Instrumentacion

Instrumentacin Mecatrnica 2
Departamento de Ciencias de la Energa y Mecnica

Laboratorio de Automatizacin y Mecatrnica
Luis Echeverra Y.
Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines
Incluye una gran cantidad de sensores, basados en varios

principios.
En esta clase discutiremos los siguientes:
Por comparacin.
Por deformacin.
Celdas de carga.
o
Resistivas.
o
Capacitivas
o
Piezoelctricas.
Luis Echeverra Y. - Laboratorio de Automatizacin y Mecatrnica
Por comparacin.
Por deformacin.

Capacity Range (Individual Load Cells)
Pesos bajos - 500kg
Pesos medios
500kg-20 Tn
Pesos medios
20-50 Tn
Pesos altos
50-100 Tn
>100 Tn
Load Cell Type

Bending Beam
S, Z type
Single Point
Button
Single Ended Shear beam
Double Ended Shear beam
Canister
Bending Ring
S type
Helix
HelicalShear beam
Doubleo Ended
Canister
Bending Ring
Canister
Bending Ring
Canister
Single Ended Shear beam
Bending Beam
Canister (compression, pancake, ring)
Bending Ring
S type
Single point
Button type
Helical o Helix
La galga extensiomtrica metlica.
l
A
R
G L
RO
G 1 2
Ecuacin de la galga
Resistividad inducida por la
deformacin o efecto piezoelctrico

L
oscila alrededor de 0.4

Metal
Hierro colado
Acero dulce
Aluminio
Cobre
0.36
Nquel
Plomo
0.40
0.17
0.26
0.33
0.30
G 1 + 2 + 0.4 1 + 2*0.3 + 0.4 2
Materiales de las galgas metlicas

Material
Composicin %
Advance o Constantan
45 Ni, 55 Cu
Nichrome V
80 Ni, 20 Cr
Isoelastic
36 Ni, 8 Cr, 0.5 Mo, 55.5 Fe
Karma
74 Ni, 20 Cr, 3 Al, 3 Fe
Armour D
70 Fe, 20 Cr, 10 Al
2.0
Platino Tungsteno
92 Pt, 8 W
4.0
Platino
100 Pt
6.1
Niquel
100 Ni
2.1
Monel
67 Ni, 33 Cu
1.9
Manganina
84 Cu, 12 Mn, 4 Ni
0.47
2.1
3.6
2.0
2.1
10

Elementos caractersticos de una galga.
Dimensiones fsicas, Soporte, Patrn de la galga, Resistencia, Material
11
12

Tipos de galgas
Uniaxiales
Multiaxiales
Roseta de dos ejes
Roseta de tres ejes a 120
13

Tipos de galgas
Multiaxiales
Roseta para membrana

circular
Roseta en puente
Conjuntos o arreglos
14
La galga extensiomtrica semiconductora.
l
A
R
2
G1 L G 2 L
RO
G1 = 100 a 175
= -140 a -100
semiconductor tipo p
semiconductor tipo n
Ecuacin de la galga
G2 = 4
10
semiconductor tipo p
semiconductor tipo n
15
All semiconductor materials exhibit changes in resistance due to strain

The most common material is silicon because of its inert properties and ease of
production.
The base material is doped, by diffusion of doping materials (usually boron or
arsenide for p or n type) to obtain a base resistance as needed.
The substrate provides the means of straining the silicon chip and connections
are provided by deposition of metal at the ends of the device.
16
Operacin tipo p
Operacin tipo n
17
Caractersticas de las galgas.

Metal strain gauges
The properties of strain gauges vary by application
Most metal gauges have a nominal resistance between 100 and 1000, (lower
and higher resistances are available). 120 and 350 are common
Gauge factor between 2-5
Dimensions from less than 3x3 mm to lengths in excess of 150 mm (almost

any size may be fabricated if necessary).
Rosettes (multiple axis strain gauges) are available with 45, 90 and 120 axes
as well as diaphragm and other specialized configurations.
Typical sensitivities are 5m
Deformation is of the order of 2-3m/m.
Much higher strains can be measured with specialized gauges.

Semiconductor strain gauges
usually smaller than most resistive strain gauges
can be made with higher resistances.
their use is limited to low temperatures
can be much less expensive than metal strain gauges.
often part of another device

18
Problemas con las galgas.

Strain gauges are subject to a variety of errors.
Due to temperatures - resistance, especially in semiconductors, is affected by temperature

in the same way as by strain.
In metal gauges, this is usually small (materials with low temperature coefficients of
resistance).
In semiconductors, temperature compensation is sometimes provided on board or a

separate sensor may be used for this purpose.
A third source of error is due to the strain itself, which, over time, tends, to permanently
deform the gauge.
can be eliminated by periodic re-calibration
can be reduced by ensuring that the maximum deformation allowed is small and below
the recommended for the device.
Additional errors due the bonding process
Thinning of materials due to cycling.
Most strain gauges are rated for:

given number of cycles (i.e. 106 or 107 cycles),
maximum strain (3% is typical for conducting strain gauges, 1% for semiconductor
strain gauges)
temperature characteristics specified for use with a particular material (aluminum,
stainless steel, carbon steel) for optimal performance when bonded
Typical accuracies are of the order of 0.2-0.5%.
19
Las galgas extensiomtricas y la celda de carga.
20
21
22
Medicin de la deformacin.
Si R1 es una galga
Si R>>>>>>>R
23
24
25
26
27

de puente de resistencias con galga de compensacin de temperatura (pasiva)
DEBER
Consultar el medio puente de resistencias con galga de compensacin y demostrar
que las galgas pasivas evitan la variacin del voltaje de salida por la variacin
trmica de la resistencia.
28
http://www.ishida.com/technologies/force_balance/
29
Dispositivos piezoelctricos o electroestrictivos.

Un material piezoelctrico exhibe un fenmeno conocido como efecto piezoelctrico.
Este efecto establece que, cuando cristales elsticos asimtricos son deformados por una
fuerza, un potencial elctrico es generado. Este efecto es reversible o sea, si un potencial
es aplicado entre las superficies del cristal, aparecern en el cristal esfuerzos mecnicos,
que alteran las dimensiones del cristal. Los elementos que exhiben este tipo de
comportamiento tambin se conocen como elementos electroestrictivos.
30

Las cargas y polaridad de las cargas superficiales inducidas dependen de la fuerza
y magnitud de la fuerza aplicada
Q = dF,
donde d es la sensibilidad de carga del cristal medida en C/N. La fuerza F aplicada
causa una variacin del espesor t m. en el cristal:
aY
t
t
Donde a es el rea del cristal, t es el espesor del cristal y Y es su modulo de

elasticidad.
esfuerzo
Ft

deformacin at
La carga entre las caras opuestas del cristal arroja un voltaje Eo = Q/C, donde C es
la capacitancia entre las caras y es igual a a/t, entonces:
Eo
dF d tF
C a
31

Al termino d/ se le conoce como
sensibilidad de voltaje y se
representa por g, quedando
entonces:
t
Eo g F gtP
a
Son cristales piezoelctricos:
Cuarzo
Turmalina
Sal de Rochelle
fosfato dihidrogeno de amonio o ADP
sulfato de litio
titanato de bario
titanato zirconato de plomo o PZT.
32
33

Los materiales piezoelctricos naturales como el cuarzo son polarizados, los
artificiales se pulverizan, compactan en diferentes formas y luego se aplica un
fuerte campo elctrico continuo, en el sentido en el que se aplicara la fuerza para
que exhiban las caractersticas piezoelctricas.
o
Adhiriendo dos materiales piezoelctricos cuyos ejes elctricos son

perpendiculares se logra obtener voltajes elctricos al aplicar un momento o par.
o
34

o
El rango de trabajo de los dispositivos electrostrictivos varia de 1 a 200 KN.
Dispositivos Inductivos: Magnetoelsticos o Magnetoestrictivos

