Dispositivos semiconductores de potencia.

Tema VII.
Interruptores
Leccin 16

El diodo de potencia

16.1 Construccin y encapsulado

16.2 Caractersticas estticas
16.2.1 Curvas caractersticas
16.2.2 Estados de bloqueo y conduccin
16.2.3 Clculo de prdidas
16.3 Caractersticas dinmicas
16.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa
16.3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa
16.3.3 Clculo de prdidas

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia
16.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos
16.4.3 Diodos Schotkky
16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales
16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

CARACTERSTICAS
CARACTERSTICASDESEABLES:
DESEABLES:
--Corriente
Corrienteelevada
elevadacon
conbaja
bajacada
cadade
detensin
tensin
--Tensin
Tensininversa
inversaelevada
elevadacon
conmnimas
mnimasfugas
fugas
COMPARACIN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:
Tipo
Tipo

Cada
Cadadede
tensin
tensin
directa
directa(V)(V)

Corriente
Corriente
dedefugas
fugas

Temp.
Temp.
interna
interna
mx.
mx.(C)(C)

Tensin
Tensin
inversa
inversa
mx.
mx.(V)(V)

Intensidad
Intensidad
directa
directa
mx.
mx.(A)(A)

Densidad
Densidad
dedecorriente
corriente
(A/cm
(A/cm

Mercurio
Mercurio
Selenio
Selenio

1515a a1919
11

baja
baja
altaalta

400400
150150

20.000
20.000
5050

5.000
5.000
5050

4.000
4.000
11

Germanio
Germanio

0,50,5
11

baja
baja
muy
muybaja
baja

120120
200200

800800
3.500
3.500

200200
1.000
1.000

100100
100100

0,60,6

altaalta

7070

3030

1010

11

Silicio
Silicio
Oxido
Oxidodede
cobre
cobre

)2 )

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

- Aislamiento
- Conexin Elctrica
- Disipacin trmica

ENCAPSULADOS
DO - 5
Terminal
Terminaldedecobre
cobre
(nodo)
(nodo)
Cierre
Cierreaislante
aislante

Soldaduras
Soldaduras
Au-Si
Au-Si

Base
Basededecobre
cobre
(ctodo)
(ctodo)

Cierre
Cierremetlico
metlico
PP
NN

Pastilla
Pastilla
semiconductora
semiconductora

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

DO 200AC
Grandes corrientes
(3500 5000 A)
Base de cobre
Base de cobre
(nodo)
(nodo)

Pastilla
Pastilla
semiconductora
semiconductora

Cierre metlico
Cierre metlico
Cierre cermico
Cierre cermico
Soldaduras
Soldaduras

Base de cobre
Base de cobre
(ctodo)
(ctodo)

PP
NN

Cierre metlico
Cierre metlico

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

Vd
rd

VF

id
tg = 1/rd
VRRM
IR
VR

Vd

VAK

Diodo real

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

id

V d =0
r d =0
V

AK

Diodo ideal

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin:
DIODO IDEAL
V

DIODO REAL
V

rd

V-V

-r d i d

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin. Parmetros:
Intensidad media nominal (IFAV):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C
normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):
Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cpsula.
Intensidad de pico nico (IFSM):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo:

V
V

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin inversa de pico nico (VRSM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura (VR):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Clculo de prdidas:

Pdis

1
v F (t) i d (t) dt
T 0
T

22
PPdis
=
V
I
+r
(I
)
=
V
d
I
dm
+r
d
(I
def
)
dis
d dm
d
def

VVd::
d
Idm
Idm::
rrd::
d
Idef
I ::
def

i di

Tensin
Tensinumbral.
umbral.
Corriente
Corrientemedia.
media.
Resistencia
Resistenciadinmica.
dinmica.
Corriente
Corrienteeficaz.
eficaz.

VV F
F
i di

VV d
d

r rd

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Entrada de conduccin: Recuperacin directa
Diodo Ideal:

Diodo Real:

i di

didid /dt/dt

I dI

Cierre

tt
V VF

Id

V VFP

FP

tt
-V-V R
R

t rdt

rd

trd
t ::tiempo
tiempode
derecuperacin
recuperacindirecta
directa
rd

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Salida de conduccin: Recuperacin inversa
Pico de corriente de recuperacin Inversa:

Irr t a

di d
dt

Tiempo de recuperacin inversa:

t rr t a t b
ta = tiempo de almacenamiento.
tb = tiempo de cada.
Carga de Almacenamiento:

Q rr
t rr

2 Q rr
di d
dt

1
t rr Irr
2
Irr 2 Q rr

di d
dt

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Clculo de prdidas:
Las prdidas de entrada
en conduccin son muy
pequeas ( trd << trr) y
suelen despreciarse!

Pdis

1 T
v F (t) i d (t) dt
T 0
PPdis
= Q V f
dis = QrrrrVRRfSS

ffS::Frec.
de conmutacin.
S Frec. de conmutacin.
Observar la dependencia de
las prdidas con la frecuencia
de conmutacin.

(aproximacin de la salida
de conduccin)
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
I ::1A
1A6000
6000AA
FAV

VVRRM::400
3600 V
RRM 400 3600 V
VVFmax::1,2V
(a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)
ttrr::10s
rr 10s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
Rectificadoresde
deRed.
Red.
--Baja
Bajafrecuencia
frecuencia(50Hz).
(50Hz).

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):
IFAV
I ::30A
30A200
200AA
FAV

VVRRM::400
1500 V
RRM 400 1500 V
VVFmax::1,2V
(a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)
ttrr::0,1
- 10s
rr 0,1 - 10s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutacin
Conmutacinaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:
IFAV
I ::1A
1A120
120AA
FAV

VVRRM::15
150 V
RRM 15 150 V
VVFmax::0,7V
(a IFAVmax)
Fmax 0,7V (a IFAVmax)
ttrr::5ns
rr 5ns
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosde
delibre
librecirculacin.
circulacin.
--Cargadores
Cargadoresde
debateras.
bateras.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):
IFAV
I ::0,45A
0,45A22AA
FAV

VVR::7,5kV
18kV
R 7,5kV 18kV
VVRRM::20V
100V
RRM 20V 100V
ttrr::150ns
rr 150ns
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensin.
tensin.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):
IFAV
I ::50A
50A7000
7000AA
FAV

VVRRM::400V
2500V
RRM 400V 2500V
VVF::2V
F 2V
ttrr:10
s
rr:10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

nodo
DO - 5

Encapsulado
cermico
600V/6000A

Alta Tensin
40.000V
0.45A
32V (VF)
32

Rectificador
1500V
168A
1.8V

200V
60A
Ctodo
(roscado)
Schottky
120A 150V

Fast
1500V
168A
1.8V

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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