ELEKTRONIKA 2

PROGRAM SP

Bab I. Rangkaian Dioda
• I.1.Dasar dasar analisis rangkaian dioda • Dioda dipandang sebagai elemen rangkaian, rangkaian dioda dasar pada gambar.1 berupa rangkaian seri dioda D, hambatan Rι dan sumber vі • • • • • • Gambar.1

D

vD→ RL

vi

id

I.1.Dasar dasar analisa rangkaian dioda

• Dari rangkaian gambar.1, ada dua relasi: • 1.dioda sebagai elemen non linier id = f(v )……….(1) • 2.rangkaian thevenin v=vt – (id)Rt ………………………(2)
d


vi/RL

i
Vi’/RL

i

curva statik

• • •

vi/RL ←vA → vL ← vi → v vi A

A’

curva dinamik

vi’

v

Gambar.2

I.1.DASAR DASAR ANALISA RANGKAIAN DIODA

• Karakteristik Transfer

• • • • • • • • • • •

Karakteristik transfer menjelaskan relasi vo terhadap vi dengan mempergunakan lengkungan dinamik, vo iD vo
curva transfer vϒ t1 t2 t1 T2 t vi vi t1 t2 t 3 t1 t2 t3 t

id

vT

Gambar.3

Pada saat fasa Vi positip nyatakan Vak f.1VR R ↑ a • D Vi k • VR ↓ ↓ Vo ↑ a. Untuk VR =5 volt dan RF= 5 Ω berapakah nilai tegangan yang teru kur pada R pada saat Vi =+ Vm g. Apabila vi merupakan fungsi sinusoid tentukan : bentuk gelombang sinyal keluarannya(Vo) dengan konfigurasi seperti pada gambar.5 Vm . nyatakan Vak e. R=10RF dan Vϒ=0. Ulangi untuk Vi= -Vm Gambar.4 c.Dasar-dasar analisa rangkaian • • • • • • • • • • • • • • • • • • Rangkaian limiter(pembatas) untuk VR=0. Pada saat fasa Vi negatip.4 . Lukiskan bentuk fungsi transfer b. d. Bentuk gelombang sinyal keluarannya (Vo)apabila konfigurasi D dibalik.

4 • • • • • • • vo vR+vϒ vo vi →VR+Vϒ← vi Gambar.5 t .Rangkaian dioda • Limiter untuk rangkaian gambar.

7 .Rangkaian dioda • Clipper 1 level • • R • + • D • Vi VR • • • − Gambar.6 clipper 2 level R D1 Vo vi VR1 D2 VR2 Gambar.

Rangkaian dioda • Komparator • • • • Vi • • • • Gambar.8 D vi ● t R Vo VR vo VR ● t1 t1 Gambar.9 t .

. negatip maupun keduanya. • • Besaran periodik • Besaran priodik adalah besaran yang memiliki pola(wave form) perubahan • yang berulang didalam suatu interval waktu tertentu. proses • pengubahan disebut juga penyearahan(rectifying).Rangkaian dioda • Rectifier[penyearah] • Penyearah adalah suatu rangkaian yang melakukan proses pe ngubahan besaran listrik ac menjadi besaran listrik dc. dengan wave form sinusoidal disebut besaran • listrik ac murni. Pola perubahan besaran priodik dapat dicirikan juga oleh fasa. • Banyaknya perubahan pola persatuan waktu disebut frekuensi f. yang dinyatakan oleh relasi f= 1/T atau ω = 2πf. • Besaran listrik yang bersifat periodik dan fasanya berubah positip dan negatip secara simetrik. dapat bernilai positip. disebut juga perioda T .

• Teorema fourier untuk besaran periodik • Suatu fungsi periodik dapat dinyatakan sebagai super posisi • Konstanta dan fungsi fungsi sinus dengan frekuensi dengan kelipatan semakin besar dan disebut sebagai harmonisa .sinusoida.Rangkaian dioda • Penyearah(lanjutan) • Berbagai waveform lain dari besaran periodik diantara lainnya • adalah : half wave. segitiga. dan lainnya. fullwave. segi empat. gigi gergaji.

(10) • .. ( 7) (vi)nilai fasa: (ωt±θ) …………………………………………………………………………. ( 3) (ii)nilai rms = {[1/2π+*∫2πy2dωt}½ …………………………………………….( 9) (viii)nilai frekuensi f=ω/2π …………………………………………………. ( 4) o (iii)nilai sesaat = y(t) (iv)nilai maksimum = Ym ……………………………. ( 6) • (v)nilai puncak kepuncak Yp=|2Ym| ……………………………….. ( 5) ……………………………..Rangkaian dioda • • • • • Nilai nilai besaran periodik:y(t) = Ym sin(ωt±θ) Besaran periodik memiliki nilai-nilai yang didefinisikan berikut: (i)nilai dc =[1/2π+∫₀2π[ydωt+ ………………………………….. ( 8) (vii)nilai fasa awal θ …………………………………………………….

10 .RANGKAIAN DIODA • Penyearah setengah gelombang • iD = [vi – vD]/[ri+RL] • ri Dioda D ideal • ↑ + iD = [10/(ri+RL)]sinωt vi>0 • vi VL RL iD =0 vi<0 • .86 v(buktikan) • ri = 1Ω • RL = 9 Ω b. Vdc = 2.Gambarkan out put pd RL(VL) • Gambar.vL = iD(RL) • ↓ Tentukan : • diket: vi = 10sinωt a.

RANGKAIAN DIODA • Ekspansi fourier terhadap vL utk ( half wave) • vL=VLm[1/π +(½)sinωt-(2/3π)cos2ωt-(2/15π)cos4ωt+…+ • Tampak ada suku harmonik dgn frekuensi meningkat. . • Faktor ripple(ϒ) • ϒ =*vr/Vdc]=[nilai rms komponen ac]/[nilai komponen dc] • Vr adalah harga rms dari harmonisa-harmonisa(elemen ac) • Untuk menghasilkan keluaran dc yang baik. harmonisa harus dibuang.

diperoleh nilai ϒ • Untuk penyearah half wave ϒ = 1. nilai rmsnya adalah : • I’rms = {1/2π∫₀2π(i’)²d(ωt}½ = {I²rms .RANGKAIAN DIODA • Dinyatakan dalam komponen arus : faktor ripple : ϒ = [Irms/Idc] = [V’rms/Vdc] • Harga sesaat dari ripple dinyatakan oleh relasi : • i’ = i .Idc . Idc = Im/π.21 .I²dc }½.1}½ • Untuk half wave Irms = Im/2. maka : • ϒ ={[Irms/Idc]² .

12 ωt ωt ωt ωt .11 iL gambar.RANGKAIAN DIODA • Penyearah gelombang penuh(full wave rectifier) • (i)Model CT vi • • + • v1 D1 RL iD1 • v2 • D2 iD2 • • tentukan ϒ Gambar.

D3 D2.13 .D4 ON ON • • i24 Gambar.RANGKAIAN DIODA • • • • • • • • • (II)Model jembatan D1 i13 D4 D2 RL D3 D1.

14 .(9) I full wave vo vr vi → T2 ← 0 →on← off → Vdc =Vm – vr/2 Gambar.RANGKAIAN DIODA • • • • • • • • • • Penapisan(filtering) Penapisan bertujuan memisahkan elemen dc terhadap rippel. (i)Penapisan half wave RC-pasif vr =[IdcT2/C+ …………….(8) (ii)Penapisan full wave RC-pasif T2 = T/2 half wave vr = [Idc/2fC+ …………….

TRANSISTOR BIPOLAR • Bipolar transistor adalah anggota keluarga transistor yang bekerja berdasarkan dua tipe pembawa muatan • Keluarga transistor TRANSISTOR UNIJUNCTION BIPOLAR UNIPOLAR PNP NPN IGFET JFET • Gambar.15 .

BIPOLAR TRANSISTOR • STRUKTUR TRANSISTOR • Emitor(E) • Basis (B) PERMODELAN DIODA PNP NPN P N P JE JC N P N Colector(C) Permodelan skematik C B NPN E gambar.16 B PNP .

TRANSISTOR BIPOLAR • KONFIGURASI TRANSISTOR(1) • Adalah permodelan transistor sebagai elemen 2 kutub(2 pasang terminal) • 1 2 transistor • 1’ 2’ • Gambar.17 • Terminal 1-1’ =pasangan terminal input. terminal 2-2’ = output • 1’ dan 2’ titik acuan bersama(common) dan berada pada potensial • yang sama. .

TRANSISTOR BIPOLAR • Konfigurasi transistor(2)konfigurasi common. • • • Gambar. • 2 terminal transistor sebagai terminal input dan output. dan 1 terminal dipergunakan bersama-sama oleh input dan output.18 • • Konfigurasi transistor disebut juga hubungan transistor dgn • elemen diluarnya shg membentuk suatu rangkaian bertransistor .

19 CC (b) CB (c) (c) .TRANSISTOR BIPOLAR • Model konfigurasi transistor • Emiter bersama(common emittor)=CE • Kolektor bersama(common collector)=CC Basis bersama(common base)=CB • ic ie ie B ib C ib E E • vCE B vEC vEB • vBE • vBE • • E E E B ic C vCB • B • • CE (a) Gambar.

20 IC 1 Ic 2 IB • • • • IB Jc • Vcc • (a) • JE • (b) • .revers-forward.BIPOLAR TRANSISTOR • BIAS[prategangan] TRANSISTOR(1) • Adalah pemberian tegangan kepada transistor melalui masing masing persambungan JE dan JC(bias persambungan).forward-forward. Gambar.dan forwardrevers terhadap JE da Jc . Kondisi bias memberi kombinasi:revers-revers.

BIPOLAR TRANSISTOR
• • • • • • Bias transistor(2) Untuk gambar.20.a dan b, kondisi bias terhadap JE dan JC : JE revers- JC forward tidak terdefinisi JE forward- JC revers transistor memasuki kondisi aktif JE forward- JC forward transistor memasuki saturasi JE revers- JC revers transistor memasuki cut off

• Kondisi aktif adalah daerah operasi transistor sebagai penguat(amplifier) • Kondisi saturasi dan cutoff adalah daerah operasi transistor sebagai saklar (switch) • Nilai nilai tegangan transistor tipikal( npn) sebagai identifikasi : • Bahan VCE(sat) VBE(sat) VBE(aktif) VBE(cutoff) • Si 0,2v 0,8v 0,7v 0v

BIPOLAR TRANSISTOR
• BIAS TRANSISTOR(3) • Rangkaian gambar.20,melukiskan bias transistor didalam konfigurasi CE, besaran bias input adalah IB dan VBE sedang besaran bias output adalah IC dan VCE, melalui sumber tegangan bias vBB dan VCC melalui RB dan RC. Untuk nilai nilai RC, RB,VBB dan VCC yang konstant nilai IB dan IC juga konstan. Selanjutnya dinyatakan relasi besaran besaran bias input dan output masing masing dinyatakan dalam rangkaian bias (lup) input dan rangkaian bias(lup) output. Selanjutnya dikondisikan JE forward dan JC revers, didefinisikan lup input dan lup output: • Lup input: VBE =f(VCE,IB) disebut juga rangkaian basis • Lup output: IC = f(VCE,IB) disebut jugarangkaian kolektor

TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(4) konfigurasi CE gambar.21.a • Rc lup input: IB=[VBB – VBE]/RB
• • • • • • + RB +
VBB

c • VBE Vcc

lup output:VCE= VCC - ICRC IB

IB Ic

E
(b) VBE (C)

m •
VCE

(a)

Gambar.21
Gambar.21.b→kurva JE disipasi daya transistor:Pm=[VCEIC]m Gambar.21.c→kurva JC m = titik disipasi daya maksimum

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • BIAS TRANSISTOR(4) Untuk JE forward dan JC revers berlaku relasi: IE + IC + IB=0 ………………………… I = ICEO arus bocor untuk IB = o ……………… IC = ICO - αIE …………………………… IC = {ICO/(1-α)} + {αIB/(1-α)}→Ico/(1-α)=ICEO = (1+ β)ICO + βIB ………………………. Dimana β = α/(1 – α) , α = {β/(β + 1)} Didefinisikan β = [ΔIC/ΔIB] dan α = [ΔIC/ΔIE] β=penguatan arus CE,α=penguatan arus CB Relasi diatas hanya berlaku didaerah aktif

(10) (11) (12) (13)

22 .TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(5): JE dan JC keduanya forward • Rc • RB • c VCC kondisi yang harus • B• dipenuhi adalah: • VBB •E VBE>VCE atau • VBC>0 • Gambar.

VCE=VCC Gambar.23.23 .IB + RC + VCC IE=0 VBE Lup input : IB = ICBO VBE = -VBB+RB ICBO Lup output IE=o→IC=ICO. dengan JE dan JC keduanya revers.transistor memasuki cutoff • • • • • • • ICBO RB VBB .TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(6) • Berikut ini untuk rangkaian gambar.

TRANSISTOR BIPOLAR • Karakteristik output dan analisa garis beban • IC IB3 Ic=Vcc/Rc IB4 IB2 Q = Quecient(tenang) • IB1 • 4 • 3 • •Q 2 1 IB=o • • disipasi hiperbola • • VCE • Gambar.24 cutoff vCE =VCC .

Ada 3 daerah operasi untuk transistor yaitu : • i. Stabilitas dapat ditinjau atas dua aspek yaitu stabilitas termal dan daerah frekuensi.TRANSISTOR BIPOLAR • DISAIN RANGKAIAN BIAS • Disain rangkaian bias mengkondisikan transistor agar memasuki daerah operasi yang diinginkan. Daerah aktif • Daerah I dan ii adalah operasi transistor sebagai saklar • Daerah iii adalah operasi transistor sebagai penguat • Didalam penetapan daerah operasi harus dipilih daerah operasi yang aman dan stabil. Daerah cut off • iii. . Daerah saturasi • ii.

Kondisi (sat) atau • aktif. • 200K 3K atau aktif (jelaskan).( selidiki) Gantikan hambatan 200 K dengan hambatan 50 K.021 mA.27 mA sbg arus IC(sat).8=0→IB=0.misal • β = 100. Berarti transistor dalam kondisi aktif dan untuk itu JC harus dalam kondisi revers. • 5v 10v Anggap saturasi: tinjau lup input • ∑vi =0→-5+200IB+0.melalui anggapan dan pengujian. selidiki kondisi transistor .021 mA Gambar.TRANSISTOR BIPOLAR • Disain rangkaian bias:selidiki kondisi rangkaian transistor. ICO = 20 nA. Hanya ada dua kemungkinan yaitu( sat).27 mA.25 Tinjau lup output:∑vi=0 → -10+3IC+0. dan harus berlaku IB(min) untuk IC=3. yang memenuhi hubungan (IB)min=IC/β<0.2=0→IC=3.ternyata tidak memenuhi.

emitter bias • Tugas: bahas macam macam disain bias.termistor • V.bias kompensasi dioda.feedback bias • Iv. Fix bias • Ii.self bias • Iii. .TRANSISTOR BIPOLAR • Model rangkaian bias • Model rangkaian bias merupakan pendekatan untuk memperoleh daerah operasi yang stabil(termal) dan aman. • i.

TRANSISTOR BIPOLAR Disain bias sederhana CE C1 dan C2 kopling kapasitor C2 C1 RC RB VBB + Lup input: Ic Rc + VCE = VCC Lup output:IB RB + VBE = VBB + VCC R Gambar.26 .

TRANSISTOR BIPOLAR • Disain bias • Fix bias CE • • RB • • • C1 C2 RC VCC R Lup input ICRC + VCE = VCC Lup output IBRB + VBE = VCC Gambar.27 .

29 .TRANSISTOR BIPOLAR • Collector Feedback bias Collector-emittor feedback bias • Gambar.28 Gambar.

TRANSISTOR BIPOLAR • Self Bias • • IC RB1 IB RC + VCC • RB2 IE RE • Gambar.30 .

TRANSISTOR BIPOLAR • Disain bias sederhana CB • • C1 RE VCC C2 Rc R • VEE • Gambar.31 .

Untuk menghindari kondisi tersebut.Transistor Bipolar • Effek Temperatur • Kenaikan suhu dapat memberi peningkatan nilai penguatan arus dari transistor. menyebabkan pergeseran dari titik Q. rancangan rangkaian bias harus dibuat cermat sedemikian sehingga effek pergeseran titik Q dapat dapat dicegah.32 RE . • Model disain feedback kolektor dan feedback kolektor-emitor mampu mencegah pergeseran titik Q • RB Rc • Rc Vcc RB • Vcc • Gambar.

BIPOLAR TRANSISTOR • Penguat bertransistor • Stimuli • • • • • respon gambar. AP.32 Stimuli . Zo. beban(load) Parameter penguat: AI. Yo dan BW Analisis penguat: sinyal lemah. grafis. sumber sinyal Respon . AV. respon frekuensi . ZI.

TRANSISTOR BIPOLAR • Bentuk gelombang input-output • iC(mA) iB(uA) • A A IcQ Q IBQ Q ic= iC –IC =ΔiC • • vCE(volt) VcQ • Q B (a) (c) vc vC VCE VBQ vB vb Q B Gambar.33 (b) vc = vC –VC =ΔvC vBE(volt) (d) ib = iB – IB = ΔiB vb = vB – VB = ΔvB VBE .

34 .TRANSISTOR BIPOLAR • ANALISA SINYAL LEMAH • iB • iC Ic • • A• • o Q • • B• • • • • o IB7 IB5 IB4 IB2 IB1 VCE vCE Gambar.

• 1.vI=f(iI.io)→CCCG→model α transfer(αi) • 4.io=f(vo. masing masing adalah : Currentcontrolled-currentgenerator. iI =f(vI. vI=f(iI. vo =f(io.hi) .vo)→VCCG→model g transfer(gv) • 5.vI). adalah model umum jaringan 2-port yang dapat dimodelkan sebagai controlled generator(dependent generator)berdasarkan relasi variabel input dan variabel output.vo)→CCCG(output)dan VCVG(input)→(hv.22.iI).TRANSISTOR BIPOLAR • Gambar.io=f(vo.vI).iI).iI)→CCVG→model r transfer(ir) • 2. Ada 4 macam controlled generator. io =f(vo. vo=f(io.iI).currentcontrolled-voltage generator dan voltage controlled-current generator. iI=f(vI.voltagecontroledvoltage generator.vo)→VCVG→model μ transfer(μv) • 3. vI= f(io.

generator bebas(independent)→2 terminal(1 port) 1.voltage generator→Thevenin(non ideal) 1.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • PERMODELAN GENERATOR a.Representasi skematik • Is IN ZN =1/YN • Current generator bebas • (ideal) Current generator bebas (non ideal)→Norton .current generator→Norton(non ideal) 2.

TRANSISTOR BIPOLAR • PERMODELAN GENERATOR • 1.Representasi skematik • • + • VS ZTh + VTh • Voltage generator bebas • (ideal) Voltage generator bebas (non ideal)→Thevenin .

CCCG-CCVG.VCVG.CCVG.VCCG-VCCG→2 PORT REPRESENTASI SKEMATIK 1 PORT Ideal non ideal IS Vs Is Vs • IS =αI→cccg • IS =gv →vccg • Vs = μV→vcvg Vs = rI→ccvg .TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • b.CCCG-CCCG.VCVG-CCCG.GENERATOR TIDAK BEBAS(dependent/controlled) 1.CCCG.VCCG→1 PORT 2.VCVG-VCVG.

TRANSISTOR BIPOLAR • REPRESENTASI SKEMATIK 2 port→sumber dependent • • I1 V1 Z1 + Vs1 Vs2 Z2 + I2 V2 Apabila lup input adalah VCVG nyatakan persamaan lup input dgn lengkap Apabila lup output adalah CCVG nyatakan persamaan lup output dgn lengkap Gambarkan representasi skematik 2 port untuk pasangan VCCG-VCCG . CCCGCCCG dan VCCG-VCCG nyatakan representasi dari masing masing control generatornya .

logaritmik amplifier .non linier(klas AB.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • Model penguat i.HF amplifier iv.Penguat kaskade Klasifikasi fungsional penguat i. klas A). Penguat dasar(linier.push pull.B) Ii.Penguat multiple(differensial.cascode).LNA iii. Iii.video amplifier V.Lock in amplifier ii.

22 = output.35 .v1 v2 .v2) • gambar.BIPOLAR TRANSISTOR • Analisis penguat dasar • Analisis sinyal lemah(frekuensi rendah)→model parameter hibrid h • h11 = v1/i1]v2= o (short) h12 = v1/v2]i1 = o (open) • H21 = i2/i1]v1= o (short) h22 = i2/v2]v1= o (open) • 11 = input.i2 =f2(i1.v2) • . 21 = forward transfer. 12=revers trans • + → i1 i2 ← + v1 =f1(i1.

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • Analisa sinyal lemah penguat CE vB = f1(iB. hoe = ∂iC/∂vC]IB=0 . iC = f2(iB.vC) Turunan parsial: ΔvB = ∂f1/∂iB]Vc ΔiB + ∂f1/∂vC]IB ΔvC ΔiC = ∂f2/∂iB]Vc ΔiB + ∂f2/∂vC]IB ΔvC Dapat dituliskan kembali dalam notasi sinyal lemah …………………………………………………(14) Vb = hieib + hrevc = hfeib + hoevc …………………………………………………(15) ic Dimana hie =∂vB/∂iB]Vc=0. hre = ∂vB/∂vc]IB=0 hfe =∂iC/∂iB]Vc=0.vC).

hoe.hoc dan hfc masing masing untuk CE dan CC.36 (b) CC hi.hic.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • PERS (14) dan (15) dpt dikonversi kerangkaian skematik pada Gambar. hr.(a) B hie ic C B ib hrevc hic ie E ib vb E ⃝ hfeib hoe vc E C vb hrcve ⃝ hfcib hoc ve C (a) CE Gambar. hie.hrc.hre. Rangkaian gambar.36. ho dan hf disebut parameter hibrid yang umum.36.a dan b disebut rangkaian hibrid .hfe.

TRANSISTOR BIPOLAR • KONVERSI PARAMETER HIBRID • Karena untuk transistor yang sama dapat dikonfigurasikan dalam konfigurasi yang berbeda. maka secara umum dapat dinyatakan relasi parameter hibrid CE. Lazim nya dibuat tabel konversi yang dinyatakan dalam parameter hibrid dalam konfigurasi CE • CC-CE • hic=hie hrc=1 • hfc=-(1+hfe) hoc=hoe • CB-CE • hib=[hie]/[1+hfe] • Hfb=-{[hfe]/[1+hfe]} hrb=[hiehoe]/[1+hfe] – hre hob={[hoe]/[1+hfe]} .CC dan CB.

TRANSISTOR BIPOLAR • Analisis perhitungan parameter rangkaian penguat bertransistor berbasis parameter h • • • • • • • • • • I1 Zs Vs ∞ Penguat V1 bertransistor1 V2 V I2 IL ZL(beban/load) Zo Gambar.dan VS = sumber sinyal(input) ZL = impedansi beban.37 Zi ZS = impedansi sumber sinyal.dan L = arus beban(output) Arus dan tegangan ditulis dalam besaran rms .

Zi.V1 dan V2 adalah besaran besaran yang dinyatakan pada • gambar.BIPOLAR TRANSISTOR • Analisis ac penguat • Dalam analisis ini rangkaian transistor dalam kondisi aktif. dan Zo. Av=V2/V1.I2. Dgn teorema super posisi dilaku kan dua tahapan.37 .Masing masing parameter • didefinisikan AI = IL/I1. yaitu analisis DC untuk penentuan daerah aktif(sumber ac diabaikan) dan analisis ac. semua sumber dc diabaikan. Analisis ac adalah perhitungan parameter parame ter penguat yaitu Av. AI. Zi=V1/I1 dan Zo=1/Yo dimana Yo =I2/V2 • I1. dgn rangkaian bias yg sederhana.

37 diganti model hibrid • yang umum • Zs hi • I1 I2 • + IL • Vs V1 hrV2⃝ ⃝ ho V2 ZL • hfI1 • • gambar.38 .TRANSISTOR BIPOLAR • Analisis penguat:black box gambar.

AV.Zi.TRANSISTOR BIPOLAR • PEMBUKTIAN PERHITUNGAN RELASI AI.Ais dan Avs .Zo.

Model self bias CE lup input dan output nilai nilai titik Q: RB1 C1 RB2 RE RC C2 R Vcc IBQ.VBE=0. ICQ.RB2=2. menentukan titik Q yang aman ii.Rc=3.7v.39 .2K.6K. Analisa ac menetukan parameter penguat i. dan VCEQ pergunakan grafik RB1=10K. analisa dc. VBEQ.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • Disain penguat bertransistor i.R=10K β=50 Gambar.RE=1K.

RBB+VBE+IE.40 .RC+VCE+IE.(2) (1)→IB.RBB+VBE+(IC+IB)RE=VBB (2)→IC.RB2]/[RB1=RB2] vth = vBB.lup input→teorema thevenin •Vcc • • Vcc Rc • RB1 B c• Rc rth c • Ic • • •B → •B • Vcc RB2 •E vth IB E• IE • • • • • VBE = 0.RE =VCC …….39) • i..7 VCE =dipilih Vth =[RB2.RE=VBB …….Vcc]/[RB1+RB2] rth =[RB1.(1) output → IC.TRANSISTOR BIPOLAR • SOAL HAL 52(gbr. rth =RBB input → IB.RC+VCE+(IC+IB)RE =VCC Persyaratan:IB>(IC)/β→saturasi IB<(IC)/β→aktif dgn Nilai nilai VBE dan VCE dipilih menurut asumsi RE RE Gambar.Analisa dc • a.

41 Zo Z’o .rangkaian terbuka(arus) dan kapasitor terhubung singkat • ib ic • B C • RB1 RB2 hie hfeib hoe Rc R • ⃝ • hrevc • E E • Z’i Zi Gambar.Analisa ac: • Semua sumber dc dihubungkan singkat(tegangan).TRANSISTOR BIPOLAR • ii.

(dengan mengabaikan Zs) AI =[IL/I1]=-[I2/I1]= -[(hf)/(1 + hoZL)]. Av=(AIZL)/(Zi) . dapat dibuktikan : 1. Yo =ho –[(hfhr)/(hi+Zs)] AV=[V2/V1]=[AII1ZL]/[Zi] Zi = hi + hrAIZL.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • Analisis penguat Berdasarkan gambar.37. Zi = βr’e(approx) 2.(dengan memperhitungkan Zs) Avs =[V2/Vs]=[(AvZi)/(Zi+Zs)]=(AIZL)/(Zi+Zs) • Ais=-[I2/Is]= (AIZs)/(Zi+Zs)=[(AvsZs)/ZL] .

42 . Zo<<. AV≈1 • RL AI>> • Gambar.TRANSISTOR BIPOLAR • Emitter Follower(common collector) • AI = (1+hfe)/(1+hoeRL) • Zi =hie + AIRL • AV=1 – [hie/Zi] • RB1 Zo=1/Yo • Vcc Yo=(1+hfe)/(hie+Zs) • input-output sefasa • RB2 RE C Zi>>.

BIPOLAR TRANSISTOR • Resume • Parameter • AI • AV • Zi • Zo CE tinggi tinggi menengah menengah CC tinggi unity tinggi rendah CB unity tinggi rendah tinggi • CC berfungsi sebagai isolating impedans/impedans match .

Beroperasi pada satu macam pembawa mayoritas(unipolar) 4.Impedansi masukan tinggi 3.daya rendah 2.TRANSISTOR EFFEK MEDAN(FET) (TRANSISTOR UNIPOLAR) • • • • • • • Memiliki keunggulan dibandingkan transistor bipolar: 1.Dikendalikan oleh medan listrik(field) Berdasarkan teknologi pembuatannya.Dimensi lebih kecil. transistor unipolar terbagi dua yaitu: JFET dan IGFET(mosfet) • Analogi terminal bipolar –unipolar: • Emitter-Source.Arus bocor mendekati nol 5. Collector-Drain • (E) (S) (B) (G) (C) (D) . Base-Gate.

IB .TRANSISTOR UNIPOLAR • Analogi arus arus terminal: • IE .43 G pembawa:elektron ( -) pembawa : hole (o) .IG . • Struktur dasar FET • • S G IC - ID ohmic contact D S G N+ Kanal P ••• • • • P+ Kanal N−−− P+ D N+ G Gambar.IS .

JFET • Model skematik JFET • • D G S D G S G S D G S Gambar..44 D Kanal N(dalam dua model) • • • • • Kanal P(dalam dua model) • .

JFET • • • • • • • • • • Konfigurasi rangkaian JFET i.Common source(CS) iii.Common gate(CG) s G D G D s s Gambar.45 G D . Common drain(CD) ii.

→ VGs=Vpo→ ID=0 Vp = pinch off voltage .JFET • Bias JFET • ID VG > 0 • • • • IG • • VGG + VGS • • • (a) • • IDSS VG = 0 IS VDS ID I VDD vp=0 VGS<<0 • • • VG< 0 Vpo (b) VDS Gambar.46 VDS = VP = Vpo utk VGs =0 ID= IDSS[1-(VGS/VP)½] VPi=VPo+VGSi →Vpi=0.

rd = vds/id Faktor penguatan μ = -[vds/vgs] = rdgm G • vgs • • • gmvg ⃝ rd D vds S Model sinyal lemah JFET-CS S • Gambar.JFET • Model sinyal lemah JFET-CS • iD = f(vGS.47 .vDS)→ΔiD =*∂iD/∂vGS]ΔvGS+*∂iD/∂vDS]ΔvDS • id =gmvgs + [1/rd][vds] • gm =id/vgs.

IGFET • IGFET dikenal juga dengan nama MOSFET • metal G • isolator VGS --------• • ++++++++ • • S -------D VDS D • Tipe p+ +++++++++ Tipe p+ • diplesi G subtrat • • Subtrat tipe n S • MOSFET kanal P tipe Enhancement gambar .48 .

Pergeseran fasa • Pada tinjauan analisis akan dibahas pengaruh terhadap nilai parameter masing masing tingkat parameter sistem kaskada. untuk mencapai tujuan/kebutuhan tertentu • Latar belakang • i.Penyesuaian impedansi • iii.PENGUAT KASKADA • Penguat kaskada(cascade amplifier) • Penggabungan beberapa buah tingkat(stage)amplifier dalam suatu bentuk deret(array).Kebutuhan gain • ii. .

.An = [Von/Vi1) Gambar.PENGUAT KASKADA • Model umum penguat kaskada Vi1 A1 A2 Vo2 An Von AT Vi1 Von Zi Zo AT = A1A2….49 .

hfc=-51.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • PENGUAT KASKADA DASAR→gabungan penguat konfigurasi bersama Vcc ie2 Rc Rs1 C1 ib2 ↑ E2 Q2 → ib1 ic1 Vs Rs Q1 Vs vi1 ← ← RE Vo2 RE Rc → ← ← • • • -VEE Ri1 E1 Ro1 Ro’1 Ri2 R o2 Ro’2 ↓ C2 stage-1 • • • Rs Vs Vi1 CE(Q1) stage-2 Vo1 Vi2 CC(Q2) Gambar.(b) dan(c) hie=2k.50.(a).hfe=50.Rs1=1k.hoe=25uA/v hic=2k.RE=5k .hrc=1.hoc=hoe Vo2 Rc1=5k.hre=6x10-4.

