ENGENHARIA DE FILMES FINOS Filmes Finos de xidos Condutores Transparentes

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Introduo Reviso Bibliogrfica Mtodos de Deposio ENGENHARIA DE FILMES FINOS Referncias

Camila Arioza Fabiane Lima Rafael Tristante

RA:11134808

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Introduo

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Reviso Bibliogrfica
TCO So xidos condutores transparentes que quando depositados na forma de filmes finos, tornam-se transparentes faixa visvel do espectro solar e tm a capacidade de conduzir corrente eltrica. Um TCO possui alta concentrao de eltrons livres na sua banda de conduo. A alta concentrao de eltrons livres causa absoro de radiao eletromagntica na regio do visvel e infravermelho do espectro eletromagntico. Dentre os TCOs mais utilizados, tanto na rea acadmica quanto industrialmente, esto o xido de zinco (ZnO) dopado, xido de estanho (SnO2) dopado e o xido de ndio (In2O3) dopado.

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Reviso Bibliogrfica
xidos de Zinco

Os cristais deste xido apresentam-se sob numerosas formas, como agulhas longas ou curtas de seo hexagonal, ou sob forma de agregados. No cristal, os tomos de zinco e de oxignio formam um empacotamento hexagonal e compacto. Cada tomo de zinco rodeado por 4 tomos de oxignio situados nos vrtices de um tetraedro.4

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Reviso Bibliogrfica

As propriedades condutoras do xido de zinco dependem do tratamento trmico. As propriedades de transporte deste xido so definidas pelas: Imperfeies da rede cristalina tomos de zinco e oxignio em posio intersticial Deformao da rede devido a tenses superficiais Substituio de um tomo de zinco ou de oxignio por um tomo menor, Substituio de um tomo de zinco ou de oxignio por um tomo maior Presena de lacunas de oxignio. O defeito mais comum no ZnO o metal nos stios intersticiais, o que resulta em um semicondutor do tipo n.

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Reviso Bibliogrfica
De todos os materiais TCO estudados nos anos recentes, o ZnO tem sido um dos mais promissores devido s suas propriedades: Propriedades pticas e Eltricas; A sua estabilidade qumica e mecnica; A sua abundncia na natureza; E apresenta um custo mais baixo comparado com os materiais atualmente mais utilizados. No entanto, o ZnO no dopado no estvel a alta temperatura. A dopagem do ZnO reduz esta desvantagem e, alm disso, a dopagem proporciona um aumento da condutividade eltrica. A presena de dopantes na rede do ZnO no altera sua transmitncia e diminui a resistividade. A dopagem do ZnO pode ser feita com elementos do grupo IIIA (Al, B, Ga e In) e do grupo VIIA(F).

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Processos de Deposio
Pulverizao Catdica Envolve a condensao de compostos na fase gasosa para formar materiais no estado slido, normalmente na forma de um filme fino depositado sobre um substrato. Neste processo, o material um alvo slido que removido progressivamente por bombardeamento por ons energticos constituindo um plasma gasoso, eletrizado e a baixa presso.

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Processos de Deposio

http://www.youtube.com/watch?v=cJgJIZ-hhs4
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Processos de Deposio
Para o processo de Spputering, obteve-se os seguintes resultados: Com a temperatura do substrato mais elevada, obtiveram-se filmes policristalinos e com gros maiores. Observou-se que a temperaturas mais elevadas do substrato conduzem a um aumento da transmitncia e diminuio do coeficiente de absoro e revelaram que este efeito devido a vacncias de oxignio.

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Processos de Deposio
Concluso do Estudo:

Para produo dos filmes de ZnO com propriedades adequadas, os parmetros de deposio como: Presso de trabalho, Temperatura do substrato, Distncia alvo-substrato, Potncia de trabalho, Tempo de deposio, Presso parcial do gs reativo utilizado, Taxa de deposio
Devem ser relacionados com as propriedades eltricas, pticas e estruturais dos filmes. A relao destas propriedades ser fundamental para o conhecimento e entendimento do processo.
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Processos de Deposio
Processo de Sol-Gel

SOL - GEL
Disperso de Partculas Coloidais (1 a 100nm) Estrutura rgida que pode ser formada por: partculas coloidais (gel coloidal) ou cadeia polimrica (gel polimrico)

Processo de gelatinizao (a) partculas e (b) cadeia polimrica

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Processos de Deposio
Processo de Sol-Gel

Reaes de polimerizao inorgnica; Os precursores usualmente empregados so solues aquosas de sais inorgnicos ou alcxidos dissolvidos em solventes orgnicos.

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Processos de Deposio
Processo de Sol-Gel

Baixas temperaturas de deposio; Baixo custo das instalaes; Aps depositado sob o substrato, o filme passa por secagem ao ar e posterior sinterizao Formao de xido Pode sofrer tratamento trmico para obter estrutura desejada.

Ligaes qumicas entre o substrato entre o aderente.

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Processos de Deposio
Mtodo de Deposio - Molhamento (Dip-coating );

Rotacional (Spin Coating )

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Estudo de caso

Acetato de Zinco [Zn(CH3COO)2. 2H2O] Soluo Precursora lcool Estabilizante

Aps preparao do gel: - a deposio foi feita em Substrato de Silcio Spin Coating; - Para secar a amostra 10 min a 150C - Repetiram-se os processos acima at atingir a espessura desejada (3 a 5 vezes)
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Estudo de caso
Realizaram-se os seguintes testes para caracterizao do Filme: FTIR - DRX

Anlise em FTIR amostras de xido de zinco: (a) sem recozimento; (b) recozimento em atmosfera de N2; (c) recozimento em ar; (d) recozimento em atmosfera de O2. (4)

Anlise em DRX amostras de xido de zinco: (a) sem recozimento; (b) recozimento em atmosfera de N2; (c) recozimento em ar; (d) recozimento em atmosfera de O2. (4)

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Estudo de caso
Realizaram-se os seguintes testes para caracterizao do Filme: - AFM - Especfotometria

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Referncias

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Referncias

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