UMSNH IIM

Defectos puntuales y notacin de

Kroger Vink
Cermica Fsica
Introduccin:

Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones y defectos, que
afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen en algunas propiedades de los
materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad
elctrica y la corrosin etc.

Qu es un defecto cristalino?

Un defecto cristalino es cualquier perturbacin en la periodicidad de la red de un slido cristalino. El cristal
perfecto es un modelo ideal, en el que las diferentes especies (ya sean molculas, iones u tomos neutros) estn
colocados de forma peridica y regular, extendindose hasta el infinito.



Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma:

En primer lugar se clasifican en intrnsecos y extrnsecos:

Intrnsecos: naturales, propios del material, salto de los propios tomos.
Extrnsecos: impurezas, precipitados

Segn su dimensin se distinguen 4 tipos de defectos:

Puntuales
Defectos lineales: se extienden en una direccin, y afectan a una fila de puntos de red
Defectos de superficie: se extienden en dos dimensiones:
Superficie del cristal.
Borde frontera o lmite de grano.
Defectos de apilamiento
Maclas
Defectos volumtricos: de 3 dimensiones, distorsionan fuertemente la red. Suelen estar formados por la
agrupacin de defectos puntuales:
Cavidades
Precipitacin de fases

Defectos puntuales o de 0 dimensiones, afectan a un punto de red, perturbando nicamente a los vecinos ms
prximos.

Se clasifican en:

Vacante: Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la perdida de un tomo que
se encontraba en esa posicin. Puede producirse durante la solidificacin por perturbaciones locales
durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse por reordenamientos atmicos en el
cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los tomos.


Figura 1. Defectos puntuales de vacancias.



El nmero de vacantes en equilibrio para una cantidad dada de material, se incrementa con la temperatura de acuerdo a la
ecuacin:

Donde:

Nv es el nmero de vacantes por metro cbico
N es el nmero de puntos en la red por metro cbico
Q es la energa requerida para producir una vacancia (J/tomo)
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62 x 10-5eV/tomoK




Figura 2.Grafica de Arrhenius In (Nv) vs. 1/T
Si ya existen algunos defectos la fuerza requerida para
introducir otro defecto cada vez es mayor .

Se puede usar la grafica de Arrhenius para observar la
concentracin vacancias.

La estructura del cristal determina la energa de formacin de
las vacancias.

Se pueden comparar cristales de la misma estructura a partir
de la temperatura.

El numero de vacancias aumenta exponencialmente con el
aumento de la temperatura
Defectos intersticiales

Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posicin que normalmente no est
ocupada formando un defecto llamado Defecto intersticial . Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente
grandes distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms grande que la posicin
intersticial en la que se sita. Consecuentemente la formacin de este defecto no es muy probable. Se pueden introducir en
una estructura por radiacin.
Figura 3. Defectos intersticiales.
Caractersticas:

Menos del 15% de diferencia en el radio atmico
Misma estructura cristalina
Electronegatividades semejantes
Misma valencia
Impurezas en slidos

Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por un tomo diferente. El tomo sustituyente puede
ser ms grande que el tomo original y en ese caso los tomos alrededor estn a compresin o puede ser ms
pequeo que el tomo original y en este caso los tomos circundantes estarn a tensin. Este defecto puede
presentarse como una impureza o como una adicin deliberada en una aleacin.
Figura 4. Impurezas o reemplazamientos
Dependiendo de la clase de impureza que se halle en el cristal, de su concentracin y de la temperatura se formar en el
cristal una solucin slida.
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas pueden generarse por dos mecanismos:

Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a tomos originales.
Intersticial: Aqu los tomos de las impurezas llenan los vacos o intersticios dentro del material original
Figura 5. Solucin slida por
sustitucin de Cobre y Nquel
Figura 6. Impurezas intersticiales
de Carbn en hierro
Defecto Frenkel

Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial, implica el movimiento de un catin de un sitio
normal a un sitio intersticial que se facilita generalmente por el tamao inferior respecto al de un anin.

Anti Frenkel. Desplazamiento de un anin a un sitio intersticial
Figura 7. Vacante + Catin Intersticial
Defecto Schottky

Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red
tanto un catin como un anin.

Anti Shottky. Par de inclusiones intersticiales de carga opuesta (catin y anin)

Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion de diferente carga. Por
ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de valencia +1. En este caso una carga extra positiva se introduce
dentro de la estructura. Para mantener un balance de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces
inicos)

Figura 8. Defecto Schottky
Figura 9. Defecto por reemplazamiento por iones de
diferente carga
Figura 11. Defecto Schottky y Frenkel
#

2

#

1
2

2

Donde:

Ns= nmero de defectos de Schotty por m^3
Nf= nmero de defectos de Schotty por m^3
N= posiciones reticulares (catinicas y aninicas)
Ni= posiciones intersticiales
Hs= Energa de activacin de defectos Schottky
Hf= Energa de activacin de defectos Frenkel
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62
x 10-5eV/tomoK
Figura 12. Tabla de defectos puntuales vs estructural
Notacin Kroger - Vink

Los defectos en cristales inicos pueden ser descritos mediante la siguiente notacin:

X: Representa que es lo que se encuentra en el sitio indicando con una vacancia V o el smbolo del elemento
que se encuentra en el sitio.

Y: Indica el tipo de sitio que esta ocupado por X, ya sea i, un intersticio u ocupado por un tomo cuyo smbolo
se indica en esta posicin.

Z: Aqu se indica la carga del in en el sitio Y, usndose puntos para indicar cargas positivas, y con comilla si la
carga es positiva y con x si la carga relativa es cero.
Bibliografa

SolidState Chemistry.
A.R. West (Tema 9 .-CrystaldefectsandNon-stoichiometry)

Qumica del Estado Slido
L: Smart-E. Moore
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana

http://es.wikipedia.org/wiki/Defecto_cristalino

https://www.nde-ed.org/EducationResources/CommunityCollege/Materials/Structure/point_defects.htm

www.mse.berkeley.edu/groups/morris/.../defects.pdf