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PMT-2200 Cincia dos Materiais

DISCORDNCIAS Prof. Dr. Andr Paulo Tschiptschin

Clculo da resistncia terica de um cristal

A resistncia terica de um cristal determinada pela natureza das suas foras interatmicas. Os clculos dessa resistncia podem ser feitos para o cristal submetido a dois estados de tenso diferentes: a) tenso normal uniaxial b) tenso normal uniaxial tenso de cisalhamento

Os dois tipos de estados de tenses levam a dois tipos diferentes de falhas: a) b) Cisalhamento Clivagem

tenso de cisalhamento

Clculo da resistncia terica de um cristal

A resistncia terica de um cristal determinada pela natureza das foras interatmicas e pode ser calculada, segundo modelo proposto por Orowan, supondo que duas superfcies novas (com energias de superfcie associadas) devem ser criadas no interior do cristal. Ao se tentar separar um tomo de sua posio de equilbrio a0 necessrio superar uma barreira de energia potencial e exercer uma fora max :

max

sendo E o mdulo de Young

Clculo da resistncia terica de um cristal

Clculo da tenso necessria para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro

Clculo da tenso necessria para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro

Clculo da tenso necessria para escorregar um plano cristalino perfeito sobre outro

Esquema ilustrativo da posio dos tomos, usado para avaliar a tenso crtica de cisalhamento para o escorregamento de planos.

max

G 5,1

Tenso de cisalhamento mxima terica de 3 a 8 ordens de grandeza maior que a observada experimentalmente

Clculo da resistncia ao cisalhamento terica de um cristal

Clculo da tenso necessria para escorregar um plano cristalino sobre outro na presena de uma discordncia

Discordncia em cunha

Esquema ilustrativo do rearranjo atmico nas vizinhanas de uma discordncia em cunha, sob a ao de uma tenso.

Clculo da tenso necessria para escorregar um plano cristalino sobre outro na presena de uma discordncia

A tenso calculada levando em conta a alterao da energia dos tomos em funo da existncia de um defeito da ordem da observada experimentalmente. A existncia de discordncias foi postulada nos anos 30 por Taylor, baseado nestes clculos.

Variao da energia de reticulado com a posio de uma discordncia

Comparao entre a tenso terica e a tenso real


As tenses tericas de cisalhamento e de ruptura calculadas anteriormente so da ordem de GPa. As tenses de ruptura (separao de planos atmicos) observadas em ensaios de materiais frgeis (p.e os materiais cermicos) , nos quais logo aps o regime elstico, ocorre ruptura, so ordens de grandeza menores que a calculada. Os materias reais podem ter pequenas trincas internas em cujas extremidades ocorre forte concentrao de tenses. As tenses tericas podem ser atingidas nas pontas destas trincas. A teoria de Griffith explica o fato. As tenses de escoamento (escorregamento de planos atmicos) observadas em ensaios de materiais dteis (p.e grande parte dos materiais metlicos), nos quais logo aps o regime elstico ocorre extensa deformao plstica, so ordens de grandeza menores. Antes de a tenso terica terica de cisalhamento ser atingida comea a ocorrer movimentao e multiplicao de discordncias, sob tenses aplicadas muito menores. Estas discordncias so responsveis pela deformao plstica do material.

Discordncias em cunha e em hlice

Geometria de discordncias simples. (a) discordncia em cunha (b) discordncia em hlice

Circuito de Burgers e vetor de Burgers

Vetor de Burgers e circuito de Burgers: (a) discordncia em cunha (b) discordncia em hlice o vetor de Burgers perpendicular linha o vetor de Burgers paralelo linha

Discordncias mistas

Anel de discordncia visto em corte mostrando regies de: (a) discordncia em cunha (b) discordncia em hlice vetor de Burgers perpendicular linha vetor de Burgers paralelo linha

Movimentao de discordncias

Para que uma discordncia se movimente necessrio que a linha e o vetor de Burgers estejam contidos no plano de escorregamento. A discordncia em cunha anda na direo de aplicao das tenses. A discordncia em hlice anda perpendicularmente direo de aplicao das tenses

Criao de um degrau de escorregamento pela movimentao de: a) uma discordncia em cunha; b) uma discordncia em hlice no plano de escorregamento

Movimento relativo de discordncias

Sob a ao da tenso de cisalhamento , discordncias de sinais opostos se movimentam em direes opostas, produzindo escorregamento no mesmo sentido

Energia de uma discordncia

Deformao por cisalhamento associada discordncia em hlice

Energia elstica associada presena de uma discordncia em hlice no reticulado

Energia elstica associada presena de uma discordncia em cunha no reticulado

Modelo geomtrico para clculo da deformao ao redor de uma discordncia em hlice

Geometria dos campos de tenso e deformao em torno de discordncias

Campos de tenso e de deformao ao redor de (a) uma discordncia em cunha e (b) uma discordncia em hlice.

Tenso de linha

Modelo para o clculo da tenso de linha de uma discordncia, quando uma discordncia encontra obstculos B e C e comea a encurvar sob a ao da tenso.

Ascenso e escorregamento com desvio de discordncias

Escorregamento com desvio de discordncia em hlice (o vetor de Burgers e a discordncia devem pertencer simultaneamente a diversos planos de escorregamento)

Asceno de discordncias em cunha (depende de difuso processo ativado termicamente)

Escorregamento com desvio de discordncias

Interao entre campos de tenso de discordncias

repulso

atrao

Reticulado perfeito Lacuna Intersticial

Intersticiais

Contorno de gro de pequeno ngulo produzido pelo alinhamento de discordncias em cunha de mesmo sinal

Interao entre discordncias

Atrao e repulso entre discordncias

Formao de degraus em discordncias

Exemplo de intereseo de duas discordncia em cunha criando uma discordncia em degrau

Formao de degraus em discordncias

Exemplo de intereseo de duas discordncia em cunha criando dois planos de escorregamento em degrau

Interao entre discordncias

Formao de degraus com acmulo de lacunas

Movimentao de uma discordncia em hlice deixando atrs de si uma fileira de lacunas

Reaes entre discordncias

Reao entre duas discordncias parciais formando uma unitria de acordo com a reao:
a a a [211] + [211] [110] 6 6 2

Reaes entre discordncias formando discordncias bloqueadas

Reao entre duas discordncias formando uma terceira discordncia bloqueada O vetor de Burgers no se encontra nos planos de escorregamento [111].

Multiplicao de discordncias (Fonte de Frank-Read)

Cada segmento da dsicordncia anda em direes e sentidos diferentes, determinados pela orientao do vetor de Burgers e da linha.

Movimento de uma discordncia bloqueada em suas extremidades D e D, gerando mltiplas discordncias. Note que os segmentos m e n no anel se anulam por serem de sinais contrrios.

Multiplicao de discordncias (Fonte de Frank-Read)

Fonte de Frank Read em um cristal de Si

Multiplicao de discordncias (Fonte de Frank-Read)

Reaes entre discordncias (Anis de discordncias)

Formao de anis de discordncias em torno de precpitados.

Anis de Orowan

Formao de florestas

Observao de discordncias

Fotografias de discordncias (a) vistas de topo por meio de figuras de corroso em LiF 290X (b) em cristal Na Cl envenenadas com prata 290 X (c) em monocristal de Nb, microscopia eletrnica de transmisso 11600X.

Deformao plstica

Escorregamento macroscpico em um monocristal

Escorregamento em um monocristal de zinco

Linhas de escorregamento em liga Cu-2% Al policristalina. 850X.

Deformao plstica

Esquema ilustrativo de linhas e bandas de escorregamento

Sistemas de escorregamento
Um sistema de escorregamento formado por um plano e uma direo de escorregamento. O escorregamento nos cristais ocorre preferencialmente em planos e direes compactas. A Tabela ao lado mostra o nmero de sistemas de escorregamento existentes nos diversos reticulados cristalinos

Tenso de cisalhamento projetada

O escorreagmento ocorre no plano e na direo de escorregamento. Para calcular a tenso efetiva para escorregamento devemos projetar a fora no plano e na direo

Esquema geomtrico para clculo da tenso de cisalhamento projetada

Tenso crtica de trao no projetada

O escorregamento em um determinado sistema ocorre assim que a tenso crtica projetada atinja um valor crtico para movimentao de discordncias naquele sistema. A tenso crtica de cisalhamento atingida em um dos sistemas de escorregamento existentes, iniciando o processo de deformao. Com o aumento da tenso outros sistemas de escorregamento entram em ao.

Variao da tenso crtica no projetada com os ngulos e

Encruamento e recuperao em monocristais CFC

Estgio 1 - Monocristais CFC possuem 12 sistemas de escorregamento. A deformao inicia com ativao de um nico sistema de escorregamento. um estgio de escorregamento fcil e baixa taxa de encruamento. Estgio 2 - Para ~10% de deformao outros sistemas de escorregamento comeam a operar levando ao cruzamento de discordncias e formao de emaranhados. O encruamento cresce linearmente com a deformao. Estgio 3 - Para ~ 40% de deformao comea a ocorrer rearranjo de discordncias, com aniquiliao, escorregamento com desvio, asceno, etc. diminuindo a taxa de encruamento devido recuperao

0,1

0,2

0,3

0,4

Trs estgios de deformao em monocristal CFC

Encruamento e recuperao em monocristais


O Fe CCC com 48 sistemas de escorregamento entra direto no estgio 3 de deformao, pois mltiplos sistemas de escorregamento operam simultnemanete desde o incio da deformao. O Cu CFC com 12 sistemas de escorregamento apresenta os trs estgios de deformao, conforme discutido anteriormente. O Mg com estrutura HC possui somente trs sistemas de escorregamento, todos no plano basal. As discordncias se movimentam sempre no mesmo plano e praticamente no sofrem cruzamento. Toda a deformao ocorre no estgio 1 de escorregamento fcil.

Curvas tenso deformao em cisalhamento de monocristais de Mg, Cu e Fe

Encruamento em monocristais

Microestrutura tpica de Al CFC deformado na temperatura ambiente (a) 2% e (b) 20%

Microestrutura tpica de ferro CCC deformado na temperatura ambiente (a) 9% e (b) 20%

Encruamento e recuperao em monocristais CFC

Escorregamento com desvio em monocristal de Cu. 5000X.

Encruamento e recuperao em monocristais CFC

Formao de um contorno de pequeno ngulo por rearranjo de discordncias, por asceno e escorregamento, em um cristal deformado em flexo.

Deformao de policristais

Quando metais policristalinos so deformados, a deformao plstica em cada gro ocorre em um sistema de escorregamento distinto, gerando incompatibilidae de deformao entre os gros. Para que haja compatibilidade de deformao entre gros vizinhos necessrio que haja 5 sistemas de escorregamento independentes em cada gro, condio de Von Mises. Os metais CFC e CCC que possuem respectivamente 12 e 48 sistemas de escorregamento preenchem essa condio. Os metais hexagonais (p.e Mg), com apenas trs sistemas de escorregamento apresentam baixa dutilidade por no preencherem a condio de Von Mises

Deformao de policristais

Curvas tenso-deformao para policristais (a) dtil e (b) frgil .

A necessidade de operao de 5 sistemas de escorregamento independentes em cada gro, desde o incio da deformao, faz com que a curva tenso deformao de policristais apresente aspecto semelhante do estgio 3 da curva de monocristais CFC, devido forte interao e cruzamento de discordncias, escorregamento com desvio, rearranjo e aniquiliao, etc.

Curvas tenso-deformao para monocristais CFC .

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