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DISPOSITIVOS USADOS EN

LOS CONVERTIDORES DE
POTENCIA
DIODO
DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA
SCR
TRIAC
UJT
LASCR
GTO
DIAC
TRANSISTOR
PUT
DIODO
El DIODO es uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario
al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodo de potencia
e caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequea
TIPO Especificacin
de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m
Alta
velocidad
3000 V / 1000 A 10K 2-5 1 m
Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
tensin. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea
Intensidad de fuga.
SCR
El SCR es un dispositivo electrnico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o
ctodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada
adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO.
TIPO Especificacin
de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
Tiristores de
control de
fase
1200 V / 5500 A 5K 40 2.1 m
Tiristores de
conmutaci
n rpida
1000 V / 1000 A 10K 20 0.47 m
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
El TRI AC es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que este
dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente tiene una tensin de ruptura y el procedimiento
normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo).
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificacin
de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
TRIAC 1200 V / 300 A 400 200 - 400 3.57 m
TRIAC
Q1
TRIAC
El UJ T es un dispositivo que tambin se le llama transistor de un unin esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente dopado con
impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dos bases, RBB o
resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). El funcionamiento del UJT es
muy similar al del SCR.
UJT
El LASCR tambin se le conoce como foto SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCR cuyo
disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conduccin
aunque desaparezca esa luz.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificacin
de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
LASCR 6000 V / 1500 A 400 200 - 400 0.53 m
LASCR
El GTO es un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a
esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo
control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicacin
de tcnicas de modulacin de anchura de pulso.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificaci
n de
Voltaje/corrie
nte
Alta
Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutaci
n
(S)
Resistencia
en estado
activo
()
Smbolo caractersticas
Transistores
desactivados
automaticament
eGTO
4500 V / 3000
A
10K 15 2.5 m
GTO
PUT
El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo nodo puerta (anode gate) puesto
que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el nodo, es decir, la
conduccion del PUT se realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivo perteneciente a la
familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares al SCR
DIAC
El DI AC es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando cierto umbral
de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de un transistor y
la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativas son P1N2P2N3 y
cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1.
TRANSISTOR
El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al de las transistores normales,
teniendo como caractersticas especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportar y por
tanto, las altas potencias en disparar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
- Bipolar
- unipolar o FET ( transistor de efecto de campo)
- IGBT
2. El Diodo de Potencia
Definicin y caractersticas
Son dispositivos semiconductores
unidireccionales, fabricados en silicio( la ms
utilizada) y tambin en germanio.
Como nico medio de control encontramos
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Adems se caracterizan porque en estado de
conduccin pueden soportar alta intensidad con
una pequea cada de tensin.
... continuacin
El diodo se puede hacer funcionar de 2
maneras:
Polarizacin directa y, Polarizacin inversa.


Su curva caracterstica responder a la siguiente
ecuacin:


I = Is [ e ^(V/VT) - 1] = Is [ e ^(qV/KT) - 1]
..Continua
I
D
=I
S
.(e
V
D
/.V
T
1) ...(1)

I
D
= Corriente por el diodo (Amp.)
V
D
= Voltaje A(+) y K(-) en Voltios.
Is = Corriente de Fuga (Corriente de saturacin
inversa)
Tpicamente (10
-6
A 10
-15
A).
= Coeficiente de emisin (1 Ge y 2 Si)

..Continua
V
T
= (KT)/q = 25.8 mV, si
q = carga del e
-
= 1.6022x10
-19
Coulomb(C).
K = Constante de Boltzman = 1.3806x10
-23

J/K
a 25 C
T = K (K = 273 + C)

Curva caracterstica
Siendo:
VRRM = tensin inversa mxima
VD = Voltaje de codo
Agrupacin de caractersticas
Caractersticas estticas
Caractersticas dinmicas
Disipacin de Potencia
Caractersticas trmicas
Caractersticas mecnicas
Proteccin contra sobreintensidades
Caractersticas Estticas
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa)
Parmetros en conduccin
Modelo esttico
Parmetros en bloqueo
...continuacin
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en
ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del
mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima
intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 mseg, con una duracin de pico a 1 mseg, a una
determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25 C).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico
de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de
10 mseg.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando
se encuentra en el estado de conduccin.
Modelos Estticos
Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso
Influencia de Trr en la conmutacin
Tiempo de recuperacin directo
Tiempo de recuperacin inverso
Caractersticas de la recuperacin inversa
Es t
rr
= t
a
+ t
b

La corriente Inversa de recuperacin I
RR

I
RR
= t
a
di/dt .
Factor de suavidad SF= t
b
/t
a
, Para efectos prcticos
Considerar el tiempo total de recuperacin t
rr

Carga de Recuperacin Inversa QRR
Es la carga de portadores que fluye por el diodo en direccin inversa, debido
a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso. Su
valor esta dado por el rea encerrada por la trayectoria de Irr:
QRR(1/2)IRR.ta + (1/2)IRR.tb = (1/2)IRR.trr .(1)
IRR= (2Qrr/trr) (2).
Si Tb es despreciable respecto a
ta trr ta Entonces. Y cuando ta=tb:

) 4 .....( .......... .. / . 2
) 3 ...( ..........
/
2
dt di Qrr Irr
trr
dt di
Qrr

) 6 .....( .......... .. / .
) 5 ....( .......... ..........
/
4
dt di Qrr Irr
trr
dt di
Qrr

... continuacin
Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de cada (tb): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
Tiempo de recuperacin inverso (trr): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea
negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
- Se limita la frecuencia de funcionamiento, pues a altas frecuencias
disminuye abruptamente el rendimiento de la rectificacin..
- Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa, que puede llegar a producir sobrecalentamiento y destruccin
del diodo.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin
rpida.
Factores de los que depende trr :
A mayor I RRM menor trr.
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo, mayor ser la
capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.
Tiempo de recuperacin directo
... continuacin
El tiempo de recuperacin directo (tfr): es el tiempo que
transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se
hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en
el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y
no suele producir prdidas de potencia apreciables.
Disipacin de Potencias
Potencia mxima disipable (Pmx)
Potencia media disipada (Pav)
Potencia inversa de pico repetitivo
Potencia inversa de pico no repetitivo
Caractersticas Trmicas
Temperatura de la unin
Temperatura de almacenamiento
Resistencia trmica unin contenedor
Resistencia trmica contenedor - disipador
Proteccin contra sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden
aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de
condesadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son
poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de
tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser
el fusible el que se destruya y no el diodo.
Tipos de diodos de potencia
Diodos de uso general (trr aprox. 25us)
VRM=kV. If=kA
Diodos de recuperacin rpida:
(trr aprox. De 50 ns - 5 us), VRM = 400v
Diodos Schottky (Vf=0.3V, VRM=50-100V)
El diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una
unin PN, tiene una unin Metal-N.
- Poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en
sentido de la flecha)
- No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR)
El diodo Zener
El diodo Zener siempre se utiliza en polarizacin
inversa.
Analizando la curva del diodo zener vemos que
en el lugar donde se marca como regin
operativa.
Curva del Diodo Zener
Gracias