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • PENGUAT KASKADA(bertingkat) Metoda perhitungan gain total AT Metoda perhitungan pembebanan akhir(stage n.hf2=hfc.RL2] • Ri2= hi2+hr2.Vo2=Vec2 • Ri2 Ro2 R’o2 AV2 = [vo2/vi2] = [AI2.hr2=hrc. Yaitu stage common collector(mengapa ?) ib2 ie2 RL2=RE.RL2 • Yo2=hoc-*hfc.RL2/Ri2]→AI2=[Io2/Ii2]=-[hf2]/[1+ho2.hi2=hic • vi2 cc vo2 RE Io2=Ie2.hrc+/*hic+R’s2+ →R’s2 hambatan sumber efektif yang tampak oleh Q2 dari Q1 • • Gambar. n=2)→Kedua Dalam metoda ini.Ii2=Ib2. yang ditinjau pertama kali adalah stage akhir.51 .AI2.ho2=hoc.

Ri1=1.6.Ri2=228.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • PENGUAT KASKADA Diperoleh AI2=45. Selanjutnya ditinjau stage awal: AI1=-[Ic1/Ib1]=-(hfe1)/[1+hoeRL1]→RL1 adalah beban yang dialami stage awal.991 parameter stage 2. beban Bias oleh stage 2 ib1 stage 1 ic1 stage 2 diperoleh : Rs AI1=-44.5. Ri2 adalah pembebanan oleh stage 2.meliputi Rc1 dan Ri2 .3.87 K CE Vs vi1 Rc1 Ri2 AV1=-116. Yo1=15x10-4 Ro1=1/Yo1 . Av2=0.3 K.

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • • Parameter stage 1 yang diperoleh tsb : AI1= -Ic1/Ib1 =-[hfe]/[1+hoeRL1] RL1=[Rc1.hrc+/*hic+R’s2+ dimana R’s2=R’o1 Ro2=1/Yo2 R’o2=Ro2//Re2 .Ri2]/[Rc1+Ri2] Ri1=hie+hreAI1RL1 AV1=V2/V1= Vo1/Vi1 = [AI1RL1]/Ri1 Yo1=hoe .[hfehre]/[hie+Rs] Ro1=1/Yo1 Hambatan total yang dilihat stage 2 adalah R’o1 R’o1=*Rc1Ro1+/*Rc1+Ro1+ adalah hambatan efektif sumber yang dilihat Q2 Yo2=hoc-*hfc.

AI1[Ib2/Ic1] • [Ib2/Ic1} ditentukan dari relasi berikut ini : • Ic1 • c1 • ͢ • • B2 Hukum pembagi arus : • IL1 Ib2 Ib2 = [IL1.Rc1/[Ri2+Rc1] • AVT = Vo2/Vi1 = [Vo2/Vi2][Vi2/Vi1] dimana Vi2 = Vo1 • = [Vo2/Vi2][Vo1/Vi1] = Av2. Av1 • Avs = Vo2/Vs =[Vo2/Vi1][Vi1/Vs] dimana Vs =Vi1[Rs+Ri1]/Ri1(gambarkan) .Ic1 • Rc1 Ri2 diperoleh Ib2/Ic1 = .TRANSISTOR BIPOLAR • PENGUAT KASKADA • AIT = -Ie2/Ib1= -{[Ie2/Ib2][Ib2/Ic1][Ic1/Ib1]}=AI2.Rc1]/[Rc1+Ri2+→IL1=.

PENGUAT MULTIPLE • • • • • Multiple transistor(Bipolar.Penguat differensial b.Unipolar) amplifier a.Penguat Cascode c.Penguat darlington d.Penguat pushpull .

Elemen tercecer(stray)misal kapasitansi persambungan. kapasitansi antar persambungan. induktansi kabel dan juga elemen tercecer pada elemen tergumpal selain transistor. Elemen tergumpal yang diimplementasikan didalam ranca ngan . Elemen elemen reaktif dapat bersifat kapasitif maupun induktif dan pula pada berbagai kon figurasi yang berbeda. Keberadaan elemen reaktif dari berbagai sumber. misal kopling dan bypass kapasitor • 2. diantaranya adalah : • 1. . kapasitansi perkabelan.TANGGAPAN FREKUENSI DARI AMPLIFIER • Tanggapan frekuensi adalah pengaruh elemen reaktif yang ada pada rangkaian terhadap besaran masukan(sumber sinyal) maupun besaran keluaran dari amplifier terhadap perubahan nilai frekuensi sinyal masukan.

Pada beberapa literatur dikenal juga dengan istilah ‘ effek frekuensi” • Grafik respon frekuensi • Adalah suatu grafik yang melukiskan hubungan antara amplitudo keluaran sebagai fungsi dari frekuensi sinyal masukan(frequncy band).TANGGAPAN FREKUENSI DARI AMPLIFIER • Tanggapan frekuensi menjadi masalah yang penting untuk dibahas . seperti yang dilukiskan pada gambar. . oleh adanya fenomena yang muncul oleh adanya perubahan frekuensi dari sinyal masukan. yaitu kondisi ketidak stabilan nilai sinyal keluaran oleh adanya perubahan frekuensi sinyal masukan.44.

