
SAL

r
S

v
S

R
BB
r
be
R
C
R
L

hfe*i
b

i
C

b
e
c
i
b

C
B

C
E

C
C



C
X
L X
C
L
e
e
1
=
=

CLCULO DE UN FILTRO PASA ALTAS DE 1
ER
ORDEN

2
2
1
|
.
|
\
|
+
=

=
C
R
R
jX R I
R I
V
V
L
L
C L
L
ent
sal
=
0
0
=
=
CD
ent
sal
V
V
e
1 =
e
ent
sal
V
V

L
ent
R
V
P
2
max
=
2
max
P
P
med
=
2
1

L
med
L
ent
L
ent
med
R
V
R
V R
V
P
P
2 2
2
max
2 2 2
= = = =

(
(
+
= =
2 2
2
C L
L
ent
ent
med
X R
R
V
V
V
(
+
=
2
2
2
1
2
1
L
C
L
L
R
X
R
R

C fc C
X R
C
C C L

=
= =
t e
e
2
1 1

( )( )
nF
fc R
C
L
159
10 10 2
1
2
1
2 4
= =

=
t t

~
v
S

+

+
+
+
V
ENT

F variable
I
R
L

V
SAL

1
1 .
2
Pmax= V
ENT

R
L

C

f
C

Frecuencia de corte o
de potencia media
Pmed= P
max

2
V
SAL

V
ENT



Calculando capacitores

C C L
X R
e
=
C
R
C
L
=
e
1

C R R
C
L
C
L
e
e
10 1
10
= =
F C
C
X R
C L
10
100
1
1000 = = O = F C
C
100
1
1000
10
100
= = O
( )
100
10 100
1
4
= =

C
X

Haga cero toda fuente, y hacer corto todos los capacitores excepto el que se
requiere calcular.

CLCULO DE C
B

X CB
R X = ( ) rbe R rs R
BB X
+ =

X
B X
B
fc
R fc
C R
C
= =
t t
5
2
1
10

CLCULO DE C
C

Y Cc
R X =
C L Y
R R R + =
Y
C
fc
R
C
=

10
2
1
t

Y
C
R fc
C

=
t
5

r
S

v
S

R
L

C
B

C
E

C
C

fc
10
fc
10
fc


CLCULO DE C
E

( )
1 +
+
hfe
rbe R R
BB S

CALCULO DE CE

Z C
R X
E
= ;
( )
E
BB s
Z
R
hfe
rbe R r
R
1 +
+
=
Z
E
R fc
C

=
t 2
1

R
E

C
E

i
e

i
b

i
c

Realizando reflexin de impedancias
de las resistencias de la base al
emisor
R
E

C
E

i
e

i
c

i
e
= i
c
+ i
b

i
e
= i
b
+ i
b

i
e
= (+1) i
b

i
b
= i
e
.
hfe +1


EL BJT COMO INTERRUPTOR

Materiales:
Un foco de 12V a 10W.
Una fuente de 5V.
Una resistencia de 88 (2 acopladas en serie).
Un multmetro
Un switch
Un transistor 2N3904

Para la elaboracin del interruptor utilizamos el BJT, cuya matrcula es 2N3904.
Teniendo en cuenta que el BJT en emisor comn, funciona como interruptor (La carga
se conecta en colector).

Datos:
Utilizando como carga un foco de 12V a 10 W obtenemos:
V
cc
= 12V
V
LCONTROL
=V
BB
= 5V
R
L
= (12)
2
V/10W = 14.4
I
L
= 12V/14.4 = 833mA
= 172

Para que el BJT trabaje saturado y su VCE0, se debe forzar a que
10
|
=
B
C
I
I
,
entonces:
10
|
=
B
C
I
I

10
172
=
B
C
I
I
=17.2

Despejando I
B
:

2 . 17
C
B
I
I =
2 . 17
833 . 0 A
I
B
= = 48.43mA

Con el interruptor en la fuente de 5V y aplicando L.V.K a la malla base-emisor,
obtenemos:

BE B B BB
V R I V + = v R I V
B B BB
7 . 0 + =

Como ya conocemos los valores suficientes en esta ecuacin, y teniendo en cuenta
que la nica incgnita es R
B
, despejamos:

