MEMORIAS RAM Y ROM

ALUMNO: CERRATO MAMANI JHOEL

MEMORIA RAM Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en ingls Rendn Access Memory.Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de direccin que permiten seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e independiente de la posicin en la que se encuentre.

CARACTERISTICAS
Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no hay energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la

RAM esttica y la RAM dinmica. Las Memorias Estticas (SRAM) son ms rpidas porque no consumen ciclos de refresco, pero son ms caras. Se utilizan en las memorias cach y de vdeo. Las Memorias Dinmicas (DRAM) son ms baratas pero ms lentas que las anteriores puesto que consumen ciclos de refresco.

FUNCIONAMIENTO Es donde el ordenador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.

FABRICANTES
La Kingston MARKVISION OTRAS MENOS RECONOCIDAS:

QUIOMONDA KRETON ELIXIR NEC BUFALO VDATA TREND

TIPOS FPM (Fast Page Mode): A veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estndar. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). en la misma fila (pgina) sea mucho ms rpido.

EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Mientras que la memoria tipo FPM slo poda acceder a un solo byte (una instruccin o valor) de informacin de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la cach interna del procesador para un acceso ms rpido por parte de ste. La estndar se encontraba con refrescos de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

DDR: (DOUBLE DATA RATE): Estas transfieren al doble que las Dimm, y pues inicialmente era soportada 1 Gb pero despus empezaron a soportar 2 Gb por mucho las board. Ddr2: funciona al doble de las DDR, las board que las usaban inicialmente soportaban solo 2 Gb, pero ahora con la implementacin De 64 bits, soporta hasta 4 Gb y 8 Gb. DDR3: Esta anda al triple de las DDR, lo malo es que son muy caras, traen una latencia de memoria mayor, latencia es lo que se demora en entrar acceder y salir por ciclo

 SIMM( SINGLE IN MEMORY MODULE):

Estn eran de las mas viejitas que hay, pues creo que haban capacidades desde 2 Mb hasta 32 Mb, y si se queran usar se tenan que poner en pares de a 2 iguales.
DIMM(DUAL IN MEMMORY MODULE):

Estas memorias son las que trabajan a ritmo doble, y pues lo usual que llegaba una PC con esas memorias era de 512 Mb. Hasta 1 Gb.

PC-100 DRAM:
Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, aunque tambin la habr

EDO. La especificacin para esta memoria se basa sobre todo en el uso no slo de chips de memoria de alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los mdulos compatibles con este estndar deben estar identificados as: PC100-abc-def.

RDRAM (DirectRambus DRAM):

Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir rfagas de 2ns y puede alcanzar tasas

de transferencia de 533MHz, con picos de 1,6 GB/s. Pronto podr verse en el mercado y es posible que tu prximo equipo tenga instalado este tipo de memoria. Es el componente ideal para las tarjetas grficas AGP, evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta grfica y la memoria de sistema durante el acceso directo a memoria (DIME) para el almacenamiento de texturas grficas. Hoy en da la podemos encontrar en las consolas NINTENDO 64.

 DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o

SDRAM-II): Funciona a velocidades de 83, 100 y 125MHz, pudiendo doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. En un futuro, esta velocidad puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adaptara a los nuevos procesadores. Este tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensin de la memoria SDRAM, con lo que facilita su implementacin por la mayora de los fabricantes.

MODULOS
Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de

circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacin DRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin del mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD.

ERRORES TECNICOS El ordenador empieza a dar pitidos: El ordenador no arranca El ordenador arranca PERO la cantidad de memoria nueva no aparece, sigue detectando la cantidad antes de la actualizacin: Es muy probable que el tipo de memoria no sea del todo correcto y debamos cambiarla, hay que verificar que hemos colocado la memoria correcta para el sistema.

 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA

MEMORIA RAM:VENTAJAS:Genera video al equipo.Dependiendo del procesador y la capacidad de la memoria RAM puedes obtener un equipo con una estabilidad adecuada en rendimiento.

INSTALACION Si ya sabemos qu memoria vamos a poner y la tenemos en mano, slo nos queda el proceso fsico de su insercin; tambin podemos seguir estos pasos si nicamente queremos ver la memoria que ya hay puesta. Materiales necesarios: Un simple destornillador de estrella. Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador y abrir la torre, esto es una operacin muy sencilla y que se debe repetir cada vez que queramos manipular un componente de su interior, no slo la memoria. Quitamos los tornillos que sujetan las tapas o la carcasa y las retiramos.

