- Intrnsecos y Dopados

Samuel L. Rios Sucasaire Agosto del 2012

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libre y huecos debidos a la energa trmica.

Germanio

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Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio, aunque existen otros elementos como el estao, y compuestos como el arseniuro de galio que se comportan como tales. Si un electrn de valencia se convierte en electrn de conduccin deja una posicin vacante, y si aplicamos un campo elctrico al semiconductor, este hueca puede ser ocupado por otro electrn de valencia, que deja a su vez otro hueco. Este efecto es el de una carga +e movindose en direccin del campo elctrico. A este proceso le llamamos generacin trmica de pares electrnhueco. Germanio

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Paralelamente a este proceso se da el de recombinacin. Algunos electrones de la banda de conduccin pueden perder energa(emitindola en forma de fotones, por ejemplo), y pasar a la de valencia ocupando un nivel energtico que estaba libre, o sea , recombinndose con un hueco. A temperatura constante, se tendr un equilibrio entre estos dos procesos, con el mismo nmero de electrones en la banda de conduccin que el de huecos en la de valencia. Este fenmeno de la conduccin asociada a la formacin de pares en el semiconductor se denomina conduccin intrnseca

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EL dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Un conductor altamente dopado que acta mas como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos.

Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

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El dopaje de semiconductores intrnsecos se hace con el motivo de aumentar el valor de la corriente que aparece al aplicar tensin.

Polarizacin directa: Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa". La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

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En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn. Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
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* As funciona. http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_ semiconductor_5.htm *Fisicauva. http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html *SC.EHU http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tem a2/Paginas/Pagina8.htm