MTODOS PARA

DETERMINAR LA
ESTRUCTURA DE LOS
SLIDOS
PEDRO ADN VILLAFUERTE NEZ
METALURGIA FSICA
INSTITUTO DE INVESTIGACIONES EN METALURGIA Y MATERIALES
INTRODUCCIN
Difractometra de Rayos X (XRD)
Identificar compuestos por su estructura, no su compopsicin.
Diferenciar fases
Longitudes de onda muy cortas

Incidencia-> vibracin->emisin en todas direcciones
Interferencia
Constructiva
Destructiva
ngulo de incidencia=ngulo de reflexin (fase)

Si existe fase, existe refuerzo
(interfieren constructivamente).
Esto es una manifestacin de la
difraccin.
Rayo compuesto por ondas
dispersadas que se refuerzan
mutuamente.


LA LEY DE BRAGG
Difraccin si:
dispersar la radiacin
espaciamientos comparables con la longitud de onda
Planos cristalinos como espejos semitransparentes
Reflejan parte de la radiacin incidente y permite el paso de otra parte de esta.
Reflexin por parte de planos debajo de la superficie a una considerada
profundidad.



Difraccin gobernada por la Ley de Bragg
=
= =
= + = +
= Ley de Bragg

d = espacio interplanar
= ngulo de incidencia, siendo igual al ngulo
de reflexin para que se cumpla la ley de Bragg
n = nmero entero arbitrario tal que sen<1
= longitud de onda de los rayos
Los planos {1 1 0} de un cristal BCC tienen un espaciamiento d=0.1181 nm. Si estos
planos son irradiados con rayos X de un tubo con un blanco de Cu, cuya lnea ms
intensa K
1
tiene una longitud de onda de 0.1541 nm, la reflexin de primer orden
ocurrir a un ngulo de
=
;1
2
=
;1
1 0.1541
(2) 0.1181
= 40.7

Una reflexin de segundo orden de estos planos no es posible con esta longitud de
onda debido a que el argumento

;1
2 0.1541
2 0.1181
= 1.305

Por otro lado, un blanco de W en un tubo de rayos X emite una lnea K
1
con
longitud de onda de 0.02090 nm, permitiendo once ordenes de reflexin para la
misma familia de planos.
El cumplimiento de la Ley de Bragg es necesario pero no suficiente para la
difraccin en cristales reales.
tomos colocados en otros sitios (caras y centros en FCC y BCC) actan como
centros adicionales de dispersin, los cuales pueden producir dispersin desfasada
a ciertos ngulos de Bragg.
El resultado es la ausencia de algunos rayos difractados que, de acuerdo con la
ecuacin de Bragg, deberan estar presentes.
En estructuras BCC, h + k + l debe ser par, mientras que para FCC, h, k y l deben ser
todos pares o impares.

ESPACIO INTERPLANAR PARA CRISTALES
CBICOS
Las direcciones de los rayos reflejados estn determinadas completamente por la
geometra estructural, la cual a su vez est gobernada por la orientacin y
espaciamiento de los planos cristalinos.
= =

En ejes ortogonales

2
+
2
+
2
= 1

2
2

2
+
2
2

2
+
2
2

2
= 1

En sistemas cbicos: a=b=c

2
2

2
+
2
2

2
+
2
2

2
=
1

2

2
+
2
+ =
2

Si, para un cristal cbico, se tiene el
parmetro de red a, los ngulos para
(h k l) se pueden calcular a partir de la
relacin


=

2
:
2
:

= 2
=
2

2
:
2
:

donde N es el nmero de reflexin o
de lnea y n es el orden de reflexin.
PROBLEMA: CLCULO DE ESPACIO
INTERPLANAR Y NGULO DE DIFRACCIN.
Para Fe BCC, calcule el espacio interplanar y el ngulo de difraccin para un
arreglo de planos cristalinos (2 0 0). El parmetro de red es a=0.2866 nm. Asmase
una radiacin monocromtica con longitud de onda de 0.1790 nm y un orden de
reflexin n=1.


