EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

TRANSISTORES (Panormica)
BIPOLARES
NPN

PNP
EFECTO DE
CAMPO
UNIN
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)
TRANSISTORES
* FET : Field Effect Transistor
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
N P N
Colector
(C)
Base
(B)
Emisor
(E)
En principio un transistor bipolar est formado
por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos
deben de cumplirse dos condiciones.

1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).

2.- El emisor debe de estar muy dopado.

Normalmente, el colector est muy poco
dopado y es mucho mayor.
N
+

P
N
-

C
E B
ASPECTO MAS REAL DE UN
TRANSISTOR BIPOLAR
IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simtrico
C E
B
SMBOLO
Descubiertos por
Shockley,
Brattain y Barden
en 1947
(Laboratorios
Bell)
I
C
[mA]
V
CE

I
B
[mA] =
0
10
20
C
E
B
30
3000
2000
1000
= 100
CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN
ZONA DE
SATURACIN:
Comportamiento
como interruptor
cerrado.
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:
Emisor y colector intercambias
papeles.
Podemos tener una
INVERSA
, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero
ZONA DE CORTE:
Comportamiento
como interruptor
abierto.
ZONA ACTIVA:
Comportamiento
como Fuente de
Corriente.
I
C-MAX
Corriente mxima de colector

V
CE-MAX
Tensin mxima CE

P
MAX
Potencia mxima

V
CE-SAT
Tensin C.E. de saturacin

H
FE
Ganancia
TRANSISTOR BIPOLAR:
PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
I
CMAX

P
MAX

V
CE-MAX

SOAR
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
I
C

V
CE

C
E
B
Reles
Transistores de Potencia
El voltaje de entrada Vin determina cuando est abierto impidiendo el
flujo de corriente por la carga o cerrado permitiendo el flujo de corriente.
V
BE
> 0.7 voltios para que haya conduccin del Transistor.
V
BE
< 0.3 para asegurar el corte del Transistor.

El Transistor como Interruptor
En la siguiente figura.
a. Cul es la magnitud del voltaje de entrada necesario para cerrar el interruptor
(saturar el transistor)?
b. Cunta corriente circula por la carga cuando esto sucede?
c. Cul es la magnitud de la corriente de base necesaria?

El Transistor como Interruptor
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
12 V
36 W
3 A
I
12 V
12 V
36 W
3 A
I
= 100
40 mA
Sustituimos el interruptor principal
por un transistor.

La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la zona de
saturacin.

Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema
lgico.

Electrnica de Potencia y Electrnica
digital
I
B
= 40 mA
4 A
I
C

V
CE

3 A
PF (OFF)
12 V
PF (ON)
ON
OFF
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V
12 V
36 W
3 A
I
12 V
12 V
36 W
3 A
I
= 100
40 mA
I
B
= 40 mA
4 A
I
C

V
EC

3 A
PF (OFF)
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un
transistor.

La corriente de base (ahora circula al
reves) debe ser suficiente para
asegurar la zona de saturacin.
12 V
PF (ON)
ON
OFF
Avalancha
Primaria
I
C
V
CE
V
CEMax
I
CMax
P
Max
= V
CE
I
C
1V
Avalancha
Secundaria
Saturacin
I
B6
I
B5
I
B4
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= 0
Corte
Activa
I
B
V
BE
V
CE
= 0
V
CE1
V
CE2
Caracterstica
de Entrada
Caracterstica
de Salida
CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP
V
CE
= 1500
I
C
= 8
H
FE
= 20
TOSHIBA
TRANSISTOR BIPOLARES
Interruptores en serie y paralelo