UDA FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA ELECTRONICA DE POTENCIA II.

SEMICONDUCTORES
Diego Cabrera Pauta. Juan Carlos Ronquillo Ordoez.

DIODOS DE POTENCIA
El diodo es una estructura P-N que permite el paso de corriente en un solo sentido. Este diodo se caracteriza por soportar mayores corrientes (de acuerdo a su rea) y mayores tensiones inversas (de acuerdo a su longitud). La cada de tensin en estos diodos es de 1 a 2V dependiendo de la corriente que circule.

ESTRUCTURA INTERNA DE UN DIODO DE POTENCIA

SMBOLO Y CARACTERSTICA ESTTICA CORRIENTE-TENSIN DE UN DIODO DE POTENCIA

TIRISTORES
Tipos de tiristores: SCR TRIAC GTO

SCR (RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)

Esta formado por cuatro niveles P-N-P-N. Dispone de un terminal de control llamado GATE que es el encargado de establecer el paso de corriente entre A y K. Este dispositivo puede trabajar solo en 180 ya que el gate se dipara solo con el positivo de la onda alterna.

ESTRUCTURA Y SMBOLO DEL SCR

CARACTERISTICAS Y VENTAJAS.
En OFF no permite el paso de corriente bloqueando la tensin. La cada de tensin en ON es de pocos voltios. Cuando se le retira la corriente al GATE queda retenida su corriente de A a K.

TIPOS DE DISPARAR EL SCR.

Disparo por tensin excesiva Disparo por impulso de puerta Disparo por derivada de tensin Disparo por temperatura Disparo por Luz

TRIAC (TRIODE OF ALTERNATING CURRENT)

Permite el paso de la corriente en ambos sentidos y puede ser disparado con Voltajes en el GATE de ambos signos de la onda alterna (360). Esquema equivalente de un TRIAC.

SMBOLO Y ESTRUCTURA INTERNA DE UN TRIAC

Caractersticas y Ventajas. Las tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas. Requiere un nico circuito de control lo que hace que este dispositivo sea muy compacto.
Desventajas. Es un dispositivo con una capacidad de potencia muy reducida en el control. Trabajan a frecuencias pequeas, como mximo la frecuencia de la red monofsica.

CARACTERSTICAS I-V DEL TRIAC

GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR)

Es un tiristor que puede manejar el paso de on-off y viceversa desde un circuito externo. El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo.

SMBOLO Y ESTRUCTURA INTERNA DE UN GTO

Caractersticas y Ventajas. Si la corriente del GATE es positiva pasara de OFF a ON y si es negativa ira de ON a OFF. El voltaje anodo-catodo en polarizacin directa es mas elevada que para los tiristores convencionales.

Desventajas. Es mas caro que un SCR. El rango de Tensiones y corrientes es mas pequeo que de un SCR.

CARACTERSTICA ESTTICA (I V) DE UN GTO

TRANSISTORES

Tipos de transistores:

TBP (Transistor Bipolar de Potencia) MOSFET IGBT

Transistor Bipolar de Potencia (TBP)

Son transistores controlados por corriente. Funcionan en forma de interruptores y pueden ser de 2 tipos pnp o npn. Caractersticas y Ventajas. Una ventaja es que son totalmente controlados y que no disponen de un terminal de control. Soporta tensiones elevadas ya que tiene una baja concentracin de impurezas en el colector. Baja cada de tensin en saturacin. Desventajas. Poca ganancia con v/i grandes. Consume mas energa al no tener el terminal de control ya que funciona directamente.

SMBOLOS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES NPN Y PNP

ESTRUCTURA BSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

ZONAS

Corte: Se comporta como un interruptor abierto, que nos permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado. Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin entre colector y emisor, en la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje VCE disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn polarizadas directamente. Se suele hablar de la

CARACTERSTICAS V-I DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

CONEXIN DARLINGTON No es mas que la conexin de varios transistores para aumentar la ganancia total del transistor.

Caractersticas y Ventajas. Mayor ganancia de corriente. Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. La cada de tensin en saturacion es bastante constante. Desventajas. Se utilizan para potencias medias y frecuencias de trabajo medias.

MOSFET (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS)

Son transistores controlados por tensin. Existen dos tipos de canal N y canal P. Caractersticas y Ventajas Presenta menores perdidas Mayor velocidad de Conmutacion. Facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeo.

Desventajas La resistencia en saturacin Ron varia mucho con la temperatura y la corriente que circula. La potencia que maneja es bastante reducida.

SMBOLOS DE LOS TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N Y CANAL P

IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

Es una mezcla entre el MOSFET y el BJT con cada una de sus caracteristicas, ya que, pequeas perdidas en conduccion y facilidad de disparo. Caractersticas y Ventajas. Puede soportar tensiones elevadas, con un control sencillo de tensin en el GATE. Permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas. Desventajas. La velocidad a la que trabajan no es tan elevada como la de los MOSFETS

SMBOLOS ALTERNATIVOS DE LOS TRANSISTORES IGBTS

COMPARACIN ENTRE LOS DIFERENTES TRANSISTORES DE POTENCIA