N
D
E
S
A
T
U
R
A
C
I
N
Curvas caractersticas
V
CE
=10V
V
CE
=20V
V
CE
=1V
Caractersticas
de base
V
BE
[V]
0,4 0,6 0,8
I
B
[A]
0,2
0
20
40
60
80
0
V
CE
[V]
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
Caractersticas
de colector
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
Factor de amplificacion
Ganancia de corriente en emisosr comun
B beta
Relaciones entre beta y alfa
Se cumplen las siguientes relaciones:
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):
E C C B E
I I I I I o = + = ;
B B C C B E C
I I I I I I I |
o
o
o o =
= + = =
1
) (
El factor | se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn, y en las especificaciones tcnicas
se lo suele denominar h
FE
.
B
C
I
I
= |
El factor o se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
Limites de operacion
Para cada transistorhay una region de
operacin sobre las caracteristicas, las
cuales aseguran que no se rebasen los
valores maximos y que la seal de salida
hexiba una distorsion minima.
Todos los limites de operacin para un
transistor se definen en las hojas de
esoecificaciones.
Transistor como
conmutador
Lmites de operacin
Para cada transistor,
existe una zona de
operacin, dentro de
la cual debe trabajar,
para que exhiba una
distorsin mnima.
En la siguiente
caracterstica se
muestra un aspecto de
lo indicado:
R
E
G
I
N
D
E
S
A
T
U
R
A
C
I
N
ZONA DE
RECHAZO
REGIN DE CORTE
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
ZONA DE
TRABAJO
COMO AMPLIFICADOR
V
CE
[V]
V
CEmx
P
Cmx
I
Cmx
V
CEsat
I
CEO
Lmites de operacin
Todos los lmites de operacin para un transistor vienen
definidos en sus hojas de especificaciones tcnicas. Entre las
ms relevantes pueden citarse:
corriente mxima de colector: Normalmente figura en las
especificaciones como corriente continua de colector.
voltaje mximo entre colector y emisor, V
CEO
: Indica el voltaje
mximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
est desconectada o polarizada inversamente.
V
CE mnimo
: Indica el voltaje V
CEsat
o voltaje mnimo que se
puede aplicar para no caer en la zona de saturacin.
P
C mx
: Representa la mxima potencia de disipasin del
colector (y define la curva azul de la grfica anterior).
Caractersticas de operacin
Un transistor no slo puede trabajar como amplificador, sino
tambin como conmutador, hacindolo trabajar entre las
regiones de corte y saturacin.
Se dice que un transistor est en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :
Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el
transistor est en estado de bloqueo.
V V y E V I I
BE C CE C B
7 , 0 ; 0 ; 0 < = = =
El transistor como conmutador
Por otra parte, se dice que un transistor est en saturacin
(para el mismo circuito) cuando :
B FE C BE CEsat
I h I e V V V V s = = 7 , 0 ; 2 , 0
El comportamiento de un transistor en saturacin es
equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operacin, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de V
BE
=0,7V y
V
CEsat
=0,2V son valores tpicos empleados en los clculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.
Caractersticas de operacin
Existen configuraciones comerciales que tienen en el mismo
ensamble- un fotodiodo (emisor) y un fototransistor
(receptor). A pesar que pueden operar en forma lineal, la
forma ms usada de esta configuracin es como conmutador,
permitiendo que el transistor pase del corte a la saturacin,
cuando se aplican pulsos de corriente al fotodiodo.
Configuracin tpica
Fototransistores y
optoaisladores
La forma de utilizar estos dispositivos es:
Configuracin tpica
R
R
Vcc
+
+
E
D
Pulsos de
Entrada
Pulsos de
Salida
Fin
Prxima Clase
POLARIZACION EN CD DEL TRANSISTOR
BJT