CIRCUITOS DE

DISPARO
TRANSISTORES
CONEXIN EN PARALELO
(BJT)
CONEXIN EN PARALELO
(BJT)
Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual
se estima el valor de la corriente negativa que debe circular
por la base durante el tiempo de almacenamiento.
Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-
emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina I
1
de
la ecuacin 9-2.
Se calcula R
1
de la ecuacin 9-3, suponiendo que V
BB
vale unos
8 Volt. Un valor pequeo de V
BB
disminuye las prdidas en el
circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de V
BB
aumenta la influencia de V
BEon
en el circuito de base.
CONEXIN EN PARALELO
(MOSFET IGBT)
CONEXIN EN PARALELO
(MOSFET IGBT)
En el circuito a):
on
=(R1+R2)C
GS
y
off
= R2C
GS

Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas
resistencias de valor pequeo.
Aparece una disipacin de potencia importante durante t
off

debido al pequeo valor de R
1
: P
off
(t
off
/T)(V
BB
^2/R1).
En el circuito b):
on
=
off
= R
G
C
GS

No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno
de los dos transistores a la vez.
Puede hacerse R
G
muy pequea. La carga y descarga de la
capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por
tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT).
Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta
ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar
hasta 1Amp.
OPTOACOPLADORES (BJT)
El diodo D
A
sirve para evitar la saturacin completa del BJT de
potencia y as acelerar su conmutacin.
OPTOACOPLADORES
(MOSFET IGBT)
Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a
velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS
tienen una impedancia de salida alta).
Para velocidades mayores pueden usarse circuitos
especializados con impedancia de salida mucho menor, por
ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.
AISLAMIENTO ELCTRICO
(TRANSFORMADORES)
AISLAMIENTO ELCTRICO
(TRANSFORMADORES)
Si V
control
=1, aparece una seal de AF en el transformador,
cargando una vez rectificada los condensadores C
1
y C
2

V
i
=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida
V
o
=1 , haciendo que el MOS de potencia conduzca.
Si V
control
=0, no hay tensin de AF en el transformador y C
2
se
descarga por R2 V
i
=1, mientras que C
1
se mantiene en
carga (DB impide que se descargue), luego V
o
=0.
Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se
puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.
UC1707
HPL-4503
DS0026
TIRISTORES
DISPARO POR PUERTA
El mtodo ms comn para disparar un tiristor es la aplicacin
de una corriente en su puerta. Los niveles de tensin y
corriente de disparo en la puerta deben tener un rango de
valores comprendidos dentro de una zona de disparo de
seguridad.
Grficamente, en la figura 12.11 se muestra la forma tpica de
esa zona de seguridad de disparo del SCR TF521S de Sanken
Electric
DISPARO POR LUZ
Un haz luminoso dirigido hacia una de las uniones del tiristor
provoca su disparo. Son los dispositivos conocidos como foto-
SCR o LASCR y sus derivados (foto-TRIAC, opto-TRIAC, etc). El
SP-101 de Sunpower es un ejemplo tpico de un LASCR de 2 A
que precisa de una radicacin luminosa efectiva de
24mW/cm2 con una longitud de onda de 850nm para su
activacin.
DISPARO POR TENSIN DE
RUPTURA
Una aumento de la tensin nodo-ctodo puede provocar
fenmenos de ruptura que activa el tiristor. Esta tensin de
ruptura directa (V
BO
) solamente se utiliza como mtodo para
disparar los diodos de cuatro capas.
DISPARO POR AUMENTO DE
dv/dt
Un rpido aumento de la tensin directa de nodo ctodo
puede producir una corriente transitoria de puerta que active
el tiristor. Generalmente se elimina este problema utilizando
circuitos de proteccin basados en R, C o L (figuras 12.10.a y
12.10.b). Valores tpicos de dv/dt estn comprendidos entre
5V/seg a 500V/seg.

TCA-785

TCA-785