XRD Adsorption / BET Infared XPS / UPS TP Techniques TEM / SEM NMR UV-vis EXAFS ESR EDX XANES AES LEED Raman Mossbauer STM ISS / LEIS Calorimetry Neutron scattering SIMS
49 46 46 38 36 25 23 16 14 12 10 8 7 5 5 4 4 3 2 1 1
Informaes da Superfcie Composico ESCA, Auger, SIMS, NEXAFS Number of times Estrutura SIMS, ESCA, NEXAFS, FTIR, SFG characterization techniques were used at the 11th ICC FTIR, SFG Orientao NEXAFS, Baltimore 1996 Distribuio Espacial Imagem/ SIMS, AFM
total number of papers AFM Topografia presented orally: 143
Espessura Energia
Espectroscopias de Fotoeltrons
Tcnicas: XPS (x-ray photoelectron spectroscopy) Auger UPS (UV photoelectron spectroscopy) Ftons (Raios X, UV) Eltrons Composio Elementar/ Ambiente Molecular
Amostra:
Princpio: Profundidade: Resoluo Espacial Sensibilidade: Custo/Instrumentao
Tpicos
Histrico Efeito Fotoeltrico Produo de Raios X
Histrico
1887: Heinrich Hertz Descoberta do Efeito Fotoeltrico
1895: Wilhelm Conrad Roentgen Descoberta Raios X 1901: Primeiro Prmio Nobel em Fsica
1924: Karl Manne Georg Siegbahn Pesquisas em Espectroscopia de Fotoeltrons 1981: Prmio Nobel em Fsica
Radiao
No-Ionizante
Ionizante
Radiao Ionizante
Radiao eletromagntica que possui comprimento de onda curto e energia suficiente para arrancar um eltron do orbital.
Partculas alfa e beta Raios gama Neutrons Raios-X
Tubo de Raios X
Eltrons so acelerados pela diferena de potencial (DV=20 kV ou 30 kV)
( I< 80 mA)
Camada K
Eemitida= Ecamada K Ecamada L
Aplicao/Raios X
Imagem (medicina) Radioterapia (Tratamento Tumores) Caracterizao de Materiais: Tcnicas de Difrao de Raios X
Espectroscopia (XPS/Auger)
Definio de XPS
A espectroscopia de fotoeltrons excitados por raios X uma tcnica utilizada para investigar a composio qumica de superfcies. Terminologia: XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy ESCA: Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
Fotoeltron
Auger Electron
L2,3 ou 2p L1 ou 2s Raio-X
K ou 1s
O tempo de meia-vida do buraco de caroo (~10 -15 seg) , aproximadamente, uma ordem de valor maior do que o tempo da interao entre o feixe primrio e o tomo neutro(~10 -16 seg).
P=> 90% at Z= 19
Probability
Li
Energia de ligao de nveis 1s para diferentes tomos F Identificao dos elementos ~ O Energias de ligao dos picos dos N fofoteltrons de coroo (camada de valencia) C Intensidade (rea integrada de picos Be B
fotoeltricos) ~ Nmero de tomos no volume da amostra detectado
Energia de ligao
Linhas Auger
Interao Spin-rbita
Todos os nveis so dupletes
(exceto, s)
A razo da intendidade
~ 2(L+S) + 1
p: L = 1 e S = - 1/2 ou + 1/2
p 1/2 => 2
p 3/2 => 4
L + S = 1/2 ou 3/2= J
d: L = 2 e S = - 1/2 ou + 1/2
1:2
d 3/2 => 4
d 5/2 => 6 f 5/2 => 6 f 7/2 => 8
L + S = 3/2 ou 5/2= J
f: L = 3 e S = - 1/2 ou + 1/2= J
2:3
L + S = 5/2 ou 7/2= J
3:4
L: momento angular orbital; S: momento angular de spin; J: momento angular total do eltron
Interao Spin-rbita
C 1s Cu 2p 2p3/2
2p1/2
276
965
Ag 3 d
Au 4f
3.65 3 : 4 79
2. Picos Auger
Auger Peaks - Sempre presentes no espectro de XPS - Complexa interpretao e picos mais largos do que os picos de fotoemisso - independe da energia do fton
2) Picos Satlites
provenientes da fonte de raios-X 3) Picos Satlites Intrnsecos causados pela relaxao atmica
(1) excitao do eltron ao estado ligado (shake-up) (2) excitao do eltron ao estado contnuo (shake-off) (3) excitao da lacuna ou buraco (hole) (shake-down satellite)
Carregamento de Surperfcie
Fotoemisso de Eltrons Acmulo de Cargas + Resulta em deslocamento do pico ~ 10 eV
Plasmons
* = picos extras devido interao dos fotoeltrons com eltrons presentes na superfcie da amostra.
