Transistores Bipolares

Electrnica I

Contenido

Principios fsicos
Modelos de Ebers-Moll
Estado activo directo
Estados de corte y saturacin
La recta de carga
Transistor pnp
Anlisis del punto Q

Contenido (continuacin)

Modelo esttico SPICE del transistor bipolar

Efectos de segundo orden
Modelo dinmico del transistor
La conmutacin del transistor
Modelo dinmico SPICE del transistor
bipolar
Fabricacin de CI

Introduccin
Los transistores de unin bipolares o bipolares tienen
aplicaciones en electrnica analgica y digital.
En electrnica analgica sus funciones son: amplificar
seales, generar tensiones de referencia, proporcionar
energa, proteger de sobrecalentamiento, etc.
En electrnica digital sus funciones son: interruptores
controlados por corriente, memorias digitales, etc.

Construccin
El transistor bipolar se construye como un emparedado de tres
regiones, tipo n, p, y n (o p, n, p). La base tipo p(n) se
empareda por el emisor y el colector tipo n(p).
Transistor npn
Emisor

Transistor pnp

Base

Colector

Emisor
C

B
E

Colector

B
C

Base

C
B

Polarizacin en zona activa

La unin de emisor y base se polariza directamente y la
unin base colector se polariza inversamente.
Emisor

Base

Colector
E

C
B

Potencial de los electrones

Corrientes en el transistor

continuacin
iE corriente total de emisor
iB corriente total de base
iC corriente total de colector
iE corriente de electrones inyectados a la base
t( iE) = F iE fraccn de corriente de electrones
inyectados que llegan al colector.
t factor de transporte

Modelo de Ebers-Moll
RiDC

FiDE

iE

La corriente en el
colector es:

iC

iB

iDE

iC F iDE iDC

iDC

Sustituyendo

iC F I ES e vBE

VT

1 I CS e vBC

VT

Similarmente para el emisor

iE I ES e vBE VT 1 R I CS e vBC VT 1

Continuacin
La ley de reciprocidad establece que:

F I ES R I CS I S

Donde F es la alfa directa y R es la

alfa inversa.
Sustituyendo en las ecs. anteriores

iC I S e

v BE VT

I S vBE
iE
e
F

VT

VT

I S vBC
1
e
R

VT

1 I S e vBC

Estados del transistor

Los estados del transistor se pueden resumir en la
siguiente tabla:
Polarizacin de las uniones
Estado

Base emisor

Base colector

Activo directo

Directa (vBE > V) Inversa (vBC < V)

Transistor inverso

Inversa (vBE < V)

Directa (vBC > V)

Cortado

Inversa (vBE < V)

Inversa (vBC < V)

Saturado

Directa (vBE > V) Directa (vBC > V)

continuacin
vBC
Saturacin

Activo inverso
0.5
0
0
Corte

vBE

0.5
Activo directo

Estado activo directo

En el amplificador de emisor comn la fuente en el circuito de base
polariza directamente a la unin base-emisor y una fuente de mayor
tensin polariza inversamente la unin base-colector. El voltaje vBE
deber ser mayor que la tensin de codo y los trminos que llevan vBE
son mucho mayores que 1. La tensin vBC es mucho menor que la
tensin de codo, las exponenciales que incluyen vBC son mucho menores
que 1. Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan como:

iC I S e

v BE VT

I S vBE
iE
e
F

IS

VT

IS

El segundo trmino es mucho ms pequeo que el primero, simplificando

llegamos a:

iC F iE

Caractersticas de transferencia
F
iB
De la ley de Kirchhoff de corrientes se llega a: iC
1F
F
F
Definimos la beta directa del transistor como:
1F
Entonces:

iC F iB

y iE F 1 iB

Es fcil mostrar que la ecuacin de entrada en emisor comn

es:

IS
iB
e vBE
F F 1

VT

Configuracin de base comn

En la configuracin de base comn la terminal de la base del transistor es
comn al circuito de entrada (izquierda) y al de salida (derecha).
Las fuentes se etiquetan repitiendo el nombre de la terminal a la cual estn
conectadas.
IE

IC
E

+
VEE

n
IB

VCC

Caractersticas de entrada en Base

comn
Las caractersticas de entrada en
base comn relacionan la corriente
de emisor IE, con el voltaje en la
unin de emisor-base VBE para
diferentes valores del voltaje de
salida VCB.
Para considerar que un transistor
est encendido supondremos VBE =
0.7V

Caractersticas de salida
Las caractersticas de salida en base comn relacionan la corriente de colector
IC, con el voltaje en la unin de colector-base VCB para diferentes valores de la
corriente de entrada IE.
Aqu se distinguen las diferentes regiones de operacin.

Corriente de saturacin inversa ICBO

Esta es la corriente que circula en la unin base-colector cuando la
corriente de emisor es igual a cero.

 del transistor
La alfa en corriente directa se define como
dc

IC
IE

Los valores tpicos son de 0.9 a 0.998.

Si el punto de operacin se desplaza sobre la curva
caracterstica, se define la alfa de corriente alterna
ac

I C
I E

VCB constante

Los valores tpicos de ac son prcticamente iguales dc.

El transistor como amplificador

Considere la siguiente red donde se ha omitido la polarizacin.
Ii
Vi = 200 mV

IL
E
Ri

20 Ohm

+
VL
5k Ohm

Ii = 200mV/20 = 10 mA
IL = Ii = 10 mA
VL = IL RL = (10mA)(5k Ohm) = 50 V
Ganancia de voltaje = VL/Vi = 50V/200mV = 250

Configuracin de emisor comn

Configuracin de emisor comn para transistores npn y pnp.

Caractersticas de entrada en Emisor

comn
Las caractersticas de entrada en
emisor comn relacionan la
corriente de emisor IE, con el voltaje
en la unin de emisor-base VBE para
diferentes valores del voltaje de
salida VCE.

Caractersticas de salida
Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente de
colector IC, con el voltaje en la unin de colector-base VCB para diferentes
valores de la corriente de entrada Ib.
Aqu se distinguen las diferentes regiones de operacin.

Corrientes en emisor comn

De las corrientes del transistor tenemos:
IC = IE + ICBO
Pero IE = IC + IB, sustituyendo,
IC = IC + IB + ICBO
Reordenando
IC

I B I CBO

1 1

Definimos ICEO = ICBO/(1 )

con IB = 0

Ejemplo

 del transistor
Definimos la b de corriente continua como
dc

IC
IB

Suele tener un valor de entre 50 a 400. En las hojas de datos

se especifica como hFE.
La de ac se define como
ac

I C
I B

VCE constante

En las hojas de datos se especifica como hfe.

Ejemplo
ac

I C
I B

VCE constante

I C2 I C1
I B2 I B1

3.2mA 2.2mA 1mA

100
30 A 20 A 10 A
I
2.7mA
dc C
108
IB
25A

Relacin entre y
Dado que = IC /IE y = IC /IB y adems IE = IC + IB, es fcil
mostrar que

Adems se puede mostrar que

ICEO = ICBO
IC = IB
IE = (IC

Configuracin de colector comn

La impedancia de entrada de esta configuracin es alta y la de
salida es baja.
Las caractersticas de salida son las mismas que las de emisor
comn reemplazando IC por IE. Las caractersticas de entrada son
las mismas que para emisor comn.
E
IE

IB

IC

VEE

VBB

IE

IB

B
VBB

VEE

n
C

IC

Lmites de operacin
En las hojas de datos de los
transistores se especifica la
corriente mxima del
colector y el voltaje mximo
entre emisor y colector VCEO
o V(CEO).
La potencia de disipacin
mxima se defino por:
PCmax = VCEIC
Se debe cumplir:
ICEO < IC < ICmax
VCEsat < VCE < VCEmax
ICEIO < PCmax

Hojas de datos

2N4123

Encapsulados

TO-92

TO-18

TO-39

TO-126 TO-220

TO-3

Construccin

Modelo de emisor comn

Modelo de gran seal para el transistor en emisor comn

iB
FiB

vBE

Almacenamiento de cargas
minoritarias

La concentracin de electrones
en la unin base-emisor es:

ni2 vBE
n 0
e
Na

Sustituyendo el factor exponencial

ni2
n 0
pendiente

iC
W
WN a I s

VT

n(x)

La pendiente de esta curva es

proporcional a la corriente de
colector

n 0
ni2 vBE
pendiente

e
W
WN a

n(0)
VT

Emisor

Base

Colector

Estados de corte, saturacin y

activo inverso
Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las
curvas caractersticas de salida.
iC
IB1

Saturacin

IB2
IB3
IB4
IB=0

Corte

Activo
inverso

IB4
IB3
IB2
IB1

Activo
directo

vCE

VCE,sat= 0.2

Corte
Saturacin

Corte y saturacin
En la regin de corte las corrientes del
transistor son cero. Si se considera los
efectos de la temperatura, habr que
incluir la corriente inversa de saturacin
entre colector y base.

En saturacin el transistor no funciona como

fuente de corriente controlada por corriente.
Cuando est saturado iB iC.

ICB0 C

B
E

iB

iC

0.7 V

0.2 V

Funcionamiento activo inverso

R
R
1R

En este caso la corriente de emisor es -RiB, donde

Por la ley de Kirchhoff

iC iE iB R 1 iB

Dado que R + 1 << F, las curvas en el tercer cuadrante estn menos

separadas que en las del primer cuadrante.
C
iC
VBC=
0.7 V
iB

RiB
B

La recta de carga
La recta de carga es una ayuda para obtener las corrientes y tensiones de un
dispositivo cuando est descrito pos sus curvas caractersticas. Las variables de
entrada deben cumplir dos restricciones simultneamente.
La caracterstica de entrada iB y vBE debe estar en algn punto de la curva no
lineal. La otra condicin es la impuesta por el circuito externo.
La recta de carga pasa por los puntos (vBE, iB)=(VBB, 0) y (vBE, iB)=(0, VBB/RB).
iB A
+

RC
+

VBB

iB

RB vBE

iC

vCE

VCC

50
40
30
20
10
0

Punto Q
Recta de carga
de entrada
-1

0.7

RB

VBB

vBE

Recta de carga (continuacin)

iC(m)
6

iB A
50
40
30
20
10
0

iB=60A
iB=50A

iB=40A

VCC/RC 4

iB=30A
Q
iB=20A

3
2
0.5 0.7

VBB

vBE

iB=10A

1
0

Caida de
tensin en el
transistor

Caida de
tensin en la
resistencia

8VCC

VCE
(voltios)

Recta de carga de saturacin

+

2k

VBB

iB
120k

vBC

+
+

Para el circuito de la figura:

iC

VBB 0.7
iB
120k

8V

vCE

vBE

iB
1

Cuando la base alcanza 39A, el

transistor alcanza la saturacin.
iB ,EOS 39 A

VBB ,EOS 0.7

120k

V 0.7

VBB

vBE

Una medida cuantitativa de saturacin es la beta forzada, definida para el

transistor saturado por
iC
forzada
iB transistor saturado
iC(m)

iC
iB=60A

iB=IB

iB=50A

iB=40A

iB=30A

iB=20A

2
1
0
VCE,sat= 0.2

IB
iB=10A

Incremento
de VBB

IC
vCE

vCE

Almacenamiento de cargas en un
transistor saturado
n

La concentracin de carga de minoritarios es

la superposicin de concentraciones
individuales creadas por los incrementos
idnticos de vBE y vBC.

Lmite del
valor de
saturacin

QT = QFA + QS
Emisor

Base

Colector

Inyeccin
del emisor
Inyeccin del colector

Emisor

Base

Colector

QFA
QS

Emisor

Base

Colector

Transistor pnp
iE
E

iC
p

iE

iC

E
iB

iB

B
RiDC

FiDE

iE

iC

iDE

iB

iDC

Configuracin de emisor comn

iB

Caractersticas de entrada y salida:

iC
+
iB

-0.7

+
vBE
Entrada

vCE

vBE
iC(m)

iE
iB

Salida

-0.2

vCE

Anlisis del punto Q

B

C
B

iB
Fi B

vBE

iB
B

iC

0.7 V

0.2 V

E
E

E
Zona activa

Zona de corte
Zona de saturacin

Anlisis del estado activo

Si el transistor trabaja en el modo activo directo, se puede sustituir
el transistor por su modelo activo de gran seal.

El anlisis de beta infinita hace las siguientes suposiciones:

1.

VBE = 0.7 para npn y 0.7 para pnp.

2.

IB = 0

3.

IC = IE

Para niveles de corriente bajos es conveniente utilizar el SPICE.

Anlisis cuando el estado es

desconocido
Anlisis de circuitos con transistores de tres estados:
1.

Hacer una suposicin razonada acerca del estado del transistor

2.

Hacer un diagrama del circuito, sustituir cada transistor por el modelo para
su supuesto estado.

3.

Analizar el circuito resultante para obtener valores de prueba asociadas

con cada modelo.

4.

Examinar las variables de prueba, buscando contradicciones al estado

supuesto.

5.

Si hay una contradiccin, hacer una nueva suposicin basada en la

informacin calculada y volver al paso 2.

6.

Cuando no haya contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas a

partir del circuito equivalente se aproximan a las del circuito real.

Prueba de validez para los estados del transistor supuestos. Como el estado
activo inverso ocurre raramente, las pautas suponen primero funcionamiento
en el primer cuadrante donde el funcionamiento activo inverso no puede
ocurrir.
Suponiendo funcionamiento activo directo:
1.

Sustituir por el modelo activo directo

2.

Si iB 0, suponemos corte.

3.

Si VCE 0.2, suponemos saturacin.

Suponiendo corte
1.

Sustituir el modelo de corte

2.

Si VBE 0.5, suponer transistor activo

Suponiendo saturacin
1.

Sustituimos por el modelo de saturacin

2.

Si iB < 0, suponemos corte

3.

Si iC > FiB, suponemos funcionamiento activo directo

Modelo esttico SPICE del

transistor bipolar
3

14

Notacin

4
5

17
7

Q1 3 2 5 SAM
Q2 9 4 7 SAM
QOUT 12 17 14 JANE
.MODEL SAM NPN
.MODEL JANE PNP

12

Texto SPICE valores por

defecto
F

BF

100

BR

IS

IS

1.0E-16

5V
1

2 k

2 k

2
3

Q1
VS

5 k

Q0

Ejemplo 4.9
Q1 4 2 3 SUE
Q0 5 4 0 SUE
VCC 1 0 DC 5
RC 1 5 2K
RB 4 0 5K
RS 1 2 2K
.MODEL SUE NPN BF=20
+ BR=5 IS=2.0E-14
VS 3 0 DC 0
*.DC VS 0.2 3.6 0.17
.DC VS 0.5 0.7 0.01
*.OP
.PLOT DC V(5)
.END

Efectos de segundo orden

La vida de los portadores minoritarios aumenta con la temperatura, por lo
tanto el valor de aumenta alrededor de 7,000 ppm. La siguiente expresin
cuantifica esta variacin
XTB
T

T
R

T TR

XTB es el exponente de temperatura.

iB

T2 > T1

iC

iC

T= T2 > T1

iB3

T=T1

iB3

T1

iB2

iB2

0.7

vBE

ICE0

iB1

ICE0

vCE

iB1
vCE

Tensiones de ruptura
iC

iC

iE

iB
vCB

BVCB0

vCE
BVCE0

Modulacin del ancho de base

C
VCE1

w1

VCE2> VCE1
B

w2

Efecto Early
Una consecuencia de la variacin en el ancho de la base es el cambio en
las caractersticas de salida de emisor comn. VA es llamada tensin Early.
La corriente de colector pasa a ser

iC f vCE , iB

v
1 CE
VA

iB

iC
1
r0
iB

-VA

vCE

El efecto Early aumenta la resistencia de salida del transistor r0 definida por:

i
1
C
r0 vCE
Evaluando:

Cuando VCE << VA :

De aqu:

punto Q

1
1
I B
r0 VA

V
I C 1 CE I B I B
VA

VA
IC

Realimentacin interna
Una consecuencia de la modulacin del ancho de base es la realimentacin interna. Parte de
la tensin de salida se realimenta a travs del transistor al circuito de entrada. Si mantenemos
la polarizacin base-emisor mientras aumentamos vCE de VCE1 a VCE2. La corriente de base se
hace ms pequea porque la recombinacin en la base se reduce y es necesario sustituir
menos huecos en la base, como se muestra en la figura.

iB

Circuito equivalente, F es el parmetro de

ganancia de tensin inversa. El efecto de
realimentacin inversa de minimiza al dopar la
regin de colector ms pobremente que la de base.

iB
vCE

Incremento de
vCE

F vCE

C
iB
vCE

0.7
F iB
vBE
0.7

vBE
0.7

Resistencia de base y colector

Existen tres resistencias parsitas en el transistor:
rb resistencia de difusin de base. De unos 100 Ohms.
rc resistencia hmica del colector. De 10 a 100 Ohms.
re - resistencia hmica del emisor. De 1 Ohms.
C

E
rb

re

rc

Sustrato

Modelo esttico SPICE con efectos

secundarios
iC
rc
iDC

iB

F iDC

roc

rb
iDE

R iDC
re
iE

roe

Notacin
Valores
Texto SPICE por defecto
IS
IS
1E-16 A
F

BF

100

BR

rc

RC

rb

RB

re

RE

VA

VAF

XTB

VAR
XTB

Ejemplo de SPICE con efectos

secundarios
3V

EJEMPLO 4.11
VCC 2 0 DC 3

2
1.5k
690k

RB 2 3 690K
RC 2 1 1.5K
Q1 1 3 0 NTRAN

1
3

.MODEL NTRAN NPN BF=300 VA=90 XTB=1.7

.TEMP -40 -20 0 27 50 70 100 125
.OP
.END

VALORES OBTENIDOS CON SPICE

TEMPERATURA

IC

VBE

VCE

BETADC

-40.000

6.15E-04 8.54E-01 2.08E+00 1.98E+02

-20.000

7.15E-04 8.30E-01 1.93E+00 2.27E+02

0.000

8.21E-04 8.06E-01 1.77E+00 2.58E+02

27.000

9.76E-04 7.73E-01 1.54E+00 3.03E+02

50.000

1.12E-03 7.45E-01 1.32E+00 3.42E+02

70.000

1.25E-03 7.21E-01 1.13E+00 3.78E+02

100.000

1.46E-03 6.84E-01 8.10E-01 4.35E+02

125.000

1.65E-03 6.53E-01 5.29E-01 4.84E+02

Capacitancias parsitas
Las capacidades de deplexin y difusin estn asociadas a la unin y limitan el funcionamiento a
alta frecuencia. En transistores en estado activo directo, la capacidad de deplexin es dominante
en la unin colector-base inversamente polarizada. En la unin base-emisor directamente
polarizada, son importantes tanto la capacidad de difusin como la de deplexin.
La capacidad de difusucin de un transistor difiere de la de un diodo aislado debido a la estrecha
base. La distribucin de minoritarios en la base es triangular. La carga almacenada es

QFA

1
nAW ni2 vBE
qA n 0 W
e
2
2 Na

VT

Los electrones tardan un tiempo tT en atravezar la base (tiempo de trnsito 1ns para npn y
30ns para pnp). Como este flujo constituye la corriente de colector

IC

QFA
culombios / s
T

Modelo dinmico del transistor

iC

rc

Cdif,S

S
iDC

F iDC
Cdif,C

iB

Cdep,C

rb
iDE

R iDC
re
iE

Cdif,E

Cdep,E

Interruptor esttico
RL

RL

isw

VCC

+
vsw

vC

VCC
RL

RB

+
vCE

iB

iC

isw
Interruptor cerrado =
cortocircuito
Interruptor abierto =
circuito abierto

vsw
VCC

VCC
RL

iC
VCC

iB = IB
Cerrado
Abierto

VCE,sat

VCC

iB=0
vCE

Simulacin del interruptor con

SPICE

EJEMPLO 4.12
VCC 4 0 DC 9
RL 4 1 800
RB 2 3 1K

QSW 1 3 0 SWITCH
.MODEL SWITCH NPN
+ BF=25
VC 2 0 PULSE(0 5 0.5E-6
+0 0 0.5E-6 2E-6)
.TRAN 0.02E-6 2E-6
.PLOT TRAN V(1)
.PROBE
.END

Conmutacin dinmica
vC(t)
+9

VCC=9 V

2 k
8.3 k

-5
vo(t)

iC
vo

T
tf

tr

+9
+0.2

vC

iB

tD

tS

iB(t)
1mA
t
-iR

Estado de corte
transitorio

Estado inicial
VCC=9 V

VCC=9 V

2 k

5V

5V

VCC=9 V

2 k
vo

8.3 k

Estado transitorio
activo

2 k

vo

vo

14V

9V

8.3 k

iB

+
8.3 k

9V

iB

1mA +

0.7

Transistor cortado con

condensadores
preparados para
alcanzar el equilibrio
de corte.

Estado de saturacin
antes de que el
transistorse corte

Estado de saturacin en
equilibrio
VCC=9 V

VCC=9 V

VCC=9 V
vo
0.5 V

9V

vo

0.2

0.7

5V

vo
0.2

0.7
5V

+
0.5V

Parmetros SPICE para el

modelo dinmico del transistor
Parmetros SPICE
Estticos
Valor
por defecto
IS
1E-16 A
BF
100
BR
1
RC
0
RB
0
RE
0
VAF

VAR

XTB
0

Dinmicos
Valor
por defecto
CJE
0
VJE
0.785 V
MJE
0.33
CJC
0
VJC
0.75 V
MJC
0.33
CJS
0
VJS
0.75
MJS
0
TF
0
TR
0

Valores tpicos en integrados

IS
BF
BR
RC
RB
RE
VAF
VAR
XTB

1E-16 A
200
2
200
200
2
130 V
50 V
1.7

CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
MJC
CJS
VJS
MJS
TF
TR

1.0 pF
0.7 V
0.33
0.3 pF
0.55 V
0.5
3 pF
0.52
0.5 V
0.35 ns
10 ns

Ejemplo de compuerta lgica

VCC=+4V

3
4 k
2 k
1
vI

4
4 k

VBB

VM=
0V

vo