Anda di halaman 1dari 60

CACAT PADA KRISTAL

TIK:
Memahami jenis-jenis cacat pada kristal dan mampu
menganalisa pengaruhnya terhadap sifat material, khususnya
logam

Crystal Defects
Suatu struktur kristal yang ideal dapat digambarkan dalam
bentuk tiga dimensi yang berulang secara periodik, disebut
lattice/ kisi.
Dan sebuah atom dari beberapa atom yang dikumpulkan
dengan kisi2 lainya disebut motif.

Crystal = Lattice + Motif


Pada kenyataanya susunan atom ini dapat mengalami
penyimpangan tidak sebagaimana mestinya. Hal ini disebut

cacat pada kristal.

Defects Dimensionality

Examples

Point

Vacancy

Line

Dislocation

Surface

Free surface,

Grain boundary

A. Point Defect
Pada logam murni terdapat dua jenis cacat titik yang mungkin
terjadi, yaitu kekosongan dan interstitial atom.
Kekosongan terbentuk dengan adanya atom yang hilang dari
susunannya. Kedua cacat tersebut diatas dihasilkan oleh
deformasi plastis dan energi yang tinggi pada proses irradiasi
material.
Vacancy: A point defect

Gbr. Point defect

Vacancy/Kekosongan
Gibbs Free Energy G
G involves two terms:

1. Enthalpy H =E+PV

E internal energy
P pressure
V volume

2. Entropy S
G=HTS

=k ln W

k Boltzmann constant
W number of microstates
T Absolute temperature

Kekosongan meningkatkan H dari kristal sepanjang energi


yang dibutuhkan untuk memutuskan ikatan.

D H = n D Hf
G = H T S
n= jumlah kekosongan
k = Boltzmann constant = 1.38066 x 10-23 J/K = 8.617385 x 10-5 eV/K

Hf energi yang dibutuhkan untuk pembentukan satu buah cacat

Vacancy increases S
pembentukan entropi

of

the

crystal

selama

Configurational entropy due to


vacancy

Number of atoms:

Number of vacancies:

Total number of sites:

N+n

Contribution of vacancy to thermal expansion

Increase in vacancy concentration increases the volume


of a crystal

Suatu
kekosongan
meningkatkan
volume
sebanding
dengan
volume dari suatu atom
terhadap volume dari
crystalcrystal

....Contribution of vacancy to thermal expansion

Thus vacancy makes a small contribution to the


thermal expansion of a crystal
Thermal expansion =
lattice parameter expansion + Increase in volume due to
vacancy

V Nv
DV N Dv V DN

V=volume of crystal
v= volume associated with
one atom
N=no. of sites
(atoms+vacancy)

Point Defects
Interstitial
impurity

vacancy

Substitutional
impurity

Defects in ionic solids


Frenkel defect
Cation vacancy
+
cation interstitial

Schottky
defect
Cation vacancy
+
anion vacancy

B. Introduction of Dislocation
Saat ini telah sangat banyak sekali pengamatan yang
mengidentifikasikan secara langsung tentang adanya dislokasi
dalam kristal.
Observasi mengenai dislokasi telah dimulai pada abad ke 19,
dimana deformasi plastis pada suatu logam diteruskan dengan
pembentukan bengkokan slip. Disini salah satu bagian dari
spesimen bergeser terhadap yang lainnya.

b t Edge dislocation
b t Screw dislocation

Dua jenis dislokasi garis yang sering terjadi


yaitu :
1. Dislokasi sisi
-

dislokasi sisi terletak tegak lurus terhadap


vektor burger.

Pergerakan dislokasi sisi dalam arah vektor


burger. Karena pengaruh tegangan geser
dislokasi positi jika kearah kanan dan negatif
jika kekiri.

1. Dislokasi ulir
-

dislokasi ulir terletak tegak sejajar terhadap


vektor burger.

Pergerakan dislokasi ulir dalam arah tegak lurus


vektor burger atau arah bidang slip.

Callister FIGURE 4.3


The atom positions around an edge
dislocation; extra half-plane of atoms
shown in perspective. (Adapted from
A. G. Guy, Essentials of Materials
Science, McGraw-Hill Book Company,
New York, 1976, p. 153.)

C. Surface Defects
External

Internal

Permukaan
bebas

Batas butir
Stacking fault/salah
tumpuk

Same
phase

Twin
boundary/kembaran

Interphase boundary

Different
phases

Stacking fault
C
B
A
C
B
A
C
B
A
FCC

Stacki
ng
fault

A
C
B
A
B
A
C
B
A
FCC

HCP

Permukaan bagian luar : Free


surface/permukaan bebas

Area A
Broken
bonds

Jika ikatan patah melalui suatu


luasan maka dua permukaan akan
dihasilkan pada permukaan

Area A

nA= no. of surface atoms per unit


area
nB= no. of broken bonds per surface atom
= bond energy per atom
Surface energy per unit area

1
n A nB
2

Area A
Broken
bonds

Area A

Surface energy is anisotropic

Energi permukaan akan bergantung pada


orientasi dari kristal, yakni indeks miller dari
permukaan yang bebas.
nA, nB berbeda untuk setiap permukaan yang
berbeda.

Catatan ;
Pelajari indeks miller

Internal surface: grain boundary

Grain 1

Grain
Boundary

Grain 2

Suatu batas butir merupkan batas antara dua


daerah dari struktur kristal yang sama tetapi
berbeda orientasi

Optical Microscopy, Experiment 4

Photomicrograph an iron
chromium alloy. 100X.

Callister, Fig. 4.12

Pengamatan terhadap Dislokasi


Ada beberapa metode yang digunakan untuk mengamati
dislokasi yang terjadi pada material, diantaranya adalah :
1. Surface methods
Jika suatu kristal yang mengandung dislokasi terhadap suatu
lingkungan dimana atom2 dilepaskan dari permukaan, laju
pelepasan atom pada suatu titik kemungkinan berbeda dari
suatu matrix. Perbedaan laju pemindahan yang timbul dari satu
atau lebih sifat2 dari dislokasi ;
a. Distorsi kisi dan daerah regangan dari dislokasi
b. Geometri dari bidang
c. Konsentrasi impuriti atom pada daerah dislokasi

Pada metode permukaan biasa dipergunakan chemical dan


electrolytic etching, metode lainnya termaSuk thermal etching,
dimana atom2 yang berpindah oleh penguapan ketika kristal
dipanaskan pada tekanan atmosfer yang rendah pada
temperatur tinggi.
Teknik permukaan ini memiliki
keterbatasan terhadap kristal yang
memiliki densitas dislokasi yang
rendah, kurang dari 104 mm-2, hal
ini disebabkan masing2 lubang
memiliki keterbatasan dalam
ukuran.

2. Decoration methods
Ada beberapa jenis kristal yang bersifat transparan untuk
terlihat cahaya dan radiasi inframerah. Biasanya sangat
mungkin melakukan decorate pada dislokasi dengan pengaruh
endapan sepanjang garis dislokasi.
Posisi dislokasi akan terlihat dengan penghamburan cahaya
pada endapan dan dapat diamati dengan mikroskop optik.

3. Electron Microscopy
Transmision electron microscopy sangat luas dipergunakan
untuk mengamati dislokasi dan cacat cristal lainnya, seperti
salah tumpuk, kembaran dan batas butir.
Pada pengujian ini spesimen yang dipersiapkan sangatlah tipis
dan stabil pada saat diletakan disuatu beam pada energi
elektron diruangan vacum.energi elektron pada pengujian ini
100keV.

http://www.biologie.uni-hamburg.de

The Transmission Electron Microscope


(TEM)

Mikroskop elektron konvensional salah


satunya adalah TEM (transmission
electron microscopy). Berkas elektron
dihasilkan
oleh
katoda
yang
dipanaskan oleh arus. Elektron
didalam
vacum
dengan
suatu
tegangan tinggi oleh anoda.
Tegangan pemercepat antara 50 dan
150 kV. Resolusi dari mikroskop ini
bergantung kepada kualitas dari lensa.
Mikroskop modern jenis ini memililiki
resolusi 0,2 - 0,3 nm. Penggunaan
resolusi oleh karena itu hingga
300,000 x

The Scanning electron microscope (SEM)

Tehnologi
yang
digunakan
didasarkan
kepada
teknologi
televisi. Objek biologi dibuat
konduktiv dengan melapisi dengan
lapisan tipis dari logam berat
(biasanya emas).
Resolusi yang dihasilkan lebih kecil
sedikit
dibanding
TEM,tetapi
fokusnya sedikit lebih besar.

Block diagram of a typical SEM


(Redrawn from J. W. S. HEARLE, J. T. SPARROW, P. M. CROSS, 1972)

http://www.biologie.uni-hamburg.de

http://www.biologie.uni-hamburg.de

Permukaan dari objek yang di scan oleh berkas elektron titik per
titik dimanapun elektron kedua adalah diset bebas.
Intensitas dari radiasi kedua tergantung kepada sudut terhadap
permukaan objek. Elektron kedua dikumpulkan oleh detektor yang
terpasang pada sudut tertentu disebelah atas objek. Signal
kemudian diteruskan secara kelestrikan. Pembesaran dapat dipilih
sesuai keinginan.

Plastic Deformation Methods are :


At low temperature,
1. Slip
but for Twinning so in
2. Twinning
high temperature
3. Grain boundary movement

4. Stretch / melar
At high temperature
Slip Characteristic :

1. Slip direction inclined to high density atoms


2. Slip always be at the plane with high density atoms
3. Slip start at slip system with maximum shear stres

Slip System
Slip plane , In single cyrstal there are preferred planes where
dislocation move.
Slip directions , the directions for dislocation movement
within the slip planes.

The Set of slip planes and direction constitute SLIP


SYSTEMS

BCC and FCC cystals have more slip systems as


compared to HCP.

There are more ways for dislocation to propagate and


FCC, BCC crystal are more ductile than HCP crystals.

Figure 1. slip system of the fcc crystal

Slip in Single Crystals


Resolving the Applied Stress onto the Slip System
Dislocation move in particular directions on particular
planes (the slip system) in respons to shear stresses
apllied along these plane and directions.

How the applied stress is resolved onto the slip systems ?


Let us define the resolved shear stress, r, (which produces
plastic deformation). That result from application of a simple
tensile stress, , (figure 2)

Critical Resolved Shear Stress


When the resolved shear stress
becomes sufficiently large, the crystal
will start to yield (dislocation start to
move along the most favorably
oriented slip system). The minimum
shear stress required to initiate slip is
termed the critical resolved shear
stress.

Figure 1. tensile stress at a single crystal

Maximum value of
correspons to

Slip will occur first in slip


systems oriented close to
this angel
with
respect to the applied stress

Twin
Twin merupakan tipe khusus dimana terdapat simetri kisi cermin,
yaitu atom-atom pada sebuah kisi batas berada pada posisi cermin
dari atom-atom pada kisi lainnya (daerah antara batas butir ini
disebut twin/kembaran)

Twin Boundary

Twin
Annealing twins (formed during recrystallization)

Deformation twins (formed during plastic deformation)

Annealing Twinning
Twinning affects properties of a variety of material, including
such technologically important material as superalloys, whose
fatique behavior at high temperature is drastically affected by
the presence of twin interfaces.
Mechanism of nucleation and growth of annealing twins, there is
three models to explain this mechanism ;
1.Growth accident ; in this methods, a coherent twin boundry form at a
migrating grain boundary due to faulting on {111} facets during grain
growth
2. Grain encountered ; twin form when suitably oriented grain meets.
3. Nucleation of twins by stacking faults or fault packets ; twins form
a migrating boundary such that one of the pseudo-coherent
interfaces.

The importan factors determining twinning frequency during


grain growth are :
1. Grain size D
2. Temperature T and time of annealing t
3. Velocity of grain boundary migration
4. Grain boundary energy
5. Twin boundary energy (or stacking fault energy)
Others factors often not considered carefully are :
1. Texture
2. Prestrain or prior deformation
3. inclusions

A simple reltion between twin density, p, and grain size, D,


as :

Where p = number of twin interface/unit length, B = A


constant and Do = grain size at which p = 0
Number of twins/grain (N) calculated by the following
equation, :

Where ; L = total length traversed, G = total number of grain


boundaries intercepted, M = number of twin boundaries
intercepted. Grain size (D) = L/G, twin frequency (p) = M/L

Average grain sizes D where measured as a function of time


and temperature, for both pure Nickel and also for boron
doped Nickel ;
Where K and D12 are
constants and can be
obtained from the slope
and the intercept of the
straight line in fig. below ;

Fig. A plot of square of grain size


as function of time at constant
annealing temperature.

Deformation Twinning
The Deformation accompanying mechanical twinning is simpler than
that accompanying martensitic reaction becouse no change in
crystal structure.
The shear associated with deformation twinning, on the other hand,
is uniformly distributed over a volume rather than localized on a
discrete number of slip planes.
Nevertheless, the importance of mechanical twinning is becoming
increasingly more apparent in explaining certain elusive mechanical
properties of metals. But under certain conditions, a heavily twinned
metal can be more easily deformed than one free of twins.

Identification Of Deformation Twins

K2 before twining

K2 after twining

Fig. The relationship between


the twining shear and the
second undistorted plane. The
plane
of
the
paper
corresponds to the plane of
shear. The twinning shear
displacement S. the angle
between the first and second
undistorted plane is

Where , = the angle between K1 and K2


S = the shear displacement of the upper surface relative to the bottom

h = the width of the twin

The determination of K2, the second undistorted plane,with also yield 2


since this is intersection of the second undistorted plane with the plane of
shear.
According to this diagram (fig)

2 tan 90 o
h

S
2 tan 90o
h

Now the shear strain, or shear, is defined by :

S
h

Therefore :

2 tan 90 o 2 ctn

The accuracy of the determination of K2 dan 2 depends on


the precision shear determination.

Nucleation Of Twin
Twins form as the result of the shear-stress component of
applied stress that is parallel to the twinning plane and lies in
the twinning direction 1.
A great deal of evidence suggests that nucleation centers for
twinning are positions of highly localized strain in the lattice.
Becouse the localized stress fields (of twin nucleation
centers) can be formed in a number of different ways
depending on the geometry and orientastion
of the
specimen, as well as the nature of applied stress, it is
probable that there can be no universal critical resolved
stress for twinning as there is for slip.

Theoritical Tensile Strain Due To Twinning Of A Single


Crystal
The following expression by Schmid and Boas

t 1 2 S sin o coso S 2 sin 2 o

Where :
t = tensile strain due to twinning
S = twinning shear

o = angle between the twinning plane and the tensile axis


For a twin initially oriented so that both o and o are 45o, equation ;

t 1 S S 2 / 2 1

The different between Slip and Twin


SLIP

TWIN

-The Atoms movement are multiply


of burgers vektor
- the continiusly of lattice are
maintained
- atoms movement pass through
the certain crystalografy plane

-The Atoms movement doesnt


multiply of burgers vektor
- latice change to be a deformation
area
- atoms movement pass through
many crystalografy plane

Literatur
Guiere, M.R.D, 2002,
Engineering, EMSE 201.

Introduction

to

Materials

Science

&

Hill.R.R and Abbaschian, R., 1994, Physical Metalurgy Principle, thirtd


edition, PWS Publishing company, Boston.
Hirth, J., P dan Lothe, J, 1982, Theory of Dislocation, John Willey &
Sons,Inc. Canada.
Hull, D dan Bacon, D., J, 1983, Introduction to Dislocation, Vol.37,
Pergamon Press, England.
Introduction to materials science,Chapter 7, Dislocation and
strengthening mechanisms, Dept.of Materials science and enginering,
University of Virginia.
Rath,B.B., Imam,M.A. and Pande,C.S., 2000, Nucleation And Growth Of
Twin Interfaces In FCC Metals And Alloy, Mater.Phys.Mech.1, 61-66.

Kekuatan geser teoritis untuk suatu kristal sempurna


Kita mengetahui bahwa logam memiliki struktur kristalin, hal
ini sangat menarik dalam perhitungan kekuatan kristal yang
sempurna. Frenkel , telah membuat hubungan shear-stressshear-displacement. Beliau menyatakan periodik dari energi
merupakan bentuk sinusoidal, sehingga ;
s

theoritis

2 x
sin
b

1)

x
Fig. 1 the periodic lattice potential,
and the equivalent value of th shear
stress accompanying the shear of a
perfect lattice.

Suatu pergeseran plastis kristal diatas suatu bidang sama


dengan energi dengan suatu periode b. Jika tegangan bekerja
maka akan diikuti geser x sebanding dengan dW/dx, dimana
W merupakan energi perpindahan perluasan area atau bidang.
Pada suatu daerah yang dibatasi dari suatu regangan geser yang
kecil, x/d, dimana d merupakan jarak antar bidang, hukum
diaplikasikan dalam bentuk ;

x

d

2)

, merupakan modulus geser, persamaan 1),2) terbatas


terhadap regangan yang kecil.

Dimana ;

sin 2 x / b 2 x / b

Nilai theoritis dari tegangan geser dapat dinyatakan sebagai ;

theoritis

2 d
5

3)

Nilai theoritis dibawah /30 hanya pada daerah dekat melting


point. Tetapi pada temperatur kamar /5 > theoritis > /30

Gbr.
Posisi
atom
yang
digunakan
untuk
estimasi
tegangan geser kritis.

The number of microstates:


W

N n

( N n)!
Cn
n! N !

Increase in entropy S due to vacancies:


( N n)!
n! N!
k[ln( N n)! ln n! ln N!]

DS k ln W k ln

DS k ln W k[ln( N n)! ln n! ln N!]

ln N! N ln N N
DS k[(N n) ln( N n) n ln n N ln N ]

DH n DH f

Change in G of a crystal due to vacancy


DG

DH
DH n DH f

G of a
perfect
crystal

DG = DH TDS
neq

Fig. 6.4

TDS
DS k[(N n) ln( N n) n ln n N ln N ]

Equilibrium concentration of vacancy


DS k[(N n) ln( N n) n ln n N ln N ]
DH n DH f
DG nDH f Tk [( N n) ln( N n) n ln n N ln N ]

DG
n

0
n neq

DH f
exp
N
kT

neq

With neq<<N

neq
Al:
Ni:

DH f
nt exp
kT

DHf= 0.70
DHf= 1.74
n/N

ev/vacancy
ev/vacancy
0K

300 K

900 K

Al

1.45x1012

1.12x104

Ni

5.59x1030

1.78x10-10

nt jumlah atom