Deslocamento: 0,1 10 eV
Anlise Quantitativa
I: rea do pico
N = I / sDJLlAT
N = atoms/cm3 s = photoelectric cross-section, cm2 D = detector efficiency J = X-ray flux, photon/cm2-sec L = orbital symmetry factor l = inelastic electron mean-free path, cm A = analysis area, cm2 T = analyzer transmission efficiency
N=I/S
Concentrao Relativa C x = N x / SN i Cx = Ix/Sx / S Ii/Si
Cu 2p
100
Peak Area
Mct-eV/sec
Atomic Conc
%
80
Thousands
Ni Cu
2.65 3.65
49 51
N(E)/E
60
Ni 2p
40
20
0 -1100
-900
-700
-500
-300
-100
2. Equipamento:
Cmara de Ultra-Alto Vcuo Manipulador de Amostras Fonte de Radiao com Enegia Fixa (Raios X/XPS e lmpada de descarga de He/UPS) Um Canho de Eltrons (AES), um Canho de ons (Sputering, limpeza de amostras e perfilamento composicional) Um Detector de Eltrons Computador para Controle/Anlise
Preparo Superfcie/Amostra
Amostra Compatvel com UHV Tamanho: 1-2 cm2
(ex. Metais, Polmeros, Cermicas, Compsitos, Semicondutores, Amostras Biolgicas)
Pressure Torr
102
Ultra-High Vacuum
Fence Anode 2
Fence
Cooling Water
Cooling Water
Filament 1
Filament 2
Fontes de Raios X
Material Mg Radiation K(alpha) Energy 1253.6 Line Width 0.7 eV
Al
Zr Ag Ti Cr
K(alpha)
L(alpha) L(alpha) K(alpha) K(alpha)
1486.6
2042.4 2984.3 4510.9 5,417
0.85 eV
1.6 eV 2.6 eV 2.0 eV 2.1 eV
2 http://www.thermo.com/eThermo/CDA/Products/Product_Detail/0,1075,15955-158-X-1-13080,00.html
Monocromador
Uso de um Espelho (Cristal de Quartzo) para Produzir um Feixe de Raios-X Monocromtico.
(-)
Hemispherical Plates
(-) (-)
(+)
X-rays
Electron Gun
Aluminum Target
Vantagens do Monocromador
Baixo Background Elimina Radiao Trmica da Fonte de Raios X Melhora a Seletividade Qumica: Estreitamento da Linha Espectral Aumenta a Sensibilidade em Amostras Pequenas (Uso de Spot de Raio-X Focado) Elimina Sinais Provenientes dos Picos Satlites
Analisador de Eltrons
Dois Tipos: Analisador com Espelho Cilndrico (AES)
1 http://seallabs.com/howes1.html
X-ray penetration depth ~1mm. Electrons can be excited in this entire volume.
