Reguladores

REGULADORES
REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o
transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em
srie com a carga, da o nome regulador srie.
FUNCIONAMENTO:
A tenso de sada estar disponvel na carga (V
L
), ento: V
L
= V
Z
- V
BE
Como V
Z
>> V
BE
podemos aproximar: V
L
= V
Z
Sendo V
Z
constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso V
IN
aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
V
IN
= V
R
+ V
Z
, mas V
R
= V
CB
, logo: V
IN
= V
CB
+ V
Z
V
CE
= V
CB
+ V
BE
Portanto, quando V
IN
aumenta, como V
Z
constante, V
CB
tambm aumentar
provocando um aumento de V
CE
, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo V
L
constante.
V
L
= V
IN
- V
CE
Ento: se V
IN
aumenta V
CE
aumenta V
L
no se altera
Caso V
IN
diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso V
CB
diminui.
Com a diminuio de V
IN
V
CE
diminui V
L
no se altera
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de V
IN
Como V
IN
= V
R
+ V
Z
e V
R
= R.I
R
mas I
R
= I
Z
+ I
B
ento:
V
IN
= R(I
Z
+ I
B
) + V
Z
Para V
IN
mnima temos: V
IN(MIN)
= R(I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
)
ETE ALBERT EINSTEIN - REGULADORES - Prof. Edgar Zuim 1
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas
caractersticas de estabilizao.
Para V
IN
mxima temos: V
IN(MAX)
= R(I
Z(MAX)
+ I
B(MIN)
)
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas
caractersticas de estabilizao e ser danificado.
CONDIES PARA UM PROJETO:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em
condies normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
V
IN(MAX)
= (I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
).R + V
Z
( I )
Na pior condio R
L
= (carga aberta), logo I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= R.(I
Z(MAX)
) + V
Z
onde: I
Z(MAX)
=
Z
Z(MAX)
V
P
Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= (I
B(MAX)
+ I
Z(MIN)
).R + V
Z
( II )
De ( I ) tiramos: I
Z(MAX)
=
R
V - V Z IN(MAX)
( III)
De ( II ) tiramos: I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
=
R
V - V Z IN(MIN)
( IV )
Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
B(MAX) Z(MIN)
Z(MAX)
V - V
V - V

I I
I
+
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com
as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V t 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
V
CBO
> V
IN(MAX)
no caso 13,2V
I
C(MAX)

1
> I
L(MAX)
no caso 1,5A
1
I
C(MAX)
a mxima corrente que o coletor pode suportar
P
C(MAX)

2
> (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual
do fabricante tem as especificaes:
V
CBO(MAX)
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
> 40 < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a V
CBO(MAX)
e I
C(MAX)
. No
entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente
para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
P
C(MAX)
= (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
I
C(MAX)
= I
E(MAX)
- I
B(MAX)
I
E(MAX)
= I
L(MAX)
I
C(MAX)
= I
L(MAX)
- I
B(MAX)

I
B(MAX)
=
) MIN (
C(MAX) I
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I
I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
=
1,46A
1,025
1,5

0,025 1
1,5

40
1
1
1,5

+
+

P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao
de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-
se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar
sobreaquecimento do transistor.
Escolha do diodo zener:
Levando-se em conta que V
L
= V
Z
- V
BE
e que V
BE
0,7V, se adotarmos um
diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor comercial
mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de 6,8V e
P
Z(MAX)
igual a 500mW com I
Z(MIN)
= 8mA.
P
Z(MAX)
=
73,53mA
6,8V
0,5W
Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel.

2
P
C(MAX)
a mxima potncia de dissipao do coletor
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
I
Z(MAX)
=
( ) B(MAX) Z(MIN)
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
I I .
V - V
V - V
+
,
_

I
B(MAX)
=
36,5mA
40
1,46A

I
) MIN (
C(MAX)

I
Z(MAX)
=
( ) 36,5mA 8mA .
6,8V - 10,8V
6,8V - 13,2V
+
,
_
I
Z(MAX)
= 71,2mA 44,5mA .
4V
6,4V
Como P
Z(MAX)
terico = 73,53mA e I
Z(MAX)
= 71,2mA o diodo zener escolhido
pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V
V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z
Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z
R =
87,04
73,53mA
6,4V

mA 53 , 73
6,8V - 13,2V

I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)
Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V
R =

+
+
89,89
44,5mA
4V

8mA 36,5mA
6V - 10,8V

I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o
valor comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 0,508W
91
(6,8V)

91
6V) - (13,2V
2 2

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do
regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO:
V
Z
= V
CB
como V
Z
constante, V
CB
ser constante
V
CE
= V
CB
+ V
BE
, mas V
CB
>> V
BE
logo: V
CE
= V
CB
, onde V
CE
= V
Z
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como V
Z
fixa, variar
V
BE
variando a corrente I
B
e consequentemente I
C
. Em outras palavras, variando-se a
tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente
de coletor.
Neste caso, V
CE
tende a parmanecer constante desde que I
Z
no assuma valores
menores que I
Z(MIN)
e maiores que I
Z(MAX)
.
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: V
IN
,
V
L
e I
L(MAX)
.
Tenso de entrada mxima:
Na pior condio R
L
= I
L
= 0
V
IN(MAX)
= R
1
.(I
L(MAX)
+ I
C(MAX)
) + V
Z
+ V
BE
C(MAX) Z(MAX)
1
BE Z IN(MAX)
I I
R
V - V - V
+ ( I )
Tenso de entrada mnima:
V
IN(MIN)
= R
1
.(I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) + V
Z
+ V
BE
L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
1
BE Z IN(MIN)
I I I
R
V - V - V
+ + ( II )
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
L(MAX) ) MIN ( C Z(MIN)
C(MAX) Z(MAX)
V - V - V
V - V - V

I I I
I I
+ +
+
Isolando I
Z(MAX):
I
Z(MAX)
=
C(MAX) L(MAX) C(MIN) Z(MIN
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
I - ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
+ +
,
_
( III )
OBS: I
C(MIN)
a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no
resultado final.
Corrente em R
2:
I
R2
= I
Z(MIN)
- I
B(MIN)
, onde I
B(MIN)
=
) MIN (
C(MIN) I

portanto: I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio),
um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como V
BE
praticamente
constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:
R2 Z(MAX) B(MAX)
B(MAX) . ) MIN ( C(MAX)
I - I I
I I

I
C(MAX) =
(MIN)
. (I
Z(MAX)
- I
R2
( V )
Substituindo ( V ) em ( III ), temos:
I
Z(MAX)
=
,
_
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
V - V - V
V - V - V
. (I
Z(MIN)
+ I
C(MIN)
+ I
L(MAX)
) -
(MIN)
.(I
Z(MAX)
- I
R2
I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
1
]
1
+ + +
,
_

Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
V
CEO

3
> (V
Z
+ V
BE
)
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
V
L
= 15V
I
C(MAX)
= 600mA
V
IN
= 22V t 10%
3
V
CEO
a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
V
CEO
> (V
CE
+ V
VBE
)
Ic
(MAX)
> I
L(MAX)
P
C(MAX)
> (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:
V
CEO
= 35V
I
C(MAX)
= 3A
P
C(MAX)
= 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)
O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
P
Z(MAX)
= 1,3W
I
Z(MIN)
= 20mA
V
Z
= 15V
I
Z(MAX)
=
86,67mA
15
1,3

V
P
Z
Z(MAX)

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
I
Z(MAX)
=
1
1
. I ) I I (I .
V - V - V
V - V - V
) MIN (
R2 . ) MIN ( L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
BE Z IN(MAX)
+
1
]
1
+ + +
,
_
Desprezando I
C(MIN)
I
CMIN)
= 0, ento como I
R2
= I
Z(MIN)
-
) MIN (
C(MIN) I
, I
R2
= 20mA
I
Z(MAX)
=
41
1
. 40.(20mA) 600mA) 0 (20mA .
0,7V - 15V - 19,8V
0,7V - 15V - 24,2V
1
]
1
+ + +
,
_
I
Z(MAX)
=
0,0244 . 800mA) (620mA .
4,1V
8,5V
1
]
1
+
,
_
= (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA

I
Z(MAX)
= 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)
Calculando I
C(MAX)
:
I
C(MAX)
=
(MIN)
. (I
Z(MAX)
- I
R2
)
I
C(MAX)
= 40 . (71,83mA - 20mA)
I
C(MAX)
= 40 . 51,83mA = 2,073A
I
C(MAX)
= 2,073A (o transistor compatvel quando a I
C(MAX)
)
Calculando P
C(MAX)
:
P
C(MAX)
= (V
Z
+ V
BE
) . I
C(MAX)
= 15,07 . 2,073 = 31,24W
P
C(MAX)
= 31,24W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao
de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-
se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar
sobreaquecimento do transistor.
Calculando R
2
:
V
R2
= R
2
.I
R2
V
R2
= V
BE
R
2
= 35
20mA
0,7V