=

2
:
2
:

=
0.2866
2
2
:0
2
:0

= 0.1013
=
;1
2
=
;1
1 0.1790
(2) 0.1013
= 62.13

El ngulo de difraccin es 2 = 124.26
o
, lo cual se explicar a detalle en el
siguiente tema.
DIFRACTMETRO DE RAYOS X
TCNICA DE LAUE
El mtodo de Laue utiliza un monocristal en posicin fija, el cual es irradiado con
un haz blanco (longitud de onda continua) de Rayos X.
El ngulo del espcimen se mantiene constante.
La variable en esta tcnica es la longitud de onda, siendo provista por el haz
continuo de rayos X.
En otras palabras, cada arreglo de planos elige la longitud de onda apropiada del
espectro blanco de rayos X para producir difraccin.

Existen dos variantes de la tcnica de Laue:
Tcnica de reflexin
Tcnica de transmisin
(limitada por el espesor del material).
En aos recientes se ha extendido el uso de este mtodo al estudio de
imperfecciones resultantes del crecimiento cristalino o la deformacin debido a
que los puntos que muestran los cristales perfectos son definidos, mientras que
aquellos de cristales deformados son elongados. Esta apariencia elongada de los
puntos de difraccin se conoce como asterismo y se explica de manera anloga a
la reflexin de la luz en espejos curvos.
MTODO DEL CRISTAL ROTATORIO
En este mtodo, los planos cristalogrficos son llevados hacia sus posiciones de
difraccin rotando un cristal sobre uno de sus ejes y son irradiados
simultneamente con un haz monocromtico de rayos X. Las reflexiones son
usualmente grabadas en una pelcula fotogrfica que rodea a la pieza.
MTODO DE DEBYE-SCHERRER O DE POLVOS
En este mtodo debe asegurarse que la muestra se policristalina, ya sean
alambres metlicos o polvos de granos finos.
La variable del experimento es el ngulo de incidencia; el haz incidente es
monocromtico.
La disposicin aleatoria de los cristales en el alambre o el polvo asegura que
muchos de estos se encuentren en la orientacin correcta para permitir la
difraccin de cada uno de los posibles planos reflejantes.
El ngulo entre el haz incidente y el
rayo reflejado es 2 y cada grupo de
planos cristalinos forma un cono de
rayos difractados con un semingulo
2 (ngulo entre el rayo no reflejado
y el rayo difractado), donde es el
ngulo de Bragg para el grupo
particular de planos que generan el
cono.
Si se coloca una pelcula fotosensible
alrededor del espcimen, los conos
difractados sucesivos y concntricos,
que consisten de rayos de cientos de
granos, intersectan la pelcula para
producir curvas concntricas
alrededor de los huecos de entrada y
salida.

Fotografas reales de patrones de
materiales bcc y fcc, respectivamente.
El valor N permite la identificacin de
las familias de planos asociadas a los
conos producidos.

Este tcnica permite obtener
informacin importante por simple
inspeccin.
Determinacin de tamao de grano de
una muestra policristalina.
Orientaciones preferenciales de granos
en muestras policristalinas.
Estudio de los metales deformados
Debido a la poca cantidad de granos y
reflexiones disponibles para la formacin
de los conos, las lneas de la fotografa
aparecen punteadas.
Una orientacin aleatoria de los granos
producir conos de intensidad uniforme,
mientras que la orientacin preferencial
producir conos de intensidad
concentrada en ciertas posiciones.
Los puntos que conforman los conos son
borrosos, generando lneas engrosadas y
difusas, especialmente a ngulos de
Bragg grandes.
El mtodo de Debye-Scherrer es probablemente el ms importante para la
determinacin de estructuras debido al hecho de que cada material cristalino
tiene su propio grupo de espaciamientos interplanares. A pesar de que el Cu, Ag y
Au tienen la misma estructura cristalina (FCC), las celdas unitarias de estos tres
materiales son diferentes en tamao y, como resultado, los espaciamientos
interplanares y ngulos de Bragg son diferentes en cada uno.
DIFRACTMETRO DE RAYOS X
Medicin directa con un contador
Geiger
La radiacin X pasa a travs de
aberturas especiales que coliman el
haz.
Un haz divergente que pasa a travs
de las aberturas incide en la muestra.
Los rayos X difractados por el
espcimen forman un haz
convergente en las aberturas
recibidoras antes de entrar en el
detector.
Bragg-Brentano
El haz difractado debe pasar a travs
de un monocromador antes de ser
recibidos por el detector.
Comnmente el monocromador se
coloca en el camino del haz
difractado en lugar del camino del
haz incidente.
Este arreglo puede suprimir
longitudes de onda diferentes a las
K y disminuye la radiacin de fondo
originada en el espcimen.

Los movimientos relativos entre el
tubo de rayos X, el espcimen y el
detector aseguran el registro de la
intensidad de difraccin en un rango
de 2.
Ntese que el ngulo no es aquel
entre el haz incidente y la superficie
de la muestra, sino que es el ngulo
entre el haz incidente y la superficie
del plano cristalogrfico que genera
la difraccin.
El arreglo Bragg-Brentano no es
adecuado para muestras delgadas
como pelculas o recubrimientos.
La tcnica de thin-film XRD usa un
arreglo ptico especial.
El haz incidente es dirigido a un
ngulo muy pequeo (usualmente
<1
o
), el cual es fijo durante la prueba
nicamente el detector se traslada
para para obtener las seales de
difraccin
Los difractmetros modernos
producen curvas de intensidad vs
ngulos de Bragg.
Identificacin de estructuras y fases
Anlisis cualitativos y cuantitativos
Concentraciones relativas de fases y
su identificacin
DETERMINACIN DE ESTRUCTURAS SIMPLES
USANDO DIFRACCIN DE RAYOS X
Quizs el uso ms comn de la difractometra de polvos es la determinacin
precisa de los parmetros de red.
Dependiendo de la informacin disponible, se puede saber a qu familia pertenece
un plano que difracta en determinado ngulo, el parmetro de red, el
espaciamiento interplanar, el ngulo de Bragg y el elemento o material que se est
analizando.

= 2

2
:
2
:

=
2

EJERCICIOS
1 Determine el ngulo de difraccin esperado para una reflexin de primer orden de
un grupo de planos (113) del Pt FCC cuando una radiacin monocromtica con
longitud de onda de 0.1542 nm incide en dicho material.
2 El Ir tiene una estructura FCC. Si el ngulo de difraccin para el grupo de planos
(220) ocurre a 69.22
o
(n=1) cuando una radiacin monocromtica con longitud de
onda de 0.1542 nm incide en l, determine el espacio interplanar para dicho grupo
de planos y el radio atmico del Ir.

3 Para qu grupo de planos cristalogrficos ocurrir una reflexin de primer orden
en un ngulo de 46.21
o
para el Fe BCC cuando le incide una radiacin
monocromtica con longitud de onda de 0.0711 nm?
4 La Figura 15 muestra los primeros cuatro picos del patrn de difraccin del Cu, el
cual posee estructura FCC; se us radiacin monocromtica de longitud de onda de
0.1542 nm.
a) Indexe (establezca h, k y l) cada uno de los picos.
b) Determine el espaciamiento interplanar para cada uno de los picos.
c) Para cada pico, determine el radio atmico del Cu.

SOLUCIONES
1)
FCC: = 4/ 2 r
Pt
=0.139 nm

=
0.3931
1
2
:1
2
:3

= .
=
;1
2
=
;1
1 0.1542
(2) 0.11854
= .

2)
= 69.22/2 =
;1
1 0.1542
(2)
=> = .
= 4/ 2
0.1357 =
4/ 2
2
2
:2
2
:0
= => = .

3)
BCC: =
4
3

= .126
=
2

2
= 10.32 => 10 =
> = ()
4)
2
1
= 43

2
2
= 50.5

2
3
=
74.5

2
4
= 91

= .128 =
4
2

=
0.36
=
2 0.36 (21.5)
0.1542

2
=
2.93 => 3 => = ()
=
2 0.36 (25.25)
0.1542

2
=
3.96 => 4 => = ()
=
2 0.36 (37.25)
0.1542

2
=
7.98 => 8 => = ()
=
2 0.36 (45.5)
0.1542

2
=
11.09 => 11 => = ()

b)

=
0.36
1
2
:1
2
:1

= .

=
0.36
2
2
:0
2
:0

= .

=
0.36
2
2
:2
2
:0
2

= .

=
0.36
= .


c)
=
.208( 3) 2
4

= 0.127
=
.18(4) 2
4

= 0.127
=
.1273( 8) 2
4

= 0.127
=
.1085( 11) 2
4

= 0.127 m

ESPACIOS INTERPLANARES EN CRISTALES
HEXAGONALES
Para estructuras HCP, el espacio interplanar se obtiene con ayuda de la siguiente
relacin:

2
4
3

2
+
2
4
3

2 +
2
4
3

2
+
2
2

2
= 1

2
=
3
4
2
::
2 +

FLUORESCENCIA DE RAYOS X
Rayos X caractersticos
Un tubo de rayos X genera radiacin
X con un rango de longitudes de onda
comenzando de un mnimo, llamada
rayos X continuos o radiacin X blanca.
Existen mximos de intensidad bien
definidos a ciertas longitudes de onda
superpuestos en el espectro
continuo. Estos picos se llaman rayos
X caractersticos.


La difraccin de rayos X requiere de una fuente monocromtica de radiacin.
Dicha radiacin debe provenir de los rayos X caractersticos que son obtenidos
filtrando el resto del espectro.
Los principios fsicos de la generacin de rayos X caractersticos se esquematizan
en la siguiente figura.
Cuando un electrn incidente tiene suficiente energa para excitar un electrn de
las capas internas del tomo a un estado de mayor energa, la vacancia generada
en la capa interna ser eliminada por el acomodo de un electrn de un nivel
exterior.
Ya que dicho electrn pasa a un estado energtico menor, liberar el excedente de
energa emitiendo radiacin X con una longitud y energa especficas. Por ejemplo,
una vacancia en la capa K puede ser llenada por un electrn de la capa L o M, lo
que resulta en emisin de rayos X caractersticos K

y K

, respectivamente.

FLUORESCENCIA DE RAYOS X
Cuando los materiales son expuestos a radiacin de longitud de onda corta (rayos
X o gamma), ocurre la ionizacin de sus tomos. Este fenmeno consiste en la
expulsin de uno o ms electrones del tomo, y puede ocurrir si dicho tomo est
expuesto a radiacin de mayor energa que su potencial de ionizacin.
Los rayos X pueden ser suficientemente energticos para expulsar electrones
fuertemente ligados (presentes en las capas internas). La remocin de un electrn
de esta regin hace que la estructura electrnica del tomo se vuelva inestable, y
los electrones de orbitales ms externos bajan para llenar la vacancia.
En este movimiento de nivel de mayor energa a otro de menor, se libera energa
en forma de fotn, cuya magnitud es igual a la diferencia de energa entre los dos
orbitales. Esta radiacin emitida es la radiacin caracterstica de los tomos
presentes. El trmino fluorescencia se aplica al fenmeno en el cual la absorcin de
radiacin de energa especfica resulta en la reemisin de radiacin de energa
distinta (generalmente menor).
La XRF analiza la composicin qumica elemental de las muestras detectando los
rayos X caractersticos emitidos del espcimen despus del bombardeo con rayos
X primarios de alta energa. Los rayos X caractersticos pueden ser analizados con
base en su longitud de onda o su energa. Actualmente existen dos variantes de
XRF: WDS y EDS. Un instrumento XRF consiste de tres partes principales: la fuente
de rayos X, el sistema de deteccin y el sistema de procesamiento de datos.
La fuente de rayos X genera los rayos X primarios para excitar los tomos de la
muestra. Para ello se requieren de voltajes y potencias enormes, con la finalidad
de garantizar que los rayos X que incidan en la muestra excedan el potencial crtico
de generacin de rayos X caractersticos en el espcimen. La radiacin X se
produce cuando electrones acelerados impactan un blanco metlico. La radiacin
emitida consiste de longitud de onda continua y caracterstica.
La principal diferencia entre WDS y EDS es el sistema de deteccin de rayos X. El
WDS utiliza un monocristal difractor para detectar las longitudes de onda
caractersticas emitidas por el espcimen, de acuerdo con la Ley de Bragg. El EDS
utiliza un detector de fotones (diodo Si(Li)) para separar los fotones de rayos X
caractersticos de acuerdo a sus energas.
El WDS ofrece mejor resolucin y un rango ms amplio de anlisis elemental que
el EDS, aunque su instrumentacin es ms complicada. Los WDS modernos
pueden detectar elementos a partir del C (Z=6). Actualmente el EDS es ms
popular debido a que no posee partes mviles como el WDS y recolecta mayor
informacin simultneamente que su contraparte.

METALOGRAFA
La microscopa ptica para los metalurgistas se convirti en un campo
especializado llamado metalografa.
PREPARACIN DE LAS MUESTRAS
La microestructura de un material solamente puede ser vista en un microscopio
ptico despus de que el espcimen ha sido debidamente preparado.
Los principales pasos para una correcta preparacin del espcimen con fines de
anlisis en microscopio ptico incluyen lo siguiente.
Seccionado Pulido
Montaje Ataque
Desvastado

SECCIONADO
Este paso tiene dos objetivos: generar una seccin transversal del material a
estudiar y reducir el tamao de la muestra para ser colocada en el microscopio o
para embeberla en material de montaje para preparaciones adicionales.
MONTAJE
Esto se refiere al embebido de las muestras en materiales de montaje
(comnmente polmeros) para otorgarles una forma regular para el posterior
procesamiento. Existen dos tipos de montaje: montaje en fro y en caliente.
DESBASTADO
El desbaste se refiere al aplanamiento de la superficie a ser examinada
removiendo cualquier dao ocasionado por el seccionado.
El desbaste produce daos que deben ser minimizados por abrasivos
subsecuentes ms finos.
Al final de cada desbaste con lija, el nico dao visible en la superficie debe ser el
dao generado por la ltima etapa de desbaste.

PULIDO
El pulido es la ltima etapa en la produccin de una superficie plana y libre de
rayones. El pulido le otorga a la superficie un acabado espejo.
Este trabajo se lleva a cabo generalmente en un disco rotatorio sobre el cual se
encuentra un pao suave impregnado de suspensin de abrasivos.
El pulido puede realizarse a mano o en un brazo automtico. Si se decide por el
trabajo manual, debe tenerse especial cuidado en la fuerza con la que se presiona
la pieza contra el pao a fin de evitar deformacin plstica de la superficie.
La rotacin de la mano con la que se sujeta la pieza debe ser contraria a la rotacin
del pao.

ATAQUE QUMICO
El ataque qumico es un mtodo para generar contraste entre las caractersticas
microestructurales en superficies a estudiar.
Esencialmente se trata de un proceso de corrosin por accin electroltica entre
superficies con diferentes potenciales electroqumicos.
La actividad electroltica resulta de heterogeneidades fsicas o qumicas que
generan que algunas zonas de la superficie se comporten como nodos y otras
como ctodos en determinadas condiciones.
Los lmites de grano son atacados ms severamente por el qumico, y por ello son
revelados por el microscopio ptico porque reflejan la luz de manera diferente.

MICROSCOPA ELECTRNICA
El lmite de la magnificacin posible con un microscopio ptico es
aproximadamente 2000 aumentos.
La imagen de una estructura en estudio se forma usando haces de electrones en
lugar de luz.
De acuerdo con la mecnica cuntica, un electrn de alta velocidad se comportar
de manera ondulatoria, teniendo longitudes de onda inversamente proporcionales
a su velocidad.
Cuando stos son acelerados con grandes voltajes, pueden obtener longitudes de
onda en el orden de 0.003 nm.
La microscopa electrnica puede funcionar en modalidad tanto de transmisin
como de reflexin.
MICROSCOPIO ELECTRNICO DE
TRANSMISIN
La imagen vista con un TEM se forma por un haz de electrones que pasa a travs
del espcimen. Los detalles de la microestructura interna son posibles de
observar; los contrastes en la imagen son producidos por diferencias en la
dispersin o difraccin producidas entre varios elementos de la microestructura o
defectos.
el espcimen debe ser preparado en forma de una lmina extremadamente
delgada; esto garantiza la transmisin de una fraccin apreciable del haz
incidente.
Con este instrumento se pueden alcanzar magnificaciones cercanas a un milln, lo
que permite estudiar dislocaciones en las redes cristalinas.
MICROSCOPIO ELECTRNICO DE BARRIDO
Con este instrumento se puede examinar la superficie de una muestra mediante
barrido con un haz de electrones, y los haces reflejados (o retrodispersados) son
recolectados y mostrados en una pantalla CRT a la misma velocidad de barrido.
La imagen en la pantalla representa la superficie del espcimen.
La superficie puede o no estar pulida o atacada, pero debe ser conductora de la
electricidad; una pelcula metlica debe ser aplicada a materiales no conductores.
Las magnificaciones de este instrumento se encuentran en el rango entre 10-
50000 con gran profundidad de campo.
Los accesorios permiten anlisis cualitativos y semicuantitativos de composicin
elemental de reas superficiales muy localizadas.
Gracias