O =
= 78 . 88
04843 . 0
7 . 0 5 7 . 0
A
v v
I
v V
R
B
BB
B



INTERRUPTOR ON

INTERRUPTOR OFF



Reporte de mediciones:

Simulado:

ON OFF
V
CE
= 954.076 mv V
CE
= 12V
I
C
=767.078 mA I
C
= 0
I
B
= 41.47 mA I
B
= 16.289 pA

Fsico:

ON OFF
V
CE
= 900 mv V
CE
= 12.01 V
I
C
= 670 mA I
C
= 0
I
B
= 40.01 mA I
B
= 0.022 mA

- La hoja de datos nos reporta que el V
CBO
= 60V, midindolo en fsico
obtenemos:

V
CBO
= 54 V

- Trazar las curvas de respuesta de un transistor e identificar los dos puntos de
operacin del mismo.

A I
C
32 . 8 =
mA I
B
43 . 48 =
V V
CC
12 =
mA
V
R
V
L
CC
833
4 . 14
12
=
O
=
Q
V
CE
= 954.076 mv
I
C
=767.078 mA



EL BJT COMO AMPLIFICADOR

Materiales:
10 transistores bipolares de diferentes matriculas
Una fuente de 12V
Las siguientes resistencias:

O =1000
C
R
O =1000
L
R
(Una de 220 en serie con una de 10)
(Una de 22k en serie con una de 1k)

Los siguientes capacitores:

Un multmetro
Un osciloscopio
Un generador de funciones

1.- Conseguir 10 transistores bipolares de diferentes matriculas NPN y PNP, y realizar
las mediciones de cada de voltaje entre las uniones B-C Y B-E, para identificar el tipo
y las terminales del BJT, reportar esto en una tabla como sigue:

MATRICULA V
BE
V
BC
ENCAPSULADO TIPO
2N3904 0.694 0.670

NPN
2N3906 0.740 0.730

PNP
BC327 0.652 0.646 PNP
PN2222A 0.715 0.712

NPN
O = 230
E
R
O = k R 23
2
O = k R 7 . 4
1
F C
C
33 =
F) 22 de uno con paralelo en F 47 de (Uno 69 F C
B
=
F C
E
1000 =


2N2222A 0.717 0.713

NPN

BC548B
0.722 0.718

NPN
TIP29C 0.580 0.575 2.- colector
1.-base
3.- emisor

NPN
2N2219 0.690 0.682

NPN
2N4401 0.518 0.511

NPN
2N5886 0.505 0.500

NPN



2.- anexar la hoja de datos de uno de los BJT de la tabla, en especial 2N2222 o
2N3904.
Se anexa al final del reporte

3.-trazar las curvas de respuesta del BJT que permitan dibujar sobre ellas las rectas
de carga de C.D Y C.A.

Clculos necesarios para trazar las curvas (basndonos en los resultados obtenidos en
el punto nmero 4):

R
CD
= R
C
+ R
E
= 1000 + 233.735 = 1233.735
R
AC
= R
L
R
C
= 1000 1000 = 500
V
CC
/R
CD
= 12V/1233 = 9.7mA

Tomando en cuenta que:
m=

m
AC
=

5 . 0
1
O
K

VCE
13 . 5
A
=
mA

56 . 2 ) .5K (5.13mA)(0 VCE = O = A

CEQ
V
CQ
I

CQ
I 2

V
CC
/R
C
D

V
CC

m
DC
=

233 . 0
1
O
K

m
AC
=

5 . 0
1
O
K



4.- Calcular y construir un amplificador de seal pequea en emisor comn y
comprobar su funcionamiento, tanto en fsico, como en simulador para C.D como
para las frecuencias de seal de entrada de 20Hz a 2MHz. (para el caso del simulador
hacer uso del instrumento virtual conocido como Bode Plotter).

Comenzaremos el diseo con los parmetros siguientes:

.
= 165
R
C
= R
L
= 1000
G
V
= -50
V
CC
= 12V
F
c
= 20Hz

1.- Consideramos que R
C
=R
L
para que exista mxima transferencia de potencia del
transistor hacia la carga:

O = = K R R
C L
1

2.- De la ecuacin de la ganancia de voltaje obtenemos r
be
:

( )
rbe
R R hfe
G
C L
V
=

Sustituyendo los parmetros conocidos:

( ) ( )
O =
O
=
O
= 1650
50
500 165 500 165
50 rbe
rbe

R
C

~
R
BB

I
B

R
E

r
s

v
s

V
BB

C
B

I
C
= I
CQ
+ i
C

+

i
b
i
B

+ V
CC

Ecuacin de la ganancia de voltaje


Utilizando la definicin de resistencia dinmica de la unin N-P encontramos I
BQ
,
considerando que la constante emprica es n=2 :

( )( )
( )
A I
I
x
K x
I
q
nKTj
rbe
BQ
BQ BQ
6 . 116 . 31
10 602 . 1
298 10 38 . 1 2
1650
19
23
=
(
=
|
|
.
|
\
|
= O =

Recordando que
CESAT CE
B
C
V V
I
I
> = cumple se |
, encontramos el valor de I
CQ
:

mA A I I I
CQ BQ CQ
134 . 5 ) 116 . 31 )( 165 ( = = = |

CLCULO DE LOS RESISTORES:

- Obligando a que:

( ) v v V V V
E CC E
2 . 1 12
10
1
10
1
= = =

Obtenemos
E
R
:

O = = = 735 . 233
134 . 5
2 . 1
mA
v
I
V
R
E
E
E
Tomando en cuenta que
E
I

CQ
I

- Con los datos ya obtenidos, calculamos:

( )
R R I V V R I V R I V + = + + =

( ) v K mA v V
CEQ
66 . 5 233735 . 0 1 134 . 5 12 = O + =

- Aplicando el criterio de estabilidad de I
CQ
respecto a cambios en :

10
E
BB
R
R

=
|

( )( )
O =
O
=
= K
R
R
E
BB
856 . 3
10
735 . 233 165
10
|



- Calculando
BB
V :

|
|
.
|
\
|
+ + =
E
BB
CQ BB
R
R
I v V
|
7 . 0

v K
K
mA v V
BB
019 . 2 233735 . 0
165
856 . 3
134 . 5 7 . 0 =
|
.
|
\
|
O +
O
+ =

- Calculando R
2

( ) O = O = = K K
v
v
R R
V
V
R
BB
BB
CC
921 . 22 856 . 3
019 . 2
12
2 2

- Calculando R
1

O =
|
.
|
\
|

O
=
|
|
.
|
\
|
= K
v
v
K
V
V
R
R
CC
BB
BB
63 . 4
12
019 . 2
1
856 . 3
1
1

CLCULO DE LOS CAPACITORES

- Haciendo cero toda fuente, y haciendo corto todos los capacitores excepto el
que se requiere calcular, obtenemos:

CALCULO DE C
B

( ) rbe R rs R
BB X
+ =
( ) O = O O + O = K K K R
X
206 . 1 650 . 1 856 . 3 50
( )( )
F
Hz
C
B

t
985 . 65
1206 20
5
=
O
=

CALCULO DE C
C
:

C L Y
R R R + =

( ) O = O + = 2000 1000 1000
Y
R
( )( )
F
Hz
C
C

t
789 . 39
2000 20
5
=
O
=



CALCULO DE C
E
:

( )
E
BB s
Z
R
hfe
rbe R r
R
1 +
+
=

O = O
O
= 8 . 9 735 . 233
166
1699
Z
R
( )( )
F
Hz
C
E

t
015 . 812
8 . 9 20 2
1
=
O
=

- Amplificador valores con calculados

Con lo valores comerciales disponibles es posible implementar el amplificador
mostrado en la figura:

V V
CC
12 =
O =1000
C
R
O =1000
L
R
(Una de 220 en serie con una de 10)
(Una de 22k en serie con una de 1k)

O = 230
E
R
O = k R 23
2
O = k R 7 . 4
1
F C
C
33 =
F) 22 de uno con paralelo en F 47 de (Uno 69 F C
B
=
F C
E
1000 =


Con los voltajes medidos calculamos:

1
1
2
2
R
V
R
V
I
R R
BQ
= = 31.3A
63 . 4
98 . 1
921 . 22
52 . 10
=
O
O k
v
k
v

C
Rc
CQ
R
V
I = = 5.13mA
1000
13 . 5
=
O
v

Determinando la seal pequea

Tomando en cuenta que la impedancia de entrada en emisor comn es:
R
BB r
be.,
y tomando en cuenta que

A I
BQ
116 . 31 =

O = K R
BB
856 . 3

O =1650 rbe

Calculamos:
R
BB r
be
= 1155.5
I
b pk-pk =
10
BQ
I
10
116 . 31 A
= A 11 . 3 =

mV K A V
ent pk pk
46 . 3 ) 115 . 1 )( 11 . 3 (
) (
= O =

calculamos:



( )
R R I V V R I V R I V + = + + =

( ) O + O = k k v V
CE
230 . 1 5.13mA 12 = 5.69 V

Comparando los valores calculados con los medidos:

PARMETRO DISEO
CALCULADO CON LAS
MEDICIONES
SIMULADO
165 163 166
I
BQ
31.11A 31.3A 30A
I
CQ
5.134mA 5.13mA 5.075mA
V
CE
5.66V 5.69V 5.732V

Funcionamiento del transistor para distintas frecuencias

FRECUENCIA
Hertz
VOLTAJE DE
ENTRADA (mv)
VOLTAJE DE
SALIDA (mv)
GANANCIA DE
VOLTAJE (Gv)
GANANCIA DE
VOLTAJE (dB)
20 6,95 310 44,6043165 32,9875378
40 6,95 412 59,2805755 35,4582482
80 6,95 445 64,028777 36,1275041
160 6,95 485 69,7841727 36,8751387
320 6,95 502 72,2302158 37,1743783
640 6,95 505 72,6618705 37,2261315
1280 6,95 520 74,8201439 37,4803708
2560 6,95 530 76,2589928 37,6458213
5120 6,95 529 76,1151079 37,6294173
10240 6,95 531 76,4028777 37,6621943
20480 6,95 522 75,1079137 37,513714
40960 6,95 525 75,5395683 37,56349
81920 6,95 518 74,5323741 37,4468991
163840 6,95 506 72,8057554 37,2433142
327680 6,95 506 72,8057554 37,2433142
655360 6,95 480 69,0647482 36,7851287
1310720 6,95 400 57,5539568 35,2015037
2621440 6,95 330 47,4820144 33,5305827

163
3 . 31
13 . 5
= = =
A
mA
I
I
B
C
|


Ganancia de voltaje

Ganancia en decibeles

Es posible observar que en frecuencias bajas la ganancia es baja, conforme aumenta la
frecuencia la obtiene una ganancia estable, hasta llegar a un punto en que comienza a
disminuir la ganancia. En la unin base emisor existe un fenmeno de capacitancia
acusada por construccin de los transistores bipolares. Como la reactancia de un
capacitor es directamente proporcional a la frecuencia, se genera una impedancia muy
alta en la unin base-emisor que provoca el descenso de la ganancia.

0
20
40
60
80
100
G
A
N
A
N
C
I
A

D
E

V
O
L
T
A
J
E

FRECUENCIA (Hertz)
Gv
0
10
20
30
40
G
A
N
A
N
C
I
A

E
N

D
E
C
I
B
E
L
E
S

FRECUENCIA (Hertz)
Gv (dB)


- Capturas realizadas con el osciloscopio

Frecuencia = 20 Hz. Frecuencia = 80 Hz.

Frecuencia = 160 Hz Frecuencia = 320 Hz. (seal de salida)

Frecuencia = 1kHz. (seal de salida) Frecuencia = 2.04kHz. (seal de salida)



- Capturas con el osciloscopio del multisim

Roja entrada
Azul salida



- Simulacin con el bode plotter



Qu pasa cuando al circuito le variamos el valor de R1?

Experimento variando R1 para el amplificador con BJT

R1 de 1 K Para R1=2K

Para R1=3K

El voltaje obtenido es proporcional al tamao de la resistencia de R1

R1 (ohm) Voltaje entrada (mV) Voltaje salida (mV)
1000 6.85 .268
2000 6.85 155.78
3000 6.85 750.26



CONCLUSIN

El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se les encuentra
prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores,
grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras,
automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

En esta prctica pudimos experimentar y comprobar el funcionamiento del BJT como
interruptor y amplificador, es importante conocer las caractersticas de los transistores
y para que fueron construidos, ya que partiendo de su funcionamiento le podemos dar
diferentes aplicaciones.

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