Lei de Moore e o futuro do Si

Fsica do Semicondutor

1947 Nos laboratrios Bell foi inventado o transistor por Bardeen, Brattain e Shockley. Transfere Transistor Resistor

Um dos fatores que contriburam para avano da eletrnica foi o uso de circuitos integrado, que, um nico encapsulamento com vrios transistor, obtendo se ganho em tamanho e desempenho.

A microeletrnica industrial vem diminuindo o tamanho do transistor 10um para 30nm nas ultimas 4 dcadas.

Nos ltimos anos todas as evolues foram voltadas na reduo do tamanho dos semicondutores.
Transistores bipolar Si, efeito de campo xido metlico MOS.

Com uso novas ferramentas e avanos no processo de litografia est se chegando em dimenses de dezenas de nanmetro.

O desafio tecnolgico identificar novos materiais que possam superar os 50 anos do transistor bipolar de Si. CMOS (Semicondutor Complementar). Metal Oxido

Spintronic Explorar os spin dos eltrons nos metais e semicondutores a fim de realizar tarefas que, atualmente, so rotineiramente realizadas pelo transporte da carga dos eltrons.

A lei de Moore a observao emprica de que a densidade de componentes e o seu desempenho nos circuitos integrados dobra a cada ano. Guiada pela regra do dimensionamento estabelecido pelo Dennard em 1974. Lei est com a validade continua durante as 4 dcadas.

A lei aplicado nas industria atualmente, na rea de desenvolvimento.

Estamos nos aproximando das dimenses do tomo. Antes mesmo de chegar em escala to pequena e sem considerar o aspecto econmico, entraremos no regime onde as teorias semiclssicas, utilizadas para descrever o comportamento dos eltrons nos dispositivos semicondutores atuais, no mais se aplicam, tornando-se necessria a teoria quntica.

No o fim de circuitos integrados ou Lei de Moore. Tudo o que significa que a taxa de melhoria vai mudar mais uma vez (como aconteceu em 1975). Melhorias em vez disso, vm de outras reas e escalas. Si continuaram por muitas dcadas Os limites so do transistor, a litografia no ser o limitador. Limites de ligaes internas (junes), mais graves, podem ser contornados pela arquitetura e adicionando mais camadas.

Limites de escala dos transistores surgem limites prticos relacionados com a corrente de fuga na largura do canal G (Gate) que tem pequenas dimenses. A tenso em D (Dreno) reduz a altura da barreira do potencial, causando uma baixa barreira da S (Sourge), mesmo com a G sem tenso, com isto tem-se uma grande corrente de fuga. Este fenmeno referido como dreno induzido por abaixa de barreira de potencial ou efeito de canal curto (SCE).

Podemos observar que estamos chegando no limite, pois os avanos na tecnologia CMOS vem aumentado a corrente de fuga.

Os dispositivos so baseados em uma fina camada de Si sobre isolante (SOI). Uma questo importante no estado da arte dos MOSFETS em nano escala, onde a resistncia externa se tornar comparvel em magnitude a resistncia do canal.

 melhorar o desempenho do transistor sem qualquer reduo no seu tamanho da porta do transistor atravs de mudanas das redes de Si.

Nos semicondutores, alterando a posio de tomos de Si numa clula cbica de face centrada, a condutividade eficaz da massa pode ser reduzido por um fator de aproximado de . Com isto melhora a mobilidade e resulta num aumento de 100-200% a corrente no transistor tendo ganho de desempenho.

A tecnologia ira avanar por alguns anos, porm o que limitara ser as resistncia parasitria e capacitncia por causa do espao entre os transistores tornando-se cada vez menor.

Os limitadores de reais para a ampliao As resistncia parasitria e capacitncia vem aumentando devido ao aumento da densidade dos transistores, que tem diminuindo o espao entre transistor numa escala de nanmetros.

Tecnologia 32 nm, passo transistor = 100 nm A resistncia e capacitncia canal so ambos proporcional dimenso Gate.

Capacitncia parasita est em curso para tornarse maior capacitncia intrnseca do canal.

As pesquisa atuais sobre transistor esto focadas em novos materiais e dispositivos para a alta mobilidade. As tendncias de escala sugerem como um limitador real, capacitncia parasitas. As estruturas dos novos dispositivos devem ser analisadas de acordo com as resistncia e capacitncia parasitas mais do que outras propriedades.

"Qual nanotecnologia est no horizonte para substituir circuitos integrado de silcio CMOS e em que prazo isso pode acontecer?

Embora estes so difceis e talvez perguntas audacioso para tentar responder, importante tentar faz-lo uma vez que este afeta uma indstria de $ 300 mil milhes em todo o mundo e as carreiras da maioria dos engenheiros.

O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e tinha frequncia de 0,2MHz. Ano de fabricao: abril/1972 3500 transistores com 10 um, com uma tenso de trabalho de 5V; 10 anos depois, a Intel lanou o 80286 com frequncias de 6, 10 e 12 MHz, fabricado com tecnologia CMOS 134.000 transstores 1,5 um, com uma tenso de trabalho de 5 V; O Pentium 4, lanado em janeiro de 2002, trabalha com frequncia de 1300 a 4000 MHz, com 55 milhes de transistores CMOS 130 nm. A srie de chips Radeon 2000, por exemplo, atinge os 500 milhes de transistores, chegando casa dos 40 nm.

A Placa de vdeo da AMD Radeon, lanada em outubro de 2010, trabalha com freqncias de 900Mhz na GPU, 4200Mhz de frequncia de Memria GDDR5 interface 256Bits, atinge os 1,7 Bilhes de transistores, com processo de fabricao de 40 nm .

Os esforos de desenvolvimento

Materiais; Desenho dispositivo; Circuito design;

Tempo aproximado de 5 a 10 anos

O circuito integrado com tecnologia CMOS j esto nos limites de fabricao. Os limites reais so a resistncia parasitria e capacitncia. A histrica lei de Moore de tendncia de desempenho valida por alguns anos. Novos estudo devem se preocupar em eliminar os efeito parasitas . O prazo para implementar um dispositivo radicalmente novo estimada em decadas. Lei de Moore no uma lei fsica, mas uma lei sobre a economia.

Os produtos de consumo e os mercados emergentes tm tornam-se a dominar os mercados finais de semicondutores, se faz necessrio avano o segredo desse mercado o preo. Si tecnologia na prxima dcada pode oferecer um bilho de transistores para chips com preo aproximado de US $ 1, ser difcil desbancar.

Lei de Moore e o futuro do Si Obrigado !

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