Tema 1: Introduccin
1.1 1.2 1.3 1.4 14 1.5 1.6 Seales y sistemas Cuestiones tecnolgicas g Ruido Tcnicas generales T i l Modelado de sensores USI: Universal Sensor Interface
Tema 1: Introduccin
1.1 1.2 1.3 1.4 14 1.5 1.6 Seales y sistemas Cuestiones tecnolgicas g Ruido Tcnicas generales T i l Modelado de sensores USI: Universal Sensor Interface
Una seal es una magnitud cuyas variaciones en el tiempo llevan informacin sobre un proceso o magnitud fsica. fsica
1.1. Seales y sistemas s
Un sistema transforma seales de entrada en seales de salida segn una determinada funcin de transferencia:
T : x(t ) y (t )
1.1. Seales y sistemas s
Un sistema es causal si y slo si la seal de salida en un instante de tiempo t0 depende slo del valor actual y de los valores de la seal de entrada antes de t0. Cualquier sistema real es causal causal. Un sistema es invariante en el tiempo si y slo, para cualquier t0 y cualquier seal de entrada x(t), se cumple:
T [ x(t )] = y (t ) T [ x(t t0 )] = y (t t0 )
4
Un sistema es lineal si y slo si, para cualesquiera nmeros reales c1 y c2 y cualesquiera seales de entrada x1(t) y x2(t) se cumple: (t),
1.1. Seales y sistemas s
Los sistemas reales varan en el tiempo y no son lineales. Sin embargo, casi siempre pueden aproximarse mediante sistemas lineales e invariantes en el tiempo, bajo p , j unas condiciones de operacin predefinidas y dentro de los intervalos de tiempo de inters.
SISTEMAS SENSORES
Un transductor es un dispositivo o sistema que convierte seales de un tipo de energa a otro. Un sensor convierte seales no elctricas en seales elctricas. Un actuador convierte seales elctricas en seales no elctricas.
SISTEMAS SENSORES
La funcin del sistema de medida es asignar, de manera objetiva y emprica, un nmero a una propiedad o cualidad de un objeto o evento. Dicho nmero establece la escala de medida del sistema, y est relacionado de alguna manera con los valores establecidos por los estndares de medida. La realizacin de una medida implica, adems de la adquisicin de la informacin, el procesamiento de dicha informacin y la presentacin de resultados.
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas de acondicionamiento de seal proporcionan, a partir de la seal de salida de un sensor, una seal adecuada para ser presentada, almacenada o post-procesada. post-procesada
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas de acondicionamiento de seal proporcionan, a partir de la seal de salida de un sensor, una seal adecuada para ser presentada, almacenada o post-procesada. post-procesada
SISTEMAS SENSORES
El papel de la electrnica analgica es crtico. Es necesario cumplir una serie de exigentes requisitos relacionados con:
o Ruido o Voltaje de alimentacin o Consumo de potencia o Velocidad o Rechazo a interferencias o Bajo costo o Fiabilidad
10
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas inteligentes (smart systems) recogen datos del entorno mediante sensores, toman decisiones mediante sistemas electrnicos y actan mediante actuadores.
11
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Los conceptos que se definirn a continuacin son slo vlidos para sistemas instantneos, es decir, tanto los sensores como el circuito de acondicionamiento deben ser mucho ms rpidos que las seales de entrada.
12
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
1. Error (absoluto): es la diferencia entre la salida del sistema y su valor ideal:
13
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
2. 2 Error relativo: es la relacin entre el error absoluto y el valor ideal de la salida:
er ( xin ) =
er ( xin ) << 1
14
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
3. 3 Exactitud: es la capacidad del sistema de producir errores pequeos. 4. Precisin: es l capacidad d l sistema d d el mismo 4 P i i la id d del i t de dar l i valor de la magnitud medida al realizar varias veces la medicin en las mismas condiciones, prescindiendo de la concordancia o discrepancia con el valor real de la magnitud medida.
