O-CAF -1- 1

Captulo 8:
Amplificadores de microondas
Objetivo: Diseo de amplificadores de microondas. Se partir de los
parmetros medidos o proporcionados por el fabricante para llegar a
construir un amplificador con las caractersticas pedidas de:
estabilidad, ganancia, ruido, ancho de banda y desadaptacin a la
entrada y salida pedida (ROE
in
y ROE
out
).
Ser indispensable, desde el punto de vista de diseo, el manejo de la
carta de Smith.
Tambin se vern caractersticas adicionales de diseo como
estrategias de polarizcin
O-CAF -1- 2
NDICE
ndice.
Dispositivos de estado slido
Introduccin.
Propiedades de la transformacin bilineal.
Criterios de diseo de amplificadores de microondas en transmisin.
Estabilidad de amplificadores de microondas: circunferencias de estabilidad.
Ganancia en amplificadores de microondas: circunferencias de ganancia.
Ruido en amplificadores de microondas: circunferencias de ruido.
Desadaptacin de entrada y salida: circunferencias de desadaptacin.
Amplificadores de banda ancha.
Polarizacin de amplificadores.
Amplificadores de potencia.
Conclusiones.

O-CAF -1- 3
DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO
La mayor parte de los dispositivos de microondas y de RF se disean en base a:
diodos de barrera Schottky, transistores bipolares y transistores de efecto de
campo FET.
Nomenclatura:
Dispositivos activos basados en transistores, FET o bipolares.
Dispositivos pasivos basados en diodos.
De modo general se pueden tomar los siguientes dispositivos y aplicaciones:
Diodo Schottky: mezcladores, multiplicadores de frecuencia, moduladores
Diodos varctores: VCOs, multiplicadores de frecuencia
Transistores bipolares (BJT): amplificadores de pequea seal (no de bajo ruido)
Transistores bipolares de heterounin (HBT): amplificadores de potencia,
osciladores de bajo ruido
Transistores de efecto de campo (JFET): amplificadores de bajo ruido, mezcladores,
osciladores y conmutadores.
MESFET: amplificadores de bajo ruido, mezcladores, multiplicadores de frecuencia,
osciladores y mezcladores.
HEMT (high electron mobility transistor): lo mismo que el FET pero en un margen de
frecuencias mayor.
O-CAF -1- 4
CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES (I)
Las caractersticas van relacionadas con propiedades como: concentracin
intrnseca de portadores, movilidad de portadores y propiedades trmicas.
Concentracin intrnseca de portadores:
Interesa que no sea muy elevada por dos razones:
Tener mayor control sobre la concentracin de impurezas.
Para tener un grado de aislamiento importante entre materiales distintos:
=q(
n
n+
p
p)
Resulta ventajoso el AsGa frente al Si
Movilidad de portadores: capacidad para transportar corriente.
En aplicaciones de alta frecuencia interesa alta movilidad (mejor AsGa que Si)
Tambin es conveniente disear dispositivos con portadores mayoritarios electrones
Efectos trmicos:
A mayor ancho de banda prohibida menores efectos trmicos (mejor AsGa que Si)
O-CAF -1- 5
CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES (II):
MATERIALES UTILIZADOS
Germanio:
Prcticamente abandonado.
La anchura del gap es menor que en el Si
Concentracin de portadores mayor que el Si
Es complicada su utilizacin en alta frecuencia (aunque la sea mayor que el Si)
Silicio (muy abundante, lo que ha desarrollado una tecnologa de Si):
Ancho del gap importante
Buena conductividad trmica y baja concentracin intrnseca
Soporta campos de ruptura mayores que el Ge
AsGa
Concentracin intrnseca ms baja que el Si y mayor movilidad de electrones.
Menor dependencia con la temperatura
Tecnologa ms compleja y de mayor coste. Comportamiento deficiente en alta
potencia.
PI
Caractersticas importantes en alta frecuencia pero todava no estn explotadas.
O-CAF -1- 6
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (I)
Un diodo de barrera Schottky es una unin metal-semiconductor con propiedades
rectificantes.
Se usa en: mezcladores, detectores y multiplicadores de frecuencia.
La combinacin metal-semiconductor presenta dos configuraciones:
Configuracin tipo contacto hmico: el metal acta como interfase
Funcin de trabajo del metal es menor que la del semiconductor.
Configuracin tipo contacto rectificante: propiedades similares a una unin p-n
Funcin de trabajo del metal es mayor que la del semiconductor.
Esto crea una barrera energtica en el sentido semiconductor- metal.
Parmetros que caracterizan al metal y al semiconductor:
Metal:
Nivel de Fermi: por debajo de ese nivel los estados estn ocupados por e
-

Funcin de trabajo: cantidad de energa que hay que aportar a un e
-
para pasar al
nivel de vaco.
Semiconductor:
Nivel de Fermi: en la banda prohibida del semiconductor (su posicin depende del
tipo de semiconductor.
Afinidad electrnica: energa para ir de la banda de conduccin al nivel de vaco
O-CAF -1- 7
Por qu se usan, en microondas, diodos Schottky en vez de diodos p-n?
La corriente viene determinada, fundamentalmente, por los portadores mayoritarios,
normalmente, electrones.
En los diodos p-n, el mecanismo de conduccin de corriente viene dado por los
minoritarios.
Cuando un diodo p-n se alimenta en directa, se almacenan portadores minoritarios en
la regin de unin; si se polariza repentinamente en inversa, antes de que el diodo
entre en corte hay que retirar la carga. Este proceso es lento como para que puedan
funcionar como rectificadores en alta frecuencia.
Suelen tener buen comportamiento como varactores.
Configuracin bsica de un diodo Schottky:
Se construye sobre un substrato n (de Si, ms comn, o de AsGa), nunca p en AF.
Por debajo de esa capa hay un contacto hmico que hace de ctodo (Au Ni)
Por encima hay una capa gruesa fuertemente dopada n+ que separa la capa epitaxial
del substrato.
Capa epitaxial levemente dopada sobre la que se deposita el metal que hace de nodo.
Se pueden ajustar los siguientes parmetros en el diodo: la seleccin del metal, forma
y rea del nodo, densidad del dopaje.
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (II)
O-CAF -1- 8
En ausencia de polarizacin:
El contacto entre nodo y semiconductor hace que fluyan e
-
del sc al metal
creando una regin vaca de carga entre metal y sc (zona de deplexin).
Esto ha creado una carga neta positiva en el metal y una neta negativa en el sc lo
que origina un campo elctrico que se opone al paso de ms e
-
de sc a metal.
En presencia de polarizacin:
La carga se mueve entre dos polos (nodo y ctodo) creando una capacidad no
lineal.
Si se aplica un voltaje positivo al nodo, disminuye la barrera y pueden pasar ms
e
-
del sc al metal. Esta corriente es altamente no lineal.
Ecuacin que define la relacin (I/V):



I
s
corriente de saturacin, de valor muy pequeo de 10
-20
a 10
-8
A; n es el factor
de idealidad (cuanto ms ideal sea el diodo, ms prximo a 1); e es la carga del
electrn (1.6*10
-19
C); k es la constante de Boltzmann (1.38*10
-23
J/K); T:
temperatura absoluta en K
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (III):
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
( )
|
|
.
|

\
|
=
(
(

(
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
>
nkT
eV
I
kT
eV
nkT
eV
I V I
j
s
e
kT
V
j j
s j j
j
exp exp 1 exp
3
O-CAF -1- 9
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (IV)
Diferencias entre diodos p-n y Schottky:
Corriente de saturacin tiene origen fsico diferente
Diodo p-n: ligada a la constante de difusin; valores muy pequeos.
Portadores mayoritarios: valores de corriente elevados con bajas V
En la barrera Schottky la conduccin es debida a un nico movimiento de portadores
(dispositivo unipolar).
No es importante la contribucin de portadores minoritarios, por lo que la capacidad
de difusin no es importante (importante en alta frecuencia)
Circuito equivalente del diodo Schottky:
L
S
depende del hilo de conexin
C
p
depende del encapsulado
g(v
j
) conductancia no lineal
C
j
(v) capacidad de deplexin
L
S
R
S

g(V
j
)
C
j
(V
j
)
C
p

( )

=
metal sc potencial de diferencia
n polarizaci V
V con capacidad C
V
C
V C
j
j j
j
j
j j


:
:
0 :
1
0
0
|
|
O-CAF -1- 10
DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY (V)
Seleccin del diodo: consideraciones (R
s
, C
j
, I
s
)
A bajas frecuencias C
j
no afecta a la rectificacin proporcionada por g(V). No
obstante en altas frecuencias tiende a ser un cortocircuito por lo que conviene reducir
su valor si se quiere mantener la eficiencia de la mezcla. Su valor es proporcional al
rea del nodo.
R
s
es inversamente proporcional al rea del nodo. Su valor est en torno a 10
El producto R
s
C
j
es ms o menos constante con el rea del nodo. Se puede definir
una figura de mrito, llamada frecuencia de corte, f
c
como:

Una forma incorrecta de seleccionar un diodo es mediante la figura de ruido,
prdidas de conversin que proporciona el fabricante ya que el diodo est claramente
limitado por las caractersticas del circuito en el que est insertado. De esta forma las
medidas proporcionadas sern muy prximas a las del test fixture.
Medidas en el diodo:
Determinacin de la pendiente de la curva I/V en milivoltios por dcada de corriente.
Para determinar R
s
(como se sabe que es del orden de 10) se ve cuando I es del
orden de 1 mA cuntas mV se separa de la recta (mV/dcada)
j s
c
C R
f

=
t 2
1
O-CAF -1- 11
DIODOS VARACTORES (I)
Es un diodo con reactancia variable que se deriva de la variacin de la capacidad
de deplexin al polarizar en inversa el diodo.
Aplicaciones:
Sintonizador fino en frecuencias de microondas para un OL
Osciladores controlados por tensin.
Amplificadores paramtricos.
Conversores y multiplicadores de frecuencia.
Dispositivos:
Diodos de unin p-n por su capacidad no lineal.
Diodos Schottky: slo cuando las capacidades de difusin son muy altas.
SRD (step recovery diodes): son dispositivos de unin p-n pero que funcionan con
polarizacin directa.
O-CAF -1- 12
DIODOS VARACTORES (II)
Circuito equivalente:
L
S
depende del hilo de conexin
C
p
depende del encapsulado
R
j
resistencia no lineal:
en inversa tiende a un abierto
C
f
es la capacidad de fugas
C
j
(v) capacidad de deplexin

Parmetros:
Voltaje de ruptura: mximo voltaje inverso antes de que se produzca disrupcin.
Frecuencia de corte en esttica: para una tensin de ruptura fija

Frecuencia de corte en dinmica: se mide en funcin de la variacin de la capacidad
cuando se aplica una tensin inversa al diodo

( )

|
|
.
|

\
|

=
. :
:
:
0 :
1
0
0
tecnolgic parmetros de ef ectos engloba
metal sc potencial de dif erencia
inversa en n polarizaci V
V con capacidad C
V
C
V C
j
j j
j
j
j j

|
|

L
S
R
S

R
j

C
j
(V
j
)
C
p

C
f

jv s
c
C R
f

=
t 2
1
mn
mx
mn
mx
s
jmx jmn
c
C
C
f
f
R
C C
f =

(
(

=
t 2
1 1
O-CAF -1- 13
TRANSISTORES BIPOLARES BJT (I)
Los BJTs se fabrican, fundamentalmente, en Si y cubre una banda desde DC
hasta valores bajos de microondas. Las prestaciones de un BJT de AsGa o InP
son peores debido a que el control de dopantes, mediante difusin, de la base es
ms difcil.
Hay dos opciones:
De homounin(BJT): el dopaje se controla por difusin, creando regiones
relativamente uniformes. Slo se puede aplicar, con resultados apreciables, en Si.
De heterounin (HBT): el dopaje se realiza mediante epitaxia de haces
moleculares, creando perfiles de dopaje muy abruptos y estrechos. Se puede realizar
en materiales como AsGa y permite alcanzar unas frecuencias bastante mayores
(10GHz).
Operacin:
Como una unin p-n con un terminal adicional.
La corriente en la unin p-n est controlada por V
BE
, pero esta corriente se recoge
por un tercer terminal: colector, con una amplificacin de dicha corriente:
B
C
I
I
= |
O-CAF -1- 14
Estructura y funcionamiento:
La regin de base es muy estrecha para reducir la resistencia y en microondas, tipo P.
La base est levemente dopada.
Las regiones de colector y emisor son largas y en microondas con dopaje tipo N. El
emisor est fuertemente dopado.
Esta estructura hace que (bajo polarizacin directa de la unin base-emisor, V
BE
>0.7)
se inyecten e
-
en la base, reduciendo la inyeccin de huecos en emisor.
Como la base es estrecha estos e
-
la atraviesan sin casi recombinarse.
Una polarizacin inversa de la unin base colector (V
BC
< varios voltios) hace que el
colector recoja dichos electrones.
TRANSISTORES BIPOLARES BJT (II)
Colector n
Base
p
Emisor n
++

