ELECTRONICABASICA

Tema: Transistores Bipolares Problemas 1. Para un transistor que tiene = 0,98: a) Calcular la corriente de base para una corriente de emisor de 2 mA. b) Derivar una frmula para . 2. Esbozar una curva de vs. a para valores de a entre 0.95 y 1. Indicar algunos comentarios acerca de la curva adems encontrar un valor de si = 60. Mediante un circuito como el de la figura, se han realizado una serie de medidas que arrojaron los siguientes resultados:

3.

a) Manteniendo constante la IB = 0,3 mA: Para VCE = 15 V Para VCE = 17 V Ic = 40 mA VBE = 0,6 V IC = 40,2 mA VBE = 0,606 V

B) Mantenimiento constante. la VCE = 15 V Para IB 0 0,35 mA Para IB = 0,35 mA Ic = 40 mA VBE = 0,6 V Ic = 46,66 mA VBE = 0,7 V

Calcular la resistencia de salida, la ganancia de corriente (hfe) y la resistencia de entrada.

4. El punto de operacin de un circuito con el D400 en emisor comn es: 0,07 mA y Vce = 8 V. Encontrar IB, VCE e IE.

Ic =

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5. Un circuito similar al anterior (emisor comn) y el D400 tiene una resistencia de carga en el colector Rc = 50 k siendo Vcc = 10 V. Trazar la grafica de carga y obtener los siguientes parmetros: punto Q (IB, IC, VCE), IE y VBE para una corriente de colector de 0,1 mA. 6. En el circuito de la figura se emplea el D400 con RL = 100 K y VCC = 12 V. Analizar el circuito encontrado: a) b) c) d) e) f) IB para operar con IC = 0,08 mA. PC disipada en el colector. VL y PL en la carga. PB en la base. La variacin de IC, vce, vl y VBE para una reduccin de IB en 50 nA. hfe y hFE.

7. Del circuito de la figura para el transistor de NPN D400 con un = 333, RL = 60 K y VCC = 12V, determinar: a) La recta de carga y el punto Q en las curvas de salida. b) La resistencia de polarizacin de base RB. c) IC e IE para ICO = 0. El factor de estabilidad trmica S.

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8. 9.

Similar al anterior pero con = 80, RL = 250 K y VCC = 8 V. Para el circuito del ejercicio N 7, hallar las corrientes IB, IC e IE para:

RB = 12 k RL = 300 k VCC = 6 V ICO = 0,01 mA

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10. El transistor de la figura es el 2A97. Con un = 200, sea VCC = 6 V, RL = 33 k Se desea que el punto Q este en el centro de la recta de carga. Calcular RB y S.

11. Para mantener un factor de estabilidad de 15 con el 2A97 (= 350) del circuito de la figura anterior, con ICC despreciable e IB = 300 nA Hallar RB y RL para VCC = 12 V. 12. Se utiliza en el circulo un transistor de Si con = 50, Vbe = 0,6 V, VCC = 22.5 V y RL = 5,6 k se desea establecer el punto Q en: VCE = 12 V, IC = 1,5 mA, S < 3. Calcular RE, R1 y R2.

13. a) Determinar las corrientes de reposo y tensin Vce para un transistor de Ge de un = 50 e Ico = 0,01 mA del circuito similar al del problema anterior, donde: Vcc = 20 V RL = 2 k RE = 0,8 k R1 = 100 k R2 = 5 k b) Calcular S.

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14. Un transistor NPN con = 50 se utiliza en el circuito del ejercito No 10 (emisor comn), donde Vcc = 10 V y RL = 2k. La polarizacin RB = 10 k entre C y B. Suponer VBE = 0 e Ico = 0. Calcular: a) b) c) d) El punto de reposo. El factor de estabilidad S. Indicar como varias S con un aumento o disminucin de RB. Recalcular S para RB = 15 k

15. Hallar para el circuito del ejercicio N 10 a) El punto Q b) La resistencia RB c) S si el transistor es NPN (Si) de = 80, Ico = 0,004 mA RL = 200 k Vcc = 14 V e IB = 16 mA 16. Con el circuito de la figura del ejercicio 12 para un transistor de Si NPN cuyos componentes son: Vcc = 10 V RL = 1,5 k RE = 0,27 k R2 = 6,8 kR1 = 68 k = 44

Calcular S y el punto Q teniendo en cuenta que la resistencia de dispersin de base es de 0,69 k. 17. Analice el circuito que utiliza la polarizacin por divisor de tensin, como el del problema anterior, y determine el camino en el punto Q con una variacin en Cuando el circuito contiene una resistencia de emisor. Para el circuito dado ser: R1 = 56 k; R2 = 12,2 k; Rc = 2k; Re = 0,4 k; Vcc = 10V y = 100. 18. Disee un circuito como el del ejercicio anterior, para: Vcc = 5V; Rc = 1k; RE = 0,5 k y = 120 Determinar R1 y R2 de modo que el circuito sea de dolarizacin estable en VCEQ = 3V. 19. Calcular las tensiones en los nodos y corriente en los elementos del circuito en los elementos del circuito multietapa de la figura para un transistor de = 100.

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