UNIVERSIDAD FRANCISCO GAVIDIA FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA ASIGNATURA: Electrnica I Docente: Ing.

Alejandro Fabin Espino Fecha de Entrega: Sbado 12 de Mayo de 2012 Grupo 01 Horario: 9:00AM 12:00PM

Trabajo de Investigacin

Nombre Joaqun Ernesto Platero Ramrez

No. carn PR100410

San Salvador, Sbado 12 de Mayo de 2012

Tabla de contenido
Tabla de contenido....................................................................................................................2 El BJT.........................................................................................................................................1 Fuentes Reguladoras con Transistores....................................................................................1 El Fototransistor ...............................................................................................................................................3 Optoacopladores ...............................................................................................................................................3 Par Darlington........................................................................................................................4 El transistor Bipolar de Puerta Aislada.......................................................................................5 MOSFET..................................................................................................................................... 7 Conclusiones............................................................................................................................. 9 Bibliografa................................................................................................................................ 9

El BJT
El transistor de unin bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4 observamos el aspecto til para anlisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

El Transistor como Interruptor

Como se ilustra en la figura 1, Para que un Transistor funcione como interruptor basta solamente en configurarlo de las dos maneras que aparecen, Corte y Saturacin. Cuando el transistor esta en CORTE la unin Base-Emisor no est polarizada en directa y esta condicin existe idealmente un circuito abierto entre el colector y el emisor. Cuando el transistor esta en SATURACION la unin Base-Emisor se encuentra Polarizada en directa y la corriente de la base es suficientemente grande para hacer que la corriente del colector alcance su valor de saturacin y en estas condiciones existe idealmente un corto circuito entre el Colector y el Emisor, o una unin a lo cual hace que funcione como interruptor Condiciones de Corte: Es cuando el transistor no tiene polarizada en directa la unin Base-Emisor.

Condiciones de Saturacin: Es cuando la unin del emisor esta polarizada en directa y hay suficiente corriente en la base para producir una corriente mxima de colector.

Fuentes Reguladoras con Transistores

Los dos tipos de Reguladores de voltaje a transistor son: El regulador de voltaje en serie y El regulador de voltaje en paralelo. Cada tipo de circuito puede proporcionar un voltaje de Corriente Directa de salida que regula o mantiene un valor determinado, incluso aunque el voltaje de entrada vari o cambie la carga conectada Regulador de Voltaje en Serie Se denomina regulador de voltaje en serie puesto que los elementos que controlan la cantidad de voltaje de la entrada
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que llega a la salida se encuentran en serie con esta ltima. El Transistor es el elemento de control en serie y el Diodo Zener proporciona el voltaje de referencia.

Si disminuye el voltaje de salida, aumenta el voltaje de base-emisor causando que el transistor conduzca mas, elevando asi el voltaje de salida y manteniendo la salida constante. Si se incrementa el voltaje de salida, disminuye el voltaje de base-emisor, causando que el transistor conduzca menos, reduciendo, por tanto, el voltaje de salida y manteniendo la salida constante. Regulador en Serie Mejorado En ocasiones es interesante conseguir fuentes de alimentacin que puedan proporcionar a la carga un voltaje ajustable por el usuario. ste es el propsito del montaje de la figura, donde observamos la presencia de un potencimetro. Se trata de un dispositivo con tres terminales de manera que entre los de los extremos presenta la resistencia total que puede dar, mientras que el tercero es mvil y, dependiendo de su. Posicin, presentar respecto de uno de los anteriores una determinada resistencia y TRI. 1.- Fuentes de alimentacin. Con el tercero, la resistencia complementaria para conseguir la total. Nos servir para ajustar la tensin de salida dentro de un rango de valores.

Regulador en Paralelo Mejorado Este regulador de voltaje con derivacin ofrece regulacin mediante la derivacin de la corriente de carga para regular el voltaje de salida. En la siguiente figura se puede observar el diagrama de bloques de este tipo de regulador de voltaje. El voltaje de entrada no regulado proporciona corriente a la carga.
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Una parte de la corriente se deriva por el elemento de control para mantener el voltaje de salida regulado a travs de la carga. Si el voltaje a travs de la carga intenta cambiar como consecuencia de un cambio en la carga, el circuito de muestreo proporcionar una seal de retroalimentacin al comparador, el cual a su vez proporcionar una seal de control para variar la cantidad de corriente derivada por la carga

El Fototransistor
Tiene una unin PN colector base fotosensible. Se expone a la luz incidente, a la cual atreves de una abertura de lentes en el encapsulado del transistor. Cuando no hay luz incidente, existe una pequea corriente de fuga colector emisor generada trmicamente; lo anterior se denomina corriente oscura y suele estar en el rango de los nA. Cuando sobre la unin PN Colector Base incide luz, se produce una corriente de Base directamente proporcional a la intensidad de la luz. Esta accin produce una corriente de colector que aumenta. Salvo por la forma en que se genera la corriente de base, el fototransistor se comporta como un transistor bipolar convencional. En muchos casos no hay conexin elctrica a la base. Aplicaciones: Se usan en una amplia variedad de aplicaciones, de las cuales son el detectar presencia de Luz o de Oscuridad, tambin como activadores de puertas automticas, contadores de procesos y sistemas de alarmas. El fototransistor es muy sensible a la luz, y se debe blindar cuidadosamente. Debido a que existe un factor de amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente elctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz. Sugerimos el usar una tubera negra .

Optoacopladores
Son conocidos como optoaisladores o dispositivos de acoplamiento ptico, basan su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica. Estos son muy tiles cuando se utilizan por ejemplo, Microcontroladores PICs y/o PICAXE si queremos proteger nuestro microcontrolador este dispositivo es una buena opcin. En general pueden sustituir los rels ya que tienen una velocidad de conmutacin mayor, as como, la ausencia de rebotes.

La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso, todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Tipos de Optoacopladores Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre s depende de los dispositivos de salida que se inserten en el componente. Segn esto tenemos los siguientes tipos:

Optotransistor (simbolo)

Optotransistor en configuracin Darlington

Optotransistor de encapsulado ranurado

Optotriac

Par Darlington
Una conexin muy popular de dos transistores de unin bipolar para que operen como un transistor con un gran beta es la conexin Darlington, la principal caracterstica es que el transistor compuesto actua como una sola unidad, con gran ganancia de corriente, que es el producto de las ganancias 4

de corrientes de los transistores individuales. Es decir Que su Beta Darlington es igual a Beta del 1 transistor por el beta del segundo. Al ser muy popular hay encapsulados que ya traen esta conexin dentro de si para muchas aplicaciones como por ejemplo el integrado 2N99.

Polarizacin DC de un Circuito Darlington Los valores de Voltaje base emisor y del Beta se hace muy grandes. La forma de calcular su corriente de base es siempre la misma:

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), que es una estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP. La tendencia de la industria es para los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para reemplazar MOSFET de potencia, excepto en las aplicaciones de corriente muy baja. As que creo que es til para comprender la estructura de IGBT.

Esta regin p + adicional crea una conexin en cascada de un transistor de unin bipolar de PNP en la superficie de n-MOSFET de canal. Esto da lugar a la conexin en cascada en una cada de tensin significativamente menor en comparacin con un MOSFET convencional en el bloqueo de dispositivos de alta tensin nominal.
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A medida que el nmero de voltaje de bloqueo de ambos MOSFET y transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) aumenta los dispositivos, la profundidad de la regin n-deriva debe aumentar, por su parte, el dopaje debe disminuir, lo que resulta en aumento de la relacin ms o menos cuadrada en la prdida de la conduccin hacia adelante en comparacin con el bloqueo de la capacidad de voltaje del dispositivo. Mediante la inyeccin de portadores minoritarios (huecos) del colector p + regin en la regin n-la deriva durante la conduccin hacia adelante, la resistencia de la regin n-la deriva se reduce considerablemente. Sin embargo, esta reduccin resultante en el voltaje hacia adelante en el estado viene con varias sanciones: 1. Los otros bloques de la ensambladura del PN revertir el flujo de corriente. Esto significa que a diferencia de los MOSFET, IGBT no se puede realizar en la direccin contraria. En los circuitos de puente donde se necesita un flujo de corriente inversa del diodo adicional (un diodo) se coloca en paralelo con el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) para conducir la corriente en la direccin opuesta. Esta sancin no es tan grave como el primer supuesto, sin embargo, debido a los voltajes ms altos que el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) domina el uso, los diodos discretos son de un rendimiento significativamente ms alto que el diodo del cuerpo de un MOSFET. 2. La calificacin de la polarizacin inversa de la regin N-deriva al colector P + diodo es por lo general slo de decenas de voltios. As que si la aplicacin del circuito se aplica un voltaje inverso para el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), un diodo en serie adicional deben ser utilizados. 3. Los portadores minoritarios inyectados en la regin n-deriva tomar tiempo para entrar y salir o recombinar en encender y apagar. Esto se traduce en ms tiempo de conmutacin de prdidas y por lo tanto, tasas de cambio ms en comparacin con un MOSFET de potencia. 4. El dispositivo se apaga lentamente debido a los tiempos de recombinacin de largo, que le hace no aptos para el duro desvo aplicaciones, tales como aumento o convertidores de energa del tiempo de retorno. 5. La unin PN adicionales agrega una cada de tensin del diodo-como en el dispositivo. Menor en el bloqueo de voltaje, esta cada de tensin del diodo adicionales-como significa que un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) habra una gota ms en el estado de tensin. A medida que la tensin nominal del dispositivo aumenta, la ventaja de la resistencia de la regin N reducido a la deriva supera la pena de esta cada del diodo y la cada general en el estado de tensin es menor (el cruce es de alrededor de 400 V de calificacin de bloqueo). Por lo tanto aislados transistores bipolares (IGBT) rara vez se utiliza cuando el requerimiento de voltaje de bloqueo est por debajo de 600 V.
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MOSFET
Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didcticamente conviene analizar primero el ms comn de todos que es el de canal N de empobrecimiento (o de deplexin), prcticamente el nico usado en fuentes de alimentacin y luego se har una referencia a los otros tipos en futuras entregas. El FET de semiconductoroxido metal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora. Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2:

a) Tensin de puerta negativa b) Tensin de puerta positiva

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En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanta ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En a se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta.

Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha. En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.

El smbolo elctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la figura 4 al lado de su dibujo en corte.

La compuerta se representa como una lnea vertical con una salida hacia la izquierda. A su derecha se dibuja el canal como otra lnea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho.

Conclusiones
Los Transistores en general han sido una excelente ayuda para la electrnica de hoy en da, ya que han minimizado su diseo y marcado mucho la diferencia con diferentes aplicaciones. Diferentes tipos de transistores han podido lograr el funcionamiento de los aparatos, como los BJT aplicados a los postes de luz, amplificadores de pequea seal, amplificador de gran seal, un interruptor. Etc. Los MOSFET e IGBT en la actualidad los encontramos al IGBT en variedades de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes mquinas elctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusin cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver nuestra necesidad. Conociendo las caractersticas elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la conmutacin en sistemas electrnicos de potencia podremos discernir que componente se ajusta a nuestras necesidades de diseo.

Bibliografa
1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky ; Electrnica : Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Pretince Hall Hispanoamrica; Mxico; 1997 2) Thomas L Floyd; Dispositivos Electrnicos; 3 Edicin; Limusa Noriega Editores; Mxico 2001 3) http://www.neoteo.com/igbt-mosfet-electronica-de-potencia