Semiconductores

Contenido

Conduccin en aislantes y metales Conduccin en semiconductores intrnsecos

Semiconductores dopados
Difusin de huecos y electrones

Corriente elctrica
La corriente elctrica es la rapidez con que fluye la carga a travs de un superficie en un conductor.
I prom Q t dQ dt
+ + A +

+ + +

Velocidad de arrastre
Movimiento en zigzag del electrn en un conductor.
Los cambios de direccin se deben a choques entre el electrn y los tomos en el conductor vd

vd = 0
E

Modelo microscpico de la corriente

n densidad de portadores de carga. x vd q x = vdt

vd velocidad arrastre
t intervalo de tiempo
I prom Q nqvd A t

Q = nqAvdt = nmero de portadores en una seccin de longitud x.

La corriente es:

Ejemplo
Un alambre de calibre 12 de seccin transversal 3.31x106 conduce una corriente de 10 A, cul es la rapidez de arrastre de los electrones? La densuidad del cobre es de 8.95 g/cm3.
El volumen ocupado por un mol de cobre de 63.5 g es: V = m/r = 63.5/8.95 = 7.09 cm3 La densidad de portadores es:

n = NA/V = 6.02x1023/7.09 = 8.49x1028 elec/m3

vd = I/nqA = 10/((8.49x1028)(1.6x1019) (3.31x106)) = 2.2x104 m/s

La densidad de corriente a travs de un conductor es:

Ley de Ohm
J = I/A = nqvd

l
I

Para muchos materiales se cumple que J = sE

A
Vb Va

Donde s es la conductividad del material.

La diferencia de potencial entre a y b es: Vab = E l De aqu: J = sE = s V/l => I/A = s V/l

E
Definimos la resistividad como el recproco de la conductividad r = 1/s

V = I l / s A = RI con R = l / s A

Conduccin en aislantes y metales

mn movilidad de los electrones

s conductividad

I = n q A mn E = n q A mn V/d

Resistividad para diferentes materiales

Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los materiales como conductores, semiconductores y aislantes

Conductor
r = 106 Ohm/m Cobre

semiconductor aislante
r = 50 Ohm/m Germanio r = 50000 Ohm/m Silicio r = 1012 Ohm/m mica

Estructura de un semiconductor
Los cuatro electrones de la capa exterior se comparten entre los tomos vecinos.
Estructura de un cristal de Si o Ge

Enlaces covalentes

tomos de Si o Ge

Teora de bandas
Niveles de energa de la capa 3s de 2 tomos de sodio que se acercan Niveles de energa de la capa 3s de 6 tomos de sodio que se acercan Niveles de energa de la capa 3s cuando un gran nmero de tomos de sodio se juntan en un slido.

Energa

Energa

Energa

Estructura de bandas
Los niveles de energa de los electrones de los tomos de un cristal se separan en bandas de energa debido al principio de exclusin de Pauli.

Eg energa de desdoblamiento. Es la energa necesaria para llevar un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin.

Eg

Eg 10 eV

Eg = 1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge) Eg = 1.41 eV (ArGa)

Eg = 0

Semiconductor intrnseco
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen electrones libres y huecos que contribuyen a la conduccin.
Banda de conduccin

Electrn libre

Enlace covalente roto

Huecos
Banda de valencia

Electrn libre

Corriente en un semiconductor
Cuando se aplica un campo elctrico a un semiconductor intrnseco, se produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo.

I = q A p mp E + q A n mn E = q A (p mp + n mn )E
Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, mp es la movilidad de huecos y mn es la movilidad de electrones. A temperatura ambiente n = 1012 para Si y 109 para Ge.
Banda de conduccin

Banda de valencia

Impurezas donadoras

Electrones libres

Nivel de energa del donador Eg = 0.05 Si = 0.01 Ge

Electrn de valencia del antimonio

Impurezas aceptoras

Nivel de energa del donador Eg = 0.05 Si = 0.01 Ge Huecos libres

Enlace (hueco) no completado por el tomo de B, Ga, In

Semiconductores dopados
Bandas en semiconductores intrnsecos y dopados:

Los portadores mayoritarios son los portadores que estn en exceso en un semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llamas portadores minoritarios.