1f2 f2 • • Gambar.1 f2 f mid range adalah daerah operasi normal yaitu nilai keluaran nya stabil .707 Vm = V2 fm1 = 10 f1 dan fm2 = 0.48 f1 frekuensi kritis bawah(fL) f2 frekuensi kritis atas(fH) 0.1f2 –10 f1 frekuensi menengah V1 = 0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Tanggapan umum • Trans & efek stray kapasitans • Vout mid range • efek Cc&Ce • Vm • • • V1 V2 • • • •• • f1 10f1 0.

frekuensi cut off.adalah nilai tegangan keluaran suatu amplifier pada saat frekuensi sinyal masukan berada pada nilai nilai • f ≥ 10 f1=fm1 dan f ≤ 0.1f2 – 10f1 ) adalah kisaran frekuensi dimana nilai tegangan output berada pada nilai maksimum Vm • atau Vo = Vm. • Nilai keluaran Vo = Vm.f1 disebut frekuensi kritis bawah dan f2 disebut frekuensi kritis atas.dan 3-dB frequency . terkadang dinyatakan Δf=mid band frequency Δ f = fm2 .fm1 fm1 dan fm2 disebut frekuensi kopling terbaik .707 Vm. halfpower frequncy.1 f2=fm2 • Pita frekuensi mid =(0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Definisi terminologi • Frekuensi kritis dari suatu amplifier adalah nilai frekuensi dimana nilai tegangan output Vo = 0. yaitu f1 dan f2 Dikenal juga dengan nama frekuensi pojok. • Kebanyakan amplifier memiliki dua frekuensi kritis.

laju perubahan tegangan =(Vm – 0.Tentukan laju perubahan tegangan dari kondisi kritis awal sampai memasuki daerah stabil • Jawaban • a.1fH .293Vm/1/18 volt/detik .707Vm)/(1/[10f1-f1]) • =0.lebar pita frekuensi penguatan normal : • Δfm = 0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • SOAL • Suatu penguat bertransistor memiliki fL = 2Hz dan fH = 200KHz • a.Tentukan lebar pita frekuensi penguatan normal(operasi stabil) • b.10fL= 20KHz-20Hz=19980 Hz • b.

45 dianalogikan sebagai rangkaian tergandeng kapasitor.995Im .krn perubahan frekuensi VG menghasilkan perubahan Xc sehingga menyebabkan perubahan Vo RG Cc Gambar.49 VG ⃝ I RL Vo Vm = VG→Im=Vg/R→R=RG+RL I =VG/(R2 + XC2)½→untuk f=f1→R=XC→I1=VG/(2R2)½ R=Xc→fc=1/(2πRCc) →frekuensi kritis→I1=0.707Im → utk f=10f1→ I = 0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER Perhitungan frekuensi kritis fm pada suatu lup yang mengandung kopling kapasitor:Gambar.

Tentukan f1 lup input • Contoh soal: • RG Cc 1 RB2 RC Co couple • RL RG Cc1 • VG RB1 • ⃝ RE C E VG⃝ Rin • Rin Co dan CE→~ Gambar. maka ditentukan tanggapan terhadap input dan output kopling kapasitor .50 →Rin =RB1//RB2//βr’e→RT=RG+ Rin→RT=Xc→f1=1/(2πRTCc1) .TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Untuk suatu amplifier didefinisikan lup input dan output.

RB2=2.47u.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Soal • Tentukan frekuensi kritis lup input rangkaian penguat dan frekuensi yg diperlukan agar tercapai kopling input terbaik utk rangkaian dibawah ini: Vcc • RB1 Rc • Misalkan: • RG Cc1 Co RL r’e=22.7Ω.β=100.RG=600Ω • RB1=10K. • VG ⃝ RB2 RE CE Cc1=0. RE= 1 K • Rc = 1K • Gambar.2K.51 .

b adalah konversi norton ke thevenin Co Rc Co RT=Rc+RL ic ⃝ Rc RL ⃝vth RL f = 1/(2πRTCo) • (a) Gambar. Gambar.46.48. rth = Rc dan Co output kopling kapasitor.48. Lup output adalah sumber arus (CE diabaikan) Vth = icRc.52 (b) .Tanggapan frekuensi amplifier • • • • • • • • Masih kasus gambar.a model hibrid dari lup output yang disederhanakan Gambar. tentukan f1 untuk tanggapan lup output.

53 (a) Vth = (VG)(RL)/(RG+RL) rth = RG//RL Pada frekuensi mencapai nilai kritis f=fc rth = Xc →fc = 1/(2πrth) vth f fc .a dianalogikan pada kondisi frek rendah. shg efek CE • pada awalnya dapat diabaikan berarti Vm =(VGRL)/(RG+RL) • RG rth • VG • • • • • • s CE RL s vth CE vth (b) Gbr. gbr.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Perhitungan frekuensi terhadap lup output terhadap pengaruh by pass kapasitor(CE).49.

54 asumsikan nilai frek kritis C1 dan C2 jauh lebih kecildibandingkan frek kritis yang ditimbulkan oleh CE. Vo RL f . • Vcc • RB2 Rc • • RG C1 C2 • • • ⃝VG RB1 RE CE • • Gambar.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Effek CE.

B dan Q pada gb.51 • .55 = VCC • . • A . • • Q •B • 0 0 vCE • IB VCE 0 0 VCE Gambar.47 • • • • • • • • • • • • • • • • • • IC=Vcc/Rc iC • iB untuk menentukan nilai nilai koordinat A.TANGGAPAN FREKUENSI PENGUAT • • • SOAL IC • • Pergunakan gb.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful