SEMICONDUCTORES

Qumica de Materiales
David Shimomoto

Semiconductores - antecedentes
Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran,
desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductibilidad elctrica
de estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era
suficientemente alta para considerarlos como aislantes; adems, en muchos casos
aumentaba rpidamente la conductibilidad con la temperatura, lo que constitua un
fenmeno desconocido en los metales.

 En los ltimos aos las investigaciones realizadas por un gran nmero de cientficos,
sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los materiales llamados
semiconductores, han dado por resultado una serie de descubrimientos y adelantos de
tal naturaleza que su desenlace es casi imposible prever.

1948- Primer
transistor de
puntas

1958 Tecnetron

1953 Diodo de
doble tunel

1915 Detector
de galena

John Bardeen

1960 Primer
circuito
integrado

 Transistor de efecto de campo:transistor en el que la resistencia al paso

de la corriente desde el electrodo fuente al electrodo drenador se modula por
aplicacin de un campo elctrico transversal entre los electrodos de
graduador o puerta. El campo elctrico modifica la densidad de la capa
empobrecida entre las puertas, reduciendo por tanto la conductancia.

ESTRUCTURA DIAMANTINA
Pues bien, en la estructura diamantina, cada tomo est rodeado de 4 tomos vecinos
y adems cada tomo tiende a compartir uno de sus 4 e- de valencia con cada uno
de los 4 tomos vecinos de los que toma otro e- en proceso anlogo. Las barras de
conexin de la figura pueden considerarse como pistas a lo largo de cada una de las
cuales se mueven dos e- en uno y otro sentido entre los tomos asociados. Esta
disposicin de pares de e- compartidos es lo que se denomina enlace covalente.

CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES

En un solido la disposicin espacial de sus tomos juegan un papel importante
en la determinacin de sus propiedades especificas. Atendiendo a esta
disposicin atmica un solido puede ser amorfo, policristalino o cristalino.

Los
slidos
Finalmente
se
En un
slido amorfo
cristalinos
se
encuentran
los
slidos
no
se
reconoce
encuentran
policristalinos
queel
ningn
orden en
a largo
extremo
opuesto,
es
constituyen
caso
alcance,
estounes,
la
decir,
en
un
material
intermedio, enatmica
el cual
disposicin
cristalino
los formado
tomos
el slido
est
en
cualquier
porcin
estn
distribuidos
en
subsecciones
de por
un material
amorfo
un
cristalinasconjunto
no
es totalmente
distinta
tridimensional
homogneas
entreotra
s.
a
la de cualquier
ordenado.
porcin.

INTRODUCCIN
Los semiconductores son materiales de propiedades elctricas intermedias
entre los buenos conductores metlicos y los buenos aislantes. Son de
enorme inters practico, constituyendo la base de una amplia variedad de
aparatos utilizados en electrnica, entre los que se incluyen los diodos,
transistores, fotoclulas, detectores de partculas y circuitos integrados.

MOORES LAW
La
ley
de
Moore
expresa
que
aproximadamente cada dos aos se duplica el
nmero de transistores en un circuito
integrado.
A pesar de que la ley originalmente fue
formulada para establecer que la duplicacin
se realizara cada ao,1 posteriormente Moore
redefini su ley y ampli el periodo a dos
aos. Se trata de una ley emprica, formulada
por el cofundador de Intel, Gordon E. Moore, el
19 de abril de 1965, cuyo cumplimiento se ha
podido constatar hasta hoy.

ELEMENTOS DEL
GRUPO 4A
Los elementos del grupo 4, como
el silicio y el germanio, son
especialmente tiles para este
propsito.
El
uso
de
los
semiconductores en transistores y
en celdas solares, por mencionar
dos aplicaciones ha revolucionado
la industria electrnica en las
ultimas
dcadas, lo que ha
permitido la fabricacin de equipo
electrnico en miniatura.

BRECHA ENERGTICA
(BAND GAP)
La brecha energtica entre las bandas llenas y las bandas vacas en estos slidos es
mucho menor que en el caso de los aislantes . Si se suministra la energa necesaria para
excitar electrones desde la banda de valencia hacia la banda de conduccin, el slido se
convierte en un conductor. Este comportamiento es opuesto al de los metales. La
capacidad de un metal para conducir la electricidad disminuye al aumentar la
temperatura, ya que, a mayores temperaturas, se acenta la vibracin de los tomos y
esto tiende a romper el flujo de electrones.

CONDUCTIVIDAD
La conductividad de cualquier material depende de la existencia de
electrones que pueden moverse con mayor o menor libertad dentro del
material. En los metales existen muchos electrones mviles, incluso a
temperaturas bajas. El germanio a bajas temperaturas no tiene
electrones libres, debido a su estructura cristalina.

SEMICONDUCTORES Y METALES USADOS

PARA DOPAR

e- de Valencia

SEMICONDUCTORES COMPUESTOS
Los principales semiconductores se pueden dividir en semiconductores
simples (Si o Ge) y semiconductores compuestos Binarios IV-IV, IIV y II-VI, los
cuales estn formados por parejas, mientras que existen los compuestos
ternarios y cuaternarios.

DOPAJE
La capacidad de un semiconductor para conducir la electricidad tambin se
puede incrementar mediante la adicin de pequeas cantidades de ciertas
impurezas al elemento, proceso que se denomina dopaje. Consideremos lo
que ocurre cuando se aaden trazas de boro o fsforo al silicio slido.
(Aproximadamente, slo cinco de cada milln de tomos de silicio se
sustituyen por tomos de B o P.)

SEMICONDUCTOR TIPO N
El resultado de este semiconductor es la disponbilidad de electrones libres (rosas) y
unos cuantos huecos productos del tratamiento trmico
Al polarizar el semiconductor (dos placas) y una corriente (flujo de electrones).
Los electrones son atrados por la terminal positiva y los huecos por la negativa.

Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan

electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo.

 Electrones del cable pueden entrar al semiconductor.

Los huecos formados forman iones (+) estos atraern
dichos electrones.
Llegara el momento en donde el semiconductor con
impurezas donadoras ha quedado como aislante
perfecto su resistencia al paso de los electrones es
muy alta, los electrones restantes no podrn pasar por
el semiconductor.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Este semiconductor se caracteriza por ser un semiconductor extrnseco de Silicio

(Si) o Germanio (Ge) con impurezas de Boro Aluminio o Galio, es decir donan un
hueco por tomo dado que son tomos trivalentes.
La caracterstica principal son los huecos disponibles y de algunos electrones
libres producto del tratamiento trmico (no estn en la animacin).
Al tener en su mayora huecos, los huecos son atrados a la placa negativa.

 Cada electrn entrara fcilmente al cristal recombinndose con cada

uno de los huecos (cargas + )de las impurezas trivalentes.

Probabilidad de que el electrn traspasar regin de unin, estos electrones formaran

parte de los tomos es decir electrones de valencia.
Se forma una zona en donde se encuentran estos pares de carga es decir iones (+) y (-).
Se crea una zona de agotamiento, es decir la regin cercana a la unin se queda sin
portadores de carga es decir sin electrones o huecos.

Depende del material N como de material P

Temperatura a la que esta el material
Tipo de material
A Temperatura ambiente el potencial de barrera es de 0.7 V para el Si y 0.3V para el Ge

Llegara un momento en donde la zona de agotamiento se har mas grande y la barrera de

potencial crecer es decir le costara mas trabajo a los electrones libres del material N
atravesar la barrera pero aun as siempre existir una probabilidad en donde el limite es el
equilibrio.

DEPOSICIN DE VAPOR MEDIANTE PROCESOS QUMICOS

ORGANOMETLICOS

Es un mtodo de deposicin qumica de vapor

con el que se produce un crecimiento epitaxial
de ciertos materiales, en concreto de los
compuestos semiconductores originados a raz
de una reaccin en la superficie de compuestos
orgnicos y metalorgnicos, y tambin de
hidruros de metal que poseen una serie de
elementos qumicos concretos.
el crecimiento de cristales se debe a
una reaccin qumica y no a una
deposicin
fsica.
Adems,
este
proceso no se desarrolla en vaco, sino
en una atmsfera de gas a presiones
moderadas (de 2 a 100 kPa)

ALGUNOS PRECURSORES
ORGANOMETLICOS
Aluminio
Trimetilaluminio (TMA o TMAl), Lquido
Trietilaluminio (TEA o TEAl), Lquido
Galio
Trimetilgalio (TMG o TMGa), Lquido
Trietilgalio (TEG o TEGa), Lquido

ALD
ZnO, ZnMnO and ZnCoO
Deposicin de capa atmica (ALD) es una tcnica
de deposicin de pelcula delgada que se basa en
el uso secuencial de un proceso qumico en fase
gaseosa. La mayora de las reacciones ALD
utilizar dos productos qumicos, normalmente
denominados precursores. Estos precursores
reaccionan con la superficie de un material de
una en una en un secuencial, auto-limitante, de
forma. A travs de la exposicin repetida a los
precursores separadas, una pelcula delgada se
deposita lentamente.

CARACTERIZACIN ELCTRICA
Caracterizacin elctrica puede ser utilizada para determinar la resistividad,
la concentracin de portadores, la movilidad, la resistencia de contacto,
altura de la barrera, la anchura de agotamiento, xido de carga, los estados
de interfaz, tiempos de vida del portador, y las impurezas nivel profundo.

PTICA
Caracterizacin ptica puede incluir microscopa, elipsometra,
fotoluminiscencia, espectroscopa de transmisin, la espectroscopia de
absorcin, la espectroscopia Raman, la modulacin de reflectancia,
catodoluminiscencia.

TCNICAS FSICAS-QUIMICAS
Tcnicas Electrnicas - SEM, TEM, FIB.
Tcnicas de Rayos X - FRX, XPS, DRX,

Semiconductores de ultima generacin

Grafeno:
En cualquier material semiconductor, uno debe proporcionar cierta energa a los
portadores de carga para que conduzcan corriente. En un semiconductor, la energa
que se le debe otorgar a los portadores es proporcional al cuadrado de su
momento (el producto de la masa de la partcula por la velocidad con la que se mueve).
En grafeno, esto no sucede as, sus portadores de carga se mueven como si no
tuvieran masa y la relacin resultante entre la energa y su momento es lineal.
Es decir, los portadores de carga del grafeno se comportan como partculas
ultrarelativistas

Unique Configuration of a Nitrogen-Doped Graphene Nanoribbon: Potential Applications to

Semiconductor and Hydrogen Fuel Cell
Grafeno no puede clasificarse ni como un
semiconductor ni como un metal

Semiconductores de ltima generacin

Fosforeno
El fosforeno consiste de tomos de fsforo y tiene una estructura similar al grafeno,
aunque este ltimo es una forma de carbono puro, de unos pocos tomos de espesor.
el grafeno es un conductor demasiado eficaz de la electricidad.
Un material muy estudiado desde 1960 ha sido el
fsforo negro, que se puede exfoliar, con
estructura hexagonal de capas, igual que el
grafeno, unidas con enlaces qumicos blandos, de
3 valencias, con fuerzas Van der Waals;

BIOSEMICONDUCTORES
Se publico un trabajo sobre interconexinelctrica directadeun dispositivo
semiconductorde una clulanerviosade mamferosindividual.La neuronade
disparocontrola
directamente
lacorriente
de
fuente-drenaje
de
unelectrolitode xido desilicio. Elexperimento demuestrala viabilidad de la
monitorizacin no invasivade los sistemasneuronalesdechips semiconductoresa
niveldeclulasindividualesysienta las bases paralas aplicacionesdela tecnologa
de
integracina
nanotecnologa.

Conclusiones
Loscircuitos electrnicosestn formados porcomponentes activos, como
lostransistoresolosdiodos, y los semiconductores forman un papel importante
para los dispositivos electrnicos.
En loscircuitos electrnicos,el control se efecta medianteseales elctricas.
Lossemiconductoresson materiales que, en determinadas circunstancias,
permiten el paso de la corriente elctrica. Los ms utilizados son el Silicioy
elGermanio.