15
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Exactitud vs Precisin vs.
1.1. Seales y sistemas s
16
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Exactitud vs Precisin vs.
1.1. Seales y sistemas s
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CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Exactitud vs Precisin vs.
1.1. Seales y sistemas s
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CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Exactitud vs Precisin vs.
1.1. Seales y sistemas s
19
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
5. 5 Sensibilidad (factor de escala): para un sistema cuya salida est relacionada con la entrada xin mediante la ecuacin yout=f(xin), la sensibilidad en el punto xa, S(xa), viene dada por:
S=
yout xin
xin = xa
20
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
6. 6 Resolucin: mnimo incremento en la entrada para el que se obtiene un cambio en la salida. Es decir, es la mnima variacin de la entrada que puede ser detectada.
R = x =
y y = S Q (yout / xin ) Q
21
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
7. 7 Offset: valor de la seal de salida cuando la entrada es cero:
yOFF = f (0)
Offset de entrada: valor necesario en la entrada para que la salida sea 0.
f (xOFF ) = 0 (x
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CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
8. 8 Tiempo de respuesta: tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en la seal de entrada hasta que ese cambio se refleja en la salida. 9. Linealidad: capacidad de proporcionar una seal de salida que tenga una relacin lineal con la seal de entrada entrada. 10. Histresis: fenmeno por el que la evolucin del sistema depende de su historia.
23
Tema 1: Introduccin
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MICROSISTEMA
1.2 Cu uestione tecnolgicas es
25
MICROSISTEMA
1.2 Cu uestione tecnolgicas es
Menor libertad en el diseo del sensor. Problemas de costo y rendimiento al reducir las dimensiones de la tecnologa. Menor rendimiento rendimiento.
26
MICROMDULO
1.2 Cu uestione tecnolgicas es
Tecnologas
los
P. Malcovati, F. Maloberti, Interface Circuitry and Microsystems, Chap. 17 in MEMS: Design, Analysis and Applications.
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MICROMDULO
1.2 Cu uestione tecnolgicas es
P. Malcovati, F. Maloberti, Interface Circuitry and Microsystems, Chap. 17 in MEMS: Design, Analysis and Applications.
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Q es el ruido? Qu l id ?
Es aquella componente de voltaje o corriente no deseada q p j que se superpone con la componente de seal que se procesa o que interfiere con el proceso de medida.
1.3 Ruido R Ruido interno o inherente:
Se genera en los dispositivos ge e a e os d spos t os electrnicos como consecuencia de su naturaleza fsica. Es de naturaleza aleatoria aleatoria. Puede ser peridico, intermitente o aleatorio.
30
1. Anlisis temporal
1.3 Ruido R
Suponemos que todas las seales de ruido tienen un valor promedio nulo.
31
1.3 Ruido R
Funcin de densidad de probabilidad (PDF): probabilidad de que la variable X (en este caso, amplitud) tome un valor entre x y x+dx.
32
1.3 Ruido R
p X ( x) =
1 ( x m) 2 exp 2 2 2
Pav = lim
1 T T
2 vn (t ) dt RL
Vn ( rms )
1 = T
v (t )dt
2 n
1/ 2
El valor cuadrtico medio del voltaje de ruido indica la potencia de ruido normalizada. As, normalizada As si se aplica el voltaje de ruido vn(t) a una resistencia de valor 1, la potencia promedio disipada es:
Pav =
Vn2(rms ) ( 1
potencia de ruido normalizada
34
2. Anlisis 2 A li i espectral t l
1.3 Ruido R
Vn2 ( f )
Densidad espectral de potencia de ruido: Indica I di cunta potencia ll i lleva l seal d ruido para cada f la l de id d frecuencia. i
35
Densidad espectral Vn2(f) [V2/Hz]: Potencia promedio normalizada en un ancho de banda de 1 Hz Hz. Raz cuadrada de la densidad espectral: Vn(f) [V/Hz]
Por ejemplo, si decimos que el voltaje de ruido en la entrada de un amplificador a 100 MHz es 3 nV/Hz, queremos decir que l potencia promedio normalizada en un ancho d b d d 1 H la t i di li d h de banda de Hz centrado en 100 MHz es igual a 9x10-18 V2
1.3 Ruido R
36
Densidad espectral Vn2(f) [V2/Hz]: Potencia promedio normalizada en un ancho de banda de 1 Hz Hz.
1.3 Ruido R
37
1.3 Ruido R
38
Potencia total (normalizada) [ 2]: ( ) [V ] Se obtendr al integrar la densidad espectral en todo el espectro de frecuencias. 1.3 Ruido R
39
Ejemplo: Cul es la potencia promedio de la seal de ruido en un ancho de banda de 30Hz en torno a una frecuencia de 100Hz? Y en un ancho de banda de 0.1Hz?
1.3 Ruido R
40
Ruido blanco
1.3 Ruido R
Vn ( f ) = Vnw = 3.2 V / Hz
41
Ruido 1/f
1.3 Ruido R
Vn2 ( f ) = kv2 / f Vn ( f ) = kv / f
kv constante
42
Filtrado del ruido: Si una seal de espectro Sx(f) se aplica a un sistema lineal invariante en el tiempo cuya funcin de transferencia es H(s), el espectro de salida viene dado por:
SY ( f ) = S X ( f ) H ( f )
donde H( f )=H(s=j2f ). 1.3 Ruido R
43
Filtrado del ruido: Si una seal de espectro Sx(f) se aplica a un sistema lineal invariante en el tiempo cuya funcin de transferencia es H(s), el espectro de salida viene dado por:
SY ( f ) = S X ( f ) H ( f )
donde H( f )=H(s=2jf ). 1.3 Ruido R
La salida slo es funcin, por tanto, de la magnitud de la funcin de transferencia, y no de la fase. , Valor cuadrtico medio total de salida:
2 2 Vno ( rms ) = A( j 2f ) Vni ( f )df 2 0
44
1.3 Ruido R
fuentes de voltaje
fuentes de corriente
vno (t ) = vn1 (t ) + vn 2 (t )
2 Vno ( rms ) =
Coeficiente de correlacin:
Siempre -1C 1: C=1 C 1 C=-1 C=0 totalmente correlacionado y en fase (0 grados) totalmente correlacionado y fuera de fase (180 grados) no correlacionado (90 grados)
46
Si las seales no son correlacionadas, el valor cuadrtico medio de la suma viene dado por:
2 Vno ( rms ) = Vn2 ( rms ) + Vn22( rms ) 1
Las potencias de ruido se suman como si fueran vectores ortogonales. 1.3 Ruido R
El principio de superposicin se cumple para los valores de potencia promedio de las seales no correlacionadas.
Para reducir el ruido total, hay que reducir el ruido de la fuente cuya contribucin es mayor.
47
1.3 Ruido R
Si las entradas no estn correlacionadas, las salidas tampoco lo estn, por lo que se puede demostrar que:
Vno ( f ) =
i =1, 2 , 3
A ( j 2f )
i
2 Vni ( f )
48
Vn2 ( f ) = 4kTR, f 0
49
Vn2 ( f ) = 4kTR, f 0
2 I n ( f ) = 4kT / R, f 0
50
Capacitores e inductores
Los capacitores e inductores no generan ningn ruido, pero acumulan ruido.
1.3 Ruido R
51
H ( j ) =
1.3 Ruido R
Vout 1 = , VR 1 + jCR
2
H ( j ) =
2
1 1+ C 2R2
2
Vn2,out ( f ) = H ( j 2f ) Vn2,in ( f ) =
4kTR 4kTR [V 2 / Hz ] 2 2 2 2 1 + 4 f C R
2 n ,out ( rms )
4kTR 2kT df = 2 2 2 2 1 + 4 f C R C
=
0
kT [V [V 2 ] C
52
Capacitores
1.3 Ruido R
Vn ,out ( rms ) =
kT C
[V [ ]
53
1.3 Ruido R
TRIODO:
2 I n ,th ( f ) = 4 KTg ds
donde =2/3 para transistores de canal largo y mayor para transistores de canal corto, y gds0 es l conductancia gds cuando VDS=0. la d t i d 0
54
g ds 0
I = D VDS
=
VDS = 0
Cox W
(V V )V L GS TH DS VDS
)
VDS = 0
g ds 0 = Cox W
(VGS VTH ) = g m
55
A menudo se emplea la expresin con gm, dado que es conveniente para el clculo de ruido referido a la entrada Sin entrada. embargo, la expresin con gds0 es ms precisa y es la que debera usarse.
56
Vn2,1/ f ( f ) =
K 1 CoxWL f
donde la constante K depende de las caractersticas del dispositivo y puede variar mucho para dispositivos diferentes en un mismo proceso. Por ello, debe determinarse experimentalmente.
K 10 25V 2 F
57
Vn2,1/ f ( f ) =
K 1 CoxWL f
O puede modelarse como una fuente de corriente conectada entre la fuente y el drenaje del transistor: j
2 I n ,1/ f ( f ) = 2 Kg m K'I 1 = 2D WLCox f L f
58
1.3 Ruido R
K 1 2 2 4kT g m = gm 3 CoxWL f c
fc = K 3 gm CoxWL 8kT
f c 500kHz 1MHz
59
60
1.3 Ruido R
61
1.3 Ruido R
Si la etapa en fuente comn est seguida por un amplificador ideal (sin ruido), el ruido a la salida es el de la etapa primera multiplicado por A1. Es decir, el ruido a la salida es mayor cuanto mayor es la ganancia del amplificador ideal ideal. Sin embargo, la seal a la salida tambin est amplificada por el mismo factor A1, es decir, la relacin seal a ruido (SNR) no depende de A1.
62
A1
A2
vn,1 ideal id l
vn,1 ideal id l
1.3 Ruido R
vn.out1 = A1 vn ,1
vn.out 2 = A2 vn ,1
vout1 = g m RD A1vin
vout 2 = g m RD A2vin
1.3 Ruido R
64
1.3 Ruido R
NO es suficiente!!
Definimos el ruido referido a la entrada como el valor de la fuente de ruido que deberamos conectar a la entrada de nuestro circuito, supuesto ideal (cancelando todas las fuentes de ruido), Vn in2, tal que el ruido a la salida sea el mismo que el del circuito n,in original (incluyendo fuentes de ruido).
2 Vn2,out = Vni ,out = Av2Vn2,in i =1 n
65
1.3 Ruido R
La fuente de voltaje de ruido referido a la entrada y la fuente de corriente de ruido referido a la entrada son necesarias y suficientes para representar el ruido en cualquier circuito lineal de dos puertos puertos.
66
Vn2,in ,
1.3 Ruido R
2 I n ,in
67
68
Compuerta comn
1.3 Ruido R
69
Compuerta comn
2 vn ,out =
4kT 2 2 RD + 4kTg m RD RD
1.3 Ruido R
2 vn ,in =
4kTg m 4kT + 2 ( g m + g mb ) RD ( g m + g mb ) 2
70
Compuerta comn
2 vn ,out =
4kT 2 RD RD
1.3 Ruido R
2 I n,in =
4kT RD
71
1.3 Ruido R
Tema 1: Introduccin
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1. Realimentacin
+
X(s)
Y(s)
XR(s)
Y A = <A X 1 + A
74
vout = (vin + vn )
A1 1 + A1
75
Las tcnicas dinmicas de cancelacin de offset reducen tanto el offset como el ruido flicker.
76
Tcnica de autozero
La cancelacin se realiza en dos fases: fase de muestreo (1=1, 2=0) y fase de amplificacin (1=0, 2=1) . La salida no est disponible de manera continua, por lo que se aade S5 y C1. d
77
El principio de operacin es el mismo pero en lugar de un mismo, circuito sample-and-hold utiliza un ADC, un registro y un DAC. Ocupa ms rea, pero evita los problemas de fuga asociados al condensador Caz.
78
Tcnica ping-pong
La salida est disponible de manera continua: mientras un amplificador est en fase de muestreo el otro est en fase de p amplificacin, y viceversa. Adems de aumentar el consumo, aparecen glitches en el momento de conmutar entre un amplificador y otro otro.
79
Tcnica chopper
La seal de entrada es modulada y demodulada. El offset y el ruido, en cambio, se modulan slo una vez, por lo que son enviados a frecuencias mayores y pueden ser eliminados mediante un filtro pasa-baja.
80
Tcnica h T i chopper
81
Tcnica h T i chopper
82
3. Medicin de impedancias
v+ = R x I 0
R vout = 1 + 2 Rx I 0 R 1
83
v+ = ( Rx + RP1 ) I 0
R vout = 1 + 2 ( Rx + RP1 ) I 0 R 1
la salida depende tambin de RP1 p
84
Rx RP
v+ v = Rx I 0
vout = GIA Rx I 0
impedancia de entrada infinita
85
v+ = ( Rx // RP ) I 0 R vout = 1 + 2 ( Rx // RP ) I 0 R 1
la salida depende tambin de RP p
86
I x = V0 / Rx
vout =
RF V0 Rx
87
Mediciones de 2 puertos
88
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Sin(f) = 5 nV/Hz
89
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Sin(f)=5 nV/Hz
Vn,outt = 50 Vrms
BPF
f0 = 10 kHz Q = 100
90
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Siin(f)=5 nV/Hz (f) 5
PSD
f0 = 10 kHz BW = 0.01 Hz PSD: Phase Sensitive Detector
91
1 V psd = VsigVref cos( sig ref t + sig ref ) 2 1 VsigVref cos( sig + ref t + sig + ref ) 2
92
ref = sig :
1 1 V psd = VsigVreff cos( sig reff ) VsigVreff cos(2t + sig + reff ) d i i i i 2 2
LPF seal de DC proporcional a la amplitud de la seal de entrada
93
Lock-In Amplifier
94
Lock-In Amplifier
Vref
1 2
Vsig VM
95
Lock-In Amplifier
Vref
Vsig VM
96
97
Mezclador
98
99
J. Wei et al., Implementation and Characterization of a femto-Farad Capacitive Sensor for pico-Liter Liquid Monitoring, Eurosensors09, pp. 120-123, 2009. 100
101
102
103
Tema 1: Introduccin
1.1 1.2 1.3 1.4 14 1.5 1.6 Seales y sistemas Cuestiones tecnolgicas g Ruido Tcnicas generales T i l Modelado de sensores USI: Universal Sensor Interface
Si el sensor no es elctrico la solucin ms prctica es modelarlo mediante un sistema equivalente en el dominio elctrico, de modo que el sistema completo pueda analizarse mediante simuladores estndar para circuitos p como SPICE. Tambin es posible recurrir a modelos comportamentales para modelar sistemas no-elctricos en SPICE.
105
-t
+t
106
-t
* R = R e B (1/ T 1/ T0 ) T 0 R0: resistencia a la temperatura de referencia [] T0: temperatura de referencia [K] B: constante del material [K]
107
RT = R0 e B (1/ T 1/ T0 )
-t
Modelo SPICE
.SUBCKT NTC_10K_1 1 2 4 5 ETHERM 1 3 VALUE = { I(VSENSE)*10K*EXP( 3548/(V(4 5)+273) - 3548/(25+273) ) } 3548/(V(4,5)+273) VSENSE 3 2 DC 0 .ENDS
108
EFECTO HALL
VH = 0
VH
E H = v B
VH: voltaje Hall [V] w: anchura entre los electrodos d l sensor [ ] h t l l t d del [m] v: velocidad de los portadores de carga [m/s] B: campo magntico (eje Y) [T]
VH = wvB
109
E. Ramsden, Hall-Effect Sensors, Elsevier, 2006. Hall-effect sensing and application, Honeywell MICROSWITCH Sensing and Control.
110
VB-
S: sensibilidad (V/B x I) [V/G] B: campo magntico [G] RIN: resistencia de entrada [] ROUT: resistencia de salida []
111
112
113
J.Molina al., Fabricacin, J Molina et al Fabricacin montaje y caracterizacin de ISFETs, IX Workshop IBERCHIP, 2003. P. Bergveld, Thirty years of ISFETOLOGY What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years, Sensors and Actuators B, vol. 88, pp. 1-20, 2003. 114
CGouy
8 w kTcbulk 2VT
C Helm =
S. Martinoia, A behavioural macromodel of the ISFET in SPICE, Sensors and Actuators B, vol. 62, pp. 182-189, 2000.
115
Tema 1: Introduccin
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Diseo especfico para cada sensor: 1.6 Un niversal Sensor In S nterface Elevado costo no recurrente Ciclos de desarrollo largos Largo plazo de comercializacin
117
K.L. Kraver et al., A mixed-signal sensor interface microinstrument, Sensors and Actuators A, vol. 91, pp. 266-277, 2001.
118
X. Li et al., A High-Performance Universal Sensor Interface, Sensors for Industry Conference (Sicon), pp. 19-22, 2001.
119
3.1mm x 2.1mm
120
V. Mattoli et al., A Universal Intelligent System-on-Chip Based Sensor Interface, Sensors, pp. 7716-7747, 2010.
?
121
V. Mattoli et al., A Universal Intelligent System-on-Chip Based Sensor Interface, Sensors, pp. 7716-7747, 2010.
123
STIM: Smart Transducer Interface Module - TEDS - Acondicionamiento de la seal - Conversin a digital
NCAP: Network Capable Application Processor - Comunicacin entre el bloque STIM y la red - Comunicacin con otros NCAPs - Conversin de la lectura de los sensores a unidades SI (interpretacin datos TEDS) - Alimentacin
124
El NCAP inicia la comunicacin activando un STIM El STIM responde con una seal de reconocimiento El STIM puede interrumpir al NCAP si se produce una excepecin (error de hardware, fallo de calibracin, fallo de autotest)
125
L. Bissi et al., Environmental monitoring system compliant with the IEEE 1451 standard and featuring a simplified transducer interface, Sensors and Actuators A, vol. 167, pp. 175-184, 2007. 126
Tema 1: Introduccin
1.1 1.2 1.3 1.4 14 1.5 1.6 Seales y sistemas Cuestiones tecnolgicas g Ruido Tcnicas generales T i l Modelado de sensores USI: Universal Sensor Interface
[5] Dynamic Offset Compensated CMOS Amplifiers, J F Witte K A A Makinwa J H Dynamic Amplifiers J.F. Witte, K.A.A. Makinwa, J.H. Huijsing, Springer. [6] High-Accuracy CMOS Smart Temperature Sensors, A. Bakker, J. Huijsing, Springer, 2000. [7] Practical design techniques for sensor signal conditioning, Walt Kester, Analog Devices Technical Reference Books, Prentice Hall, 1999. [8] About Lock-In Amplifiers, Applications Note #3 SRS (Stanford Research Systems) http://www.thinksrs.com/downloads/PDFs/ApplicationNotes/AboutLIAs.pdf htt // thi k /d l d /PDF /A li ti N t /Ab tLIA df [9] Designing Smart Sensors in Standard CMOS, K. Makinwa, 33th European Solid-State Circuits Conference, 2007. [10] An Overview of the IEEE-P1451 2 Smart Transducer Interface Module S P Woods IEEE-P1451.2 Module, S.P. et al., Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 14, pp. 167-177, 1997.
128