10 nm 1 mm2
X-ray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire area
Limitao:
- No pela penetrao dos ftons - Mas pelo escape dos eltrons (sem que haja PERDA de energia)
Eltron
ftons KE < hn - BE BACKGROUND ftons
Eltron
KE = hn - BE SINAL
3 a 15 nm menos de 10 camadas atmicas Depende - Energia cintica do eltron -Natureza do material
O ngulo de escape pode ser variado com a rotao da amostra. Alterao na Profundidade de Anlise
=15
= 90
(= 1.5 l, se = 60)
Sensibilidade: Superfcie
Sensibilidade bulk
C(W) C(Au)
0.3 0.2 0.1 0
20
40
60
80
100
Ta-oxide
AES
Bombardeamento de Ar+ (3keV) em camada de Ta2O5/Ta
Ta MVV
Ta-oxide (unsputtered)
Ta-metal
10
15
150
15
10
XPS
Ta 4f
4f7/2 4f5/2
80 min 60 40
30 6
5 0 0
C TaO2
20 40 60
TaO
80 100
35
0 min 31 27
23
19
Limitaes da Tcnica
Coleta de dados lenta comparando-se com outras tcnicas;
Sensibilidade Comparvel com Outras Tcnicas;
Picos de Sdio, Cloreto e Fluoreto: Manipulao da Amostra Mtodo de Limpeza do Substrato (HF, HCl, NaOH, etc).
Picos de Molibdnio: Amostra desalinhada. Fonte de Raios-X est Atingindo o Porta-Amostras (feito de Molibdnio) Picos de Argnio: Limpeza In-situ ou Sputtering da Amostra
Espectros com Picos Distorcidos ou Alterao da Posio da Energia de Ligao: A amostra com Efeito de Carregamento de Superfcie
Picos Auger Sobrepostos com Picos Primrios: Soluo a Troca da Fonte de Raios-X para Mudar o Posicionamento dos Picos Auger, mas Sem Alterar a Posio dos Picos Primrios.
Vantagens do XPS
- Anlise de Multi-Elementos; - Anlise do Estado de Valncia dos Elementos; - Acesso a Diversos Bancos de Dados On Line; - Anlise Quantitativa; - Anlise de Profundidade No-Destrutiva; - Anlise de Pequenas rea e Imageamento da Amostra: Atuais Espectrmetros com Alta Resoluo Lateral (3 microns p/ imagem, 30 microns p/ espectroscopia); - Qualquer tipo de Material (pode ser Analisado, incluindo Materiais Orgnicos).
Aplicaes da Espectroscopia de
Anlise de Pigmentos
Mmia Egpsia 2nd Century AD
Pb3O4
Ca
Na Cl
Pb
500
400
300
200
100
Compsito
N(E)/E
-C-O -C=O
-300 -295 -290 Binding energy (eV) -285 -280
Anlise de Multicamadas
Janelas revestidas com complexo de fimes finos em multicamadas: 1) Conservao de energia 2) Aparncia 3) Durabilidade
Materials Germanium (ATR-IR crystal) Zinc Selenide (ATR-IR crystal) Silicon (ATR-IR crystal or wafer) Gallium Arsenide (wafer) GaAs with Si3N4 (wafer)
Characterization
H-Plasma: XPS/High Resolution XPS Alkyl Monolayer: XPS/High Resolution XPS ATR-FTIR DNA immobilization: ATR-FTIR DNA hybridization: ATR-FTIR Near future: simultaneous AFM/FTIR
535.6 eV
a) H-terminated surface b) COOH-terminated surface c) after conversion of the acid to the NHS ester
2084cm-1
C-H
2800-2980 cm-1 Si-H
Si-H
1744cm-1
1715cm-1: C = O
OH
Si-UA Si-UA-NHS
NH2-biomolecule
Disappeared Si-H
CBNO/air CBNO/O2
Intensity (arb.units)
Bi4f
CBNO/air
Ca2p
CBNO/air CBNO/O2
Nb 3d
Relative Intensity
CBNO/O2
Intensity (arb.units)
170
165
160
155
150
360
355
345
214
212
210
208
206
204
Area 2
Area2
Area 1
Native Si oxide
Elemental Si
Silicon carbide
Imagem de microcircuitos
Si-Si
Si-O
15 nm Gate Oxide
Overlay
(Al green, Au red)
XPS Im a g e C1 s 5 0 0 u m a c c e p ta n c e = 3 d e g XPS Im a g e Au 5 0 0 u m a c c e p ta n c e = 3 d e g XPS Im a g e 5 0 0 u m Al a c c e p ta n c e =3
ITODYS
Nano-Manipulador
Tcnicas No-destrutivas para Monitoramento In-Situ