PRACTICA PROGRAMACIN Y LECTURA DE UN DISPOSITIVO DE MEMORIA PROGRAMABLE OBJETIVOS

Aprender a programar una memoria EPROM EEPROM Realizar la lectura de datos grabados en un memoria EEPROM MARCO TEORICO

Un ROM Es una memoria de slo lectura que se programa mediante mscaras; es decir, el contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricacin y permanece inalterable desde entonces. En otras palabras, solamente el fabricante realiza una sola vez la escritura de los datos que contiene esta memoria y el contenido permanece grabado aunque se le retire la energa. Un PROM es una memoria programable, de slo lectura (ROM programable). La idea es bsicamente la misma que la del ROM solo que en este caso todas las celdas de la memoria contienen diodos, por lo que la memoria viene programada de fbrica con todos unos. Cada diodo tiene conectado un fusible, el cual interconecta un potencial de nivel alto a la lnea de datos de salida. Cuando se desea programar un cero en una celda, se debe producir una sobretensin en el circuito de dicha celda para fundir el fusible y, por lo tanto, abrir el circuito. De esta manera, el diodo pierde contacto con el mundo exterior y el potencial que se manifiesta en el exterior es bajo.

En este caso, el fabricante de la memoria permite que el usuario programe el dispositivo por si mismo, ahorrndose el alto costo de la produccin de la mscara. El proceso de programacin de una PROM generalmente se realiza con un equipo especial llamado quemador, el cual funde los fusibles del arreglo interno de la memoria. Una vez programado un PROM, sus contenidos pueden ser ledos pero no modificados.

Una EPROM es una memoria slo de lectura, borrable y reprogramable, (Erasable Programmable Read Only Memory). La programacin de este tipo de dispositivos se realiza mediante impulsos elctricos y su borrado se lleva a cabo exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar), de manera tal que estos rayos saturen con cargas las regiones fotosensibles, modificando su estado.

La memoria EPROM se compone internamente de un arreglo de celdas a base de transistores MOSFET de Canal N, de compuerta aislada. Cada transistor tiene una compuerta flotante aislante de SiO2 (sin conexin elctrica) que en estado normal se encuentra sin carga, de modo que almacena un 1 lgico. Durante el proceso de programacin, al aplicar una tensin (10 a 25V) la regin de la compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lgico.

Celda de memoria de una EPROM Una vez que ha sido grabada una celda del arreglo, el dato queda almacenado de forma permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la compuerta ya que la carga elctrica puede permanecer por un perodo aproximado de hasta 10 aos ms. La programacin completa de estos dispositivos puede tomar desde unos cuantos segundos hasta varios minutos, dependiendo del tamao del arreglo de memoria; la programacin de una celda usualmente tarda unos 10ms por byte. El proceso de programacin se realiza mediante un equipo especial, del que ms adelante se tratar. El proceso de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, tarda entre 10 y 30 minutos.

Una EEPROM es una memoria programable y borrable elctricamente (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon). Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible. Las memorias EEPROM son memorias no voltiles y elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero tambin una celda de memoria ms compleja. Adems del transistor de puerta flotante anterior, es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener 2 transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor costo. La programacin requiere de tiempos que oscilan entre 157s y 625s por byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programacin elctricamente casi instantneamente, sin la necesidad de luz ultravioleta.

Una EEPROM-FLASH es una memoria similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar elctricamente, pero a diferencia de aquellas, esta es de alta densidad. Alta densidad significa que se puede integrar en una pequea superficie del circuito integrado, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, ms bits se pueden almacenar en una oblea de tamao determinado. La fabricacin de este tipo de memorias es sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EEPROM a menor costo. La siguiente tabla muestra una comparacin de las memorias estudiadas.

MATERIAL Y EQUIPO

1 Circuito integrado EPROM 2764 AT28C256 1 Circuito integrado 74LS138 1 Circuito integrado 74LS193 1 Circuito integrado 74LS08 1 circuito integrado LM555 10 resistencias de 10K 8 resistencias de 150 1 Matriz de LED de 7X5 1 Dip Switch de 8 posiciones 1 Multmetro 1 Fuente de alimentacin de 5V

DESARROLLO

Para ilustrar sobre la programacin y el uso de una memoria de slo lectura plantearemos una aplicacin sencilla, tal como la de construir un desplegador alfanumrico de un carcter. El desplegador ha de mostrar la representacin visual de un carcter alfanumrico, dependiendo del cdigo ASCII que se aplique en sus lneas de direccin. En principio se requiere que una memoria contenga la informacin sobre los datos de los puntos que conforman la representacin visual del conjunto de caracteres estndar ASCII. Por ejemplo, para la letra A, cuyo cdigo ASCII es el 41 16 (0100 00012 ), el patrn de puntos por columna en una matriz de 7 renglones y 5 columnas es el que muestra la figura siguiente:

1 2 3 4 5 7 0 1 0
C d ig o A S C II d e l c a ra cte r q u e s e d e s e a d e s p le g a r

A10 A9 A8 A7 A6 A5 EPR O M A4 A3 A2 A1 A0

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

6 5 4 3 2 1 : : 1 2 3 4 5 7 6 5 4

H '0 0 0 '

XX : :

0 0 0 0 1 0 0 0

H '2 0 8 ' H '2 0 9 ' H '2 0 A ' H '2 0 B ' H '2 0 C ' H '2 D 0 ' H '2 D 1 ' H '2 D 2 ' H '2 D 3 ' H '2 D 4 '

H '3 F ' H '4 4 ' H '4 4 ' H '4 4 ' H '3 F ' H '4 3 ' H '4 5 ' H '4 9 ' H '5 1 ' H '6 1 ' : :

N m e r o d e la c o lu m n a d e l c a ra c te r d e s p le g a d o , e n t u r n o

CS

O E

3 2 1

H 'F F F '

XX

Note que el patrn de puntos de la primera columna de la letra A est grabado en la primera direccin correspondiente a la letra A, conformada por los bits del valor ASCII de dicha letra, concatenados a los bits correspondientes al nmero de columna correspondiente.

1. En su cuaderno escriba la informacin de direccin de columna y contenido de puntos correspondientes a la representacin visual de todos los caracteres ASCII estndar. 2. Haciendo uso de un equipo programador de memorias que tenga el laboratorio, realizar la edicin del archivo de informacin correspondiente. 3. Antes de realizar el proceso de grabado del archivo de informacin en la memoria EPROM, asegrese de que el circuito esta borrado. Esto puede comprobarlo si usa el equipo para realizar una lectura de las localidades de la memoria; todas las localidades de memoria deben reportar un contenido hexadecimal FF (todos unos). Si la memoria no esta en blanco, somtala a un proceso de borrado usando un equipo borrador de memorias EPROM, con luz ultravioleta. Antes de borrar la memoria consulte la hoja de datos del circuito para verificar el tiempo de borrado ideal. Si posee una memoria del tipo EEPROM, simplemente ejecute una operacin de borrado con el equipo programador. 4. Una vez que ha comprobado que la memoria EPROM esta en blanco, ejecute el procedimiento de grabacin de la informacin de puntos de los caracteres ASCII.

5. Para observar el desplegado de los caracteres alfanumricos, construya un visualizador alfanumrico de LEDs de arreglo matricial de 7X5. Los 35 LEDs se distribuyen en siete filas y cinco columnas, como se muestra en la figura; con cada LED conectado entre un conductor de fila y un conductor de columna. En el mercado tambin puede encontrar dichos arreglos ya integrados.
M A T R IZ 7 X 5 D E L E D S R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7

C1

C2

C3

C4

C5

6. Los 7 conductores de fila y los 5 conductores de columna estn conectados ordenadamente a terminales externas. Esta estructura reduce el nmero de terminales, permitiendo en un instante dado activar solo una fila y una columna de la matriz de visualizacin. En consecuencia se necesita un circuito que seleccione, por ejemplo, una columna del visualizador y selectivamente active sus LEDs durante un breve intervalo de tiempo. Cada columna es seleccionada sucesivamente hasta completar el carcter a visualizar. Si este proceso se repite con suficiente frecuencia (al menos 60 veces por segundo), la persistencia de la visin humana hace posible observar una imagen esttica del carcter completo. Para este fin, armar el siguiente circuito propuesto:

+5V

+5V

10k
M SB

VCC

PG M

VPP

A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7

M A T R IZ L E D 7 X 5

150 EPR O M 2764

C S O E

LSB

A1 A0

C 1 C 2 C3

C4 C5

C a ra c te r C d ig o A S C II

+5V

Y0 Y1

Y2 Y 3 Y4 Y5 Y6 Y7

74LS 138
A B C E1 E2

E3

10k

+5V

Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 CP u

74LS 193
M R

PL C Pd

10k

Observe el estudiante la arquitectura del circuito. El cdigo ASCII del carcter que se desea observar, deber ser colocado mediante el conjunto de interruptores conectados en las lneas de entrada de direccin de la memoria EPROM, generador de caracteres. Para realizar el barrido de las columnas se utiliza un circuito integrado 74LS193, conectado como contador arriba para 5 eventos. El contador debe se excitado por una seal de reloj (se recomienda un circuito astable a base de LM555. Se utiliza tambin un circuito decodificador 74LS138 para producir las seales necesarias que continuamente seleccionan o habilitan las cinco columnas del visualizador. Si el estudiante adquiri una memoria EEPROM 28C256, el circuito es el mismo, solamente conecte las entradas A13 y A14 a tierra y la lnea de escritura WE a +5V, a travs de una resistencia de 10K.

10

11

12