UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE CENTRO DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE MATERIAIS

Disciplina: Propriedades Fsicas dos Materiais Professor: Antnio Eduardo Martinelli

Trabalho (3 Unidade)

Aluno: Armando Monte Mendes

Natal, Junho de 2012.

PROPOSTA DE NOVO MATERIAL

Hfnia (HfO2)

Com o passar dos anos, a necessidade de utilizao de dispositivos que armazenam maior quantidade de informaes vem aumentando. Cartes de memria, por exemplo, precisam passar por alteraes do ponto de vista da quantidade de dados armazenados sem que suas dimenses padro sejam alteradas. A forma mais eficaz de realizar essas mudanas trabalhar nos materiais quem compem esses dispositivos. Os componentes eletrnicos responsveis por armazenar esses dados so os transistores, cujo esquema est mostrado da fig. 01.

Figura 01 Estrutura de um transistor do tipo n-p-n.

Este transistor composto por semicondutores extrnsecos (normalmente de silcio) do tipo n e p. Porm aquele que ir definir mais significantemente a capacidade do dispositivo ser o filme xido presente na base. Este xido um material dieltrico. Segundo Callister (2011, p.515) um material dieltrico um isolante eltrico que exibe ou pode ser produzido de modo a exibir uma estrutura de dipolo eltrico. O princpio de funcionamento do transistor mostrado na fig. 02. Como explica Woodford (2007), quando aplicadas voltagens positivas na base e no receptor, eltrons sairo apenas do emissor para o receptor. Alm disso, a base representa um capacitor onde, devido a esta voltagem, ter suas placas carregadas at que a voltagem entre elas for elevada suficiente para quebrar a rigidez dieltrica do filme xido, havendo fluxo de corrente atravs deste. Quando essa voltagem removida, a corrente eltrica deixar de existir, porm, eltrons ficaro presos no filme xido. Isso ocorre, pois os eltrons que ali passavam no conseguem mais se mover j que a energia no mais suficiente. Alm disso, por ser um material dieltrico, o xido cria uma enorme resistncia movimentao desses eltrons, no os deixando escapar.

Figura 02 (a) Corrente eltrica atravessando o transistor; (b) Eltrons aprisionados no filme de xido.

Este efeito chamado de memria no estado slido, pois quando o filme no est carregado com eltrons o transistor armazena o valor 0 (zero), j com ele carregado, o valor armazenado o 1 (um). Os dados inseridos no dispositivo so convertidos neste cdigo binrio e ento memorizados.

Visto o funcionamento do transistor, possvel ter uma ideia da importncia do filme xido para seu funcionamento. Os materiais mais indicados para tal aplicao so aqueles que possuem elevados valores de constante dieltrica (r) em relao Slica (material mais comumente utilizado em transistores). Um dos mais importantes o xido de Hfnio ou Hfnia (HfO2) mostrado na fig. 03. Este xido possui uma constante dieltrica r = 25, cerca de seis vezes maior que da slica (r = 4) (SCHNEIDER et al, 2011).

Figura 03 MEV de uma amostra de Hfnia (HOTH, 2005).

Existe uma equao que relaciona a constante dieltrica (r) com as dimenses do material A (rea do material em contato) e l (espessura do material), como mostrado a seguir (CALLISTER, 2011).

onde C a capacitncia e o a permissividade no vcuo.

Se analisarmos a equao, podemos ver que a constante dieltrica (r) inversamente proporcional rea de filme aplicada em cada transistor.

Isso significa que, quanto maior for a constante dieltrica ( r), menor ser a rea que o material precisa ocupar. Portando, se compararmos dois dispositivos de armazenamento de dados com mesmas dimenses, aquele que utilizar o material com maior (r), ter transistores menores, logo, a rea que restar poder acomodar mais transistores. Como o nmero de transistores diretamente proporcional capacidade de armazenamento do dispositivo, pode-se concluir que, quando utilizamos um material com elevado valor de (r), maior ser sua capacidade de armazenamento. A fig. 04 abaixo exemplifica bem o caso.

Figura 04 Trs dispositivos com mesmo tamanho (padro) e capacidades de armazenamento distintas.

Referncias

Woodford, Chris (2007) Flash Memory.http://www.explainthatstuff.com/flashmemory.html; CALLISTER, W. D. Cincia e Engenharia de Materiais: Uma Introduo. 7ed. LTC, Rio de Janeiro, 2011; SCHNEIDER, J. et al. Zirconia and hafnia films from single source molecular precursor compounds: Synthesis, characterization and insulating properties of potential high kdielectrics. Elsevier, Darmstadt, Germany, 2 Maio 2011. Materials Science and Engineering B, p. 965 971; HOTH, D. et al. Metal oxide monolithic columns. Elsevier, New York, USA, 9 April 2005. Journal of Chromatography A, p. 392396.