V
BC
<0
V
BE
>0.7
O-CAF -1- 15
Dificultades al funcionamiento anterior:
La corriente de base (debida a inyeccin de huecos o recombinacin) es baja pero no
es 0 (se limita la ganancia de corriente)
El tiempo de paso por la base es finito por lo que se almacena carga en la base
empeorando las prestaciones debido a la capacidad base-emisor.
El BJT puede funcionar en inversa creando una unin p-n semejante a la base-
colector.
Existen elementos parsitos como capacidades de deplexin y resistencias en los
terminales.
TRANSISTORES BIPOLARES BJT (III)
O-CAF -1- 16
TRANSISTORES BIPOLARES: CARACTERSTICAS
ELCTRICAS (I)
(

|
.
|

\
|

= 1 exp
kT
V e
I I
BE
sf cf
(

|
.
|

\
|
= 1 exp
kT
V e
I I
BC
sr cr
(

|
.
|

\
|

|
.
|

\
|

=
(

|
.
|

\
|

|
.
|

\
|

= =
kT
V e
kT
V e
I
kT
V e
kT
V e
I I I I
CE BE
sf
BC BE
sf cr cf c
exp 1 exp exp exp
Caractersticas I/V en esttica establecida por la caracterstica I/V de la unin p-n
base emisor:

En operacin inversa tendramos una expresin equivalente:
La corriente total de colector ser:


El primer trmino establece el pico de la corriente de colector (V
CE
grande)
El segundo modela la corriente en funcin de la V
CE

La transconductancia ser:
Aumento de
V
CE

I
C

I
b
c
e
kT
V
BE
c
m
I
kT
e
dV
dI
G
CE
~ =
>>
O-CAF -1- 17
TRANSISTORES BIPOLARES: CARACTERSTICAS
ELCTRICAS (II)
Capacidades:
De deplexin, dada por las capacidades del diodo

De difusin originada por el almacenamiento de carga en la base



Capacidad total:
Figuras de mrito en un transistor bipolar:
Frecuencia de corte para ganancia de corriente unidad:
Frecuencia mxima (f
max
) a la que el producto ganancia ancho de banda es 1.
Otros parsitos:
Resistencias en todos los terminales
Capacidades asociadas a la unin colector-substrato
BC
BC
jc
jc
BE
BE
je
je
V
C
C
V
C
C
| |

=

=
1
;
1
0 0
|
.
|

\
|

= =
kT
V e
kT
e I
dV
dQ
C
BE
sf
BE
b
be
exp
,
t
t
je be be
C C C + =
t ,
be
m
t
C
G
f
t 2
=
O-CAF -1- 18
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (I)
Los JFETs son el punto de partida para el estudio de todos los dispositivos FET
aunque las prestaciones que tienen en microondas, los hacen inservibles.
Tipos de FET:
JFET: control en puerta por medio de una unin p-n
MOSFET: contacto metal-xido-semiconductor en puerta
MESFET: control en puerta por medio de una barrera Schottky
MODFET: barrera Schottky en puerta actuando sobre un gas de electrones.
Estructura:
Sustrato de baja conductividad de tipo p
Se difunde un canal tipo n sobre dicho sustrato con regiones n
+
en los extremos para
realizar los contactos hmicos.
Finalmente, se difunde una regin p
+
en el canal n que constituir la puerta.
O-CAF -1- 19
Funcionamiento:
La unin puerta-canal (p
+
-n) crea una regin de vaciamiento en el canal que depende
del voltaje entre puerta y fuente siempre que est por encima de un voltaje de
estrangulamiento (de pinch-off)
Un voltaje entre drenador y fuente (V
DS
) crea una corriente en el canal:
Si V
DS
es pequeo, el canal funciona como una resistencia operando el FET lineal
Conforme crece V
DS
:
Inicialmente aumenta la corriente.
V
GD
llega a ser mayor que V
GS
haciendo que se estrangule el canal por el
terminal de drenador. Esto hace que se inyecte una corriente fija en el
drenador dicindose que est saturado en corriente.
Proceso de funcionamiento de un FET:
Primero se crea el canal
Segundo se modela la corriente en funcin de V
DS


TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (II)
O-CAF -1- 20
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (III):
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
( )
( ) ( )
( )
(
(

|
|
.
|

\
|

+
=
5 . 0
5 . 1 5 . 1
3
2
,
p
gs gs ds
ds o ds gs ds
V
V V V
V G V V I
|
| |
( )
2
1 ,
(
(

=
p
gs
dss ds gs ds
V
V
I V V I
La corriente de drenador, en zona lineal, viene dada por el modelo de Shockley:
El JFET normalmente opera en saturacin, dicha corriente es independiente de V
ds
:
V
DS

I
DS

V
GS

V
GS
=0
Saturacin
Lineal
Transconductancia: una alta transcon-
ductancia es necesaria para conseguir
alta ganancia en dispositivos de pequea
seal
gs
ds
m
dV
dI
G =
O-CAF -1- 21
R
g
C
gd

R
d

C
gs

V
g

R
s

R
ds

G
m
V
g

Puerta
Drenador
Surtidor
Circuito equivalente de pequea seal
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (IV):
PRESTACIONES
Ventajas: trabaja bien para muchas aplicaciones pero en bajas frecuencias.
Inconvenientes:
El tiempo de trnsito es elevado lo que reduce el valor de la transconductancia y la mxima
frecuencia de utilizacin.
La capacidad de puerta a canal es elevada lo que reduce la mxima frecuencia de utilizacin.
Esta capacidad est compuesta de C
gd
y C
gs
y su aportacin depende de la regin de
funcionamiento.
El proceso de fabricacin es la difusin de dopantes lo que implica trabajar con Si que tiene
caractersticas de movilidad menores que el AsGa o el InP.
El proceso de difusin crea perfiles mucho menos abruptos.
Se crea otra unin p-n entre canal y substrato
O-CAF -1- 22
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (V): MESFET
Caractersticas. De los inconvenientes anteriores se derivan las exigencias:
Utilizacin de un material semiconductor con mayor movilidad que el Si. Esto
conlleva a la utilizacin de uniones Schottky que evitan los procesos de difusin y
reducen el tiempo de trnsito.
Empleo de tcnicas con capacidad de crear perfiles ms abruptos. Esto lleva a
controlar las dimensiones de forma mucho ms precisa (epitaxia haces moleculares)
Evitar el uso de una puerta tipo p (lo hace la unin metal semiconductor)
Cambio del substrato p por uno de alta resistividad.
El conjunto de estas caractersticas ha hecho acudir a otros materiales: AsGa o InP
Prestaciones:
Sobre las caractersticas del circuito en que se utiliza:
Mnima figura de ruido para valores de I
ds
del 10 al 25% de I
dss

Mnima distorsin para valores de I
ds
en torno al 50% de I
dss
Mxima ganancia para valores de I
ds
en torno a I
dss

La impedancia de fuente que proporciona mnimo ruido es completamente diferente
de la que proporciona la mejor ganancia. La ganancia y la distorsin son bastante
insensibles a la impedancia de fuente.
O-CAF -1- 23
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (VI):
MESFET, prestaciones
Prestaciones en la polarizacin de un MESFET
V
DS

I
DS

V
GS

V
GS
=0
0.15 I
DSS

0.5 I
DSS

0.9 I
DSS

Bajo ruido
Alta ganancia
Mnima distorsin
Potencia, alto rendimiento
Potencia
O-CAF -1- 24
Prestaciones (continuacin):
Impedancia de entrada:
En continua, es muy alta, igual que en los JFET
En frecuencias de microondas, el MESFET, tiene una impedancia baja. Como los
parsitos resistivos son pequeos la Q de entrada es alta lo que hace difcil su
adaptacin, directa, en banda ancha.
Resistencia drenador-surtidor del MESFET es alta en bajas frecuencias (igual que
JFET y MOSFET) pero es baja para frecuencias por encima de unos pocos de MHz lo
que le hace inservible para circuitos de baja frecuencia.
Forma de polarizacin (importante):
Tiene un voltaje de ruptura relativamente bajo con lo que hay que aislarlo fuertemente
de las posibles descargas electrostticas que puedan existir.
Es FUNDAMENTAL formar primero el canal (polarizar primero la puerta) y despus
modelar la corriente I
ds
(polarizar el drenador). Por lo tanto a la hora de polarizar un
MESFET:
Comenzar a subir suavemente a partir del pinch-off la tensin de puerta hasta que
se forme el canal.
Conectar la tensin de drenador y subir suavemente hasta alcanzar el valor de V
DS

Reducir la tensin de puerta hasta alcanzar el valor de I
DS
deseado
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (VII):
MESFET, prestaciones
O-CAF -1- 25
INTRODUCCIN A AMPLIFICADORES EN
MICROONDAS (I)
Origen: amplificadores paramtricos a reflexin construidos bsicamente con
varactores y circuladores (desde 1958 hasta dcada de 1970)
Utilizan el concepto de resistencia negativa del diodo varctor, diodo Gunn o Impatt.
Mejoras en el transistor bipolar de forma que pueda trabajar hasta 10 GHz.
Utilizacin de los transistores en transmisin con caractersticas amplificadoras.
Clave: miniaturizacin y reduccin de efectos parsitos de inductancia y
capacidad.
Z
L

Z
D
Transformador

Z
S

I
S

O-CAF -1- 26
INTRODUCCIN (II)
Desarrollo de la tecnologa de los FET:
Mayor movilidad de los dispositivos: se pueden alcanzar frecuencias mayores.
Hasta 40 GHz basados en homoestructuras.
Hasta 120 GHz basados en heteroestructuras.
Problema: efectos parsitos provocan realimentacin del dispositivo que pueden
hacerlo oscilar:
Inductancia de la fuente a masa
Capacidad entre drenador (colector) y puerta (base)
Z
S

I
S

Red de
Adaptacin
de entrada
Red de
Adaptacin
de salida
Z
L

O-CAF -1- 27
INTRODUCCIN (III)
Objetivo:
Determinacin de las impedancias de carga Z
S
y Z
L
con que es necesario cargar
el transistor, definido a partir de los parmetros S, para conseguir las
caractersticas de diseo pedidas al amplificador: estabilidad, ganancia, ruido,
desadaptacin a la entrada y a la salida (desajuste entre Z
S
y Z
in
Z
L
y Z
out
)
Medios:
Carta de Smith
Transformacin bilineal: Z
in
= f([S], Z
L
); Z
out
=f([S], Z
S
)
Z
f

I
S

Red de
Adaptacin
de entrada
Red de
Adaptacin
de salida
Z
c

Z
out

Z
in

Z
S

Z
L

[S]
O-CAF -1- 28
TRANSFORMACIN BILINEAL
Punto de partida: circunferencia de centro (x
o
, y
o
) y radio R

Notacin con nmeros complejos: z=x+jy, z
o
=x
o
+jy
o




Transformacin bilineal del plano complejo Z en el plano complejo W



Algebraicamente: circunferencias del plano Z se transforman en circunferencias
del plano W y viceversa. Comparando (1) y (2), la circunferencia |W|
2
=
2
resulta
en una circunferencia en el plano Z con centro y radio:
( ) ( ) ( ) 0 2 2
2 2 2 2 2 2
2 2
= + + + = + R y x yy xx y x R y y x x
o o o o o o
( ) ( ) 0 0
2
*
2
2
= = R Z Z Z Z R Z Z
o o o
( ) 0
2 * * * *
= + R Z Z Z Z Z Z Z Z
o o o o
(1)
0
2
* * *
* * *
2
2
=
+
+

+
+
=
+
+
=
D Z C
B Z A
D Z C
B Z A
W
D Z C
B Z A
W
( ) ( ) ( ) ( ) 0
* 2 * * * 2 * * * 2 * 2 * *
= + D D B B A B C D Z B A D C Z C C A A Z Z (2)
( )
2
2
2
2
2
2
* * 2
;
C A
C B D A
R
C A
A B C D
Z
o


=


=

O-CAF -1- 29
DISEO DE AMPLIFICADORES DE MICROONDAS
UTILIZANDO LOS PARMETROS S DEL TRANSISTOR
Un transistor viene definido por los parmetros S que da el fabricante o por las
medidas que puedan hacerse del mismo conectado a lneas de 50 ohm.
Los parmetros S varan con cualquier cambio en la polarizacin, con cualquier
variacin en las condiciones de medida (temperatura, humedad, )
Hay que dejar algn margen de variacin de los parmetros S
Objetivos de diseo:
Mxima ganancia de potencia.
Mnima figura de ruido.
Ganancia estable lo que supone que no haya oscilaciones
ROE de entrada y salida lo ms cercanas a la unidad.
Ganancia uniforme en un ancho de banda (ROE por debajo de un valor en esa banda)
Respuesta de fase lineal.
Insensibilidad a pequeos cambios en los parmetros S
Las topologas en baja frecuencia son vlidas (amplificadores balanceados,
cascodo, push-pull, ) pero asegurando la estabilidad del dispositivo
Estabilizacin mediante cargas resistivas en entrada, salida o ambas (PADDING)
Estabilizacin mediante realimentacin negativa
O-CAF -1- 30
GANANCIA DE POTENCIA EN UN AMPLIFICADOR (I)
Definiciones:
Ganancia de potencia: G
p
=(Potencia entregada a la carga)/(Potencia de entrada al amplificador)
Ganancia transduccin: G= (Potencia entregada a la carga)/(Potencia disponible del generador)
Ganancia disponible: G
a
= (Potencia disponible en la carga)/(Potencia disponible del generador)
Ganancia en condiciones de estabilidad incondicional:
Se puede conseguir adaptacin conjugada SIMULTNEA a la entrada y a la salida
G
p
= G= G
a
= G
max

Si el dispositivo slo es condicionalmente estable, no se puede conseguir adaptacin
conjugada simultnea en la entrada y la salida manteniendo la estabilidad del amplificador.
Z
out

Z
in

Z
S

Z
L

[S]
Z
S

V
S

a
1

b
1

S

in

Z
L

out

L

a
2

b
2

O-CAF -1- 31
GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (II):
OBTENCIN DE EXPRESIONES DE GANANCIA
( ) ( )

I = =
=

I =
=
+
p
inc
L
in
L
p
inc in
c inc
G
P
P
G
P
P
G
P P
Y V P
2 2
2
1 1
2
1
Z
o

V
S

Z
out

Z
in

Z
S

Z
L

[S]
a
1

b
1

S

in

Z
o

out

L

a
2

b
2

Red
Adapta
entrada
Red
Adapta
salida
M
S

M
L

M
1
=M
S

M
1
=M
L

S
S
IN S
IN S
S
M
M
M
M
ROE
Z Z
R R
M M

+
=

+
=
I
I +
=
+

= I = =
1 1
1 1
1 1
1 1
1
1
4
1
1
1
1
2
2
1
O-CAF -1- 32
GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (III):
OBTENCIN DE EXPRESIONES DE GANANCIA
Z
out

Z
in

Z
S

Z
L

[S]
Z
S

V
S

a
1

b
1

S

in

Z
L

out

L

a
2

b
2

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
a s a s b
a s a s b
Parmetros S del transistor
Condicin de terminacin
2 2
b a
L
I =
( )
L
L
L
L
IN
s
s
s
s s
s
I
I A
=
I
I
+ = I
22
11
22
21 12
11
1 1
Parmetro de entrada:
( ) ( )
( ) ( )
2
2 2
2
2
2 2
2
2
1
1 1
4
1
1 1
4
8
L OUT
L OUT
OUT L
L out
L
S IN
S IN
IN S
S in
S
S
S
S
S disp in
Z Z
R R
M
Z Z
R R
M
M
R
V
M P P
I I
I I
=
+
=
I I
I I
=
+
=
= =
O-CAF -1- 33
GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (IV):
OBTENCIN DE EXPRESIONES DE GANANCIA
Ganancia de potencia:


Ganancia de transduccin:




Condiciones de estabilidad incondicional:
( )
( )
( )
21 12 22 11
2
11
2
22
2 2
21
2 2
22
2 2
21
;
1
1
1 1
1
s s s s
s s
s
s
s
P
P
G
L L
L
IN L
L
IN
L
P
= A
I A I
I
=
I I
I
= =
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )
2
12 21 22 11
2 2 2
21
2 2
22
2 2 2
21
1 1
1 1
1 1
1 1
L S L S
L S
S IN L
L S
S
IN
L
T
s s s s
s
s
s
M
P
P
G G
I I I I
I I
=
I I I
I I
= = =
*
*
OUT L
IN S
Z Z
Z Z
=
=
( )
mrito de f igura
s
s
MAG K K
s
s
G G G G
MAX MAX p P
=
= = = = =
12
21
2
12
21
,
1
21 12
2 2
22
2
11
2
1
s s
s s
K

A +
=
Factor de Rollet
1 > K
O-CAF -1- 34
GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (V):
CONDICIONES DE UNILATERALIDAD
En el caso unilateral se puede aproximar el parmetro s
12
=0.
Las expresiones de la ganancia se simplifican al precio de aparecer un error que
hay que analizar si es tolerable o no.
Ganancia de transduccin

Ganancia de potencia


Figura de mrito unilateral


Error cometido
( ) ( )
( ) ( )
2
22 11
2 2 2
21
1 1
1 1
L S
L S
TU
s s
s
G G
I I
I I
= =
( )
( )
;
1 1
1
2
11
2
22
2 2
21
s s
s
G
L
L
PU
I
I
=
( ) ( )
2
22
2
11
22 11 21 12
1 1 s s
s s s s
U


=
( ) ( )
2 2
1
1
1
1
U
G
G
U
TU
T

< <
+
O-CAF -1- 35
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (I):
CIRCUNFERENCIAS DE ESTABILIDAD
Definicin: un amplificador es estable cuando la potencia reflejada en la puerta del
amplificador es menor que la potencia incidente.
Condicin: el mdulo del coeficiente de reflexin es menor que 1.


Los valores de los coeficientes de reflexin que definen la condicin de estabilidad
dependen de las condiciones de carga a la entrada y a la salida que, a su vez, son los
objetivos de diseo del amplificador para unas determinadas caractersticas.
Objetivo: determinar las cargas
L
(Z
L
) (circunferencia de estabilidad de carga) y
S
(Z
S
)
(circunferencia de estabilidad de fuente) que hacen que
IN
y
OUT
son menores que 1.
Transformacin bilineal entre
L
y
IN
: circunferencia en el plano
IN
se transforma en
circunferencia en el plano
L




Transformacin de regiones (para el crculo de estabilidad de carga): el valor
L
=0
resulta en el plano
IN
en
IN
=s
11
. Si |s
11
|<1 la regin en que est
L
=0 es estable (que
puede ser interior o exterior al crculo de estabilidad de carga)
( )
1
1
22
11
<
I
I A
= I
L
L
IN
s
s
( )
1
1
11
22
<
I
I A
= I
L
S
OUT
s
s
( )
2 2
22
*
*
11 22
A
A
= I
s
s s
LC 2 2
22
21 12
A

=
s
s s
R
LC
( )
2 2
11
*
*
22 11
A
A
= I
s
s s
SC
2 2
11
21 12
A

=
s
s s
R
SC
O-CAF -1- 36
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (II):
ESTABILIDAD INCONDICIONAL (I)
Hay dos situaciones: circunferencia de estabilidad exterior a la carta de Smith
carta de Smith interior a la circunferencia de estabilidad
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0
|
LC
|

R
LC
|
LC
|>1+R
LC
|
LC
|

R
LC
|
LC
|+1<R
LC
O-CAF -1- 37
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (III):
ESTABILIDAD INCONDICIONAL (II)
Condiciones necesarias y suficientes para estabilidad incondicional
2
22 21 12
2
11 21 12
22 11
21 12
2 2
22
2
11
1
1
1 ; 1
1
2
1
s s s
s s s
s s
s s
s s
K
<
<
< <
>

A +
=
Factor de Rollet
(1)
(2)
Sumando (1) y (2) se puede poner
21 12 22 11
21 12
2
2
1
1
s s s s
s s
K
= A

A
+ >
O-CAF -1- 38
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (IV):
PROPIEDADES DEL FACTOR DE ROLLET
|
( )
|
( )
21 12
21 12 22 11
21 12
21 12 22 11
Re 2
Re 2
y y
y y g g
K
z z
z z r r
K
y
z

=
Si se conectan en serie con la entrada y la salida sendas resistencias el factor K
queda aumentado ya que no se ve modificado el parmetro z
12
(K>K)
K no cambia si se aaden al cuadripolo elementos reactivos puros
K es invariante con cualquier cambio de referencia de los parmetros S
O-CAF -1- 39
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (V):
ESTABILIDAD CONDICIONAL
Para un dispositivo inestable existen cuatro posibles configuraciones de las
circunferencias, de las cuales ser ms importante la ltima configuracin.
Crculo de estabilidad cae totalmente fuera de la carta de Smith y |s
11
|>1: corresponde a K<-1,
|s
22
|<||






Crculo de estabilidad encierra la carta de Smith y |s
11
|>1; K<-1
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0
O-CAF -1- 40
El crculo de estabilidad cae totalmente dentro de la carta de Smith: puede haber
valores estables dentro o fuera de la carta de Smith dependiendo de s
11






El crculo de estabilidad es secante a la carta de Smith (-1<K<1). Hay dos situaciones,
que incluya al origen o que no lo incluya.
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (VI):
ESTABILIDAD CONDICIONAL
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0

<
>
= I = I
estable exterior s
inestable exterior s
s
IN L


1
1
0
11
11
11
0.2 0.5 1 2
j0.2
-j0.2
0
j0.5
-j0.5
0
j1
-j1
0
j2
-j2
0

<
>
= I = I
estable erior s
inestable erior s
s
IN L


int 1
int 1
0
11
11
11
O-CAF -1- 41
GANANCIA DE AMPLIFICADORES (I)
Ganancia de potencia normalizada:
Desarrollando esta expresin:


Vemos que es una circunferencia en el plano de impedancias de carga
L




Comentarios:
Cuando g
p
tiende a infinito la circunferencia degenera en la de estabilidad de carga.
Cuando g
p
=0,
LG
=0, R
LG
=1, que es la carta de Smith
Suele ser normal dibujar las circunferencias a saltos de 1 dB desde el mximo:
A partir de la MAG para incondicionalmente estables
A partir de la figura de mrito para transistores condicionalmente estables.
La ecuacin de los centros de las circunferencias de ganancia constante estn sobre la
misma recta que los de estabilidad.
2
21
s
G
g
p
P
=
( ) ( ) ( )
( )
0
1
1 1
2 2
22
2
11
*
11
* *
22
*
11 22 *
=
(
(

+ A
+ I A + I A
I I
p
p L p L p
L L
g s
g s s s g s s g
( )
( ) 1
2 2
22
11
* *
22
+ A
A
= I
P
P
LG
g s
g s s
( )
( ) 1
2 1
2 2
22
2 / 1
2
21 12
2
21 12
+ A
+
=
P
p P
LG
g s
s s g s s g K
R
O-CAF -1- 42
GANANCIA DE AMPLIFICADORES (II):
PROPIEDADES DE LOS CRCULOS DE GANANCIA
DISPOSITIVOS ESTABLES
Cuando el dispositivo es estable un conjunto de crculos cae dentro de la carta de Smith:
( )
21 12
2
1
s s
K K
g
P

=
O-CAF -1- 43
GANANCIA DE AMPLIFICADORES (III):
PROPIEDADES DE LOS CRCULOS DE GANANCIA
DISPOSITIVOS INESTABLES
Propiedades:
K<1
El crculo de ganancia cortar en dos puntos la carta de Smith que coinciden con el crculo de
estabilidad. Estos dos puntos son invariantes
O-CAF -1- 44
GANANCIA DE AMPLIFICADORES (IV):
CRCULOS DE GANANCIA EN CONDICIONES DE
UNILATERALIDAD
S
12
=0
Pueden aparecer nuevas circunferencias de transformacin
Expresin de la ganancia:



Nuevos crculos:






Los centros de cada familia caen sobre rectas con ngulo s*
11
s*
22

La mxima ganancia se da cuando g
S
g
L
=1 corresponde al punto s*
11
s*
22
( ) ( ) ( ) ( )
L S
L
L
S IN
S
L S IN
L S
P
G G G
s
s
s
s
G =
I
I

I I
I
=
I I I
I I
=
0
2
22
2
2
21
2
2
2
22
2
2 2
21
2
1
1
1
1
1 1
1 1
( )
2
11
*
11
1 1 s g
s g
s
S


( )
( )
2
11
2
11
1 1
1 1
s g
s g
s
S


Smax
S
S
G
G
g =
( )
2
22
*
22
1 1 s g
s g
L
L


( )
( )
2
22
2
22
1 1
1 1
s g
s g
L
L


Lmax
L
L
G
G
g =
O-CAF -1- 45
RUIDO EN AMPLIFICADORES (I)
INTRODUCCIN
Definiciones:
Ruido trmico es el resultante del movimiento de los electrones en una resistencia
debido a la agitacin trmica. Se refleja en un voltaje aleatorio en dicha resistencia.
No hay forma analtica de definirlo por lo que estadsticamente se considera como un
proceso ergdico cuya densidad espectral de potencia (a frecuencias inferiores a 1000
GHz) es constante (funcin de correlacin delta en el origen)
Dicha funcin es par por lo que podemos modelarla para f>0:
Para un margen de frecuencias: P
N
=4kTRf

Ruido shot: debido a la naturaleza discreta de los portadores que constituyen la
corriente en las uniones p-n. Su valor es proporcional a la tensin de polarizacin y
tiene densidad espectral plana.
Ruido flicker: proporcional a 1/f
En alta frecuencia, en amplificadores, influyen el shot y el trmico: habr que buscar
un punto de polarizacin que con buena ganancia (valor importante de la
trasconductancia) tenga el menor ruido shot posible
( )
( )
K J k
R
kT
S
kTR S
i
e
/ 10 38 . 1
4
4
23
=

)

=
=
e
e
O-CAF -1- 46
RUIDO EN AMPLIFICADORES (II)
Caracterizacin del ruido:
Figura de ruido a una frecuencia dada es la relacin entre la potencia de ruido
existente a la salida del cuadripolo en los casos en que el cuadripolo fuera real e idea.



Interesa amplificadores con un factor de ruido lo ms bajo posible lo que supone que
la primera etapa tenga el menor ruido posible.


Modelado del ruido
( ) 1
1
0
0 0
0
0
0
=
+ =
+
=
+
=
f T T
T
T
BG kT
BG kT BG kT
BG kT
N BG kT
f
eq
eq eq
in
...
1 1
2 1
3
1
2
1
+

+ =
g g
f
g
f
f f
I
E
+
V
1

V
2

I
1

I
2

Cuadripolo
Sin
ruido
I DI CV I
E BI AV V
+ + =
+ + =
2 2 1
2 2 1
O-CAF -1- 47
RUIDO EN AMPLIFICADORES (III)
La red libre (de ruido) no modifica el ruido luego su figura de ruido ser la de la
parte ruidosa
2
2
* * * 2
2
2 2
2
2
1
s
S
S S S s
S s
I
E Y I
f
E I Y E I Y E Y I I
E Y I I
+
+ =
+ + + +
= + +
I
E
+
V
1

V
2

I
1

I
2

Cuadripolo
Sin
ruido
Descomponemos I en una parte incorrelada con E y otra totalmente correlada
( )
( )
( )

=
=

+ +
+ =
+ = + =
= =
= =
B G kT I
B R kT E
I
I E Y Y
f
I E Y I I I I
E Y I I E E I
I I I E I
n n
n
S
n S
n n n
n
n n n
0
2
0
2
2
2 2
2
2 2
2
2 2 2
2 * * *
* *
4
4
1
0 ; 0

O-CAF -1- 48
RUIDO EN AMPLIFICADORES (IV)
( ) ( ) | |
2 2
1

B B G G
G
R
G
G
f
S S
S
n
S
n
+ + + + + =

B B
R
G R G
G
o
n
n n
o
=
|
|
.
|

\
|
+
= ;
2 / 1
2
( ) ( ) | |
2 2
o S o S
S
n
o
b b g g
g
r
f f + + =
Si se busca el mnimo de la anterior funcin, resulta para G
S
=G
o

Expresando las admitancias en funcin de los coeficientes de reflexin
( )
( )
( )
2
2 2
0
2 2
2
1
4
1
;
1 1
4
S
o S
n
o
i
o S
o S n
o
r
f f
N
r
f f
I
I I
=

I +
=
I + I
I I
+ =
Para una figura de ruido constante resulta un conjunto de circunferencias
( )
1
1
2
+
I +
=
i
OPT i i
i
N
N N
R
1 +
I
=
i
opt
i
N
C
2
1
4
o
o
n
o
i
Z
R
F F
N I +
|
|
.
|

\
|

=
Los centros estn sobre la recta cuyo vector de direccin es
o

Ruido mnimo f
i
=f
o
se reduce al punto o
O-CAF -1- 49
DESADAPTACIN EN AMPLIFICADORES (I):
TRANSFORMACIN DE CRCULO DE GANANCIA
Objetivo anterior de diseo: elegir cargas de salida y entrada que cumplan unas
determinadas especificaciones de ganancia o de ruido y de estabilidad.
Adems: mxima transferencia de energa (en la medida de lo posible) lo que
supondra adaptacin entrada y/o salida.
Herramienta: transformacin del crculo de ganancia del plano
L
al plano de
entrada
Nuevo crculo por la transformacin bilineal

( )
1
* *
22
*
11
* *
*
I
I A
= I
L
L
in
s
s
( ) ( )
2
22
2
22
* * *
11 22
*
22
2
*
,
1
1
I
I A I + A
= I
Lg Lg
Lg Lg Lg
c in
s s R
s s s R
2
22
2
22
21 12
1 I

=
Lg Lg
Lg
in
s s R
R s s
R
O-CAF -1- 50
Objetivo: disear un amplificador con una ROE
(in o out)
determinada a partir de una
carga
L S
ya seleccionada.
Parmetros conocidos y expresiones de partida:


En el caso de un criterio de desadaptacin a la entrada, se conoce una carga de
salida determinada
L1
que se corresponde con un
IN1
. La expresin de
desadaptacin resulta una circunferencia en el plano
S.




Lo mismo se puede hacer para la desadaptacin a la salida:
DESADAPTACIN EN AMPLIFICADORES (II):
CRCULOS DE DESADAPTACIN
1
1
+

=
ROE
ROE

( ) ( )
2
2
2 2
1
1
1 1
=
I I
I I
=
S IN
S IN
M
( )
2
*
1
*
1
1 1
in
in
sM
M
M
I
I
= I
( )
2
*
1
2
*
1
1 1
1 1
in
in
sM
M
M
R
I
|
.
|

\
|
I
=
( )
2
*
1
*
2
1 1
in
out
lM
M
M
I
I
= I
( )
2
*
2
2
*
2
1 1
1 1
out
out
lM
M
M
R
I
|
.
|

\
|
I
=
O-CAF -1- 51
AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS:
CONSIDERACIONES DE GANANCIA
La ganancia total del amplificador es el producto de las ganancias parciales slo en los
casos de las ganancias de potencia y disponible, no en la ganancia de transduccin ya que
slo dependen de una de las cargas.
La afirmacin anterior se puede aplicar a la ganancia de transduccin en el caso de que exista
adaptacin conjugada simultnea a la entrada y a la salida.
Si no existe adaptacin conjugada simultnea la afirmacin sobre los productos de ganancias
parciales no es cierta porque se consideraran los coeficientes de desadaptacin (M
i
) dos veces.
Puede ponerse que:
2 1
2
1
2 1
2
1
a a
n
n
i
ai a
p p
n
n
i
pi p
G G G G
G G G G
= =
= =
=
=
=
=
[
[
O-CAF -1- 52
AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS:
CONSIDERACIONES DE RUIDO
Potencia de ruido de la primera etapa:
Potencia de ruido de la segunda etapa:
Potencia de ruido total a la salida:

Potencia de ruido a la salida asociado a una nueva figura de ruido F:

Expresin de la figura de ruido para dos etapas. Figura de ruido para n etapas:
1 1 2 1 , 1
M f T k F G G P
p p out n
A =
V
1

V
2

I
1

I
E
+
I
2

Cuadripolo
Sin
ruido
I
E
+
I
3

Cuadripolo
Sin
ruido
V
3

G
P1

G
P2

( )
2 2 2 1 1 2 1 ,
1 M f T k F G M f T k F G G P
p p p out n
A + A =
( )
2 2 2 , 2
1 M f T k F G P
p out n
A =
1 2 1 ,
M f T k F G G P
p p out n
A =
( )
1 1
2
2 1
1
P
G M
M
F F F

+ =
( ) ( ) ... 1 1
2 1 1
3
3
1 1
2
2 1
+

+

+ =
P P P
G G M
M
F
G M
M
F F F
O-CAF -1- 53
AMPLIFICADORES DE BANDA ANCHA
Un amplificador ideal debera tener una ganancia constante a lo largo de toda la
banda. Esto no es as por el decrecimiento del parmetro s
21
con la frecuencia.
Estrategias para la construccin de un amplificador de banda ancha:
Redes de adaptacin reactivas que compensen variaciones de s
21
. Se traduce en una
prdida de adaptacin.
Redes de adaptacin con prdidas: buena adaptacin pero disminuye la ganancia y
aumenta la figura de ruido.
Realimentacin negativa: aplana la respuesta y mejora la adaptacin y estabilidad del
dispositivo.
MAG
f
f
2
f
1
f
o

O-CAF -1- 54
AMPLIFICADORES BALANCEADOS
Son considerados en ocasiones amplificadores de banda ancha.
Requiere la utilizacin de hbridos de 90 y mediante una redundancia que da
robustez en caso de ruptura de uno de los amplificadores se consigue una
ganancia igual a la del amplificador del que proceden.
Las etapas individuales se pueden optimizar despreocupndonos de la
desadaptacin: las reflexiones se absorbern por los acopladores.
Si una seccin falla se traduce en una prdida de 6 dB
El ancho de banda viene limitado por el del hbrido.
Hbrido
90
Hbrido
90
G
A

G
B

50
50ohm
O-CAF -1- 55
AMPLIFICADORES DE POTENCIA

O-CAF -1- 56
DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS
Eleccin del
dispositivo
Caracterizacin
del dispositivo
Medida y
ajuste
Tecnologa
Red de
polarizacin
Diseo de redes
de adaptacin
Tipo: bipolar, FET
Configuracin: EC, BC
Clase: A, AB, B, C
Fabricante
Datos del fabricante
o caracterizacin propia
Seleccin substrato
Seleccin del punto de trabajo
Circuito DC para obtenerlo
Red de desacoplo
Red de polarizacin independiente del circuito
Clculo de impedancias
Sntesis de las redes
Elementos ajustables
O-CAF -1- 57
POLARIZACIN DE AMPLIFICADORES
Funciones:
Fija el punto de polarizacin del circuito:
Circuito de polarizacin (fija V
g
y V
d
) (1)
La seal RF no debe introducirse en el
circuito DC (2)
El circuito RF no debe verse afectado por
el circuito DC: reduce el efecto de las
descargas transitorias y garantiza un corto
en RF (3)
Los circuitos RF exteriores no deben
verse afectados por la polarizacin del
circuito en cuestin: asla etapas de RF
(4)
Se pueden utilizar dos fuentes de
polarizacin o una (autopolarizado)
Estructura:
Elementos concentrados.
Elementos distribuidos.
V
G
V
D
(1)
(2)
(3)
(4)
O-CAF -1- 58
EJEMPLO DE TRAZADO FSICO PARA UN RADIADOR
ACTIVO EN RECEPCIN (AMPLIFICADOR SIN RED
DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA
Red de polarizacin
Punto de conexin
a antena
Red de
radiofrecuencia
O-CAF -1- 59
AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (Centro Astronmico
Yebes)
O-CAF -1- 60
AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (II) (Centro
Astronmico Yebes)
O-CAF -1- 61
CONCLUSIONES
Se ha abordado el diseo de amplificadores en microondas
El objetivo ha sido el diseo de cargas de entrada y salida que lleven al
dispositivo transistor a cumplir unas caractersticas de estabilidad, ganancia,
ruido, desadaptacin, anchura de banda y potencia determinadas.
Herramientas matemticas a utilizar: carta de Smith y transformacin bilineal.
Redes implicadas:
De adaptacin para sintetizar las impedancias requeridas.
De polarizacin para poner al dispositivo en unas condiciones de trabajo dadas.
Ambas tienen que estar perfectamente aisladas entre s.
Amplificadores de varias etapas