INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

Septiembre de 2010

Centro de Investigacin en
Computacin
Introduccin al procesamiento y
acondicionamiento de seales mediante
tcnicas analgicas CMOS

Dr. Hern Molina Lozano
Dr. Carlos Muiz Montero
a) Establecer un nodo de referencia.

b) Definir en cada nodo un voltaje V
i
que ser la incgnita a despejar.

c) Para cada nodo V
i
, sumar todas las admitancias que convergen en
este nodo y multiplicarlas por V
i
. Posteriormente, restarle a esta
cantidad cada admitancia conectada entre los nodos ij (para todo j
distinto de i) multiplicada por V
j
. El resultado es igual a la suma de
todas las fuentes de corriente que entran al nodo i menos la suma de
todas las corrientes que salen del mismo.

d) El conjunto de ecuaciones obtenidas se lleva a una representacin
matricial y se resuelve.
Mtodo de nodos
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de nodos: Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
a) Editar
esquemtico en
SEDIT
b) Extraer
esquemtico
Mtodo de nodos: Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Extraccin del esquemtico
c) Editar archivo de simulacin
Mtodo de nodos: Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
d) Simular
e) Obtener
resultados
RESULTADOS
Mtodo de nodos: Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de nodos: Ejemplo 2
Mtodo de nodos: Ejemplo 2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de nodos: Ejemplo 2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de nodos: Ejemplo 3
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de nodos: Ejemplo 3
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
a) Seleccionar M corrientes de malla

b) Para cada malla i, sumar todas las impedancias por las que pasa la
corriente I
i
y multiplicarlas por I
i
. Posteriormente, para esta misma
malla restarle a esta cantidad cada impedancia I
j
(para todo j distinto
de i) multiplicada por I
j
cuando I
j
va en sentido contrario a I
i
, o bien
sumar esta cantidad si I
i
e I
j
llevan la misma direccin. El resultado es
igual a la suma de todas las fuentes de voltaje por las que entra la
corriente I
i
por la terminal negativa menos la suma de todas las
fuentes de voltaje por las que entra la corriente I
i
por la terminal
positiva.

c) El conjunto de ecuaciones obtenidas se lleva a una representacin
matricial y se resuelve.
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de mayas
( )
( )
( ) 2 1 2 1 2 2
1 2 2 1 2 2
2 1 2 2 1 1
2 1 3
3 1 2
3 2 1
+ = + +
= + +
= + +
I I I
I I I
I I I
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de mayas: Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de mayas: Ejemplo 2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de mayas: Ejemplo 2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mtodo de mayas: Ejemplo 3
Mayas o nodos?
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mayas o nodos? Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Mayas o nodos? Ejemplo 2
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1 Frecuencia, amplitud y fase

2 Respuesta en tiempo y respuesta en frecuencia

3 Efecto de un sistema LTI sobre la seal de entrada

4 Respuesta en frecuencia de un sistema de primer orden

5 Respuesta en frecuencia de un sistema de orden n

6 Diagramas de Bode y aproximacin asinttica

7 Ancho de banda y frecuencia de transicin

8 Diagramas de Bode: Ejemplos

9 Diagramas de Bode: Resumen
Respuesta en frecuencia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Frecuencia, amplitud y fase
Respuesta en frecuencia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en tiempo y
respuesta en frecuencia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Efecto de un sistema LTI en
la seal de entrada
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en frecuencia de un
sistema de primer orden
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en frecuencia de un
sistema de primer orden
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en frecuencia de un
sistema de orden n
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Diagrama de Bode
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
aproximacin asinttica
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
aproximacin asinttica
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
aproximacin asinttica
Diagrama de Bode:
aproximacin asinttica
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ancho de banda y frecuencia de transicin
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 3
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 4
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 4
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 5 (HSPICE)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 5 (HSPICE)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
Ejemplo 6 (HSPICE)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diagrama de Bode:
RESUMEN
CONTENIDO

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Introduccin al procesamiento analgico de seales
(treinta minutos)
2 Introduccin a los sensores, actuadores y transductores
(treinta minutos)
3 Filtros activos
(una hora y treinta minutos)
4 Sensibilidad y resolucin
(una hora)
5 Diseo analgico CMOS
(ocho horas y treinta minutos) Prctica: Diseo de un espejo de corriente CMOS
Prctica: Diseo de un amplificador CMOS de dos etapas
1 Introduccin al procesamiento
analgico de seales

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Definicin de seal analgica
(seal continua, seal discreta, seal peridica, seal par, seal impar)

2 Algunas seales importantes
(exponencial creciente, exponencial decreciente, sinusoidal, modulada en
amplitud, escaln unitario, impulso unitario)

3 Sistemas analgicos
(sistema continuo, sistema causal, sistema invariante en el tiempo, sistema
lineal)

4 Integral de Convolucin, representacin en el dominio de la frecuencia y funcin
de transferencia.

5 Procesamiento analgico de seales (antecedentes).
Seales

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Seal analgica:


Una seal analgica es una seal
generada por algn fenmeno
electromagntico. Se representa
con una funcin matemtica
continua en la que vara su
amplitud y periodo. Representa
informacin en funcin del tiempo.
Seales

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Seal peridica continua:
Seal peridica discreta:
Seal par Seal impar
Seales

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Exponencial creciente
Exponencial decreciente
Sinusoidal
Modulada en amplitud
Escaln unitario
Impulso unitario
Seales y sistemas

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Sistema continuo
Sistema lineal (principio de superposicin)
Seales y sistemas

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Integral de Convolucin:

Representacin de la salida de un sistema lineal e invariante en el tiempo (LTI)
en funcin de su respuesta al impulso unitario.
Representacin en el dominio de la frecuencia:

Transformada de Fourier

Transformada de Laplace

Funcin de Transferencia.
Procesamiento analgico de seales
(antecedentes)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
El Procesamiento Analgico de Seales se refiere a cualquier procesamiento
realizado a una seal analgica mediante tcnicas analgicas, donde el trmino
"analgico" se refiere a la representacin matemtica de cantidades (o
fenmenos) mediante un conjunto de valores continuos. Representaciones
tpicas de valores analgicos incluyen voltajes, corrientes y carga elctrica en
componentes y dispositivos electrnicos. Las componentes de error y/o ruido
en estas cantidades fsicas representan errores correspondientes en las seales
representadas por tales cantidades.


Operaciones tpicas del procesamiento analgico de seales:

Amplificacin, muestreo, filtrado, derivacin, integracin, comparacin, cambio
de dominio (transformadas de Laplace, Fourier, Z, etc...).
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Sensores

2 Actuadores

3 Transductores
2 Sensores, actuadores y transductores

Sensores, actuadores y transductores

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Un sensor es un dispositivo que detecta o mide una cantidad fsica y
proporciona en la mayora de las ocasiones una salida elctrica. Lo opuesto a
un sensor es un actuador, el cual convierte una seal (usualmente elctrica) a
una accin, usualmente mecnica. Un transductor es un dispositivo que
convierte energa de una forma a otra, donde una de estas formas de energa
suele ser elctrica.

La diferencia entre sensor y transductor es sutil. Un sensor realiza una funcin
transductora, en tanto que el transductor debe de censar alguna cantidad fsica.
La diferencia radica en la eficiencia en la conversin de energa. Tpicamente,
los sensores requieren buena linealidad de respuesta an y cuando la eficiencia
sea pobre (inclusive del 0.1 %). En los transductores puede ocurrir exactamente
lo opuesto. Pero estas definiciones no son definitivas, por lo que algunos
autores manejan los mismos principios para ambos.

Los sensores se clasifican de acuerdo al principio de conversin de energa
(radiante, mecnica, elctrica, magntica, trmica, etc.), a la cantidad que es
medida, a la tecnologa empleada o bien a la aplicacin. Requieren de
descripcin sencilla del principio de transduccin para facilitar la calibracin.
Sensores, actuadores y transductores

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
El transdutor se compone en ocasiones de un elemento sensor y una parte que
convierte la energa proveniente de l en una seal elctrica. El conjunto
formado por un transductor, un dispositivo de acondicionamiento de seal (p/e
un amplificador) y un indicador es llamado de sistema de medicin. Cuando la
seal est disponible en la forma de corriente o voltaje ya acondicionado el
dispositivo suele ser llamado transmisor.

Aplicaciones: medicina, control industrial, robtica, etctera.
Se define la Resolucin de un sensor como el cambio ms pequeo que puede
detectar en la cantidad que est midiendo. Ya que la gran mayora de los filtros
proporcionan su salida en forma analgica, la resolucin queda
intrnsecamente condicionada por los circuitos de conversin analgico-digital
y por los circuitos de acondicionamiento de seal.
3 Filtros activos

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Definicin
2 Funcin de transferencia (Mdulo, fase, retraso de grupo)
3 Transmisin sin distorsin
4 Selectores de frecuencia (Pasa-bajas, pasa-banda, pasa-altas, rechaza-banda)
5 Etapas de diseo de un filtro
6 Filtros ideales
7 Filtros reales
8 Plantillas y parmetros de diseo
9 Aproximaciones (Butterworth, Chebyshev, Elptica, Bessel)
10 Desnormalizacin en frecuencia e impedancia
11 Ejemplo prctico: ondas cerebrales
12 Filtros pasivos, activos y filtros de variables de estado
FILTROS ACTIVOS (definicin)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Puede definirse un filtro como cualquier dispositivo que modifica de un
modo determinado una seal que pasa a travs de l. Algunos autores
reservan la denominacin de filtros para los dispositivos selectores de
frecuencia, es decir, aquellos que dejan pasar las seales presentes en
ciertas bandas de frecuencia y bloquean las seales de otras bandas.