20mA
VBE
(adotar 33)
P
R2
=
( ) ( )
14,85mW
33
0,49V

33
0,7

R
E
2
2
2
R2
Calculando R
1
:
R
1
=

+
+ +
6,613
620mA
4,1V

600mA 20mA
0,7V - 15V - 19,8V

I I I
V - V - V
L(MAX) C(MIN) Z(MIN)
BE Z IN(MIN)
OBS: I
C(MIN)
= 0
R
1
=

+
+
3,94
2,16
V 5 , 8

2,073A 86,67mA
0,7V - 15V - 24,2V

I I
V - V - V
C(MAX) Z(MAX)
BE Z IN(MAX)
R
1
dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613
3,94 < R < 6,61
R
1
adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R
1
:
P
R1
=
( ) ( ) ( ) ( )
12,9W
5,6
8,5V

5,6
0,7V - 15V - 24,2V

5,6
V - V - V

R
V
2 2 2
BE Z IN(MAX)
1
2
R1
(adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:
O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s
variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo
de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que
compem o circuito tem as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
Transistor T
1
: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de
sada a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador;
Transistor T
2
: basicamente um comparador de tenso DC, isto ,
compara duas tenses, V
R2
e V
R3
, sendo a tenso V
R3
fixa (denominada
tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de
polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os
dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia
que ser aplicada ao circuito de controle.
FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que V
IN
aumente, a tenso nos extremos de R
L
tender a aumentar,
aumentando a tenso V
R2
e V
R3
, mas, como a tenso no emissor de T
2
fixada por V
Z
,
ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de V
BE2
, que
aumentar I
B2
e consequentemente I
C2
.
Quando I
C2
aumenta, haver um aumento da tenso em R
1
(V
R1
), uma vez que a
tenso do emissor de T
2
fixada pela tenso de zener (V
Z
).
Como V
BE1
fixa, ento um aumento de V
R1
provocar um aumento de V
CE1
.
Lembrar que V
R1
= V
CB1
e que V
CB1
+ V
BE1
= V
CE1.
Um aumento de I
C2
provocar tambm um discreto aumento na corrente de base
de T
1
(I
B1
).
I
C2
= I
R1
- I
B1
I
R1
= I
C2
+ I
B1
FORMULRIO:
Considerando a tenso de entrada mxima
V
IN(MAX)
= V
L
+ V
BE1(MIN)
+ R
1
.(I
Z(MAX)
+ I
B1(MIN)
)
mas, I
Z(MAX)
>> I
B1(MIN)
, logo:
V
IN(MAX)
= V
L
+ V
BE1(MIN)
+ R
1
.(I
Z(MAX)
)
I
Z(MAX)
=
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
R
V - V - V
( I )
Considerando a tenso de entrada mnima
V
IN(MIN)
= V
L
+ V
BE1(MAX)
+ R
1
.(I
Z(MIN)
+ I
B1(MAX)
)
I
Z(MIN)
+ I
B(MAX)
=
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
R
V - V - V
mas, I
B(MAX)
=
) MIN ( 1
L(MAX) I
I
L(MAX)
I
C(MAX)
temos ento:
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
R
V - V - V

I
I
+
( II )
dividindo ( I ) e ( II )
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX)
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
Z(MAX)
V - V - V
V - V - V

I
I
I
+
I
Z(MAX)
=
,
_
,
_
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V
( III )
Clculo de R
1
R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+
A potncia desenvolvida em R
1
no pior caso dada por:
V
R1
= V
IN(MAX)
- (V
L
+ V
BE1(MIN)
)
P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +
Clculo de R
2
Adota-se uma regra prtica, onde: I
R2
= 0,1.I
C2
Quando I
C2
= I
Z(MIN)
R
2
<
Z(MIN)
BE2(MAX) Z L
0,1.I
V - V - V

Quando I
C2
= I
Z(MAX)
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
Z(MIN)
=
B1(MAX)
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
I -
(adotado) R
V - V - V
I
B1(MAX)
=
) MIN ( 1
L(MAX) I
Clculo de potncia dissipada em R

2
V
R2
= V
L
- V
Z
- V
BE2(MIN)
P
R2
=
(adotado) R
) V - V - (V
2
2
BE2(MIN) Z L
Clculo de R
3
V
R3
= V
L
.
,
_
+ 2 3
3
R R
R
V
R3
.(R
3
+ R
2
) = V
L
.R
3
V
R3
.R
2
+ V
R3
.R
3
= V
L
.R
3
V
R3
.R
2
= V
L
.R
3
- V
R3
.R
3
V
R3
.R
2
= R
3
.(V
L
- V
R3
)
R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
(R
2
adotado no clculo anterior)
Clculo de potncia em R
3
Em R
3
temos: V
R3
= V
Z
+ V
BE2(MAX)

P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
V
IN
= 25V t 10%
I
L(MAX)
= 800mA
Tenso na carga (V
L
) = 12V
Teremos: V
IN(MAX)
= 25 + 2,5 = 27,5V V
IN(MIN)
= 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T
1
:
O transistor T
1
dever ter as seguintes caractersticas:
I
C(MAX)
> I
L(MAX)
= 0,8A
V
CEO
> V
IN(MAX)
- V
L
= 27,5 - 12 = 15,5V
P
C(MAX)
> (V
IN(MAX)
- V
L
).I
L(MAX)
= (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:
V
CEO
= 45V
I
C(MAX)
= 2A
P
C(MAX)
= 25W
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250
Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto V
Z
aproximadamente 0,5V
L
. No entanto, outro valor pode
ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
I
Z(MIN)
= 50mA
V
Z
= 5,1V
P
Z(MAX)
= 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:
I
Z(MAX)
=
255mA
5,1V
1,3W

V
P
Z
Z(MAX)

I
Z(MAX)
=
,
_
,
_
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
BE1(MIN) L IN(MAX) I
I .
V - V - V
V - V - V

Adotando para este projeto V
BE1(MIN)
= 0,6V e para V
BE1(MAX)
= 0,7V
I
Z(MAX)
=
,
_
+
,
_
40
800mA
50mA .
0,7V - 12V - 22,5V
0,6V - 12V - 27,5V
I
Z(MAX)
=
106,43mA 70mA .
9,8V
14,9V

,
_
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.

Escolha de T
2
:
O transistor T
2
dever ter as seguintes caractersticas:
V
CEO
> (V
L
+ V
BE2(MIN)
- V
Z
) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
I
C(MAX)
> I
Z(MAX)
= 255mA
P
C(MAX)
> [(V
L
+ V
BE1(MIN)
) - V
Z
] . I
Z(MAX)
P
C(MAX)
> [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
Para o transistor T
2
tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para
V
BE2(MIN)
e V
BE2(MAX)
respectivamente.
O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:
V
CEO
= 45V
IC
(MAX)
= 1A
P
C(MAX)
= 8W
(MIN)
= 40
(MAX)
= 250
Clculo de R
1
:
R
1
>
Z(MAX)
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
V - V - V
= 58,4
255mA
14,9V

255mA
0,6V - 12V - 27,5V
R
1
<
) MIN ( 1
L(MAX)
Z(MIN)
BE1(MAX) L IN(MIN)
I
I
V - V - V
+
=

+
140
70mA
9,8V

40
800mA
50mA
0,7V - 12V - 22,5V
58,4 < R
1
< 140 valor adotado: 100
Calculando a potncia desenvolvida em R
1
:
P
R1
=
[ ]
(adotado) R
) V (V - (V
1
2
BE(MIN) L IN(MAX) +
= 2,22W
100
(14,9V)

100
12,6V) - (27,5V
2 2
(adotar 5W)
Clculo de R
2
:
R
2
>
Z(MAX)
BE2(MIN) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MAX)
=
(adotado) R
V - V - V
1
BE1(MIN) L IN(MAX)
I
Z(MAX)
= 149mA
100
0,6V - 12V - 27,5V
R
2
>
422,82
14,9mA
6,3V
14,9mA
0,6V - 5,1V - 12V
R
2
<
Z(MIN)
BE2(MAX) Z L
0,1.I
V - V - V
I
Z(MIN)
=
B1(MAX)
1
BE1(MAX) L IN(MIN)
I -
(adotado) R
V - V - V
I
Z(MIN)
= 78mA 20mA - 98mA
40
800mA
-
100
0,7V - 12V - 22,5V

R
2
<
794,87
7,8mA
6,2V

7,8mA
0,7V - 5,1V - 12V
422,82 < R
2
< 794,87 adotar 560
2
:
P
R2
=
(adotado) R
) V - V - (V
2
2
BE2(MIN) Z L
P
R2
=
( )
70,88mW
560
6,3V

560
0,6V) - 5,1V - (12V
2 2
Clculo de R
3
:
R
3
=
R3 L
2 R3
V - V
R . V
=

506,67
6,3
3.192

5,7V - 12V
) (560 . 5,7V
adotar 470
onde: V
R3
= (V
Z
+ V
BE2(MIN)
)
3
:
P
R3
=
(adotado) R
) V (V
3
2
BE2(MAX) Z +
P
R3
= 71,57mW
470
(5,8)

470
0,7V) (5,1V
2 2
+
CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de corrente
bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
Se
1
=
2
= 100, teremos: I
C1
= I
E1
e I
C2
= I
E2
O ganho total (
T
) ser dado por:
1
.
2
= 100.100 = 10.000
Assim, I
C2
=
T
. I
B1
A tenso entre base e emissor dada por: V
BE
= V
BE1
+ V
BE2
Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de
impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a um
transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um nico
invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e
npn respectivamente.
PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR
DARLINGTON
Reprojetar o regulador srie da pgina 1, utilizando transistor Darlington;
proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:
Tenso de sada (V
L
): 6V
Corrente de sada mxima (I
L(MAX)
): 1,5A
Tenso de entrada (V
IN
): 12V t 10%
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
V
CBO
= 80V
I
C(MAX)
= 4A
P
C(MAX)
= 36W
(MIN)
= 500
(MAX)
= 1.000
Neste caso, V
BE
maior. Vamos considerar para este projeto, V
BE
= 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
V
Z
= 7,5V
P
Z(MAX)
= 400mW
I
Z(MIN)
= 10mA
I
Z(MAX)
=
53,33mA
7,5V
0,4W
Verificando a escolha do transistor:

P
C(MAX)
= (V
IN(MAX)
- V
L
) . I
C(MAX)
I
C(MAX)
= I
E(MAX)
- I
B(MAX)
I
E(MAX)
= I
L(MAX)
I
C(MAX)
= I
L(MAX)
- I
B(MAX)

I
B(MAX)
=
) MIN (
C(MAX) I
logo: I
C(MAX)
= I
L(MAX)
-
) MIN (
C(MAX) I
I
C(MAX)
=
) MIN (
L(MAX)
1
1
I
+
=
1,497A
1,002
1,5

0,002 1
1,5

500
1
1
1,5

+
+

P
C(MAX)
= (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W
O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a
utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.
Verificando a escolha do zener:
I
Z(MAX)
=
( ) B(MAX) Z(MIN)
Z IN(MIN)
Z IN(MAX)
I I .
V - V
V - V
+
,
_

I
B(MAX)
=
2,994mA
500
1,497A

I
) MIN (
C(MAX)

I
Z(MAX)
=
( ) 2,994mA 10mA .
7,5V - 10,8V
7,5V - 13,2V
+
,
_
I
Z(MAX)
=
22,44mA 12,994mA .
3,3V
5,7V
Como P
Z(MAX)
terico = 53,33mA e I
Z(MAX)
= 22,44mA o diodo zener escolhido
pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: V
IN(MAX)
= 13,2V
V
IN(MAX)
= R.(I
B(MIN)
+ I
Z(MAX)
) + V
Z
Na pior condio: R
L
= I
B(MIN)
= 0
V
IN(MAX)
= (R . I
Z(MAX)
) + V
Z
R =
106,88
53,33mA
5,7V

mA 33 , 53
7,5V - 13,2V

I
V - V
) MAX ( Z
Z IN(MAX)
Para a mnima tenso de entrada: V
IN(MIN)
= 10,8V
R =

+
+
253,96
12,994mA
3,3V

10mA 2,994mA
7,5V - 10,8V

I I
V - V
Z(MIN) B(MAX)
Z IN(MIN)
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o
valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que
neste caso 180.
Potncia dissipada pelo resistor:
P =
R
E
2
P =
R
) V (V
2
Z - IN(MAX)
= 180,5mW
180
(5,7V)

180
7,5V) - (13,2V
2 2

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).
COMPARAES:
Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington
R
1 91 180
P
R1
508mW 180,5mW
I
C(MAX)
1,46A 1,497A
P
C(MAX)
10,5W 10,78W
I
Z(MAX) terico
73,53mA 53,33mA
I
Z(MAX) prtico
71,2mA 22,44mA
V
Z
6,8V 7,5V
I
B(MAX)
36,5mA 2,994mA
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o
transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem
menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington
bem maior.
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas
principais caractersticas:
1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando
deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem
definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,
pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: I
C
= I
B
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: V
CE
= 0,5V
CC
2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do
resistor de emissor.
Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando tambm
a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de polarizao
V
BE
, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor menor
compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
V
CC
= V
RC
+ V
CE
+ R
E
I
E

onde: V
RC
= R
C
I
C
logo: V
CC

= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de
sada: V
RE
= 0,1V
CC
Equaes bsicas:
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
ou ainda: I
B
=
C I
I
E
= ( + 1)I
B
3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA
Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.
Equaes bsicas:
V
RE
= 0,1V
CC
V
RC
= V
CC
- (V
CE
+ V
RE
) I
B
=
C B
CC
R R
V
+
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)
Equaes bsicas:
V
CE
= 0,5V
CC
R
E
=
E
CC
I
0,5V
I
E
= I
B
I
B
=
E B
CC
R R
V
+
5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE
A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos
mtodos mais usados em circuitos lineares.
A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica
(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor de
tenso formado por R
B1
e R
B2
, onde R
B2
polariza diretamente a juno base-emissor.
Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.
Aplicando Thvenin:
Abrindo o terminal da base temos: V
TH
=
B2 B1
CC B2
R R
V . R
+
Ainda com o terminal da base aberto e V
CC
em curto, temos:
R
TH
=
B2 B1
B2 B1
R R
R . R
+
Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:
OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de R
BB
enquanto que
a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de V
BB
Aplicando LKT:
V
TH
- R
TH
I
B
- V
BE
- R
E
I
E
= 0
Sendo: I
B
=
1
IE
+
, temos: I
E
=
1
R
R
V - V
TH
E
BE TH
+
+
Se R
E
for 10 vezes maior do que
1
RTH
+
, podemos simplificar a frmula:
I
E
=
E
BE TH
R
V - V
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que
equivale dizer que:
R
TH
0,1R
E
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto
de polarizao por divisor de tenso na base:
V
E
= 0,1V
CC
V
CE
= 0,5V
CC
V
RC
= 0,4V
CC
R
C
= 4R
E
R
BB
= 0,1R
E
R
B1
=
BB
CC BB
V
V . R
ou R
B1
= R
BB
.
BB
CC
V
V
R
B2
=
BB B1
BB B1
R - R
R . R
ou R
B2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R
Clculo das correntes de emissor, base e coletor
Em funo de
I
B
=
1) (
IE
+
- I
CBO
I
E
= ( + 1)I
B
+ ( + 1)I
CBO
I
C
= I
B
+ ( + 1)I
CBO
onde: ( + 1)I
CBO
= I
CEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
I
C
= I
E
+ I
CBO
temos: I
E
= I
C
+ I
B
logo: I
C
= (I
C
+ I
B
) + I
CBO
portanto: I
C
= I
C
+ I
B
+ I
CBO
resolvendo: I
C
- I
C
= I
B
+ I
CBO
colocando I
C
em evidncia resulta:
I
C
(1 - ) = I
B
+ I
CBO
portanto:
I
C
=
- 1
I

- 1
I CBO B
EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:
1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor
dos resistores e as correntes.
Soluo:
DADOS:
= 100
I
C
= 3mA
V
BE
= 0,7V
Adotando V
E
= 0,1V
CC
, V
CE
= 0,5V
CC
e V
RC
= 0,4V
CC
, temos:
V
E
= V
RE
= 1,2V
V
CE
= 6V
V
RC
= 4,8V
Clculo de I
B
Como = 100, podemos fazer I
C
= I
E
, logo: I
B
=
C I
=
100
3mA
= 30A
Clculo de R
E
R
E
=
E
RE
I
V
=
3mA
1,2V
= 400
Clculo de R
BB
R
BB
= 0,1.400 = 4k
Clculo de V
BB
V
BB
= R
BB
I
B
+ V
BE
+ V
RE
= 4.000.(30.10
-6
) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
V
BB
= 2,02V
Clculo de R
C
R
C
=
C
RC
I
V
=
3mA
4,8V
= 1,6k (equivalente a 4R
E
)
Clculo de R
1
R
1
=
BB
CC BB
V
V . R
=
02 , 2
(12) . 4.000
=
2,02
48.000
= 23.762
Clculo de R
2
R
2
=
BB 1
BB 1
R - R
R . R
=
4.000 - 762 . 23
4.000) (23.762).(
=
19.762
95.048
= 4.817
Podemos tambm calcular R
2
da seguinte forma:
R
2
=
CC
BB
BB
V
V
- 1
R
=
12
2,02
- 1
4.000
=
0,1683 - 1
4.000
=
0,8317
4.000
= 4.809 4.817
RESPOSTAS:
R
C 1,6k
R
E 400
R
1 23,762k
R
2 4,817k
I
B 30A
I
E
3mA
I
C
3mA
2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , I
CEO
, I
C
, I
B
, R
C
e R
B
.
DADOS:
I
E
= 4mA
V
BE
= 550mV
V
CE
= 5V
V
CC
= 12V
I
CBO
= 6A
= 0,92
Clculo de
11,5
0,92 - 1
0,92

- 1

Clculo de I
CEO
I
CEO
= ( + 1)I
CBO
= 12,5.(6A) = 75A
Clculo de I
C
I
C
= I
E
+ I
CBO
= 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de I
B
I
B
= I
E
- I
C
= 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de R
C
R
C
=
C
RC
I
V
V
RC
= V
CC
- V
CE
- V
RE
(onde V
RE
= 0,1V
CC
)
V
RC
= 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
R
C
=
3,755mA
5,8V
= 1.54k (1.544,6)
Clculo de R
E
R
E
=
E
RE
I
V
=
4mA
1,2
= 300
Clculo de R
B
R
B
=
B
RB
I
V
V
RB
= V
CC
- V
BE
- V
RE
V
RB
= 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
R
B
=
A 245
10,25V
= 41,84k (41.836,7)
RESPOSTAS:
11,5
I
CEO 75A
I
C
3,755mA
I
B 245A
R
C 1.54k
R
E 300
R
B 41,84k
3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de polarizao,
considerando = 40.
Clculo de I
B
I
B
=
A 72,12
208k
15
108k 100k
15

) 40(2,7k 100k
15

R R
V
E B
CC

+
+
Clculo de I
E
I
E
= ( + 1).I
B
= (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de V
CE
V
CE
= V
CC
- R
E
I
E
= V
CC
- V
RE
= 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
V
RE

= 7,992V 8V
RESPOSTAS:
I
B 72,12A
I
E
2,96mA
V
CE
7V
V
RE
8V
4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao do circuito a seguir:
Considere = 100.
Clculo de I
B
I
B
=
A 20,27
740k
15

470k 270k
15

100.4k7 270k
15

R R
V
C B
CC

+
+
Clculo de I
C
I
C
= I
B
= 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de V
CE
V
CE
= V
CC
- R
C
I
C
= 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
I
B
= 20,27A
I
C
= 2,027mA V
CE
= 5,473V
5 - Calcule I
C
, I
B
, R
C
e R
B
no circuito abaixo.
Equaes bsicas
( I ) V
CC
- V
RC
- V
CE
- V
RE
= 0
V
RC
= R
C
I
C
e V
RE
= R
E
I
E
, temos:
( II ) V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
+ R
E
I
E
Clculo de I
C

=
B
C
I
I
, logo: I
C
= 6A . 200 = 1,2mA
Clculo de I
E
I
E
= I
C
+ I
B

= 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar I
C

= I
E
Clculo de R
C
Utilizando a equao ( II )
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (R
C
. 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (R
C
. 1,2mA) + 8,18
R
C
=
5,68k
mA 2 , 1
8,18 - 15
(5.683,3)
Clculo de R
B

V
RB
= V
CB
+ V
RC
R
B
I
B
= V
CB
+ R
C
I
C
como: V
CE
= V
CB
+ V
BE
, ento: V
CB
= 8 - 0,6 = 7,4V
desta forma: R
B
. (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
R
B
=
A 6
14,216V
= 2,37M (2.369.333,33)
RESPOSTAS:
I
C
= 1,2mA
R
C
= 5,68k
I
E

= 1,2mA
R
B

= 2,37M
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

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Teremos ento na carga 6,1V valor este, perfeitamente aceitvel.

= (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA

(adotar 15W - valor comercial)

Clculo de potncia dissipada em R

Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.

Verificando a escolha do transistor:

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