TRANSISTORES DE METAL OXIDO

SEMICONDUCTOR
MOSFETS
Dispositivo con el mismo principio que el JFET, pero funciona y
se construye de manera diferente. La compuerta est formada
por una capa metlica, un aislante (Dixido de Silicio), y un
material semiconductor. El potencial aplicado en la compuerta
tiene el poder de influir en el canal que dejar pasar la corriente.
Hay que notar que la compuerta no tiene contacto elctrico con
el canal, sino que est aislada, por lo que el dispositivo presenta
alta impedancia de entrada.

W = Ancho del canal
L = Longitud del canal
t
ox
= Espesor de la capa de xido







D = Drenador (o Drain o sumidero)
S = Fuente (o Source o surtidor)
G = Compuerta (o Gate)
B = Sustrato (o Bulk)
A este tipo de transistor se le prefiere al de la juntura porque su resistencia de entra
da es bastante mayor del orden de los 10
15
en lugar de los 10
10
.En este ultimo la
alta resistencia de entrada queda determinada por la polarizacin inversa de la juntura
compuerta canal , pero en el MOS esa resistencia la impone un aislante.
Bsicamente tenemos dos tipos de Mosfet

a) De canal inducido o acumulacin o de ensanchamiento
b) De canal permanente o de agotamiento o estrechamiento

Ambos pueden ser de canal N o de canal P
Smbolo de
Mosfet de
Acumulacin
Canal N
Canal P
Mosfet canal inducido tipo N Mosfet canal permanente tipo N
Se establecen potenciales V
DS
y V
GS

ambos positivos. El potencial positivo en la
compuerta repele a los huecos del
sustrato, y atrae a los electrones
(minoritarios), que inducirn un canal. A
medida que V
GS
aumenta a valores ms
positivos, aumenta el tamao del canal,
porque se atraen ms portadores
negativos.

Existir un nivel de V
GS
que ocasione un
primer nivel significativo de corriente de
drenaje, al que llamaremos voltaje de
umbral VT (o V GS (Th )). A partir de ste
nivel se considera que el dispositivo hace
conducir corriente entre el drenaje y la
fuente
Curvas caractersticas del Mosfet de acumulacin.
Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del MOSFET son las de
transferencia y las de salida.
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de salida
(ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes se observa para los
transistores de canal N y P respectivamente.
Vt = Vth = Tension umbral
Canal N Canal P
VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VTH
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensin de salida (VDS).
Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los conceptos de
punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica.
La siguiente figura muestra estas grficas para canal N. Para canal P son similares,
solo que las polaridades y los sentidos de la corriente se invierten.
1.- Cuando el voltaje drenador-fuente (V
DS
) es pequeo comparado con (V
GS
- V
TH
).
En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo el canal y
podemos hablar de una densidad de corriente lineal a lo largo del canal,
W
I
J
D
s
=
En esta regin, la corriente de drenador tiene la siguiente ecuacin:
( )
DS TH GS D
V V V K I = 2
ox
AS
ox
ox AS
TH
C
eN t eN
V = =
c
2
n
ox
ox
t L
W
K
c
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
=
( )
TH GS D
DS
DS
V V K I
V
R

= =
2
1
Bajo estas condiciones, se dice que el MOSFET acta en la regin hmica y se le
puede usar como resistencia controlada por voltaje. La resistencia del canal es dada
por:
2.-Cuando el voltaje drenador -fuente (V
DS
) es mayor que (V
GS
- V
TH
)
En este caso aparece en el canal una zona de agotamiento, de longitud , que
reduce el largo del canal, y hace que I
D
se haga independiente de V
DS

Este comportamiento se cumple a partir de: V
DS
= V
GS
- V
TH

Reemplazando esta ecuacin en la anterior de I
D
, llegamos a:
( )
2
2
TH GS
n
ox
ox
D
V V
t L
W
I
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|

=
c
o
A la regin que empieza cuando se cumple V
DS
= V
GS
- V
TH
se le conoce como
zona de saturacin o de corriente constante. Esta regin equivale a la zona
activa del transistor bipolar
I
D
se hace independiente de V
DS