1

4- IMPERFEIES CRISTALINAS
ASSUNTO
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
- Defeitos de interface (gro e
maclas)
- Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)
2
O QUE UM DEFEITO?

uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.
3
IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Apenas uma pequena frao dos stios
atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

4
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIA-
DEFEITOS
INTRODUO
SELETIVA
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
Permite desenhar e criar novos materiais
com a combinao desejada de propriedades
5
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presena
de imperfeies

o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento
na resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
6
IMPERFEIES ESTRUTURAIS


So classificados de acordo com sua
geometria ou dimenses
7
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas
dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses
8
1- DEFEITOS PONTUAIS

Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel
Ocorrem em slidos inicos
9
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)
10
VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT)
Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de
vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x10
23
J/at.K ou
8,62x10
-5
eV/ at.K

11
INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia
12
INTERSTICIAIS
tomo intersticial pequeno
tomo intersticial grande
Gera maior distoro na rede
13
FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio
14
SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction
15
CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky


Porque necessria energia adicional para
forar os tomos para novas posies
16
IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos)
presentes

99,9999% = 10
22
-10
23
impurezas por cm
3

A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais
17
LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
18
A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas < limite de
solubilidade
Segunda fase > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza

19
Termos usados

Elemento de liga ou Impureza
soluto (< quantidade)


Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)

20
SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes
21
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas
podem ser:

- Intersticial
- Substitucional
Ordenada
Desordenada
22
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
INTERSTICIAL
23
EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A
rFe= 0,124 nm= 1,24 A



24
Solubilidade do Carbono no
Ferro
O carbono mais
solvel no Ferro
CCC ou CFC,
considerando a
temperatura
prxima da
transformao
alotrpica?
ccc

cfc

25
TIPOS DE SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA
SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
26
FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE
SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a do
hospedeiro
27
EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores



Cu

Ni

Raio atmico

0,128nm=1,28 A

0,125 nm=1,25A

Estrutura

CFC

CFC

Eletronegatividade

1,9

1,8

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2

28
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e ruptura dos materiais
29
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista
30
VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de
distoro da rede

Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia

31
2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e
compresso


32
DISCORDNCIAS EM
CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
33
DISCORDNCIAS EM
CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
34
2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia


35
DISCORDANCIA EM HLICE
36
2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE
DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE
UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
37
OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)
38
DISCORDNCIAS NO TEM
39
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
40
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
41
FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA
NA DISCORDNCIA VISTA NO
SEM
Plano (111) do InSb
Plano (111) do GaSb

42
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas
43
CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por
isso a densidade das mesmas depende da
orientao cristalogrfica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
As discordncias contribuem para a
deformao plstica
44
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
45
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
46
3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est
energia
A energia superficial expressa em
erg/cm
2
ou J/m
2
)

47
3.2- CONTORNO DE GRO


Corresponde regio que separa dois ou
mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria
48
Monocristal e Policristal

Monocristal: Material com apenas uma orientao
cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao
cristalina, ou seja, que contm vrios gros

49
LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO
50
GRO
A forma do gro controlada:
- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado
- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
51
FORMAO DOS GROS
A forma do gro controlada:
- pela presena dos gros
circunvizinhos




O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao
52
CONSIDERAES GERAIS SOBRE
CONTORNO DE GRO

H um empacotamento ATMICO menos
eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias
53
Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do
contorno de gro requer energia
DISCORDNCIA
O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois
constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL
54
CONTORNO DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias
55
OBSERVAO DOS GROS
E CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)
utiliza ataque qumico especfico para
cada material

O contorno geralmente mais reativo
56
GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
57
TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades
dos materiais
Para a determinao do tamanho de gro
utiliza-se cartas padres


ASTM
ou
ABNT

58
DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X

N= 2
n-1

N= nmero mdio de gros por polegada
quadrada
n= tamanho de gro

Quanto maior o nmero menor o
tamanho de gro da amostra
59
Existem vrios softwares comerciais
de simulao e determinao do
tamanho de gro
60
CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura
Em geral, por questes termodinmicas (energia)
os gros maiores crescem em
detrimento dos menores
61
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so
imagens especulares
dos tomos do outro
lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
62
ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.
63
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS


So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente

64
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases
65
Incluses
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)
LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
66
Incluses
SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.
67

Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
processamento por metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150oC, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO
68
EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.
CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
69
microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases
precipitadas
70
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso