FACULDADE DE TECNOLOGIA DE BAURU

Curso de Sistemas Biomdicos

Disciplina de Sistemas Digitais

Memorias Semicondutoras

Professor: Tadeu Pellison Aluno: Gustavo Martins Tristo

Bauru 2012

Memorias Semicondutoras

Gustavo Martins Tristo

Este trabalho foi solicitado como parte integrante da matria de Sistemas Digitais, sob orientao do professor eng. Tadeu Pelissom.

Bauru 2012

Introduo
Com o passar do tempo o Homem desenvolveu novas maneiras de armazenamento de dados que o auxiliou a us-los de maneira mais eficiente. Talvez o mais notvel, e com certeza o mais evolutivo meio de armazenamento de dados inventado at hoje tenha sido o livro impresso. Hoje em dia, existem vrias maneiras de se armazenar dados como, por exemplo, atravs de fita magntica (memria do tipo sequencial), atravs de circuitos biestveis (flip-flop tipo D), atravs de cargas eltricas sobre capacitores, atravs da modificao de ndices pticos de superfcies e slidos, atravs de modificao do estado quntico de uma molcula ou tomo, etc. Na linha evolutiva das memrias utilizadas em computadores pode-se citar as fitas K-7, fitas perfuradas de papel, cartes perfurados, memria de tambor, matrizes de mini-torides magnticos, discos magnticos, mdias pticas e as famosas memrias em estado slido. As memrias em estado slido (ou semicondutoras) so conhecidas por este nome pelo fato de no terem partes mveis. A memria semicondutora produzida com componentes de estado slido um dos tipos de memrias mais utilizados em circuitos digitais atualmente. Este tipo de memria divide-se, basicamente em 2 tipos: RAM (Random Access Memory) e ROM (Read Only Memory). Uma memria qualquer tem que ter no mnimo uma via atravs da qual possa se se faa um acesso a um dado especfico (barramento de endereamento), uma via por onde os dados possam entrar e/ou sair (barramento de dados) e uma via atravs da qual se possa controlar outros aspectos da memria (barramento de controle).

Barramento de Controle

Existem vrios tipos de memrias, as quais possuem caractersticas e aplicaes especificas, mas que podem ser representadas genericamente pelo diagrama funcional a seguir:

FIGURA 1

A memria contm diversas posies, cada uma das quais indicadas por um endereo (ENDEREO); se a memria possui n linhas de endereo, conter 2n posies. Em cada uma das posies possvel armazenar certo nmero de bits, geralmente 1, 4 ou 8 bits. Para que o contedo de uma determinada posio seja lida, a memria habilitada atravs da ativao da linha HABILITA e o endereo desejado colocado nas linhas de endereo. Aps um determinado intervalo de tempo, o contedo da posio endereada aparece nas linhas de sada DATA OUT. Na operao de escrita, a memria habilitada, o endereo desejado colocado nas linhas de endereo e a informao que se quer armazenar colocada nas linhas DATA IN. Em seguida, aplica-se um pulso na linha de controle ESCRITA, o que faz com que a informao seja armazenada na memria. Barramento de dados (Habilita) permite a entrada (escrita) e/ou sada (leitura) dos dados. Em grande parte dos circuitos integrados de memrias uma mesma linha fsica utilizada como entrada e como sada (nunca simultaneamente), diminuindo pela metade o nmero de pinos necessrios para a transferncia de dados.

- Barramento de endereamento (Linhas de endereo) permite que uma posio de memria seja acessada atravs da combinao de zeros e uns neste barramento. - Barramento de Controle (Controle de Comunicao) um conjunto de linhas que permitem controles do tipo: habilitao do C.I. para o funcionamento (Habilita Chip), habilitao da operao de escrita (Habilitar escrita), habilitao da funo de leitura (Habilita Leitura, estas duas geralmente num nico pino do tipo Write/red), habilitao do barramento de dados, estado de stand by, estado de sadas em alta impedncia ou tri-state (Habilita Sada) etc. A figura 2 apresenta uma memria com 3 bits de linhas de endereo, possibilitando a discriminao ou acesso a 2 = 8 posies de memria. Cada uma das oito posies de memria contm uma palavra de 4 bits. Como exemplo de controles temos uma linha de controle de escrita/leitura denominada WE= Habilita Escrita (WE=0 para escrita, WE=1 para leitura) e uma linha de habilitao do circuito denominada CS = seleciona C.I habilitada com nvel lgico 1.

Figura 2 Exemplo:

Uma memria de 16x2 tem 16 posies com 2 bits de dados em cada posio, perfazendo um total de 32 clulas de memria. A figura abaixo representa a arquitetura interna de uma memria 16x2 com escrita e leitura.

FIGURA 3
Para compreender melhor seu funcionamento, coloca-se um valor qualquer no barramento de endereos, por exemplo: A3 A2 A1 A0 = 1011. Neste exemplo, o decodificador de linha contm o endereo A1 A0 =11 (ativando a sada X3) e o decodificador de coluna de endereo A3 A2=10 (ativando a sada Y2) selecionando, assim, a posio hachura da. Neste caso, os bits de dados D1 e D0 correspondentes ficam disponveis para leitura ou escrita de dependendo dos nveis lgicos dos bits de controle, CE e R / W tabela de sinais de controle a seguir:
CE R/W

uma informao, como mostra o

Estado da memria Habilita escrita Habilita leitura Memria desabilitada

0 0 1

0 1 X

TABELA 1

Nota-se que, enquanto o sinal CE est ativado (nvel lgico 0), a memria est habilitada para uma operao de escrita ( R / W =0) ou leitura ( R / W =1), caso contrrio ( CE =1) a memria est desabilitada independente do nvel lgico do sinal de R / W ( R / W =irrelevante) e, portanto, as operaes de escrita e leitura no podem ser executadas. As memrias, em geral, possuem duas caractersticas bsicas que devem ser analisadas para a sua utilizao em um determinado sistema: Capacidade: quantidade de bits que capaz de armazenar; Tempo de Acesso: tempo necessrio para colocar os dados

armazenados na sada (ciclo de leitura). Alm disso, cada tipo de memria possui caractersticas prprias que determinam sua aplicabilidade. Neste aspecto, as memrias podem ser classificadas em: Memria voltil: as informaes armazenadas so perdidas ao se desligar a alimentao. Memria no voltil: as informaes armazenadas na memria permanecem inalteradas mesmo sem alimentao.

Tipos de Memria
Existem vrios tipos de memorias que veremos a seguir, as duas principais so as memorias Tipo ROMS, as memorias tipo RAMS. As memrias podem ser: Memrias volteis: So memrias que perdem o contedo retido quando deixam de ser alimentadas (RAMs). Memrias no volteis: So memrias que retm a informao mesmo quando no esto alimentadas (ROMs). Dentre as memrias no volteis, sobressai-se as memrias permanentes de computadores, que retm programas de BIOS, SETUP e DIAGNSTICO fabricadas pelos AWARD, PHOENIX, AMI etc.

RAM -RAM (Random Access Memory) memria de acesso aleatrio (acesso direto seria mais apropriado), isto , a escrita ou leitura de um dado no precisa ser feita de maneira sequencial. Memrias tipo RAM so utilizadas para escrita e leitura de dados e so volteis, ou seja, ao ser desenergizada perde a informao armazenada (pode ser contornado utilizando-se de um

uninterruptable power supply (UPS) junto mesma). aplicada em sistemas digitais como memria de trabalho (como o caso da memria RAM utilizada em microcomputadores onde ser carregado programas executveis, dados a serem computados, etc).

3.1. Memrias RAM Estticas e Dinmicas As memrias do tipo RAM podem ser estticas (SRAM) ou dinmicas (DRAM). Nas memrias estticas as clulas de armazenamento so flip-flop do tipo D ou elementos biestveis e uma vez escrito um dado, este permanece estvel at que um outro dado seja escrito ou a alimentao seja retirada (por isso a denominao esttica). Nas memrias do tipo dinmica, as clulas so microcapacitores (intrnsecos) que armazenam a informao em forma de carga capacitiva, isto , se o capacitor estiver carregado tem-se nvel lgico 1, se estiver descarregado tem-se nvel lgico 0. Este tipo de memria exige um processo chamado refresh (recarga ou refrescamento de memria) em funo do fato de que um capacitor dentro de um circuito integrado perder sua carga atravs de acoplamentos resistivos e capacitivos com os substratos ao seu redor. O processo de refresh consiste na verificao peridica da carga do capacitor (tipicamente umas 67000 vezes por segundo), caso esteja acima de um nvel (limiar de nvel 1) o capacitor recarregado, caso esteja abaixo de um nvel menor que o anterior (limiar de nvel 0) no refeita a carga, isto , assume-se que a informao que estava armazenada era um "0". As RAMs estticas so usadas como CACHE porque so mais rpidas, com tempos de acesso tpicos de 8 a 15 ns, enquanto nas DRAMs tem-se tempos de 50 a 60 ns. As DRAMs podem ser integradas em grande escala e so muito mais baratas, razes pelas quais so estas as usadas para a memria de trabalho do micro-computador.

Padres de encapsulamento
SIMM, Single Inline Memory Module 8bits 30 pinos 16MB mximo, 16bits 72 pinos 64MB mximos. DIMM Dual Inline Memory Module, 64 bits 168 pinos 512MB mximos.

