AulaTeorica 01 - INTRODUO AOS MATERIAIS

SEMICONDUTORES

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Sumario

Introduo
Modelos Atmicos de Bohr
Niveis de Energia
Materiais extrnsecos
Material dopado tipo N
Material dopado tipo P
Conduo devido s lacunas
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Objetivos
Estudar e perceber os conceitos de:

Semicondutores

Modelos Atmicos de Bohr

Niveis de energia
Material dopado tipo N
Material dopado tipo P
Conduo devido s lacunas
Constituio de diodo bipolar
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

Introduo

(Aula Terica 01)

O material bsico utilizado na construo de dispositivos eletrnicos

semicondutores, no um bom condutor, nem um bom isolante. Compare no
quadro abaixo vrios materiais classificados quanto condutividade.

Classificao dos materiais quanto a condutividade elctrica

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Introduo

A resistncia eltrica de um material, mantido a uma certa temperatura

determinada pela seguinte lei:
R= . l / A
onde, R- resistncia eltrica, medida em ohms []
l - comprimento do material em metros [m]
A - rea do material em metros ao quadrado [m 2]
- resistividade do material [ . m2] / [m].

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Introduo

O silcio e o germnio, pertencentes ao grupo IV da tabela peridica so muito

utilizados na construo de dispositivos eletrnicos. O silcio o mais utilizado,
devido as suas caractersticas serem melhores em comparao ao germnio e
tambm por ser mais abundante na face da terra.

Em comparao com os metais e isolantes, as propriedades eltricas dos

semicondutores so afetadas por:
variao de temperatura,
exposio luz
acrscimos de impurezas.
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Introduo

Os materiais, silcio e germnio tm a forma monocristalina e so utilizados

com elevado grau de pureza.
O processo tecnolgico de fabricao tem reduzido os nveis de impureza e at
a uma parte para dez bilhes (1:1010), de impurezas do tipo adequado pode
mudar a condutividade do material utilizado.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Modelos Atmicos de Bohr

O tomo constitudo por partculas elementares, as mais importantes para o nosso

estudo so os eltrons, os prtons e os nutrons.
Na estrutura atmica de BOHR, os nutrons e os prtons constituem a parte central
do tomo chamada de ncleo e os eltrons giram em torno desse ncleo, em vrios
nveis energticos.
Nas figuras abaixo esto representados os modelos atmicos de BOHR, para os
tomos de silcio e germnio.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Modelos Atmicos de Bohr

A ltima camada eletrnica (nvel energtico) chamada camada de valncia. O silcio e o germnio so tomos
tetravalentes, pois possuem quatro eltrons na camada de valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer um dos eltrons de valncia menor que o necessrio para
remover qualquer outro da estrutura.
Em um cristal de silcio ou germnio, puros (intrnsecos), estes quarto eltrons de valncia participam da ligao
atmica com quatro eltrons dos tomos vizinhos, formando ligaes covalentes.
Embora a ligao covalente implique numa ligao mais forte entre os eltrons de valncia, ainda assim possvel
que possam assumir o estado livre.
A figura abaixo mostra a estrutura planificada das ligaes covalentes dos tomos de silcio ou germnio.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Modelos Atmicos de Bohr

Os eltrons de valncia podem absorver energia externa suficiente para se tornarem

eltrons livres.
A temperatura ambiente a aproximadamente 1,5.1010 portadores livres disponveis
para a conduo de eletricidade em 1 centmetro cbico de silcio intrnseco, sendo
que a mesma temperatura o germnio ter aproximadamente 1000 vezes mais
portadores livres.
Uma mudana na temperatura de uma material semicondutor pode alterar
consideravelmente o nmero de portadores disponveis.
Com a elevao da temperatura, os eltrons de valncia absorvem energia trmica
suficiente para quebrar as ligaes covalentes, contribuindo para o aumento da
condutividade do material. A figura abaixo mostra a quebra de ligaes covalentes.
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Modelos Atmicos de Bohr

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Niveis de Energia

Na estrutura atmica isolada h nveis de energia discretos, associados a cada

eltron em sua respectiva rbita. Entre esses nveis discretos nenhum eltron
pode existir na estrutura atmica isolada. As figuras mostram nveis de energia,
para um tomo isolado.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Niveis de Energia

Os eltrons que ocupam a camada de valncia, tem um nvel energtico mais

elevado do que qualquer outro eltron do tomo, contudo podem possuir um nvel
mais elevado ainda quando torna se livre.
Quando os tomos de silcio ou germnio formam o cristal, cada tomo da
estrutura sofrendo a influencia de seus vizinhos fazem com que seus eltrons
ocupem posies diferentes, dentro de uma mesma rbita, de um tomo vizinho.
O resultado final uma expanso dos nveis discretos de energia possveis. A
figura abaixo ilustra essa situao.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

UniZambeze

Niveis de Energia

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Materiais Extrinsecos

A adio de certos tomos estranhos aos tomos de silcio ou germnio, chamados

de tomos de impurezas, pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia
de forma suficiente mudar as propriedades eltricas dos materiais intrnsecos.
Um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de dopagem
por impurezas chamado de material extrnseco.
H dois materiais extrnsecos de maior importncia para a fabricao de
dispositivos semicondutores. Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Material dopado tipo N

Um mtodo de dopagem consiste na utilizao de elementos contendo cinco

eltrons na camada de valncia (penta-valente), como o antimnio, arsnio e
fsforo.

O elemento penta-valente adicionado ao silcio ou germnio, intrnseco. Quatro

ligaes covalentes sero estabelecidas.
O quinto eltron, porm, fica desassociado de qualquer ligao. Esse
eltron pode tornar-se livre mais facilmente que qualquer outro, podendo
nessas condies vagar pelo cristal
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

UniZambeze

Material dopado tipo N

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Material dopado tipo N

A figura mostra a estrutura planificada de

um material do tipo N.
Como o quinto eltron foi doado ao material
pelo tomo penta-valente esse chamado
de tomo doador.
O nvel de dopagem da ordem de um
tomo doador para 10 milhes de tomos
do cristal de silcio ou germnio, (1:107).
O efeito deste processo de dopagem
mostrado no diagrama energtico a seguir:
UniZambeze

O material tipo N resultante, e eletricamente neutro.

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Material dopado tipo P

O material tipo P formado pela dopagem do semicondutor intrnseco por tomos

trivalentes como o boro, glio e ndio.

H agora um nmero insuficiente

de eltrons para completaras
ligaes covalentes.
A falta dessa ligao chamada
de lacuna (buraco). Na figura,
temos a estrutura planificada de
um material tipo P:
UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Material dopado tipo P

Como uma lacuna pode ser preenchida por um eltron, as impurezas trivalentes
acrescentadas ao silcio ou germnio intrnseco, so chamados de tomos
aceitadores ou receptores.
O material tipo P resultante eletricamente neutro.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Conduo devido s lacunas

O eltron livre, devido quebra da ligao covalente pode vir a ocupar uma lacuna.
Quando isso ocorrer, deixa no lugar que ocupava uma nova lacuna. A figura abaixo
mostra essa situao:

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Conduo devido s lacunas

No estado intrnseco, o nmero de eltrons livres no silcio ou germnio devido
quebra de ligaes covalentes por fontes trmicas ou luminosas, gerando um
nmero pequeno de lacunas.
No material tipo N o nmero de lacunas, no muda significativamente com relao
ao material intrnseco, sendo, portanto o eltron o portador majoritrio deste
material e a lacuna, o portador minoritrio

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

Conduo devido s lacunas

No material tipo P, os eltrons so portadores minoritrios e as lacunas, portadores

majoritrios.

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote

INTRODUO AOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

(Aula Terica 01)

FIM

UniZambeze

Circuitos electrnicos e Laboratrios - 2 ano Engenharia Informtica 2015

Docente:

Eng. Essitone Lote