Se clasifican como filtros lineales y filtros no lineales de acuerdo a si su
comportamiento puede o no modelarse matemticamente con ecuaciones
lineales.

Los filtros analgicos son aquellos en los cuales la seal puede tomar
cualquier valor dentro de un intervalo, y los digitales corresponden al caso
en que la seal toma slo valores discretos. Tambin pueden clasificarse en
filtros continuos y filtros discretos o muestreados, segn que la
seal se considere en todo instante o en instantes discretos.
FILTROS ACTIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Funcin de transferencia:

Representada mediante las transformadas de Laplace de la entrada e(t) y la salida r(t).
FILTROS ACTIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS IDEALES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS IDEALES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS IDEALES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS REALES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: Plantillas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: Plantillas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: Parmetros
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: Parmetros
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: Parmetros
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS: APROXIMACIONES
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
(Ejemplo prctico: ondas cerebrales)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
(Ejemplo prctico: ondas cerebrales)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
(Ejemplo prctico: ondas cerebrales)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS PASIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS:
(fuentes controladas y variables de estado)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
FILTROS ACTIVOS:
(fuentes controladas y variables de estado)
VCVS Filtro de variables de estado
4 Sensibilidad y resolucin

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Definiciones

2 Ejemplo prctico:
Sensibilidad de un filtro Sallen and Key

3 Ejemplo prctico:
Diseo de un Front-End de campo magntico
con resolucin de micro-Teslas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
SENSIBILIDAD
Se define la sensibilidad del parmetro P con respecto al parmetro x como:
El factor de sensibilidad se encuentra ya sea por mtodos estadsticos o bien a partir
de expresiones tericas.
A partir de la sensibilidad es posible determinar la variacin de un parmetro con
respecto a otro:
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
SENSIBILIDAD.
Ejemplo: Filtro Sallen and Key
es la ganancia del amplificador
2o es el ancho de banda de 3 decibeles 2o=B
e
o
es la frecuencia de resonancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
SENSIBILIDAD.
Ejemplo: Filtro Sallen and Key
4 variables y 2 ecuaciones grados de libertad
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
SENSIBILIDAD.
Ejemplo: Filtro Sallen and Key
La sensibilidad del ancho de banda con respecto a las variaciones en el valor nominal
de la ganancia del amplificador es proporcional al cuadrado del factor de calidad, que
puede ser muy grande. Por lo tanto, la eleccin C
1
=C
2
=1 no fue la ms afortunada.
Sensibilidad: Ejemplo 2
Front-End con resolucin de micro-Teslas para
la deteccin de campos magnticos

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Especificaciones

Rango de operacin: 5 Hz a 1 KHz.
Para 1 % de exactitud en la
medicin de corriente se requiere
resolucin de 10 T.
Se plantea como objetivo una
resolucin de 5 T.
Ruido del sensor: 3.5 mT RMS @
1KHz de BW @ I
pol
= 1.2 mA
Diseo del Front-End.
Paso 1: Clculo de la potencia de ruido

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31

5 T ---- 25 10
-12
Potencia de resolucin
3.5 T ---- 12.25 10
-12
Potencia de ruido del sensor
12.75 10
-12
Potencia de ruido del circuito de acondicionamiento
Diseo del Front-End.
Paso 2: Clculo de la sensitividad de corriente

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
B: Campo magntico
r
n
: factor de dispersin del silicio
q: carga elemental
n: concentracin de dopado del pozo
t: espesor del plato
G: factor de correccin geomtrico

G = 0.8 para L/W = 2
r
n
= 1.15

S
I
= 90 V/A T
Diseo del Front-End.
Paso 3: Clculo de la sensitividad absoluta

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
V
h
= (90 V/A) (B) (1.2 mA)
V
h
= (100 mV/T) B

S
a
= 100 mV/T
Diseo del Front-End.
Paso 4: Clculo de la potencia de ruido de los
circuitos de acondicionamiento

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Por lo tanto, cada uno de los dos
amplificadores involucrados en el
diseo del Front-End deber presentar
una potencia de ruido mxima:

P
ruido,OTA
= 6 x 10
-14
V
2
Polarizacin I
pol
Preamplificador

5 DISEO ANALGICO CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1 Transistor MOS
(modelos, regiones de operacin, caractersticas en DC y de pequea seal)

2 El espejo de corriente
(Prctica: diseo y simulacin de un espejo de corriente en HSPICE y tanner)

3 Configuraciones bsicas de amplificadores CMOS
(fuente comn, compuerta comn, drenaje comn y cascode)

4 El par diferencial

5 Amplificador operacional de transconductancia (OTA)
(amplificador ideal, no-idealidades, anlisis de pequea seal)
(Prctica: Diseo de un OTA de dos etapas y estrategias para mejorar su respuesta)
Transistor MOS
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Transistor MOS: Caractersticas en DC
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Transistor MOS:
Regiones de operacin
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31

n
: Movilidad de los electrones en el canal [cm
2
/Vs].
C
OX
: Capacitancia por unidad de rea [F/m
2
].
c
OX
: Permitividad del oxido de compuerta.
t
OX
: Espesor del oxido de compuerta.
Triodo:
Saturacin:
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Transistor MOS: Caractersticas en
pequea seal
El MOSFET acta como una fuente de
corriente i
D
controlada por el voltaje v
gs
.
Transistor MOS:
Modelos de pequea seal
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
*############################################################################################
*######## MODELOS MOSIS DE NIVEL 49 PARA TRANSISTORES AMIS DE 0.5um.
*############################################################################################
.MODEL NMOS NMOS ( LEVEL = 49
+VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 1.43E-8
+XJ = 1.5E-7 NCH = 1.7E17 VTH0 = 0.6458545
+K1 = 0.8758326 K2 = -0.0863735 K3 = 19.517147
+K3B = -7.8393631 W0 = 1E-8 NLX = 1E-9
+DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
+DVT0 = 2.7580784 DVT1 = 0.4586878 DVT2 = -0.1580747
+U0 = 455.2375561 UA = 1E-13 UB = 1.826716E-18
+UC = 2.175854E-11 VSAT = 1.525909E5 A0 = 0.6562464
+AGS = 0.1400853 B0 = 2.590299E-6 B1 = 5E-6
+KETA = -4.210703E-3 A1 = 1.408544E-5 A2 = 0.3847639
+RDSW = 1.538425E3 PRWG = 5.265651E-3 PRWB = 0.0326722
+WR = 1 WINT = 2.938526E-7 LINT = 2.262072E-8
+XL = 0 XW = 0 DWG = -2.293854E-8
+DWB = 4.66445E-8 VOFF = -0.0103394 NFACTOR = 1.0621241
+CIT = 0 CDSC = 2.4E-4 CDSCD = 0
+CDSCB = 0 ETA0 = 0.015919 ETAB = -1.83082E-3
+DSUB = 0.2305335 PCLM = 2.502833 PDIBLC1 = 1.260663E-3
+PDIBLC2 = 2.660119E-3 PDIBLCB = -0.0238723 DROUT = 0.5171882
+PSCBE1 = 6.172273E8 PSCBE2 = 1.615457E-4 PVAG = 2.63876E-3
+DELTA = 0.01 RSH = 83.8 MOBMOD = 1
+PRT = 0 UTE = -1.5 KT1 = -0.11
+KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E-9
+UB1 = -7.61E-18 UC1 = -5.6E-11 AT = 3.3E4
+WL = 0 WLN = 1 WW = 0
+WWN = 1 WWL = 0 LL = 0
+LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
+LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
+CGDO = 2.12E-10 CGSO = 2.12E-10 CGBO = 1E-9
+CJ = 4.239616E-4 PB = 0.9873011 MJ = 0.4472349
+CJSW = 3.319142E-10 PBSW = 0.1 MJSW = 0.11571
+CJSWG = 1.64E-10 PBSWG = 0.1 MJSWG = 0.11571
+CF = 0 PVTH0 = 0.0757071 PRDSW = 141.3097407
+PK2 = -0.0281147 WKETA = -0.0162998 LKETA = 5.366192E-4 NOIMOD=2)
Transistor MOS: modelo BSIM49
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
M
n1
est conectado en configuracin de
diodo (drenaje y compuerta unidos), lo
que garantiza su operacin en saturacin.
Espejo de Corriente: Principio de operacin
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
La corriente de salida es proporcional
a la corriente de entrada. El factor de
proporcionalidad es la relacin de
aspecto de los transistores.
Es posible conectar ms de un
transistor de salida.
Espejo de Corriente: Diseo
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
L
V K
I
W
sat
D
2
'
2
=
Espejo de Corriente: Simulacin
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
SEDIT
HSPICE
Espejo de Corriente: Simulacin
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADORES CMOS: Configuraciones bsicas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en DC
AMPLIFICADORES CMOS: Fuente comn
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
El espejo de corriente Q
3
-Q
2

polariza al transistor amplificador
Q
1
y funciona como carga activa.
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en DC
AMPLIFICADORES CMOS: Fuente comn
Respuesta en pequea seal y baja frecuencia
AMPLIFICADORES CMOS: Fuente comn
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Sumario

Muy alta impedancia de entrada
Muy alta resistencia de salida
Alta ganancia de voltaje
Amplificador inversor
AMPLIFICADORES CMOS:
Amplificador de Fuente Comn
AMPLIFICADORES CMOS:
Drenaje Comn (Seguidor de fuente)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Sumario

Muy alta impedancia de entrada
Baja resistencia de salida
Ganancia de voltaje cercana a la unidad
Muy alta ganancia de corriente
Amplificador no inversor
Aplicacin como buffer
AMPLIFICADORES CMOS:
Drenaje Comn (Seguidor de fuente)
AMPLIFICADORES CMOS:
Drenaje Comn (Seguidor de fuente)
Eliminando el efecto cuerpo se obtiene una ganancia ms cercana
a la unidad.
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADORES CMOS:
Amplificador de Compuerta Comn
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADORES CMOS:
Amplificador de Compuerta Comn
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Sumario

Impedancia de entrada baja
Alta resistencia de salida
Ganancia de voltaje grande
Ganancia de corriente < 1
Amplificador no inversor
Configuracin Cascode
Conexin en serie de Fuente Comn y Compuerta Comn
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Aislamiento del dispositivo de las variaciones de voltaje en la salida
Configuracin Cascode
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Par Diferencial CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Par Diferencial CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Idealmente la respuesta a una entrada en
modo comn es igual a cero.
(Rechazo del modo comn)
Par Diferencial CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en modo diferencial y
pequea seal
Par Diferencial CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Respuesta en modo diferencial y
pequea seal
Par Diferencial CMOS

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Debido a que AV
P
=0, se puede analizar al par diferencial como dos amplificadores de
fuente comn.
Par Diferencial CMOS con configuracin
cascode

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
(No-idealidades)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
(No-idealidades)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ruido equivalente de entrada

Offset: Voltaje en DC distinto de
cero cuando la entrada es nula

AMPLIFICADOR OPERACIONAL
(No-idealidades)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Slew-rate: Incapacidad de un amplificador para seguir variaciones rpidas de la seal de
entrada. Tambin se le define como la velocidad de cambio del voltaje de salida con
respecto a las variaciones en el voltaje de entrada.
Rechazo en modo comn: Razn de la ganancia en modo diferencial entre la ganancia en
modo comn expresada en decibeles.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
(Desempeo tpico de un amplificador operacional)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Margen de fase:
Grados requeridos para alcanzar 180 de fase en la frecuencia de ganancia unitaria
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
(Desempeo tpico de un amplificador operacional)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Producto ganancia-ancho de banda (BWP):
Frecuencia mxima de trabajo (frecuencia de
ganancia unitario 0dB -).
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Close-loop transfer function: ( )
) ( 1
) (
s H
s H
s
X
Y
| +
=
if |H(s = je
1
) = 1, the gain goes to infinity, and
the circuit can amplify is own noise until it
eventually begins to oscillate at frequency e
1
.
Barkhausens Criteria:
,|H(s = je
1
), = 1
Z|H(s = je
1
) = 180
o
.
The total phase shift around the loop at e
1
is 360
o
because negative feedback itself
introduces 180
o
of phase shift. The 360
o
phase shift is necessary for oscillation since the
feedback must add in phase to the original noise to allow oscillation buildup. By the same
token, a loop gain of unity (or greater) is also required to enable growth of the oscillation
amplitude.
(Basic Negative-Feedback System)
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
A negative feedback system may oscillate at e
1
if
(1) the phase shift around the loop at this frequency is so much that the feedback becomes
positive.
(2) the loop gain is still enough to allow signal buildup.
Unstable system Stable system
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Pole frequency s
P
= je
P
+ o
P
o
P
> 0, unstable with growing amplitude
o
P
= 0, unstable with constant-amplitude oscillation
o
P
< 0, stable
Root locus:
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Assuming H(s) = A
0
/(1 + s/e
0
), | is less than or equal to unity and does not depend on the
frequency, we have
( )
( )
0 0
0
0
1
1
1
) ( 1
) (
A
s
A
A
s H
s H
s
X
Y
| e
|
|
+
+
+
=
+
=

Bode plots of loop gain:
Root locus: s
P
= e
0
(1 + |A
0
)
A single pole cannot contribute a phase shift
greater than 90
o
and the system is unconditionally
stable for all non-negative values of |.
20dB/dec
10e
0
0.1e
0
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Assumingtheopen-looptransferfunction

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+
=
2 1
0
1 1
) (
p p
s s
A
s H
e e

Bodeplotsofloopgain:
20dB/dec
40dB/dec
The system is stable because ,|H, drops to below
unity at a frequency for which Z|H < 180
o
.
To reduce the amount of feedback, we decrease |,
obtaining the gray magnitude plot in the figure.
For a logarithmic vertical axis, a change in |
translates the magnitude plot vertically. Note that
the phase plot does not change.
The stability is obtained at the cost of weaker
feedback.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Small margin
Large margin
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Since Z|H reaches 135
o
at e = e
P2
,
the phase margin is equal to 45
o
.
Phase margin (PM) is defined as
PM = 180
o
+ Z|H(e = e
1
)
where e
1
is the gain crossover frequency.

Example
A two-pole feedback system is designed such that , |H(e = e
P2
), = 1 and , e
P1
, << , e
P2
,.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
For PM = 45
o
, at the gain crossover frequency
Z|H(e
1
) = 135
o
and ,|H(e
1
), = 1, yielding


( ) j
j H
j
j H
X
Y
71 . 0 29 . 0
) (
135 exp 1 1
) (
1 1

=
+
=
e e


It follows that
| |
3 . 1
71 . 0 29 . 0
1 1
~

=
j X
Y

The frequency response of the feedback system
suffers from a 30% peak at e = e
1
.

Close-loop (amplitude) frequency response for 45
o

phase margin:
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
For PM = 60
o
, Y(je
1
)/X(je
1
) = 1/|, suggesting a negligible frequency peaking. This typically
means that the step response of the feedback system exhibits little ringing, providing a fast
settling. For greater phase margins, the system is more stable but the time response slows down.
Thus, PM = 60
o
is typically considered the optimum value.
The concept of phase margin is well-suited to the design of circuits that process small signals.
In practice, the large-signal step response of feedback amplifiers does not follow the
illustration of the above figure. For large-signal applications, time-domain simulations of the
close-loop system prove more relevant and useful than small-signal ac computations of the
open-loop amplifier.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Example:
Unity-gainbuffer: PM~65
o
, unity-gainfrequency=150MHz.
However, thelarge-signal stepresponsesuffers fromsignificant ringing.
The large-signal step response of feedback amplifiers is not only due to slewing but also
because of the nonlinear behavior resulting from large excursions in the bias voltages and
currents of the amplifier. Such excursions in fact cause the pole and zero frequencies to
vary during the transient, leading to a complicated time response. Thus, for large-signal
applications, time-domain simulations of the close-loop system prove more relevant and
useful than small-signal ac computations of the open-loop amplifier.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Typical op amp circuits contain many poles. For this reason, op amps must usually be
compensated, that is, the open-loop transfer function must be modified such that the
closed-loop circuit is stable and the time response is well-behaved.
Stability can be achieved by minimizing the overall
phase shift, thus pushing the phase crossover out.
Discussion:
This approach requires that we attempt to
minimize the number of poles in the signal path
by proper design.
Since each additional stage contributes at least
one pole, this means the number of stages must
be minimized, a remedy that yields low voltage
gain and/or limited output swings.
(1) Moving PX out
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procedimiento de diseo de un amplificador de dos
etepas. Paso 1: Clculo de la transconductancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
El diseo comienza satisfaciendo la
especificacin de ruido trmico.
(El ruido de baja frecuencia se reduce
incrementando el largo y ancho de los
transistores M
1
, M
2
, M
3
y M
4
.)
Se satisface la componente
de ruido requerida
Procedimiento de diseo de un amplificador de
dos etepas. Paso 2: Clculo de C
C
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
A partir de la especificacin del
producto ganancia-ancho de banda y
de la transconductancia encontrada en
el Paso 1 se calcula el capacitor de
compensacin.
Se satisface el producto
ganancia-ancho de banda
Procedimiento de diseo de un amplificador de
dos etepas. Paso 3: Clculo de W
1
/L
1
=W
2
/L
2
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
A partir de la especificacin del Slew-
Rate y la capacitancia de carga C
L
se
calculan las corrientes I
1
e I
8
.
Se satisface el Slew-Rate
I
D8
=I
D5
Con I
D1
y la transconductancia
determinada en el Paso 1 se obtiene la
relacin de aspecto W
1
/L
1
.
Procedimiento de diseo de un amplificador de
dos etepas. Paso 4: Clculo de W
5
/L
5
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
A partir de la expresin del margen de
fase y de la carga y el producto
ganancia ancho de banda se
determina la transconductancia g
m5
.
Con esta transconductancia y con el
valor de I
D8
encontrado en el Paso 3 se
obtiene la relacin de aspecto W
1
/L
1
.
Se satisface el Margen de fase
Procedimiento de diseo de un amplificador de
dos etepas. Paso 5: Clculo de R
C
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
La resistencia R
C
se calcula a partir de
la transconductancia g
m5
mediante:
Se cancela el cero parsito
Procedimiento de diseo de un amplificador de
dos etepas. Paso 6: Clculo de W
3
/L
3
=

W
4
/L
4
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Se corrige el offset sistemtico
I
D1
=I
D2
=I
D3
=I
D4
=0.5I
D7
Para establecer el voltaje de salida en
DC en el nivel de tierra analgica se
debe satisfacer:
Lo que se satisface mediante:
Los valores de L
3
y L
4
se eligen
pequeos si se requiere de un bajo
consumo de rea de silicio, o bien
largos si se requiere minimizar el ruido
de baja frecuencia.
Procedimiento de diseo de un amplificador de dos
etepas. Paso 7: Clculo de W
6
/L
6,
W
7
/L
7
,

W
8
/L
8
e I
B
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Dado que se conocen I
D7
e I
D8
es
posible determinar W
7
/L
7
y W
8
/L
8

mediante:
Se tiene un grado de libertad para
elegir I
B
en funcin de W
6
/L
6
:
Amplificador de dos etepas.
Estrategias para incrementar ganancia y ancho de banda
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
L = 1.2 m
I
bias
= 50 A
V
sat
= 0.2 V
2 2
L
V K
I
W
sat
D
2
'
2
=
Amplificador de dos etepas.
Diseo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
L = 1.2 m
I
bias
= 25 A
V
sat
= 0.1 V
g
m4
= 526 A/V
2 2
4 4
Amplificador de dos etepas.
Diseo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
L = 1.2 m
I
bias
= 25 A
V
sat
= 0.25 V
4 4
2 2
2 2
Amplificador de dos etepas.
Diseo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
2 2
2 2
4 4
12
6
G
m4
= 526 uA/V
G
m6
= 1293 uA/V
C
L
= 1 pF
C
c
= 1 pF
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Amplificador de dos etepas.
Diseo 1
L
7
=1.2 m V
GS
=1.5 V W
7
=45 m
Ganancia: 74.25 dB =5158 V/V
Margen de fase: 54.2
BWP=f
T
: 32.3 MHz
BWP=f
T
: 83 MHz
Terico
Amplificador de dos etepas. Diseo 1
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ganancia: 82.29 dB =13016 V/V
Margen de fase: 69
BWP=fT: 13.48 Mhz

Estrategia para incrementar
la ganancia:
Duplicar L y W de los PMOS

Estrategia para mejorar margen
De fase: separar aun ms gm4
y gm6, y separar los dos polos
Aumentando Cc.

M3=4M2
M6=8M5
Cc=5 pF

Estrategia para incrementar la ganancia y
mejorar el margen de fase
Diseo 2: Incrementar L, W y C
C
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ganancia: 80.1 dB =10129 V/V
Margen de fase: 55
BWP=fT: 34 Mhz


Estrategia:
Duplicar Ibias
Reducir Cc=3 pF


Se dejaron los PMOS duplicados
En L y W

Estrategia para incrementar la frecuencia.
Diseo 3: Incrementar la corriente

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ganancia: 98.4 dB =93176 V/V Margen de fase: 60 BWP=fT: 15.8 Mhz

Idntico al diseo 2 pero con Transistores cascode en la etapa de salida.

Vbn = 0 V Vbp = -0.2 V
Estrategia para incrementar la ganancia.
Diseo 4: Transistores cascode

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ganancia: 151 dB =35,481,338 V/V Margen de fase: 55 BWP=fT: 15.3 Mhz
Idntico al diseo 4 pero con Transistores cascode en la primera etapa
Vbn = 0.2 V Vbp = -0.2 V
Estrategia para incrementar la ganancia.
Diseo 5: Ms transistores cascode

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Ganancia: 84.7 dB =17238 V/V Margen de fase: 65 BWP=fT: 12.8 Mhz
El Polo dominante est en el node de salida. Si la carga y la resistencia de salida son grandes el
sistema es estable. De lo contrario, se puede usar un capacitor Cc entre P1 y P2, P1 resulta
dominante.
CL=5 pF. Vbn = 0.2 V Vbp = -0.2 V
Diseo 6: Amplificador de una etapa con
transistores foldeados

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diseo 7: Amplificador de una etapa con
transistores foldeados y gain boosting
(Diseo en 90 nm)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diseo 7: Amplificador de una etapa con
transistores foldeados y gain boosting
(Diseo en 90 nm)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1
N
i S D B
G i S D B
i
T T T T
C C C C
V V V V V
C C C C
=
= + + +

B D S n T
C C C C C C C + + + + + + = ...
2 1
V
2
V
i
V
n
V
D
V
S
V
B
V
B
V
1
V
n
V
B
V
1
V
2
V
i
V
B
V
S
V
D
C
C
C
S
B
D
1
2
i
n
D
S
G
Entradas (1...i...n). Poly II
Puerta flotante (G). Poly I
Drenador y fuente. Difusion
TRANSISTORES DE COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
1
Transistores
NMOS
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
2
Transistores
PMOS
Transconductancias
1a y 2a etapas
C
L
/C
C
<<g
m2
/g
m1
(Estabilidad)
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
3 Polarizacin: VDD = 1.8 V, Vagnd = 1.2 V
Ibias = 200 A, 0.8C
L
= C
C
= 0.8pF
R
C
= 1/g
m
= 1.1KO
4 FGT: C
1
/(C
1
+C
2
) VDD = 1.2 V, C
1
=mC
2

m=2
Para el CMFB: C
1
=C
2
, 0.5(V
op
+V
on
)=1.2

El Diseo con QFGT es idntico, pero con Cqfg = 0.5pF, RG a
partir de un transistor de dimensiones mnimas y Vb = 1.2 V
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
C
GS
C
GD
Modelo
(J. Ramirez Angulo)
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
OTA DE DOS ETAPAS CON TRANSISTORES DE
COMPUERTA QUASI-FLOTANTE
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Diseo en modo corriente

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
W/L = 15/1.2 I
bias
= 25 A VDD = 3 V
Cf = 10pF gm = 2Ibias/vsat = 381E-6

fc=gm/(2tCf)=6 MHz
f m
f m
in
out
C g s
C g
I
I
+
=
Filtro pasa-bajas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
f m
f m
in
out
C g s
C g s
I
I
+

=
W/L = 15/1.2 I
bias
= 25 A VDD = 3 V
Cf = 10pF gm = 2Ibias/vsat = 381E-6
Vbn = Vbp = 1.5 V
Filtro pasa-altas
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
f m
f m
in
out
C g s
C g s
I
I
+

=
W/L = 15/1.2 I
bias
= 25 A VDD = 3 V
Cf = 10pF gm = 2Ibias/vsat = 381E-6
Vbn = Vbp = 1.5 V
Filtro pasa-todo
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Vbn=Vbp=1.5V, Ibias=5 A,
VDD=3 V, W/L=15/1.2, Rf=100KO
f eq
C A C ) 1 ( + =
) 1 (
1
) 1 (
1
A sC I
V
Z
I A I
I
sC
V V
f X
X
C X
C
f
Cf X
+
= =
+ =
= =
Multiplicador de capacitancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Rojo: Filtro RC sin multiplicador de capacitancia
Amarillo: Filtro RC con multiplicador de capacitancia

Multiplicador de capacitancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
W/L = 15/1.2 I
bias
= 50 A VDD = 1.5 V
VEE=-1.5 V Cf = 10pF RL = 20 KO
xy
L
W K
I
out
2
'
=
Multiplicador de transconductancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
) V
Multiplicador de transconductancia
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Vx = 0.05sin(2000tt) V
Vy = 0.05sin(20000tt) V
Multiplicador de transconductancia mejorado
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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N
1
, N
2
, N
4
, P
1
y P
2

representan espejos de
corriente simples tipo N
y tipo P.

P
3
y N
3
son espejos de
corriente programables
con ganancias m
a
y m
b

controladas por
corrientes I
ma
e I
mb
,
respectivamente.
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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Realizacin de N
3
(para P3 se cambian los transistores M
n1
y M
n2
por transistores M
p1
y M
p2
)
Expansin en serie alrededor de I
in
=I
a
:
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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Realizacin de AV

(para P3 se cambian los transistores M
p1
por transistores M
n1
y la corriente I
mb
por I
ma
)
Expansin en serie alrededor de I
mb
=0.5I
bias
:
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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Combinando las dos expansiones en serie se obtiene una dependencia
aproximadamente lineal de la ganancia de corriente en funcin de I
mb
:
Control de I
ref
Control de I
aux
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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Control de I
mb
Control de I
ma
Generador de Funciones de Membreca con
seales de control en modo corriente

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Control de I
sat
Generador de Funciones de Membreca de bajo
voltaje con seales de control en modo voltaje

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N
1
, N
2
, N
3a
, N
3b
, N
4
y P
3
representan
espejos de corriente simples tipo N y
tipo P (N
3a
con dos salidas I
x
).

P
V1
, P
V2
y P
V3
son convertidores
voltaje-corriente lineales con
ganancia +.

P
b
es un espejo de corriente
programable en modo diferencial,
controlado por los voltajes
balanceados V
tune1
y V
tune2
.
Generador de Funciones de Membreca de bajo
voltaje con seales de control en modo voltaje

Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Espejo de corriente programable
de bajo voltaje
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Generador de Funciones de Membreca de bajo
voltaje con seales de control en modo voltaje

Control de V
mb
Control de V
aux
Procesamiento y acondicionamiento analgico de seales mediante tcnicas CMOS ......................... p. 31
Generador de Funciones de Membreca de bajo
voltaje con seales de control en modo voltaje

Control de V
sat
Control de V
ref
Espejo de corriente programable

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Principio de operacin:
Transistores operando en saturacin.
Se produce una diferencia de potencial entre los
voltajes V
GS
de los transistores M
1
y M
2
. La ganancia
de corriente resultante es:
El trmino cuadrtico se cancela con arreglo
diferencial.

Fuentes de voltaje flotantes (controladas mediante los
voltajes complementarios V
tune1
y V
tune2
).
Espejo de corriente programable

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Fuentes de voltaje flotantes:
M
3
, M
4
operando en saturacin.
M
5
, M
6
operando en triodo.

(W/L)
M3
=(W/L)
M4
, (W/L)
M5
=(W/L)
M6

(W/L)
M3
=m (W/L)
M5

I
3
=I
5
:
Resolviendo la ecuacin cuadrtica:
Expansin en serie con:
Espejo de corriente programable

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Expansin en serie:
Sustituyendo AV en A
i
(para un arreglo diferencial):
Espejo de corriente programable

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Espejo programable en modo diferencial:
Para mejorar la linealidad aun ms se utilizan arreglos de linealizacin mediante QFGT.
Espejo de corriente programable Clase AB
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Gracias por su atencin

Dr. Carlos Muiz Montero
carlosmm2k@gmail.com