Memrias Cache
As memrias Cache so do tipo DRAM e podem ser internas (nvel 1) ou externas (nivel 2). A principal diferena e que a interna trabalha com o clock interno do microprocessador e a externa trabalha com o clock externo. Por exemplo, um K6-II 450 MHz tem clock interno de 450 MHz e externo de 100 MHz, com fator multiplicativo de 4,5. A Cache externa trabalha 4,5 vezes mais lentamente que a interna, neste caso.

Memrias Tag
So memrias (Chips de memria) cuja funo a de servirem de diretria para uma memria Cache ou para um pente de memria.

Estrutura bsica de uma memria RAM

A figura 3 e 4 apresenta a estrutura bsica de uma memria RAM com 16 clulas de armazenamento e com buffers para os dados de sada.

FIGURA 4

FIGURA 5

ROM, PROM, EPROM, EEPROM e FLASH -ROM (Read Only Memory) memria somente para leitura. Este tipo de memria no voltil (pode-se desenergiz-la sem perder a informao armazenada), e utilizada para o armazenamento de programas e dados que sero utilizados continuamente em um sistema sem a necessidade de alterao, como o caso do programa BIOS (Basic Input Output System) de um computador. O programa armazenado no necessita ser carregado toda vez que se liga o sistema. A evoluo deste tipo de memria deu origem s memrias dos tipos PROM, EPROM, EEPROM e FLASH.

Figura 6 Diagrama em Blocos da ROM

As sadas de dados da maioria das ROMs so de trs estados para permitir a conexo de vrios chips de memria ROM ao mesmo barramento de dados, permitindo a construo de memrias de diversas capacidades. A entrada CS, seleo de chip (chip selection) fundamentalmente uma entrada de habilitao/desabilitao das sadas da ROM.

ROM Programada por Mscara (MASK-ROM) A ROM programada por mscara tem suas posies de memria escritas pelo fabricante de acordo com as especificaes do cliente. Um negativo fotogrfico, denominado mscara, usado para especificar as conexes eltricas do chip. A maior desvantagem destas ROMs o fato de elas no poderem ser apagadas e reprogramadas, quando uma mudana qualquer no projeto do dispositivo exigir modificaes nos dados armazenados. Neste caso, a ROM com os dados antigos no podem ser reaproveitada.

FIGURA 7

ROM programvel (PROM) A PROM uma ROM programvel uma nica vez, pelo usurio. Este tipo de memria comprada virgem e o usurio efetua a gravao atravs de um gravador de PROMs. A memria uma matriz de diodos e a gravao mantm ou queima um "diodofusvel" desta matriz padro, conforme se queira o 1 ou o 0 numa determinada posio.. Exemplos Comerciais: 74186 (64x8) tempo de acesso 50 ns; TMS27C256 (32kx8) tempo de acesso 120 a 250 ns.

Figura 08

ROM programvel Apagvel (EPROM) A EPROM o tipo de ROM mais utilizada. Igualmente PROM, uma matriz virgem que pode ser gravada. A diferena que ela pode ser apagada (ou recondicionada ao seu estado virgem) atravs de radiao ultravioleta (UV). Esta memria tem uma janela de quartzo, transparente ao UV, para este fim. Num dia ensolarado de vero, com Sol do meio dia, pode-se apagar uma EPROM em uns vinte minutos, se esta for colocada sob os raios do Sol. Normalmente so utilizadas lmpadas fluorescentes sem a camada de cristais de fsforo para apagar EPROMS. O tempo tpico de apagamento atravs de um dispositivo apagador de EPROMs de 15 a 20 minutos. Existem vrios e baratos dispositivos no mercado capazes de gravarem os mais variados tipos de EPROM. Esta memria por definio somente para leitura e sua gravao inicial efetuada atravs de tenses bem acima de sua tenso nominal de funcionamento (5V). muito importante saber a tenso exata de gravao de uma memria. Tipicamente a tenso tem passos de 0,5

volts e vai de 8 a 28 volts. Atualmente esta tenso tende a ficar num valor padronizado pela maioria dos fabricantes, mas ainda existem muitos problemas de diferenas de tenses de gravao. ROM programvel apagvel eletricamente (EEPROM=E2PROM) idntica EPROM, com a vantagem adicional poder ser apagada ou reprogramada eletricamente. Muito utilizada em sistemas de BIOS juntamente com as RAMs-novolteis.

Figura 09 Tpico encapsulamento de um chip EPROM, mostrando a janela para receber a radiao ultravioleta.

Figura 10 Smbolo lgico para a EPROM 2732.

MODO

ENTRADAS CE OE/VPP VIL

SADAS

LEITURA/VERIFICAO

VIL

DATAOUT

DESABILITA SADA STANDBY PROGRAMAO

VIL VIH VIL

VIH X VPP

HIZ HIZ DATAIN

TABELA 2

HIZ ALTA IMPEDNCIA VIL TTL BAIXO (0 VOLTS) VIH TTL ALTO (5 VOLTS) VPP 21 V (NOMINAIS)

Memorias FLASH So memrias permanentes utilizadas geralmente em computadores e no interior de microcontroladores, cuja funo a de guardar os programas principais das mquinas. Ao contrrio das outras ROMs, esta pode funcionar com tenso de gravao de 5,0 volts. Aplicaes: a) FirmWare; b) BootStrap; c) Tabela de Dados; d) Conversores de Dados; e) Geradores de caracteres; f) Geradores de funes etc.

EPROM Apagvel Eletricamente (EEPROM): As EPROM tm duas grandes desvantagens. A primeira o fato de elas precisarem ser retiradas de seu soquete para serem apagadas e reprogramadas. A segunda o fato de a operao de apagamento remover o contedo da memria inteira, obrigando que a mesma tenha de ser completamente reprogramada. A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM a possibilidade de apagamento e reprogramao de palavras individuais, em vez da memria toda. Alm disso, uma EEPROM pode ser totalmente apaga em 10 ms, no prprio circuito, contra mais de 30 minutos para uma EPROM. Pelo fato de a EEPROM poder ser apagada e reprogramada sem ser removida do circuito atravs da aplicao de tenses especficas, torna-se

necessrio o acrscimo de alguns componentes ao circuito da EEPROM, componentes estes que no existem no caso da EPROM.

Figura 11 Smbolo para a EEPROM 2864.

MODO

ENTRADAS CE OE VIL VIH X WE VIH VIL X

SADAS

LEITURA ESCRITA STANDBY

VIL VIL VIH

DATAOUT DATAIN HIZ

TABELA 3 APLICAES DAS ROMS

FIRMWARE (Microprograma): At agora, uma das mais importantes aplicaes da memria ROM no armazenamento dos microprogramas de um computador. Alguns

microcomputadores tambm armazenam em ROM seu sistema operacional e, em alguns casos, at seus interpretadores de linguagem.

Os programas do computador que esto armazenados em ROM so denominados firmware pelo fato de no estarem sujeitos a mudana, ao contrrio daqueles armazenados em RAM (software). MEMRIA DE PARTIDA FRIA (BOOTSTRAP): Alguns microcomputadores e a maioria dos computadores de maior parte no tm seu sistema operacional armazenado em ROM. Tais equipamentos utilizam memria de armazenamento em massa, discos rgidos, para armazenarem o sistema operacional. Um programa muito pequeno de partida fria ou bootstrap, que est armazenado em ROM, deve ser executado to logo a mquina tenha sido ligada. TABELAS DE DADOS: So muitas vezes usadas para armazenar tabelas de dados que no mudam nunca. Alguns exemplos de tais tabelas so aquelas utilizadas para implementar funes trigonomtricas e as tabelas de converso. CONVERSORES DE DADOS: Os circuitos de converso de dados recebem um dado expresso em determinado tipo de cdigo, e produzem uma sada expressa em outro tipo de cdigo. GERADORES DE CARACTERES: Se voc j prestou ateno alguma vez aos caracteres alfanumricos impressos na tela de display de cristal lquidos, deve ter notado que eles so formados por um grupo de pontos. GERADOR DE FUNES: O gerador de funes um circuito que produz em suas sadas formas de onda das mais diversas, como senoidais, dentes de serra, ondas triangulares e ondas quadradas.

Concluso
Com a evoluo a memorias tornam-se cada vez mais necessrias para a vida moderna. Por isso os diversos tipos de componentes apresentados aqui, so cada vez mais encontrados nos equipamentos atuais. Suas diversas variaes de tipos, tamanhos fsicos e quantidade de processar dados so fundamentais para os equipamentos eletrnicos como

microcomputadores entre outros. Nos equipamentos mdico elas so parte de um sistema decisivo para controle e processamento de todo os dados que os mesmo necessitam executarem seu trabalho e salvar vidas humana. para

Bibliografia

ESKINAZI, REMY, APOSTILHA MEMRIAS SEMICONDUTORAS, CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE PERNAMBUCO CEFET-PE.

Schneider, Bertoldo Jr. Prof. Fbio Kurt Schneider,Colab. Valfredo Pila: MEMRIAS SEMICONDUTORAS, Eletronica. Digital / Tec.Eletrnica CEFET-PR, v.3.0 / 2002.