Los sensores magnetoestrictivos se fundamentan en la
magnetoestriccin, la cual se define como la presencia de
esfuerzos en un material cuando se encuentra en presencia
de campos magnticos. Estos esfuerzos pueden incluso
inducir deformaciones en el material. Un material
magnetoestrictivamente positivo se expande en presencia de
campo magntico y un material magnetoestrictivamente
negativo se comprime.
Los metales utilizados en estos sensores son el hierro,
nquel, cobalto o cermicas como el Terfenol D
Los sensores magnetoestrictivos trabajan fundamentados en
tres efectos: el efecto magnetoestrictivo, el efecto Villari y el
efecto Wiedemann.
35
Efectos de la Magnetoelasticidad
Direct Effects
Inverse Effects
Joule magnetostriction
Villari effect
Change in sample dimensions in the

direction of the applied field
E effect
Change in magnetization due to applied

stress
Magnetoelastic contribution to
magnetocrystalline anisotropy
Wiedemann effect
Magnetically induced changes in the

elasticity
Matteuci effect
Torque induced by helical anisotropy
Helical anisotropy and e.m.f. induced by

a torque
Nagaoka-Honda effect
Magnetovolume effect
Volume change due to magnetization
(most evident near the Curie
temperature)
Change in the magnetic state due to a

change in the volume
36

Sensores de efecto Villari. Cuando en un material magnetoestrictivo aparecen
esfuerzos entonces sus propiedades magnticas como el coeficiente de permeabilidad
cambian. Los cambios en el flujo magntico se convierten en voltajes inducidos en el
bobinas de captacin mientras la deformacin se lleva a cabo. Este fenmeno se
conoce como el efecto Villari o magnetoestriccin.
Fuerza
Material magnetoestrictivo
Fuerzas
Bobinas
37

Este efecto es especialmente fuerte en las aleaciones de hierro nquel.
El rango del sensor depende bsicamente del rea de la seccin del material
magnetoestrictivo.
Este tipo de sensores son generalmente no lineales y en muchos casos presentan
histresis.
La precision del aparato se determina por su calibracin.
La permeabilidad del material aumenta cuando se encuentra sujeto a torsin.
El dispositivo trabaja entre 15 y 15000 Hz.
38

Piezotransistores. Devices that utilize anisotropic stress effects are described as
piezotransistors. In this effect, if the upper surface of a pn diode is subjected to a
localized stress, a significant reversible change occurs in the current across the
junction. These transistors are usually silicon nonplanar type, with an emitter base
junction. This junction is mechanically connected to a diaphragm positioned on the
upper surface of a typical TO-type can. When a pressure or a force is applied to the
diaphragm, an electronic charge is produced. It is advisable to use these forcemeasuring devices at a constant temperature by virtue of the fact that
semiconducting materials also change their electric properties with temperature
variations. The attractive characteristic of piezotransistors is that they can withstand
a 500% overload.
39

Sensores de torque.
Forces that cause extended objects to rotate are associated withtorques.
Mathematically, the torque on a particle is defined as thecross-product:
Where
r
r
r
F
is the particle'sposition vector

relative to apivot
is the force acting on the particle.
40

Bsicamente, la medicin del torque puede ser esttica o dinmica. En ambos casos
se utiliza la deformacin de superficial de un cilindro al torcerse por el efecto de
una fuerza aplicada, perpendicular al eje y tangencial a la superficie
41

1
2
t xz =
Donde:
D is diameter of the shaft
J is polar moment of inertia
xz is shearing stress
is Stress as per Hookes Law

T is Torque applied
is Poisson Ratio of Material
E is Modulus of Elasticity
Sg is sensitivity of Strain Gage
Vo is output voltage, and
Vs is supplied voltage to Bridge
3
4
TD 16T
= 3
2J pD
16T 1+ u
16T 1 + u
e1 = 3 (
) ; e2 =(
)
3
pD
E
pD
E
VR1
VR2 VR3
VR4 16T 1+ u
==
==
(
)Sg
3
R1
R2
R3
R4
pD
E
16T 1+ n
vo = 3 (
)Sgv S =kT
pD
E
42

Si el eje cuyo torque se quiere medir gira, las galgas extensiomtricas pueden
conectarse con el sistema de acondicionamiento de seal por medio de
transformadores.
43
Medicin de Temperatura y humedad
El par bimetlico
Se denomina par bimetlico al sensor formado por la unin de dos metales con distinto
coeficiente de dilatacin trmica unidos firmemente. Al cambio de temperatura el
sensor se deforma segn un arco circular uniforme
44

