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ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

DISPOSITIVOS USADOS EN
LOS CONVERTIDORES DE
POTENCIA

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1. El Diodo de Potencia

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Definicin y caractersticas
Son dispositivos semiconductores
unidireccionales, fabricados en silicio( la ms
utilizada) y tambin en germanio.
Como nico medio de control encontramos
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Adems se caracterizan porque en estado de
conduccin pueden soportar alta intensidad con
una pequea cada de tensin.

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... continuacin
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El diodo se puede hacer funcionar de 2

maneras:
Polarizacin directa y, Polarizacin inversa.

Su curva caracterstica responder a la

siguiente ecuacin:

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Curva caracterstica

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Siendo:
VRRM = tensin inversa mxima
VD = Voltaje de codo

Agrupacin de caractersticas

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Caractersticas estticas
Caractersticas dinmicas
Disipacin de Potencia
Caractersticas trmicas
Caractersticas mecnicas
Proteccin contra sobreintensidades

Caractersticas Estticas

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Parmetros en bloqueo (polarizacin

inversa)
Parmetros en conduccin
Modelo esttico

Parmetros en bloqueo

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Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser

soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en
ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez,
durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del
mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el
diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin

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Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima

intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede
soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser
soportada cada 20 mseg, con una duracin de pico a 1 mseg, a una
determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25 C).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico
de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de
10 mseg.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando
se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos Estticos

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Caractersticas Dinmicas

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Tiempo de recuperacin inverso

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Caractersticas de la recuperacin
inversa
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Carga de Recuperacin Inversa QRR

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Es la carga de portadores que fluye por el diodo en direccin

inversa, debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin
de bloqueo inverso. Su valor esta dado por el rea encerrada por la
trayectoria de Irr:

QRR(1/2)IRR.ta + (1/2)IRR.tb = (1/2)IRR.trr .(1)

IRR= (2Qrr/trr) (2).
Si Tb es despreciable respecto a
ta trr ta Entonces.
ta=tb:
2 Qrr
trr
trr di / dt .............(3)

Y cuando
4 Qrr
di / dt

........................(5)

Irr 2Qrr.di / dt.................(4) Irr Qrr.di / dt.................(6)

... continuacin

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Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre

desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de cada (tb): es el tiempo transcurrido desde el pico
negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la
descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la
prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de ste.
Tiempo de recuperacin inverso (trr): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el
rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Influencia del trr en la conmutacin

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Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

- Se limita la frecuencia de funcionamiento, pues a altas
frecuencias disminuye abruptamente el rendimiento de la
rectificacin..
- Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de
recuperacin
inversa, que puede llegar a producir
sobrecalentamiento y destruccin
del diodo.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de
recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :
A mayor I RRM menor trr.
Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo,
mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

Tiempo de recuperacin directo

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El tiempo de recuperacin directo (tfr): es el tiempo

que transcurre entre el instante en que la tensin
nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que
dicha tensin se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de

recuperacin inversa y no suele producir prdidas de
potencia apreciables.

Disipacin de Potencias

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Potencia mxima disipable (Pmx)

Potencia media disipada (Pav)
Potencia inversa de pico repetitivo
Potencia inversa de pico no repetitivo

Caractersticas Trmicas

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Temperatura de la unin
Temperatura de almacenamiento
Resistencia trmica unin contenedor
Resistencia trmica contenedor disipador

Proteccin contra sobreintensidades

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La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia

de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos
modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin
de motores, carga de condesadores, utilizacin en rgimen de
soldadura, etc.
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o
total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente
siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los
casos.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el
intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as
ser el fusible el que se destruya y no el diodo.

Tipos de diodos de potencia

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Diodos de uso general (trr aprox. 25us)

VRM=kV. If=kA
Diodos de recuperacin rpida:
(trr aprox. De 50 ns - 5 us), VRM = 400v
Diodos Schottky (Vf=0.3V, VRM=50-100V)

El diodo Schottky

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A diferencia del diodo semiconductor normal

que tiene una unin PN, tiene una unin Metal-N.
- Poca capacidad de conduccin de corriente en
directo (en sentido de la flecha)
- No acepta grandes voltajes que lo polaricen
inversamente (VCRR)

El diodo Zener

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El diodo Zener siempre se utiliza en

polarizacin inversa.
Analizando la curva del diodo zener
vemos que en el lugar donde se marca
como regin operativa.

Curva del Diodo Zener

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APLICACIN DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

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Circuito de manejo de motores bipolares

(circuito H-bridge)