Leccin 5

OTROS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin
5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin
E
L

I
G
B
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Este dispositivo aparece en los aos 80
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensin y no por corriente
G
C
E
Bipolar
MOSFET
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)
No tiene diodo parsito
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A

Estructura del IGBT
Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.
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A

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)
Aplicaciones tpicas del IGBT
Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia
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A

Gran capacidad de manejo de corriente
Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor
El IGBT tiene menor cada de tensin
Menores prdidas en conduccin
Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
A mayor temperatura, menor
cada de tensin
Conduce ms corriente
Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs
Encapsulados de IGBT
TO 220
TO 247
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A

Mdulos de potencia
MTP
Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin colector-emisor
en saturacin
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Media tensin
Alta tensin
250 V
300 V
600 V
900 V
1200 V
(Poco usuales)
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G
B
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G
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Caractersticas bsicas
G
C
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En ocasiones, el encapsulado incorpora
internamente un diodo
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Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)
Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS)
Caractersticas trmicas
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G
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A

Cola de corriente
Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no del accesible
La circuitera exterior no puede solucionar el
problema de la eliminacin de los minoritarios
de la base
Esto da lugar a la llamada
cola de corriente
(current tail)
Problema: aumento de
prdidas de conmutacin
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G
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A

Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT
no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin
Causa:
No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente
Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas
Adems, el tiempo de cada de la tensin V
CE
no queda definido
Este tiempo es muy importante para definir las prdidas
Se hace mediante grficos que proporciona el fabricante
T
I
R
I
S
T
O
R
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S

Tipos de Tiristores
SCR (Silicon Controlled Rectifier)
DIAC
TRIAC
GTO
A este dispositivo se le suele llamar Tiristor
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Es uno de los semiconductores ms antiguos
1957 General Electric Research Laboratories
Tiene una enorme capacidad de manejar potencia
Son muy robustos
Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los
semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia
Estructura de 4 capas
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

SCR
V
AK

I
A

Caracterstica V-I
nodo
Ctodo
A
K
V
AK

I
A

Con polarizacin inversa se comporta como un diodo: no conduce
Polarizacin directa: si no se
ha disparado, no conduce
Polarizacin directa: una vez
disparado, conduce como un diodo
Zona de transicin
El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero
Puerta
Encapsulados de SCR
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

ADD A PACK
MAGN A PACK
PACE PACK
TO-200
Parmetros fundamentales para seleccionar un SCR
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Alta tensin
400 V
800 V
1000 V
1200 V
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Soportan tensin directa (V
DRM
)
e inversa (V
RRM
)
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Caractersticas de disparo
Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta
Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:
1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor
V
GK

I
G

Ningn SCR se dispara
Zona de disparo seguro
No se garantiza el disparo
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Caractersticas de disparo
V
GK

I
G

Zona de disparo seguro
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el
punto de corte est en la zona de disparo seguro
Z
1

V
1

V
1

V
1
/ Z
1

T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Caractersticas de disparo
2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo
sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento
(Latching Current)
I
A

I
G

I
LATCHING

Se apaga
Sigue conduciendo
Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo
aunque no tenga corriente en puerta
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Caractersticas de disparo
Podramos disparar el SCR con un pulso de corriente
Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece
rpidamente y se alcanza fcilmente la corriente de enclavamiento
Z
1

V
1

Z
1
= R
Z
1
= Ls
Se apaga
Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos
I
G

I
A

I
A

I
G

I
G

T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Caractersticas de disparo
El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensin
Si la tensin nodo-ctodo cambia muy bruscamente, puede
inducirse corriente en la puerta y entrar en conduccin
V
AK

dt
dV
AK
grande
i
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Apagado del SCR
Idealmente, cuando la corriente que circula entre nodo y ctodo
llega a cero, el SCR se apaga de forma natural
En realidad, se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor
llamado Corriente de mantenimiento (holding current)
I
A

Corriente de
mantenimiento
Corriente de
enclavamiento
(p.ej 600mA)
(p.ej 1 A)
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Apagado del SCR
Apagado esttico
Apagado dinmico
Hay dos tipos de apagado:
El apagado esttico se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz)
El tiristor se apaga de forma natural
El apagado dinmico se utiliza en
aplicaciones de frecuencia ms elevada
(1 - 20 kHz)
Se requiere un circuito externo para
apagar el SCR de forma forzada
I
MANTENIMIENTO

I
A

I
A

V
AK

V
AK

s
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Ejemplo de funcionamiento
R
1

V
1

V
1

V
R

V
T

V
R

V
T

Disparo
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC
Funciona como un tiristor
Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero
Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos
Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes
Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia (pero relativamente
alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentacin)
Especificaciones tpicas
200, 400, 600, 800, 1000 V
1- 50 A
T1
T2 G
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC
Hay 4 posibilidades de funcionamiento
No todas son igual de favorables
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

-
+
I
G
>
I
H
<
I
L
<
I
H
Corriente de mantenimiento I
L
Corriente de enclavamiento
35 mA 35 mA
35 mA
30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
40 mA 60 mA 60 mA 40 mA
70 mA
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC Ejemplo
C
R
R
L
(Carga)
Comp. con
Histresis
Nivel de
comparacin
V
RL

V
Comp

V
G

V
G


: ngulo de disparo
Controlando el ngulo de
disparo se controla la
potencia que se le da a R
L

A este tipo de control se
le llama control de fase
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

DIAC
No es un interruptor
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensin caracterstica V
DIAC

que suele ser de 30 V.
Es totalmente simtrico
Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores
30 V
- 30 V
T1
T2
V
T12

I
T12

T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

GTO Gate Turn-Off Thirystor
A
K
G
En muchas aplicaciones, el hecho de no poder
apagar el SCR es un grave problema
El GTO solventa ese inconveniente
Con corriente entrante por puerta, se dispara
Con corriente saliente por puerta, se apaga
Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia
Es muy robusto
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

GTO
Soporta altas tensiones
Puede manejar corrientes elevadas
La cada de tensin en conduccin es relativamente baja
El GTO es bsicamente igual que un SCR
Se han modificado algunos parmetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.
Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR
Algo ms rpido que un SCR