Anda di halaman 1dari 17

Laporan Praktikum Dasar Elektronika Karakteristik Dioda

Nama NIM Kelas Kelompok

: Oktarico Susilatama P : 21060110141053 :B : 23

TEKNIK ELEKTRO UNIVERSITAS DIPONEGORO 2011/2012


1

1. Judul Percobaan

: Karakteristik Dioda

Gambar 1.1 Rangkaian Percobaan Karakteristik Dioda Bias Maju

Gambar 1.2 Rangkaian Percobaan Karakteristik Dioda Bias Mundur

2. Alat dan Bahan


1. DC Power Supply sebagai sumber tegangan DC. 2. Digital Multimeter DT 9205A, sebagai alat ukur besaran listrik. 3. 1 buah dioda. 4. Kabel jumper, sebagai kabel penghubung antar komponen dan sumber tegangan. 5. 1 buah resistor 1 Kilo Ohm ( terbaca oleh alat ukur R = 1 Kilo Ohm )

3. Teori Singkat
Diode merupakan komponen elektronik yang dibuat dari bahan semikonduktor ( silikon atau germanium) tipe p (lubang) dan tipe n (elektron bebas) yang disatukan. Dioda memiliki dua kaki yaitu anoda yang dihubungkan pada sumber tegangan positif dan katoda yang dihubungkan pada sumber negatif. Arus listrik mengalir dari kaki anoda ke kaki katoda, atau dari semihantar p ke semihantar n (forward bias). Bila kaki anoda dihubungkan sumber negatif dan kaki katoda dihubungkan ke sumber positif (reverse bias) maka diode akan memiliki hambatan yang sangat besar sehingga arus tidak bisa lewat. Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja tetapi disisi lain dioda juga dapat menahan arus yang berlawanan arah. Struktur dioda adalah sambungan

semikonduktor P dan N. Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan sisi yang lain adalah tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N. Suatu sumber tegangan dengan polaritas seperti pada gambar 1.1 disebut prategangan maju. Lubang dari tipe p melewati persambungan ke tipe n, dimana lubang tersebut membentuk arus minoritas terinjeksikan. Dengan cara yang sama, elektron akan melintasi persambungan menjadi arus minoritas yang diinjeksikan ke dalam sisi p. Lubang-lubang bergerak dari sisi kiri ke kanan dalam arah arus yang sama dengan arus elektron yang bergerak dari kanan ke kiri. Oleh karena itu, arus yang melewati persambungan adalah jumlah dari arus minoritas lubang dan elektron. Misalkan bahwa tegangan maju sebesar V dalam gambar 1.1 dinaikkan sampai nilai V mendekati Vo. Seandainya V sama dengan Vo, maka barrier akan hilang, dan arus menjadi besar sekali, dan melebihi nilai kemampuan dari dioda. Maka dalam prakteknya, kita tidak akan dapat mengecikan barrier sampai dengan nol, karena apabila arus dinaikkan tanpa batas, maka tahanan tubuh kristal dan tahanan kontak-kontak ohmik akan membatasi arus tersebut. Disini, yang dimaksud dengan kontak ohmik adalah potensial kontak lintas

persambungan-persambungan, yang besarnya tetap, serta tidak terpengaruh pada arah dan besar arus. Oleh karena itu, tidak mungkin menganggap semua tegangan V akan muncul sebagai perubahan lintas persambungan p-n. Maka dapat disimpulkan, bila nilai tegangan maju V mendekati Vo, arus yang melalui dioda p-n yang sebenarnya akan ditentukan oleh tahanan kontak ohmik dan tahanan tubuh kristal. Oleh karena itu, karakteristik hubungan voltampere hampir menyerupai garis lurus. Bila kaki anoda dihubungkan sumber negatif dan kaki katoda dihubungkan ke sumber positif (reverse bias) maka diode akan memiliki hambatan yang sangat besar sehingga arus tidak bisa lewat. Sehingga dioda hanya bisa dialiri arus listrik bila dipasang pada kondisi forward bias ( hanya dari satu arah saja), oleh karena itu, maka diode dipakai untuk mengubah arus bolak-balik (AC) menjadi arus searah (DC). Untuk lebih jelasnya, perhatikan gambar dioda di bawah ini.
Anoda (A)

+ + + + +

Katoda (K)

Junction

Gambar 1.3 Penampang sebuah dioda

Di sekitar persambungan semihantar terdapat daerah transisi atau disebut juga daerah muatan ruang. Di daerah transisi ini terdapat tembok potensial / potential barrier (V). Besarnya tembok potensial bergantung pada jenis semi konduktor yang dipakai, untuk silikon (Si) mempunyai besar V sebesar 0,7 volt dan untuk germanium (Ge) mempunyai V sebesar 0,3 volt. Pada kondisi forward bias (dioda diberi tegangan maju) yaitu dimana anoda lebih positif dibandingkan dengan katoda maka V merendah sebaliknya jika diode diberi reverse bias (diode diberi tegangan mundur) yaitu dimana katoda lebih positif daripada anoda maka V meninggi. Untuk tembok potensial meninggi maka tidak ada perpindahan muatan atau besarnya arus adalah nol ( idealnya), namun praktisnya tetap ada arus meskipun sangat kecil

Untuk operasi sinyal kecil, tahanan dinamik atau inkrimental r adalah suatu parameter yang penting, dan didefinisikan sebagai kebalikan dari kemiringan karakteristik volt-ampere, r besarnya adalah r
dV . Untuk prategangan maju, dI

Vt
I

. Tahanan dinamik berbanding terbalik dengan arus,


26 , dimana I dalam mA, dan r I

pada temperature kamar, untuk = 1, r

dalam ohm. Untuk arus maju 26 mA, tahanan dinamiknya sebesar 1. Tahanan ohmik dari bahan semikonduktor secara keseluruhan (di luar persambungan) mungkin mempunyai orde besar yang sama atau lebih tinggi dari nilai ini.

3.1 Simbol dan struktur dioda


A K

Gambar 1.4 Simbol dioda

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan P-N dengan sedikit porsi kecil yang disebut lapisan deplesi (depletion layer), dimana terdapat keseimbangan hole dan elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas merdeka.

3.2 Karateristik Dioda Prategangan Maju / forward bias Pada Gambar 1.4 kita dapat melihat suatu rangkaian ditata bias maju dengan sebuah sumber DC. Pusat sumber positif dihubungkan dengan anoda / p sedangkan kutub negatif sumber mengenai katoda / n.

Gambar 1.5 Rangkaian Percobaan Dioda Prategangan Maju

Dari gambar di atas, dapat kita amati bahwa sumber (baterai) mendorong lubang-lubang dan elektron bebas menuju sambungan. Jika tegangan baterai lebih kecil daripada hambatan potensial / tembok potensial (V<V), maka elektron bebas tidak mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi / daerah transisi, sehingga tidak ada arus yang melintasi dioda. Ketika sumber tegangan baterai lebih besar daripada tembok potensial (V>V), baterai mendorong kembali lubang-lubang dan elektron-elektron bebas menuju ke sambungan. Pada saat tersebut elektron bebas mempunyai cukup energi untuk melintasi lapisan deplesi dan bergabung dengan lubanglubang. Arus mengalir dengan mudah dalam bias / prasikap maju dioda. Sepanjang penerapan tegangan lebih besar dibandingkan hambatan potensial / tembok potensial, maka akan terjadi arus kuat yang secara terus-menerus melalui dioda. Karena I0 maka tembok potensial merendah Anoda lebih positif daripada katoda Dioda berprasikap maju (forward bias)

V>V maka I 0

Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi (V) adalah diatas 0.7 volt. Kira-kira 0.3 volt batas minimum untuk dioda yang terbuat dari bahan Germanium.

3.3 Karakteristik Dioda Prategangan Mundur / reverse bias Gambar 1.5 menunjukkan suatu rangkaian dioda, dengan sumber tegangan DC melintasi sebuah dioda. Saat ini, kutub positif sumber (baterai) dihubungkan pada katoda atau sisi n sedangkan kutub negatif baterai dihubungkan ke anoda atau sisi p.

Gambar 1.6 Rangkaian Percobaan Dioda Prategangan Mundur

Pada rangkaian diatas jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P. maka didalam dioda tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke arah kutup berlawanan. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer) semakin besar dan menghalangi terjadinya arus. Pada kondisi ini dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun kondisi tarsebut ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di lapisan deplesi. Ketika perbedaan potensial sama dengan penerapan tegangan reverse Lapisan deplesi berhenti berkembang. Ketika hal ini terjadi, elektron-elektron dan lubang-lubang berhenti bergerak keluar sambungan. Setelah lapisan deplesi stabil ada sebuah arus kecil pada reverse bias. Sedikit pembawa minoritas berada pada kedua sisi sambungan, sebagian besar begabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang berada di dalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan. Ketika hal ini terjadi, sebuah arus mengalir dalam rangkaian luar. Arus reverse disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas disebut juga arus jenuh.

Di samping arus pembawa minoritas, terdapat arus bocor dalam sebuah dioda prasikap mundur. Arus kecil ini mengalir pada permukaan kristal (arus permukaan bocor), hal ini disebabkan karena permukaan yang tidak murni dan tidak sempurna dalam struktur kristal. Jadi arus adalah mendekati nol pada dioda bias balik / prasikap mundur. Karena I = 0, tembok potensial meninggi Anoda lebih negatif daripada katoda Dioda berprasikap mundur (reverse bias)

V bebas (V> atau < V), asal sesuai dengan kemampuannya / tidak melampaui kemampuannya.

3.4 Hubungan antara tegangan dan arus pada dioda ideal

Gambar1.7 Grafik Hubungan antar tegangan dan arus dioda

Pada gambar grafik diatas dapat diketahui bahwa pada kondisi dioda diberi penambahan pra tegangan maju (forward bias) terjadi penambahan nilai arus yang mengalir atau dapat dikatakan nilai tegangan berbanding lurus dengan arus), sebaliknya ketika dioda diberikan pra tegangan mundur ( reverse bias ) maka arus tidak akan bisa mengalir hingga batas tegangan tertentu ( 100 volt ), selebihnya arus akan dapat mengalir ketika dioda dalam keadaan break down.

4. Hasil Percobaan
Berdasarkan percobaan karakteristik diode didapatkan hasil data pengamatan seperti pada table dibawah ini :

Tabel 1.1 Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Tegangan No Sumber (Vs) volt 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6 Tegangan Dioda Maju (VD) volt 0,5 0,6 0,6 0,7 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 Tegangan Beban Dioda Maju (VL) volt 0,8 2 3,2 3,3 5,8 6,8 8,3 8,5 10,3 11,5 Tegangan Dioda Mundur (VD) volt 2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6 Tegangan Beban Dioda Mundur (VL) volt 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

10

5. Pembahasan
Tabel 1.2 Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Tegangan No Sumber (Vs) volt 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6 Tegangan Dioda Maju (VD) volt 0,5 0,6 0,6 0,7 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 Tegangan Beban Dioda Maju (VL) volt 0,8 2 3,2 3,3 5,8 6,8 8,3 8,5 10,3 11,5 Tegangan Dioda Mundur (VD) volt 2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6 Tegangan Beban Dioda Mundur (VL) volt 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Dari data diatas dapat diketahui bahwa pada Forward bias nilai tegangan beban semakin besar seiring dengan pertambahan tegangan sumber sementara tegangan pada diode konstan, sedangkan untuk reverse bias nilai tegangan beban adalah sama dengan nol ini dikarenakan posisi dioda terbalik (reverse).

11

5.1. Perhitungan Arus Dioda Pada gambar 1.1 terlihat bahwa arus yang mengalir pada diode besarnya sama dengan arus pada resistor .Hal ini dikarenakan dalam suatu rangkaian yang disusun secara seri nilai arus pada bagian-bagiannya adalah sama besarnya, Sehingga nilai arus pada dioda dapat hitung sebagai berikut:

I=

V R

Tabel 1.3 Hasil Perhitungan Arus pada Dioda


Tegangan Beban (VL) No Sumber (Vs) volt Diode Maju Volt Diode Mundur RL (K) Arus beban (IL) Ampere Diode Maju Diode Mundur

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6

0,8 2 3,2 3,3 5,8 6,8 8,3 8,5 10,3 11,5

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

0,0008 0,002 0,0032 0,0033 0,0058 0,0068 0,0083 0,0085 0,0103 0,0115

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Perhitungan diatas berdasarkan aturan arus pada rangkaian seri, nilai arus yang mengalir pada suatu hambatan sama dengan nilai arus yang mengalir pada dioda tersebut. Arus pada reverse bias sama dengan nol, karena kutub negatif baterai dihubungkan dengan sisi p dari persambungan lubang dalam tipe p dan elektron dalam tipe n bergerak menjauhi persambungan. Oleh karenanya daerah bermuatan negatif menyebar ke sebelah kiri persambungan dan rapat muatan positif menyebar ke sebelah kanannya.

12

5.2

Perhitungan Daya Dioda Dalam menghitung nilai daya pada dioda dapat digunakan rumus sebagai berikut:

P=VI
Dimana : P = daya diode V = tegangan diode I = arus pada diode

Tabel 1.4 Hasil perhitungan daya pada dioda


Tegangan Beban No Sumber (Vs) volt (VL) volt Diode Maju Diode Mundur RL () Arus Beban (ampere) Diode Maju Diode Mundur Daya Beban (watt) Diode Maju 0,00064 0,004 0,01024 0,01089 0,03364 0,04624 0,06889 0,07225 0,10609 0,13225 Diode Mundur

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

2,2 3,5 4,5 5,8 7 8,6 9,5 10,5 11,6 12,6

0,8 2 3,2 3,3 5,8 6,8 8,3 8,5 10,3 11,5

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000

0,0008 0,002 0,0032 0,0033 0,0058 0,0068 0,0083 0,0085 0,0103 0,0115

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Pada kondisi reverse bias daya beban yang dihasilkan nol, hal ini dikarenakan arus yang mengalir pada beban ialah nol. Kuat arus sebanding dengan daya yang mengalir, sehingga jika arus yang mengalir besar maka dayanya pun besar, begitu pula sebaliknya.

13

5.3 Pembuatan Grafik VI Dioda 5.3.1 Grafik Tegangan -Arus dioda prasikap maju Dari hasil perhitungan arus maju dan data tegangan maju dioda dari hasil percobaan membentuk kurva sebagai berikut
Kurva Dioda Maju
0,014 0,012 arus beban (ampere) 0,01 0,008 0,006 0,004 0,002 0 V 0,8 2 3,23,35,86,88,38,5 11,5 10,3 Tegangan beban (volt) Gambar 1.7 Kurva I-V pada diode maju

Pada grafik di atas terlihat bahwa pada kondisi forward bias besarnya arus berbanding lurus dengan besarnya tegangan, arus, sebagaimana rumus

V I .R

14

5.3.2 Grafik Tegangan Arus dioda prasikap mundur Dari hasil perhitungan arus mundur dan data tegangan mundur dioda dari hasil percobaan membentuk kurva sebagai berikut.
Kurva Dioda Mundur
100% 90% 80% Arus beban (ampere) 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Tegangan beban (volt)

Gambar 1.8 Kurva I-V pada diode mundur

Pada gambar 1.8 terlihat bahwa hubungan tegangan dan arus yang diseri terhadap dioda reverse menunjukan ketiadaan arus dan tegangan pada beban tersebut. Hal ini terjadi karena dioda akan menghantarkan arus apabila tegangan yang melewati dioda lebih besar dari pada tegangan konduksi pada dioda tersebut. Dalam pratikum elektronika dasar pratikan menggunakan dioda silicon dengan Vd=0,7 volt. Dioda reverse akan menghantarkan arus pada beban jika tegangan yang melewati dioda reverse tersebut lebih besar dari pada tegangan yang diberikan pada dioda tersebut. Terlihat pada tabel 1.1. Pada karakteristik dioda reverse dapat menahan/memblok arus. Dalam hal ini dioda berfungsi sebagai sakelar pada rangkaian elektronika. Akan tetapi terdapat batas tegangan breakdown pada dioda yaitu mendekati 75 volt sesuai pada gambar 1.9. Jika melebihi batas tegangan tersebut dioda dapat dipastikan rusak secara permanen.

15

Gambar 1.9 Kurva ideal karakteristik V-I dioda

16

6. Kesimpulan
Dari percobaan tentang karakteristik diode dapat diambil beberapa kesimpulan diantaranya : 1. Dioda merupakan komponen semikonduktor yang hanya dapat

mengalirkan arus satu arah saja. 2. Pada saat dioda diberi prategangan maju (forward bias) ,maka dioda dapat mengalirkan arus, hal ini disebabkan tembok potensial rendah. 3. Pada saat dioda diberi prategangan balik (reverse bias), maka dioda sulit mengalirkan arus, hal ini disebabkan tembok potensial yang meninggi sehingga dioda memiliki hambatan tak terhingga. 4. pada kondisi reverse bias dioda akan dapat mengalirkan arus ketika mengalami pendadalan(breakdown), hal ini terjadi ketika teganagn mundur yang diberikan mendekati 100 volt. 5. Dioada selain berfungsi sebagai penyearah dapat berfungsi sebagai sakelar pada rangkaian elektronik. 6. Pada posisi reverse, dioda dapat memblok arus yang melewatinya dalam batas tegangan breakdown mendekati 75 volt.

17