Anda di halaman 1dari 17

KARAKTERISTIK DARI THIN FILM

Dalam pelapisan tipis, beberapa sifat dan karakter penting :


A. KETEBALAN LAPISAN TIPIS Biasanya diukur dengan vibrasi kristal didalam vakum. Alat ukur ketebalan ini juga dipakai untuk memonitor dan mengatur laju deposisi. Lebih teliti daripada kuarsa ini adalah INTERFERENSI OPTIK.

B. KEKERASAN LAPISAN TIPIS Biasanya diukur dengan cara Mikrohardness tester dengan intender vickers (VHN) = Vickers Hardness Number. Kekerasan lapisan tipis ini tergantung dari substratnya. Kekerasan inilah yang penting dalam pelapisan tools, karena makin keras suatu bahan makin baik dapat dipakai untuk memotong dan mengebor dan makin besar pula daya tahannya, artinya tidak mudah aus.

C. DAYA LEKAT LAPISAN TIPIS Suatu lapisan tipis dapat saja mempunyai kekerasan yang besar mendekati kekerasan intan, namun jika daya lekatnya kecil, ke ausannya menjadi besar pula, sehingga tidak dapat dipakai untuk tools. Daya lekat Thin Film tergantung pada bahan substrat yang dilapisi. TiN misalnya mempunyai daya lekat yang sangat besar pada HSS, sehingga cocok sebagai Wear resistant coating D. KETAHANAN TERHADAP KOROSI E. SIFAT LISTRIK DAN MAGNET F. KELELAHAN : Perubahan berulang kali baik secara mekanis maupun suhu sering menyebabkan kelelahan pada benda. Dalam hal lapisan tipis ketebalan dapat terlihat dengan adanya keretakan keretakan mikro.

G. SIFAT OPTIS :

1. Reflektansi, absorbsi, Transmitansi dll.


Sifat ini penting sebagai bahan optik. 2. Umpamanya TiN sering dipakai untuk melapisi frame kacamata, jam tangan karena mempunyai warna ke Emasan, juga coating pada kaca jendela dan kaca mata untuk meneruskan atau merefleksikan suatu warna.

H. KEKERASAN PERMUKAAN : yang berperan agar benda yang dibor misalnya dengan mata bor yang dilapisi tidak terdeformasi dan tidak menjadi terlalu panas. Dengan demikian kecepatan putar bor dapat dipertinggi dan pengerjaan pengeboran / pembubukan dapat diperbesar sampai 3 kali lipat tanpa mengganggu hasil pengeboran. KEADAAN VAKUM 1. Vakum rendah : 1000 1 mbar 2. Vakum sedang : 1 10-3 mbar 3. Vakum tinggi : 10-3 10-7mbar 4. Vakum sangat tinggi : < 10-7

Law Vacum Medium Vacum High Vacum Ultra High Vakum

: 700 25 Torr : 25 10-3 Torr : 10-3 10-6 Torr : Below 10-9 Torr

1 atm = 1,013 x 105 N/m2 = Pa 1 atm = 1,013 bar 1 torr = 1 mmHg = 1 / 760 atm
II. SUMBER SUMBER RESISTIVITAS PADA KONDUKTOR METAL

A. Temperatur Teori elektronik quantum modern konduksi listrik pada metal disebabkan oleh elektron elektron, sementara resistivitas listrik dihasilkan oleh hamburan elektron elektron tersebut oleh kisi.

Resistivitas : adalah derajat ketidaksempurnaan kisi metal tetapi bagaimana pun tak ada kisi yang sempurna, elektron selalu mengalami hamburan pada saat melewati zat padat. Kisi yang tidak mempunyai cacat struktur dan tidak mempunyai atom asing pun, tidak dapat teratur sempurna diam, tetapi akan mengalami vibrasi sekitar posisi rata ratanya. Hal ini tepat bila digunakan TEMPERATUR DEBYE dalam menerangkan interaksi antara elektron elektron dan mode vibrasi yang bermacam macam dari kisi (phonon). Temperatur Debye D didefenisikan D = h max./k Pada temperatur rendah (T<<D) resistivitas bervariasi dengan Tn (n mendekati 5) dan pada temperatur tinggi (T>>D), resistivitasnya bervariasi secara linier terhadap T. Untuk sebagian besar metal temperatur debye berharga mendekati atau di bawah temperatur kamar, maka dari itu variasi temperatur terhadap resistansi di atas 250C mendekati linier.

Hal ini membuat mungkin untuk mendefenisikan temperatur koefisien resisitansi (TCR),

1 R R T

R = Resistansi () B. CACAT TITIK (POINT DEFECT) Atom impuritas yang menyelusup masuk dalam metal umumnya akan membawa muatan listrik efektif yang berbeda dengan logam induknya. Hal ini akan membuatnya berkelakuan sebagai sumber dari hamburan elektron, resistivitas bertambah dengan naiknya konsentrasi impuritas dan mencapai maksimal pada komposisi. Alloy mendekati 50% impuritas sistem perak emas . LIHAT GAMBAR DIBAWAH.

Resistivity

Komposisi (%) Resistivity

Komposisi (%)

C. KETIDAKSEMPURNAAN STRUKTUR (STRUCTURAL IMPERFECT)

Kontribusi resistivitas disebabkan kekosongan dan penyisipan (intertisial). 1. Material bulk pada suhu mutlak T mempunyai ketidaksempurnaan dalam orde e -w/kT dimana w adalah energi aktivasi untuk pembentukan ketidaksempurnaan. 2. Pada thin film pada ketebalan yang cukup besar dibentuk pada kondisi vakum yang baik dan bersih menjukkan resistivitas > beberapa % dari bulknya 3. Phase insulating dapat hadir/timbul bila impuritas yang cukup besar dan terkonsentrasi pada batas butir.

D. Hukum Matthiessen (Matthiessen rule)

Hukum ini menyatakan bawa resistivitas sampel akan merupakan penjumlahan dari masing masing kontribusi yang dibuat oleh semua sumber sumber resistivitas, resistivitas residual adalah jumlah resistivitas diluar pengaruh temperatur, yang ditulis,

T temp residual

T Temp Po str

Pengukuran Resistivitas Film


1. Four Point Probe(FPP) Metode 4 titik Probe ini adalah salah satu jenis alat yang bisa dilakukan untuk mengukur resistansi dari thin film. Four point probe (FPP) terdiri dari 4 buah probe dengan 2 Probe berfungsi untuk mengalirkan arus listrik dan probe lain untuk menukut tegangan listrik saat dikenakan sampel.
Amperemeter Voltmeter

Thin Film

Substrat

Skema Four Point Probe

Tekhnologi Film Tipis

Dimana ke empat probe dapat digerakkan naik-turun untuk mengenai permukaan thin film, Gerak naik untuk melepaskan sentuhan dari thin film. Susunan FPP yang digunakan terdiri dari 4 metal Tungsten yang sama jaraknya antar ujungnya dengan radius terbatas. Ujungnya berbentuk bulat. Dalam pengukuran resistansi thin Film dengan metode FPP dapat digunakan untuk menentukan Specific resistivity dari bahan thin Film.
Rs = Resistansi Sheet

Dimana V dan I di dapat di pengukuran sehingga resistivity dapat dihitung dengan persamaan
= Rs . d d = Ketebalan Rs = Resistansi

2. Two Point Probe (TPP) juga dapat dilakukan untuk pengukuran Resistansi thin Film, dalam pengukuran ini di lakukan dua kali dengan 2 alat : alat ukur tegangan (Voltmeter) dan alat ukur arus (Amperemeter) secara terpisah namun hasil Resistansi sama dengan pengukuran resistansi dengan alat FPP.
I
V

Thin Film
Substrat

Tekhnologi Film Tipis

Dalam perhitungan resistansi thin Film dengan metode ini dapat digunakan untuk menghitung specific resistivity dari bahan thin Film.

Jika L = b (di buat)


b

L t Thin Film

Rs = resistansi sheet t = ketebalan = resistansi


Tekhnologi Film Tipis

3. Metode Van der Pauw Metode Van der Pauw dapat digunakan untuk menentukan specific resistivity thin film.
a Thin Film d

Iab

Vcd b
Substrat

Tekhnologi Film Tipis

Dimana 4 kontak yaitu A, B, C, D yang diletakkan pada permukaan sampel. Pengukuran dilakukan dengan memberikan arus pada titik A, B dan mengukur tegangan pada titik C, D KEMUDIAN Arus diberikan pada titik B, C dan tegangan di ukur pada titik A, D (lihat gambar)

Tekhnologi Film Tipis

Kemudian untuk menentukan menggunakan pers :

specific

resistivity

dengan

Dimana f = faktor loreksi Van der pauw RAB , cd f = --------------------RBC , AD d = Ketebalan

Tekhnologi Film Tipis