Resistencias de hilo bobinado.- Fueron de los primeros tipos en fabricarse, y an se utilizan cuando se requieren potencias algo elevadas de disipacin.

Estn constituidas por un hilo conductor bobinado en forma de hlice o espiral (a modo de rosca de tornillo) sobre un sustrato cermico.

Las aleaciones empleadas son las que se dan en la tabla, y se procura la mayor independencia posible de la temperatura, es decir, que se mantenga el valor en ohmios independientemente de la temperatura. resistividad relativa (Cu = 1) 1.63 1.00 28.45 77.10 26.20 65.00 Coef. Temperatura a (20 C) + 0.004 + 0.0039 0.0000022 0.0000002 0.0000002 0.0004

metal Aluminio Cobre Constantan Karma Manganina Cromo-

Nquel Plata 0.94 + 0.0038

La resistencia de un conductor es proporcional a su longitud, a su resistividad especfica (rho) e inversamente proporcional a la seccin recta del mismo. Su expresin es:

En el sistema internacional (SI) rho viene en ohmiosmetro, L en metros y el rea de la seccin recta en metros cuadrados. Dado que el cobre, aluminio y la plata tienen unas resistividades muy bajas, o lo que es lo mismo, son buenos conductores, no se emplearn estos metales a no ser que se requieran unas resistencias de valores muy bajos. La dependencia del valor de resistencia que ofrece un metal con respecto a la temperatura a la que est sometido, lo indica el coeficiente de temperatura, y viene expresado en grado centgrado elevado a la menos uno. Podemos calcular la resistencia de un material a una temperatura dada si conocemos la resistencia que tiene a otra temperatura de referencia con la expresin:

Los coeficientes de temperatura de las resistencias bobinadas son extremadamente pequeos. Las resistencias tpicas de carbn tienen un coeficiente de temperatura del orden de decenas de veces mayor, lo que ocasiona que las resistencias bobinadas sean empleadas cuando se requiere estabilidad trmica.

Un inconveniente de este tipo de resistencias es que al estar constituida de un arrollamiento de hilo conductor, forma una bobina, y por tanto tiene cierta induccin, aunque su valor puede ser muy pequeo, pero hay que tenerlo en cuenta si se trabaja con frecuencias elevadas de seal. Por tanto, elegiremos este tipo de resistencia cuando 1) necesitemos potencias de algunos watios y resistencias no muy elevadas 2) necesitemos gran estabilidad trmica 3) necesitemos gran estabilidad del valor de la resistencia a lo largo del tiempo, pues prcticamente permanece inalterado su valor durante mucho tiempo. Resistencias de carbn prensado.- Estas fueron tambin de las primeras en fabricarse en los albores de la electrnica. Estn constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se prensa hasta formar un tubo como el de la figura.

Las patas de conexin se implementaban con hilo enrollado en los extremos del tubo de grafito, y posteriormente se mejor el sistema mediante un tubo

hueco cermico (figura inferior) en el que se prensaba el grafito en el interior y finalmente se disponian unas bornas a presin con patillas de conexin. Las resistencias de este tipo son muy inestables con la temperatura, tienen unas tolerancias de fabricacin muy elevadas, en el mejor de los casos se consigue un 10% de tolerancia, incluso su valor hmico puede variar por el mero hecho de la soldadura, en el que se somete a elevadas temperaturas al componente. Adems tienen ruido trmico tambin elevado, lo que las hace poco apropiadas para aplicaciones donde el ruido es un factor crtico, tales como amplificadores de micrfono, fono o donde exista mucha ganancia. Estas resistencias son tambin muy sensibles al paso del tiempo, y variarn ostensiblemente su valor con el transcurso del mismo.

Resistencias de pelcula de carbn.- Este tipo es muy habitual hoy da, y es utilizado para valores de hasta 2 watios. Se utiliza un tubo cermico como sustrato sobre el que se deposita una pelcula de carbn tal como se aprecia en la figura.

Para obtener una resistencia ms elevada se practica una hendidura hasta el sustrato en forma de espiral, tal como muestra (b) con lo que se logra aumentar la longitud del camino elctrico, lo que equivale a aumentar la longitud del elemento resistivo. Las conexiones externas se hacen mediante crimpado de cazoletas metlicas a las que se une hilos de cobre baados en estao para facilitar la soldadura. Al conjunto completo se le baa de laca ignfuga y aislante o incluso vitrificada para mejorar el aislamiento elctrico. Se consiguen as resistencias con una tolerancia del 5% o mejores, adems tienen un ruido trmico inferior a las de carbn prensado, ofreciendo tambin mayor estabilidad trmica y temporal que stas.

Resistencias de pelcula de xido metlico.- Son muy similares a las de pelcula de carbn en cuanto a su modo de fabricacin, pero son ms parecidas,

elctricamente hablando a las de pelcula metlica. Se hacen igual que las de pelcula de carbn, pero sustituyendo el carbn por una fina capa de xido metlico (estao o latn). Estas resistencias son ms caras que las de pelcula metlica, y no son muy habituales. Se utilizan en aplicaciones militares (muy exigentes) o donde se requiera gran fiabilidad, porque la capa de xido es muy resistente a daos mecnicos y a la corrosin en ambientes hmedos.

Resistencias de pelcula metlica.- Este tipo de resistencia es el que mayoritariamente se fabrica hoy da, con unas caractersticas de ruido y estabilidad mejoradas con respecto a todas las anteriores. Tienen un coeficiente de temperatura muy pequeo, del orden de 50 ppm/C (partes por milln y grado Centgrado). Tambin soportan mejor el paso del tiempo, permaneciendo su valor en ohmios durante un mayor perodo de tiempo. Se fabrican este tipo de resistencias de hasta 2 watios de potencia, y con tolerancias del 1% como tipo estndar.

Resistencias de metal vidriado.- Son similares a las de pelcula metlica, pero sustituyendo la pelcula metlica por otra compuesta por vidrio con polvo metlico. Como

principal caracterstica cabe destacar su mejor comportamiento ante sobrecargas de corriente, que puede soportar mejor por su inercia trmica que le confiere el vidrio que contiene su composicin. Como contrapartida, tiene un coeficiente trmico peor, del orden de 150 a 250 ppm/C. Se dispone de potencias de hasta 3 watios. Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL (dual in line) o SIL (single in line).

Resistencias dependientes de la temperatura.- Aunque todas las resistencias, en mayor o menor grado, dependen de la temperatura, existen unos dispositivos especficos que se fabrican expresamente para ello, de modo que su valor en ohmios dependa "fuertemente" de la temperatura. Se les denomina termistores y como caba esperar, poseen unos coeficientes de temperatura muy elevados, ya sean positivos o negativos. Coeficientes negativos implican que la resistencia del elemento disminuye segn sube la temperatura, y coeficientes positivos al contrario, aumentan su resistencia con el aumento de la temperatura. El silicio, un material semiconductor, posee un coeficiente de temperatura negativo. A mayor temperatura, menor

resistencia. Esto ocasiona problemas, como el conocido efecto de "avalancha trmica" que sufren algunos dispositivos semiconductores cuando se eleva su temperatura lo suficiente, y que puede destruir el componente al aumentar su corriente hasta sobrepasar la corriente mxima que puede soportar. A los dispositivos con coeficiente de temperatura negativo se les denomina NTC (negative temperature coefficient). A los dispositivos con coeficiente de temperatura positivo se les denomina PTC (positive temperature coefficient). Una aplicacin tpica de un NTC es la proteccin de los filamentos de vlvula, que son muy sensibles al "golpe" de encendido o turn-on. Conectando un NTC en serie protege del golpe de encendido, puesto que cuando el NTC est a temperatura ambiente (fro, mayor resistencia) limita la corriente mxima y va aumentando la misma segn aumenta la temperatura del NTC, que a su vez disminuye su resistencia hasta la resistencia de rgimen a la que haya sido diseado. Hay que elegir correctamente la corriente del dispositivo y la resistencia de rgimen, as como la tensin que caer en sus bornas para que el diseo funcione correctamente.

NTC

PTC

Definicin de diodo Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia. La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las economas de los pases desarrollados. De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y

semiconductores. La facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia. Rojas Ponce y Atagua Lpez

Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Tnel, Foto Diodo, Gunn, Schockley
Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo

semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Representacin en Circuito Smbolo Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo tacin en circuito

Represen

Grfica Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Smbolo Grafica

Representacin en un Circuito Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Smbolos Polarizados inversos y directos Representacin en Circuito

Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I

Representacin en Grafica

Smbolo Representacin en Circuito

Transistor, Caracterstica, Composicin y Configuracin

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

Caractersticas de los Transistores:

El consumo de energa es relativamente bajo. El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco. El peso. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la luz).

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. La operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, segn se muestra en la figura 4.16. En resumen: Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul

unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la Terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la Terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores PNP y npn. La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este trabajo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se polariza directamente. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa

es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18. La corriente ICO real es tan pequea (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO. Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen polarizacin inversa. En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.

Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja

impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor comn. La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto

de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21. Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn: son la mismas que para la configuracin de emisor comn.

CONCLUSIN
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver algn problema. Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo de diodo;

ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.

BIBLIOGRAFA
Como complemento importante dentro de la investigacin realizada para obtener el presente trabajo se encontraron varias pginas web en la red mundial de datos "Internet" que nos explican claramente los conceptos necesarios en el tema "Diodos" pero por su importancia en contenido y alto grado de sencillez se escogieron dos 2 de ellas

Electrnica Bsica, Diodos Semiconductores, Pag. 1934 Van Valkenburgh, Nooger & Neville, Inc Ed. Bell S.A.

Electrnica General, Tomo I, Tecnologa Electrnica,

Semiconductores, Pag. 251-260. Luis Gmez de Tejada y Sanz Ed. PARANINFO S.A.

Internet
http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffiieec/apl_html/capit_11/c1.htm

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http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffiieec/apl_html/capit_11/c111.htm

juy