HISTORIA
La denominacin de Acceso aleatorio

surgi para diferenciarlas de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de la computacin, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominacin no es precisa.

Antes que eso, las computadoras usaban reles y lneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vaco para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1 Kilobite, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenia un desempeo mayor que la memoria de ncleos.

En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines,[2] mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento[3] se convirti en un estndar de facto debido a la gran popularidad que logr esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayora de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zcalos, de manera que ocupaban un rea extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalacin de RAM sobre el impreso principal, impeda la miniaturizacin , entonces se idearon los primeros mdulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construccin modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metlicos y dejando unas reas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansin, de hecho los mdulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribucin de pines.

 A finales de los 80 el aumento en la velocidad

de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como: FPM (Fast Page Mode): EDO o EDO-RAM:DDR: (DOUBLE DATA RATE): DDR2:DDR3:

MEMORIA ROM
La Memoria de slo lectura (normalmente conocida por su acrnimo, ReadOnlyMemory) es una clase de medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar -al menos no de manera rpida o fcily se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo.

 En su sentido ms estricto, se refiere slo a mscara

ROM -en ingls MROM- (el ms antiguo tipo de estado slido ROM): Que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM se pueden borrar y volver a programar varias veces, an siendo descritos como "memoria de slo lectura (ROM), porque el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por dicha razn, las mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.

CARACTERSTICAS
La escritura se realiza una sola vez. La informacin queda grabado aunque se le

retire la energa elctrica. La capacidad de memoria ROM en un ordenador: se encuentra entre 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones.

FUNCIONAMIENTO
De un modo similar a la memoria RAM, los chips ROM contienen una hilera de filas y columnas, aunque la manera en que

interactan es bastante diferente. Mientras que RAM usualmente utiliza transistores para dar paso a un capacitador en cada interseccin, ROM usa un diodo para conectar las lneas si el valor es igual a 1. Por el contrario, si el valor es 0, las lneas no se conectan en absoluto.

MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL: Se caracterizan por su tiempo de acceso, dependiendo de la posicin a que se quiera acceder respecto a un punto de referencia inicial: Registro de desplazamiento Dispositivos acopladores por carga o CCD (ChargeSoupledDevice). RRORES TECNICOS Corto circuito Mala programacin Fallo de energa

VENTAJAS Y DESVENTAJAS En las mscaras ROM los datos estn codificados en el mismo circuito, as que slo se pueden programar durante la fabricacin. Esto acarrea serias desventajas: Slo es econmico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas segn sus necesidades. El producto entre completar el diseo de la mscara y recibir el resultado final es muy largo.Son intiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir ms de una. Si un producto tiene un error en la mscara, la nica manera de arreglarlo es cambiando fsicamente la ROM.

HISTORIA
El tipo ms simple de ROM en estado slido es de la misma antigedad que la propia tecnologa semiconductora. Las puertas lgicascombinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una direccin de memoria de n bits en valores de m bits de tamao (una tabla de consultas). Con la invencin de los circuitos integrados se desarroll la mscara ROM. La mscara ROM consista en una cuadrcula de lneas formadas por una palabra y lneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podan representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagacin deductible.

Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, as pues se cre la memoria de slo lectura programable (PROM). Inventada en 1956 permita a los usuarios modificarla, slo una vez con la aplicacin de pulsos de alto voltaje. Elimin los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuario poda pedir gran cantidad de PROMs vacas y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseadores. En 1971 se desarroll la memoria de slo lectura programable y borrable (EPROM) que permita reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Ms tarde en 1983 se invent la EEPROM, resolviendo el conflicto nmero 4 de la lista ya que se poda reprogramar el contenido

 mientras proveyese un mecanismo para recibir

contenido externo (por ejemplo, a travs de un cable serial). En medio de la dcada de 1980 Toshiba invent la memoria flash, una forma de EEPROM que permita eliminar y reprogramar contenido en una misma operacin mediante pulsos elctricos miles de veces sin sufrir ningn dao. El producto ms reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseadores rompieron explcitamente con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los choques fsicos y una miniaturizacin extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoriaMicroSD).