Tiristores

El S.C.R. est constituido por cuatro capas de silicio

dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y del
tipo N, como se indica en la Figura 1.a, estando su smbolo
representado en la Figura 1.b.
DESCRIPCION BASICA
CARACTERSTICAS
En la regin de conduccin la resistencia dinmica del
SCR es de (0,01 a 0.1) la resistencia inversa es
tpicamente de 100k.
La conduccin directa el nodo debe ser positivo respecto
al ctodo, tambin se debe aplicar un pulso de magnitud
suficiente a la compuerta para establecer una corriente de
encendido de compuerta (IGT)
Se requiere de una corriente de compuerta para polarizar la
juntura intermedia y poner el disparo en conduccin
CARACTERSTICAS
Disparos
no-deseados
Disparo
deseado
-Por exceso de tensin.
-Por derivada de tensin.
-Por impulso de puerta.
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran
corriente directa.

Puede bloquear ambas polaridades de una seal de A.C.

Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa pequeas
VENTAJAS
El dispositivo no se apaga con Ig=0.

No pueden operar a altas frecuencias.

Pueden dispararse por ruidos de tensin.

Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la
temperatura
DESVENTAJAS
Se le aplica al SCR. Una tensin entre nodo y ctodo VB1
menor que VB0, entonces el tiristor permanecer bloqueado y
pueda cambiar a conduccin aplicando a la compuerta una
corriente de disparo IG1. aplicando una tensin VB2 menor que
VB1 se requerir una corriente IG2 mayor que IG1 par a cebar al
componente.
CURVA CARACTERSTICA
CURVA CARACTERSTICA
Intensidad media nominal (I
TAV
):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el tiristor puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (85 C
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (I
TRM
):
Intensidad mxima que puede ser soportada cada 20
ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms
a determinada temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (I
TSM
):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

CURVA CARACTERSTICA
Corriente de mantenimiento(I
H
):
Es la corriente mnima de nodo que se requiere para
que el tiristor siga mantenindose en conduccin.

Corriente de enclavamiento(I
L
):
Es la corriente de nodo mnima que se requiere para
que el tiristor siga mantenindose en conduccin
inmediatamente despus de que el dispositivo haya
entrado en conduccin y la seal de puerta haya
desaparecido (pulso en la puerta de 10 ms).


Una vez cebado, la compuerta pierde el control sobre el
estado del SCR hasta tal punto que es posible desconectar la
sin que cambien el estado.
El paso del estado de bloqueo se logra cuando la VAK
disminuya por debajo de un valor de mantenimiento VH
(voltaje de mantenimiento) tal que la IA alcance el nivel
inferior a IH (corriente de mantenimiento), en el que el SCR se
bloquea y la compuerta vuelve a sumir el control del cebado
CURVA CARACTERSTICA
BLOQUEO INVERSO
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
V
AK
i
A
CARGA
i
G
=0A
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
La unin andica est
polarizada inversamente.

Corriente de fugas inversa.
Tensin de trabajo inversa(V
RWM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensin de pico repetitivo inversa(V
RRM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada en picos de 1ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin de pico nico inversa(V
RSM
):
Mxima tensin inversa que puede ser soportada por una sola vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura inversa (V
BR
):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
Caractersticas elctricas en bloqueo inverso.
Parmetros:
BLOQUEO DIRECTO
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
V
AK
i
G
=0A
i
A
CARGA
A
K
G
CARGA
P1
N1
P2
N2
La unin de control est
polarizada inversamente.

Corriente de fugas directa.
Tensin de trabajo directa(V
DWM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.

Tensin de pico repetitivo directa(V
DRM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada en picos de 1ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin de pico nico directa(V
DSM
):
Mxima tensin directa que puede ser soportada por una sola vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura directa (V
DO
):
Si es alcanzada, el diodo entra en conduccin sin daarse.

Caractersticas elctricas en bloqueo directo.
Parmetros:
CONSIDERACIONES GENERALES
El punto mas dbil de los tiristores es la compuerta, debido a
sobretensiones o sobrecorrientes en dicho circuito, es decir
por una disipacin de potencia elevada.
En la siguiente grafica se muestran las regiones principales:

Las prximas a ambos ejes en las que el disparo no se
producen.

rea en la cual no se garantiza el disparo.

rea de disparo mas conveniente cuando la seal de
cebado se aplica en forma continua.

Curva de mxima potencia para aplicacin, durante todo el
ciclo de cebado, de seal de disparo.
CONSIDERACIONES GENERALES
CARACTERSTICAS DE PUERTA
V
GK
i
G
I
Gmx
I
GmnCD
I
GmxSD
V
GKmx
V
GKmnCD
V
GKmxSD
(
r
e
c
t
a

d
e

c
a
r
g
a
)
P
m

x
caract. lmite
caract. lmite
caract. real
DISPARO
SEGURO
DISPARO
INCIERTO
DISPARO
IMPOSIBLE
Q

V
GKmxSD
: Mxima tensin puerta-ctodo sin disparo de ningn
tiristor a determinada temperatura.

V
GKmnCD
: Mnima tensin puerta-ctodo con disparo de todos
los tiristores a determinada temperatura.

I
GmxSD
: Mxima corriente de puerta sin disparo de ningn
tiristor a determinada temperatura.

I
GmnCD
: Mnima corriente de puerta con disparo de todos los
tiristores a determinada temperatura.

CARACTERSTICAS DE PUERTA
A
K
G
V
AK
i
G
i
T
R
V
B
t
r
t
s
t
d
10%
90%
100%
V
B
i
G
V
AK
i
T
t
r
: Tiempo de retardo a la excitacin.
t
s
: Tiempo de subida.
t
d
: Tiempo de disparo (0,5...3ms)
TIEMPO DE DISPARO (CIRCUITO RESISTIVO)
TIEMPO DE DISPARO (CIRCUITO INDUCTIVO)
A
K
G
V
AK
i
G
i
T
R
V
B
L
t
min
: Tiempo mnimo de disparo.
(tiempo que I
T
tarda en alcanzar el
valor de enclavamiento, I
L
)
t
min
V
B
i
G
V
AK
i
T
I
L
|
|
.
|

\
|
=
t
t
-
B
T
e 1
R
V
I