Desplazamiento
Deformacin
Radio de curvatura
Fuerza
Temperatura
La ecuacin que relaciona los parmetros de funcionamiento del sensor son:
= (A - B)T
Si hA= hB
E*=EA/EB
45

Los parmetros usuales de estos sensores son:
Rangos de temperatura
-75C a 540C
0C a 300C
Espesor
10m a 3 mm
Materiales
Invar (acero al nquel) latn

silicio aluminio, vase tabla
Formas constructivas
voladizo, espiral, helice, diafragma y

otras.
46
47
48
Resistencias detectoras de temperatura (RTD)

Son sensores de origen metlico fundamentados en el principio de variacin de
resistencia por cambio de temperatura.
Su funcionamiento se rige por la ecuacin de Callendar-Van Dusen:
R
T
T
T
T
1 . T .
1
1
.

R0
100
100 100
100
R
T
T
T
T
1 A. T B.
1
1
C .

R0
100
100 100
100
Aunque es muy utilizada su aproximacin lineal:

R = R0(1 + T ) R = R0(1 + A T)
El sensor presenta una caracterstica esttica lineal bastante clara.
49

Los coeficientes A, B y C para un RTD de platino, de acuerdo al estndar IEC
751-2 (ITS90) son:
A = 3.9083 x 10
B = 5.775 x 10
C = 4.183 x 10
12
Es muy frecuente que se utilice la aproximacin lineal del RTD, en cuyo caso
y conociendo la resistencia del sensor a 100 C (R100), podemos fcilmente
calcular , as:
R100 R 0
100R 0
50

Los RTDs se construyen de dos formas, con alambre o delgadas cintas de metal
(film), como se observa en la figura 1.
a)RTD de bobina de alambre
a)RTD de film
51
Materiales.
Rango
(C)
Cobre
-200 a 260
0.00427
Bajo costo
Molibdeno
-200 a 200
0.00300
0.00385
Alternativa de bajo costo

al platino en pequeo
rango.
-80 a 260
0.00672
Bajo costo, limitado rango

de temperatura
Nquel - Hierro
-200 a 200
0.00518
Bajo costo
Platino
-240 a 660
0.00385
0.00392
Buena precisin
Material
Nquel
Comentario
52

Instalacin del RTD
53
Nmero de cables de conexin

de los RTD y su forma interna
a
b
a
54
54
Tubos de proteccin
o Thermowell
55
Cabezas
Bloque de terminales
Neplos, roscados y uniones
56

Configuraciones finales
57
58
TERMISTORES: THERMally sensitive resISTOR

Es un sensor resistivo de temperatura de materiales semiconductores (estado
slido).
Los termistores pueden ser sensores de temperatura de coeficiente positivo (PTC) o
de coeficiente negativo (NTC).
Los NTC son principalmente usados como sensores y los PTC en control
electrnico. Los estndares aplicables al PTC son EN 60738-1, IEC 60738-1, DIN
44081 y DIN 44082
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Caractersticas estticas
PTC
NTC
60
PTC
R 2 R1e ( T 2T1)
RPTC=f (TPTC)
Zona de uso del

termistor
RN es la resistencia medida a temperatura

TN.
Rmin es la resistencia a temperatura Tmin
Rref es la resistencia de referencia que se
presenta a una Tref.
R2
ln( )
ln( R 2) ln( R1)
R1
T 2 T1
T 2 T1
61

Mezclas de carbonato de bario, oxido de titanio, titanatos de estroncio,
bario , plomo o silicio, que cumplen con las caractersticas trmicas y elctricas
deseadas son pulverizadas y comprimidas en discos, arandelas, barras, tabletas
rectangulares o cilindros, dependiendo de la aplicacin, sinterizndolas a
temperaturas menores a 1400 C, para posteriormente aadirles los contactos
dependiendo de la presentacin y aplicacin para finalmente recubrirles o
colocarles una carcasa
62
NTC
El valor de la resistencia del NTC (nominal), por lo general esta referida a 25 C
1
A B ln( R ) C(ln( R )) 3
T
R R 0e
1 1
B( )
T T0
Ecuacin de Steinhart Hart
Aproximacin exponencial
R0 es la resistencia a una temperatura de referencia T0 (en kelvin)

o B es la temperatura especifica del material y su valor esta entre 2000 y 5000
K
63
Esta compuesto de xidos metlicos, de los cuales, los xidos ms comnmente

usados son de manganeso, nquel, cobalto hierro, cobre y titanio. La
fabricacin de los termistores usa tecnologa de manejo de cermicas y
bsicamente el proceso consiste en mezclar dos o mas xidos metlicos y
compactarlos en funcin de la geometra que se desea, luego se seca y se
sinteriza a alta temperatura. Variando los tipos de xidos, sus proporciones y la
atmsfera de sinterizacin se pueden alcanzar un amplio rango de resistividades
y coeficientes de temperatura. El NTC funciona en base al aumento de
portadores, al romperse enlaces moleculares y atmicos, como resultado del
aumento en la temperatura.
El rango operativo del NTC se encuentra entre los 50C y 150 C para un buen
numero de sensores, y hasta 300 C para sensores en bulbo de vidrio.
64
65
66
67

Aplicaciones del termistor
Termostato
Sensor de flujo
Sensor de nivel ON/OFF
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Termocuplas o termopares
Se fundamentan en el efecto Seebeck: Cuando la unin de dos materiales diferentes se
encuentran a una temperatura diferente a la del ambiente por ellos circula una corriente.
Si la por un lado tenemos los cables unidos y por el otro se encuentran sueltos se presenta
en este extremos el voltaje Seebeck. Todas las uniones de metales diferentes exhiben estas
caractersticas. Para pequeos cambios de temperatura el voltaje Seebeck es linealmente
proporcional a la temperatura:
69
Si bien el termopar es una alternativa de medicin precisa, sensible y barata con respecto a
otras alternativas, la medicin del voltaje Seebeck es un problema por la aparicin de
termopares parsitos:
Entre el constantan (C en la grafica) y los cables internos del medidor de voltaje se presenta
la termocupla J2 cuyo voltaje se restara al de la termocupla J1 (V = V2 V1). La
termocupla J3 desaparece al tratarse de una unin de cobre con cobre. Entonces el voltaje V
es resultado de la diferencia de temperatura entre J2 y J1, entonces para saber la
Temperatura de J1 requiero saber la de J2.
70
La unin de referencia. Con la finalidad de fijar los parmetros de la unin (o junta) J2 se

puede someter esta a una temperatura de 0C, fijndose de esta manera no solo la referencia
de temperatura sino incluso el valor de V2.
71
Si usamos termocuplas que no usan cobre como uno de sus materiales sino otros metales el
nmero de estos sensores parsitos aumenta. Sin embargo como se ve en el grafico anterior
si la temperatura de las termocuplas Fe-Cu son las mismas, sus voltajes se cancelaran. No
siempre los bornes del voltmetro pueden estar a la misma temperatura por lo que se utiliza
el sistema conocido como Bloque Isotrmico entre la termocupla y los bornes del medidor.
72
El bloque isotrmico es un excelente conductor del calor pero debe ser, obviamente un
aislante elctrico. Ya que puede ser un poco complicado mantener la junta de referencia a
0C, podemos reemplazar el bao de hielo en la unin de referencia por un bloque
isotrmico, creando el circuito de referencia.
73
Juntamos todas las termocuplas parasitas en un solo bloque isotrmico.
74
Eliminamos el alambre adicional reemplazando las dos termocuplas de Cu-Fe y Fe-Const

por una sola de Cu-Const (ley de los metales intermedios). Lo que nos da lo siguiente:
75
Entonces, por medio del termistor RT, determinamos la temperatura del bloque isotrmico
pues la misma se la utilizara para determinar la temperatura real que quiero medir con la
termocupla.
Entonces para medir la temperatura de la vela, primero hallamos la temperatura del bloque
isotrmico y convertimos esta temperatura en el voltaje de referencia y segundo el voltaje V1
ser igual al voltaje medido ms el de referencia, el voltaje resultante ser el generado por
la temperatura sujeta a la unin.
76
Otra forma de compensar la junta fra es incorporar un circuito elctrico que arroje un
voltaje que reste el generado en este termopar parasito, as:
Sin embargo los circuitos de compensacin suelen ser un poco ms sofisticados que el
indicado anteriormente.
77
78

Caractersticas estticas Voltaje Temperatura de las principales termocuplas
industriales y valores Seebeck.
79

Tipos de termocuplas. Las termocuplas se clasifican por el origen de los dos cables que le
forman.
80
Termocupla
Metales
Rango de entrada
Platino 30% Rodio (+)

Tungsteno 5% Renio W5Re (+)
Tungsteno 26% Renio W26Re (-)
Cromel (+) Constantan (-)
1370-1700 C
Hierro (+) Constantan (-)
0-760 C
Cromel (+) Alumel (-)
0-1370 C
Nicrosil (+) Nisil (-)
650-1260 C

Platino (-)
Platino (-)
Cobre (+) Constantan (-)
0 -1450 C
B
C
E
S
T
1650-2315 C
-100 a 1000 C
0 1750 C
-200 a 350 C
81

Cdigos de colores
R/S
Estados Unidos
(ASTM)
Inglaterra BS1843
1952
Inglaterra BS4937
Part30 1993
Francia NFE
Alemania DIN
82
83

Formas de uso y Configuraciones. Normalmente la termocupla no se la usa exponiendo
directamente los cables al punto de calor. Las termocuplas por lo general utilizan elementos
de proteccin para su utilizacin. Sin embargo la unin de los hilos en una termocupla
puede permanecer expuesta.
84
Sensores basados en uniones semiconductoras

Las uniones semiconductoras son especialmente sensibles a la temperatura. La
caracterstica directa de un diodo es dependiente de la temperatura, sin embargo esta es no
lineal y no repetitiva, por lo tanto se prefiere la dependencia trmica de la tensin base
emisor del transistor, con corriente de colector constante.
IESF normalmente se le denota por IS. En la zona activa Ic>>Is y si Vbc es

aproximadamente 0, entonces:
85

Pero Is tambin es funcin de la temperatura:
B depende del dopado del semiconductor, pero es independiente de la Temperatura y VgO es

el voltaje umbral y es de 1.12 V a 300K.
Por lo tanto:
Si VBE0 es el voltaje base emisor a una corriente de colector IC0 a una T0 tenemos que:
La sensibilidad del sensor es de 0.34 mV/C a 2.2 mV/C y se calcula para un valor Ic = Ic0 y
es de:
86
87
88
89
Deteccin de humedad
Los hay de varios tipos: psicrmetros, biolgicos, resistivos y capacitivos.
90
El sensor capacitivo de humedad relativa consiste en una capa delgada de

polmeros o materiales inorgnicos absorbentes, sobre una base conductora. La
capa se cubre con una lamina conductora porosa. A medida que aumenta la
humedad relativa aumenta el contenido de agua en el polmero.
El agua tiene una constante dielctrica alta. Esto significa puede almacenar mucha
carga elctrica. Esta capacidad elctrica se puede medir mediante la aplicacin de
voltaje AC a travs de las placas y la medicin de la corriente que pasa.
91

Tenga en cuenta que el polmero o material inorgnico (a menudo de xido de
aluminio) slo desempea un papel indirecto en la medicin: es la abundancia de
molculas de agua lo que se mide.
El sensor es normalmente de 7 x 4 x 0,5 mm de grosor.
El principio es bastante simple, pero hay una larga historia de desarrollo de
sensores resistentes a los contaminantes del aire, o inmersin en agua lquida
Los sensores capacitivos tienen una seria limitacin, el cambio en la capacidad es
pequea comparada con la capacidad de los cables de conexin del dispositivo. Esto
significa que el acondicionamiento debe hacerse cerca del sensor.
El acondicionamiento de los sensores capacitivos de humedad, al igual que otros
detectores del mismo tipo se lo hace normalmente por puentes de impedancias o a
travs de osciladores.
92
93
El sensor de humedad resistivo es una oblea delgada de polmero absorbente que

tiene a los lados dos peines de metal o carbono, como contactos.
El dispositivo tiene 10 mm de largo por unos 8 de ancho. Se puede adquirir solo, o
con la electrnica de procesamiento
Lo que se mide, en el sensor, es simplemente la resistencia elctrica a travs de la
superficie del polmero, que cambia con el contenido de agua. Este sensor, necesita
una tensin de excitacin alterna, no por la medicin, sino para evitar la
destruccin del polmero por causa del efecto electroltico ..
94
95
Medicin de Velocidad
Sensores basados en la Ley de Faraday

En un circuito o bobina con N espiras, que abarque un flujo magntico , si este varia con el
tiempo se induce en el un voltaje o fuerza electromotriz e que viene dada por:
e = -Nd/dt
El flujo puede variar por si solo (como el que s generado por una corriente alterna) o puede
varias por el movimiento de las espiras en el interior de un campo constante.
Los tacogeneradores de alterna son del primer tipo, mientras los sensores de velocidad lineal y
los caudalmetros electromagnticos son del segundo tipo.
96
Tacogeneradores. Un generador rotatorio produce una
seal de voltaje proporcional a la velocidad angular sobre
el eje del mismo. Una posible configuracin podra ser la
que se ve en la figura. Para generar la corriente a partir
del giro se acopla al motor o eje que se va a medir, una
espira situada dentro de un campo magntico fijo ( creado
por los dos imanes). Al girar el motor, la espira girar en
el interior del campo magntico, lo que provocar una
corriente elctrica.
Estos dispositivos pueden llegar a tener una precisin del
0,5 %, por lo que pueden resultar una solucin aceptable a
la hora de medir la velocidad angular.
Estos sensores tienen diferentes adaptaciones mecnicas
y tamaos para acoplarse a los ejes, as como diferentes
caractersticas de voltaje de salida, que varan entre 2 y
6000 V para velocidades entre 1000 y 12000 rpm. Los hay
de DC y de AC, dependiendo del origen de la excitacin
magntica (por imn DC y por bobina AC).
97
Sensores de velocidad lineal (LVTs). Los hay de dos tipos. El detector de devanado mvil,
similar a los altavoces, en una bobina que se desplaza en presencia de un campo magntico
se induce un voltaje, tal como se indica en la siguiente figura:
Para aumentar la longitud del conductor y con ello la sensibilidad se usa un alambre muy
fino. La sensibilidad es del orden de 10 mV por mm/s, con un ancho de banda de 10 a 1000
Hz.
98
El detector de ncleo mvil, un imn permanente se desplaza en el interior de una bobina,
tal como se indica en la figura:
El margen de desplazamiento de estos sensores varia entre 0.5 cm y 20 cm. Los modelos
comerciales utilizan bobinas conectadas en oposicin serie para evitar que al desplazarse a
velocidad cte. en el interior de la bobina la tensin de salida sea cero como se indica en la
siguiente figura:
99
Esta disposicin permite un mayor margen de desplazamiento (hasta 25 cm).
100
Medicin basada en sensores de efecto HALL

Cuando por una placa metlica circula una corriente
elctrica y sta se halla situada en un campo
magntico perpendicular a la direccin de la corriente,
se desarrolla en la placa un campo elctrico
transversal, es decir, perpendicular al sentido de la
corriente. Este campo, denominado Campo de Hall, es
la resultante de fuerzas ejercidas por el campo
magntico sobre las partculas de la corriente
elctrica, sean positivas o negativas.
Este fenmeno tiene dos consecuencias principales. La
primera es que la acumulacin de cargas en un lado
de la placa, en el campo as creado, implica que el otro
lado tiene una carga opuesta, crendose entonces una
diferencia de potencial; la segunda es que la carga
positiva posee un potencial superior al de la carga
negativa. La medida del potencial permite, por tanto,
determinar si se trata de un campo positivo o
negativo.
101
En la mayor parte de los metales, la carga es negativa, pero en algunos metales como el hierro, el
zinc, el berilio y el cadmio es positiva, y en los semiconductores es positiva y negativa al mismo
tiempo. Hay una desigualdad entre los intercambios negativos y los positivos; tambin en este
caso, la medida del potencial permite saber cul domina, el positivo o el negativo.
Los sensores basados en efecto Hall suelen constar de un elemento conductor o semiconductor y
un imn. Cuando un objeto ferromagntico se aproxima al sensor, el campo que provoca el imn
en el elemento se debilita. As se puede determinar la proximidad de un objeto, siempre que sea
ferromagntico.
102
La tensin Halls obtenida V, depende del grosor del material t, en la direccin del campo
magntico aplicado, del campo magntico B, de la corriente primaria i y de propiedades
elctricas del material recogidas en el llamado coeficiente Hall AH La relacin entre estos
parmetros es :
AHIB = Vt
Sin embargo en la realidad la tensin Hall, suele depender de otros parmetros como:
tensin mecnica, presin o temperatura de manera que:
V = V(B) + V(i) + V(p) + V(T) + ..
Frente a otros sensores magnticos el sensor Hall tiene la ventaja de que su
funcionamiento no depende de la variacin del campo detectado. El semiconductor es
preferido para la fabricacin de estos sensores. Los hay de SbIn, AsIn, Ge, AsGe, Si entre
otros materiales.
103
Tacmetros de Reluctancia Variable

La cada del campo magntico debido a la interrupcin del mismo entre dientes de
un engranaje ferroso proporciona una salida de seal analgica (onda sinusoidal).
Este sensor es conveniente para rangos velocidad entre 30 a 1000 pulgadas por
segundo, con engranajes de 1 a 32 dientes. Este esquema de medicin es muy
empleado en mediciones automotrices.
104
Sensores de efecto Wiegand

El efecto Wiegand es un fenmeno de generacin de pulso en un
alambre de Vicalloy (cobalto, hierro y vanadio Co52Fe38V10)
que ha sido procesado con la finalidad de crear dos regiones
magnticas distintas en la misma pieza, que se conocen como
capa y ncleo.
Estas dos regiones magnticas reaccionan de forma distinta a la
aplicacin de un campo magntico.
La capa requiere de un campo magntico fuerte para revertir su
polaridad magntica, mientras que el ncleo invierte para
campos magnticos pequeos.
Cuando la capa y el ncleo invierten su polaridad se genera el
llamado Pulso Wiegand que es sensado por una bobina
105
106
Tacmetros fotoelctricos.
Utilizan una fuente de luz, de cualquier longitud de onda y un dispositivo fotosensible:
fotorresistencias, celdas fotovoltaicas, fotodiodos, fototransistores, fotoSCR, etc. Pueden
trabajar por recepcin o por reflexin. Estos dispositivos, junto con los de reluctancia variable
por la caracterstica de transformar una rotacin mecnica en pulsos elctricos suelen tomar
el nombre de encoders o generadores rotatorios de pulsos. La rueda giratoria perforada
suele tomar el nombre de rueda de codificacin y su resolucin esta dada por el numero de
cuentas por revolucin o CPR. Los encoders pticos comerciales tienen entre 96 y 2048
107
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Instrumentacin Mecatrnica 2

Departamento de Ciencias de la Energa y Mecnica

Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Incluye una gran cantidad de sensores, basados en varios

Luis Echeverra Y. - Laboratorio de Automatizacin y Mecatrnica

Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Load Cell Type

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Single Ended Shear beam

Double Ended Shear beam

Canister (compression, pancake, ring)

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

La galga extensiomtrica metlica.

Resistividad inducida por la

deformacin o efecto piezoelctrico

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

G 1 + 2 + 0.4 1 + 2*0.3 + 0.4 2

Materiales de las galgas metlicas

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Roseta de dos ejes

Roseta de tres ejes a 120

Roseta de tres ejes a 45

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Roseta de tres ejes a 45

Roseta para membrana

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La galga extensiomtrica semiconductora.

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

All semiconductor materials exhibit changes in resistance due to strain

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Medicin de Fuerza, Peso, Par, Torque y variables afines

Caractersticas de las galgas.

The properties of strain gauges vary by application

Gauge factor between 2-5

Dimensions from less than 3x3 mm to lengths in excess of 150 mm (almost

Typical sensitivities are 5m

Deformation is of the order of 2-3m/m.

Much higher strains can be measured with specialized gauges.

usually smaller than most resistive strain gauges

can be made with higher resistances.

their use is limited to low temperatures

can be much less expensive than metal strain gauges.

often part of another device