Sesion2

Aplicaciones con diodos

Definicin:

La electrnica de potencia es aquella parte
de la electrnica que enlaza la electricidad
con la electrnica.

Ejemplos:
- Encendido electrnico de un vehculo
- Encendido de una televisin
- Elevalunas elctrico

Dispositivos de potencia:
Los dispositivos de potencia se van a identificar por las
siguientes caractersticas:

Tienen dos estados de funcionamiento: bloqueo y
conduccin
Son capaces de soportar potencias elevadas
El funcionamiento de estos dispositivos tiene que ser
posible con poca potencia
EL DIODO DE POTENCIA
P
N
+
-
i
V
Curva caracterstica
0
1
VD
i [mA]
V [V]
(exponencial)
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

A (nodo)
K (ctodo)
-40
0
-2
i [A]
V [Volt.]
Concepto de diodo ideal
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada
En polarizacin directa, la cada
de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida
nodo
Ctodo
i
V
i
V
+
-
curva caracterstica
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

El diodo semiconductor
nodo
Ctodo
nodo
Ctodo
Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)
Terminal
Terminal
P
N
Marca
sealando el
ctodo
Contacto metal-
semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Oblea de
semiconductor
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

1N4007
(Si)
1N4148
(Si)
Encapsulados de diodos
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

DO 201
DO 204
Axiales
Agrupacin de diodos semiconductores
2 diodos en ctodo
comn
BYT16P-300A
(Si)
+ ~
~
+
~ ~
Anillo de diodos
HSMS2827
(Schottky Si)
-
~
~
+
Puente de diodos
B380 C1500
(Si)
~ ~
+
-
B380 C3700
(Si)
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Encapsulados de diodos
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

TO 220 AC
D 61
DOP 31
TO 247
B 44
DO 5
Encapsulados de diodos
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Mdulos de potencia
Varios dispositivos en un encapsulado comn
Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
Motores
Satlites
Curvas caractersticas y circuitos equivalentes
V

r
d
real (asinttico)
ideal
0
i
V
V

pendiente = 1/r
d
Circuito equivalente asinttico
Curva
caracterstica real
Curva caracterstica
asinttica
Curva caracterstica
ideal
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Parmetros
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Parmetros en inversa:
VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo)
VRM = Tensin de pico
VBR = Tensin de ruptura
IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parmetros en directa:
VD = Tensin en directa
I = Corriente directa
IAV= Corriente media directa
IFM= Corriente mxima en directa
IFRM = Corriente de pico repetitiva
IFSM= Corriente directa de sobrecarga


D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas fundamentales
Tensin de ruptura
Cada de tensin en conduccin
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin
Tensin de ruptura
Baja tensin Media tensin Alta tensin
15 V
30 V
45 V
55 V
60 V
80 V
100 V
150 V
200 V
400 V
500 V
600 V
800 V
1000 V
1200 V
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Tensin de codo
0
i
V
V

pendiente = 1/r
d
Curva
caracterstica real
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal Potencia Alta tensin
V
Ruptura

V
Codo

< 100 V
0,7 V
200 1000 V
< 2 V
10 20 kV
> 8 V
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Datos del diodo en corte
Tensin inversa V
RRM
Repetitive Peak Voltage
La tensin mxima es crtica
Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Datos del diodo en conduccin
Corriente directa I
F
Forward Current
La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est
atornillado a un radiador
Corriente directa de pico repetitivo I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
Comportamiento
dinmicamente ideal
Transicin de a a b
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
i
V
t
t
V
1
/R
-V
2 D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas dinmicas
Indican capacidad de conmutacin del diodo
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
Transicin de a a b
i
V
t
t
t
rr
V
1
/R
-V
2
/R
t
s
t
f
(i= -0,1V
2
/R)
-V
2

t
s
= tiempo de almacenamiento
(storage time )
t
f
= tiempo de cada (fall time )
t
rr
= tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas dinmicas
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
i
t
d
= tiempo de retraso (delay time )
t
r
= tiempo de subida (rise time )
t
fr
= t
d
+ t
r
= tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )
t
r
0,9V
1
/R
t
d
0,1V
1
/R
t
fr
Transicin de b a a (encendido)
El proceso de encendido es ms
rpido que el apagado.
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas dinmicas
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas dinmicas
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas Principales
Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin
Encapsulado
Tiempo de recuperacin en inversa
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del
estado de corte al estado de conduccin.

El tiempo que tarda en conmutar se llama :
TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA

Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de
recuperacin:


D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (t
rr
)
Standard
Fast
Ultra Fast
Schottky
V
RRM

t
rr

I
F

100 V - 600 V
100 V - 1000 V
200 V - 800 V
15 V - 150 V
> 1 s
100 ns 500 ns
20 ns 100 ns
< 2 ns 1 A 150 A
1 A 50 A
1 A 50 A
1 A 50 A
Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)
Direcciones web
www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com
Aplicaciones:
D
I
O
D
O
S

D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

DIODOS DE GAMA MEDIA:
Fuentes de alimentacin
Soldadores

DIODOS RPIDOS
Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica
Convertidores CD CA

DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes