Tecnologa Electrnica

El transistor

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Componentes electrnicos: El transistor bipolar

Introduccin Tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar El fototransistor Conclusiones

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Fundamentos

El transistor es un dispositivo electrnico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

El trmino "transistor, es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

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Tipos de transistores
NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Juncin Transistor). Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control para obtener la seal y su comportamiento como dispositivo conmutador. Estos solo funcionan cuando estn en polarizacin directa (se dice que estn en saturacin) y en polarizacin inversa no funcionan (se dice que estn en corte). A base de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

Tecnologa Electrnica Pueden ser de dos tipos: NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas.
Su diferencia radica en la direccin del flujo de la corriente, indicada por la flecha que se ve en ambos grficos.

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Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar esta formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por un regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor: Que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopadas, comportndose como un metal. Base: La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: De extensin mucho mayor.

NPN

PNP

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La tcnica de fabricacin mas comn de un transistor es por la disposicin epitaxial. La funcin normalmente, es la unin base-emisor esta polarizada directamente, mientras que la base-colector en inversa.

Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

+ -

+
+

+ +

+ +

+ +

P
Concentracin de huecos

+ -

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor

Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

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TRANSISTOR PNP

P y N refirindose a las cargar mayoritarias dentro de las diferencias del transistor. Son muy pocos utilizados debido a que NPN brindan un mejor desempeo. PNP consiste en un capa material semiconductora dopada N entre dos capas de material P Operacin PNP son desde el colector a masa y el emisor al terminal positivo de la fuente.
Smbolo PNP Circuito PNP

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.

En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

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Transistor NPN. Dispositivos de dos uniones semiconductoras, formando tres zonas. Transistores que tiene una regin P entre 2 regiones N. Un transistor bipolar cosiste en 3 regiones semiconductoras dopadas. Regin emisor, regin de la base, regin colector. Las regiones pueden se de tipo P-N-P o N-P-N segn se como corresponda. La base esta localizada fsicamente entre el emisor y colector. El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico, esto quiere decir que el intercambio de colector a emisor deja de funcionar de manera activa.

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La falta de simetra es principal a las tasas de dopaje. emisorcolector, emisor + dopaje, colector ligeramente dopado esto permite aplicar gran tensin de reversa, colector-base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, y los actuales estn fabricados silicio. NPN, uno de los dos tipos de transistores bipolares. N y P portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. En la actualidad NPN, son los mas utilizados debido a la movilidad del electro es mayor, permitiendo + corriente y velocidades de operacin.

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Simbologa NPN

Circuito NPN

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:

IC
+ VCB + VBE

IC, IB, IE

VCE, VBE, VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: IE = I C + I B

IB

VCE

IE

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

VCB = VCE - VBE

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE IB

IC + IB

+ VBE

VCE

VBE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC + IB

IC

IB VCE

+ VBE

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura

h1 - h2

h1

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC + + VBE Zona de saturacin Zona activa: IC=IB IB (A)
400

IC (mA)
40

IB

VCE

30
20 10 1 2

300
200 100 0 VCE (V)

Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE IC + + VBE VBE IB

IB

VCE

Ideal

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + + VBE IB VCE -

Zona activa
VBE

+ + IB IB

VCE -

IC

IC

Zona de saturacin
IB VBE

+ + IC=0 IB

IC<IB VCE=0
+

VCE

Zona de corte
VBE

IB

VCE -

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital

12 V 36 W

12 V

3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) IB = 40 mA

ON

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC IB -

IC

VEB +

IB

VEC VEB +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC
-

IC

VEB +

IB

IB VEC

VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

12 V 36 W 40 mA 12 V I

= 100
3A 12 V 36 W

3A
12 V I

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales (NPN)

Activa Avalancha Secundaria
IB6 IB5

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
CMax

Saturacin
IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0

Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX VCE-MAX Corriente mxima de colector Tensin mxima CE ICMAX B E PMAX C

PMAX
VCE-SAT HFE

Potencia mxima
Tensin C.E. de saturacin Ganancia

SOAR
VCE-MAX

VCE
rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

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El fototransistor

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El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

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El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.