Es un elemento que se comporta como

un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo
elctrico o magntico, la presin, la
radiacin que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de
la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.

Elemento Grupos
Electrones en
la ltima capa
Cd 12 2 e
-

Al, Ga, B, In 13 3 e
-

Si, C, Ge 14 4 e
-

P, As, Sb 15 5 e
-

Se, Te, (S) 16 6 e
-

El elemento semiconductor ms usado
es el silicio, el segundo el germanio,
aunque idntico comportamiento
presentan las combinaciones de
elementos de los grupos 12 y 13 con los
de los grupos 16 y 15 respectivamente
(GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
Posteriormente se ha comenzado a
emplear tambin el azufre. La
caracterstica comn a todos ellos es que
son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuracin electrnica sp.


Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer,
desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la
banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede
que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
n
i
= n = p
Siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y
del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de n
i
a temperatura ambiente (27 C):
n
i
(Si) = 1.5 10
10
cm
-3

n
i
(Ge) = 2.4 10
13
cm
-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Si a un semiconductor intrnseco, como el
anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir,
elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y
se dice que est dopado. Evidentemente,
las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio. Hoy en
da se han logrado aadir impurezas de
una parte por cada 10 millones, logrando
con ello una modificacin del material.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos
de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce
el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio
tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra
da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de
electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos
donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se
le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce
de manera natural.
Elemento qumico relativamente raro,
smbolo Cd, nmero atmico 48; tiene
relacin estrecha con el zinc, con el que
se encuentra asociado en la naturaleza.
Es un metal dctil, de color blanco
argentino con un ligero matiz azulado. Es
ms blando y maleable que el zinc, pero
poco ms duro que el estao.


Aproximadamente tres cuartas partes del cadmio
producido se emplea en la fabricacin de bateras.
Especialmente en las bateras de nquel-cadmio.
Una parte importante se emplea
en galvanoplastia (como recubrimiento).
Algunas sales se emplean como pigmentos. Por ejemplo,
el sulfuro de cadmio se emplea como pigmento amarillo.
Debido a su bajo coeficiente de friccin y muy buena
resistencia a la fatiga, se emplea en aleaciones
para cojinetes.
Muchos tipos de soldaduras contienen este metal. En
barras de control en fisin nuclear. Algunos compuestos
fosforescentes de cadmio se emplean en televisores. Se
emplea en algunos semiconductores. Algunos
compuestos de cadmio se emplean como estabilizantes
de plsticos como el PVC. Se aplica tambin como
pigmento en la fabricacin de pintura, como el acrlico,
leo, etc.

El aluminio es un elemento qumico, de
smbolo Al y nmero atmico 13. Se trata
de un metal no ferromagntico. Es el
tercer elemento ms comn
encontrado en la corteza terrestre.

Como metal se extrae nicamente del
mineral conocido con el nombre
de bauxita, por transformacin primero
en almina mediante el proceso Bayer y
a continuacin en aluminio metlico
mediante electrlisis.
En la construccin: cerramientos, fachadas
continuas, marcos, puertas, ventanas.
En el transporte: ferrocarriles, aeronutica y
automocin.
En las construcciones
mecnicas: fabricacin de mquinas y de
instalaciones.
En electrnica: utilizado junto con el cobre.
En el sector domestico.


El galio es un elemento qumico de
la tabla peridica de nmero atmico
31 y smbolo Ga.

El galio es un metal blando, grisceo en
estado lquido y plateado brillante al
solidificar, slido deleznable a bajas
temperaturas que funde a temperaturas
cercanas a la del ambiente
(como cesio, mercurio y rubidio) e
incluso cuando se sostiene en la mano
por su bajo punto de fusin (28,56 C).
La parte ms importante de la produccin de galio
sirve para la produccin de arseniuro de galio, que
como material semiconductor en algunas
aplicaciones es superior al silicio.
La principal aplicacin del galio (arseniuro de galio)
es la construccin de circuitos integrados y
dispositivos optoelectrnicos como diodos lser y
LED.
Se emplea en el dopado de semiconductores y en la
fabricacin de dispositivos de estado slido como:
transistores, diodos, clulas solares, etc.
En termmetros de alta temperatura por su bajo
punto de fusin

El boro es un elemento qumico de
la tabla peridica que tiene el
smbolo B
1
y nmero atmico 5.

Es un elemento metaloide,
semiconductor, trivalente que existe
abundantemente en el mineral brax.
Hay dos altropos del boro; el boro
amorfo es un polvo marrn, pero el boro
metlico es negro.
Se usa para fabricar vidrios de
borosilicato y esmaltes, principalmente
de utensilios de cocina. Tambin se usa
para obtener aceros especiales, de gran
resistencia al impacto, y otras
aleaciones.
Debido a su gran dureza se emplea, en
forma de carburo, para fabricar
abrasivos.
El indio es un elemento
qumico de nmero atmico 49 situado
en el grupo 13 de la tabla peridica de
los elementos.
Su smbolo es In.

El indio es un metal blanco plateado,
muy blando, que presenta un lustre
brillante. Cuando se dobla el metal
emite un sonido caracterstico.
Su estado de oxidacin ms
caracterstico es el +3, aunque tambin
presenta el +2 en algunos compuestos.


Se puede depositar sobre otros metales y
evaporarse sobre un vidrio formando
un espejo tan bueno como los hechos
con plata, pero ms resistente a la corrosin.
Su xido se emplea en la fabricacin de
paneles electroluminiscentes.
El xido de indio y estao se emplea
abundantemente para la fabricacin de
electrodos transparentes como los presentes
en pantallas tctiles, tales como las de
telfonos mviles o tabletas.
Para fotoconductores,
transistores de germanio,
rectificadores y termistores.
Sus propiedades son intermedias entre las
del carbono y el germanio. En
forma cristalina es muy duro y
poco soluble y presenta un brillo metlico y
color grisceo. Aunque es un elemento
relativamente inerte y resiste la accin de
la mayora de los cidos, reacciona con
los halgenos y lcalis diluidos. El silicio
transmite ms del 95 % de las longitudes de
onda de la radiacin infrarroja.


Se utiliza en la industria del acero como
componente de las aleaciones de silicio-
acero. Para fabricar el acero, se
desoxida el acero fundido aadindole
pequeas cantidades de silicio; el acero
comn contiene menos de un 0,30 % de
silicio
Es un elemento qumico de nmero
atmico 6 y smbolo C
El carbono es un elemento notable por
varias razones. Sus
formas alotrpicas incluyen,
sorprendentemente, una de las
sustancias ms blandas (el grafito) y la
ms dura (el diamante) y, desde el
punto de vista econmico, es de los
materiales ms baratos (carbn) y uno
de los ms caros (diamante)
El principal uso industrial del carbono es
como componente de hidrocarburos,
especialmente los combustibles fsiles
(petrleo y gas natural). Del primero se
obtienen, por destilacin en
las refineras, gasolinas, queroseno y acei
tes, siendo adems la materia prima
empleada en la obtencin de plsticos.
El germanio es un elemento
qumico con nmero atmico 32, y
smbolo Ge
Es un metaloide slido duro, cristalino, de
color blanco grisceo lustroso,
quebradizo, que conserva el brillo a
temperaturas ordinarias. Presenta la
misma estructura cristalina que el
diamante y resiste a los cidos y lcalis
Las aplicaciones del germanio se ven
limitadas por su elevado costo y en
muchos casos se investiga su sustitucin
por materiales ms econmicos.
Fibra ptica.
Electrnica: radares y amplificadores de
guitarras elctricas usados por msicos
nostlgicos del sonido de la primera
poca del rock and roll.
Es un elemento qumico de nmero
atmico 15 y smbolo P
El fsforo es un componente esencial de los
organismos.
Forma parte de los cidos nucleicos (ADN y ARN).
Forma parte de los huesos y dientes de los animales.
En las plantas en una porcin de 0,2 % y en los
animales hasta el 1 % de su masa es fsforo.
El fsforo comn es un slido.
De color blanco, pero puro es incoloro.
Un caracterstico olor desagradable.
Es un no metal.
Emite luz por fosforescencia.

El antimonio difiere de los metales normales
por tener una conductividad elctrica
menor en estado slido que en estado
lquido

El antimonio metlico es muy quebradizo,
de color blanco-azuloso con un brillo
metlico caracterstico, de apariencia
escamosa.


El arsnico se presenta en tres
estados alotrpicos, gris o
metlico, amarillo y negro. El
arsnico gris metlico (forma ) es la
forma estable en condiciones normales
y tiene estructura rombodrica, es un
buen conductor del calor pero pobre
conductor elctrico, su densidad es de
5,73 g/cm
3
, es deleznable y pierde el
lustre metlico expuesto al aire.
Presenta el efecto fotoelctrico,
convirtiendo la luz en electricidad, y,
adems, su conductividad
elctrica aumenta al exponerlo a la luz.
Por debajo de su punto de fusin es un
material semiconductor tipo p, y se
encuentra en su forma natural
El telurio es un metaloide de un plido color
plateado y blancuzco que en estado puro
tiene una increble brillantez
metlica, Cristalizado, el telurio se puede
pulverizar con facilidad, mientras que, si se
funde, se puede aplicar como corrosivo
para el hierro, el cobre y el acero
inoxidable. El telurio se usa especialmente
en el sector de la industria electrnica, ya
que se trata de un elemento con grandes
propiedades para la conductividad.
Este no metal tiene un color amarillento
fuerte, amarronado o anaranjado y
arde con llama de color azul,
desprendiendo dixido de azufre.
El azufre se usa en multitud de procesos
industriales, como la produccin
de cido sulfrico para bateras, la
fabricacin de plvora y
el vulcanizado del caucho.