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Acondicionamiento de Seales

INGENIERA MECATRNICA

Tema: Sensores de fuerza

Nombre: Daniel Gmez


danielgomez151853@correo.itm.edu.co

2015-1
FACULTAD DE INGENIERAS

Tema: Sensores de fuerza


TABLA DE CONTENIDO
1. Sensores resistivos
2. Galga extensiometrica
3. Fenmeno fsico
4. Ventajas
5. Desventajas
6. Aplicacin
7. Circuito de acondicionamiento
8. Sensor FSR 400
9. Conclusiones
10.Referencias

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Tema: Sensores de fuerza

1. Sensores resistivos:
Basados en la variacin de la resistencia elctrica de un
dispositivo. Son probablemente los mas abundantes en el
mercado.

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Tema: Sensores de fuerza

2. Galga extensiometrica:
Se basa en la variacin de la resistencia de un conductor o un
semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo.

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Tema: Sensores de fuerza

3. Fenmeno fsico

R=p

l
A

l
l
Al' - lA'
l
R ' = p ( )' + p ' = p
+
p
'
A
A
A2
A
R '=

pl' plA'
p' l
- 2 +
A A
A

l
A
Rl' RA' p ' R
R '=
+
l
A
p
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Como R = p

R' l' A' p'


= +
R l A
p
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El material se deforma en la zona elstica

Esfuerzo =

E=

Fuerza
Area

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Esfuerzo
Deformaci n unitaria

Longitud final - longitud inicial


Deformaci n unitaria =
Longitud inicial

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Coeficiente de Poisson: Constante elstica que brinda una


medida del estrechamiento de seccin cuando se estira
longitudinalmente un prisma. Es la razn del acortamiento de
una longitud situada en un plano perpendicular a la direccin
de la carga aplicada dividida entre el alargamiento longitudinal
producido. Su valor es 0,5 para un solido indeformable.

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Con t=d. Al aplicar un esfuerzo longitudinal cambia l y t. La


relacin de los cambios se da por el coeficiente de Poisson:

- dt/t
=
dl/l

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Si se asume una seccin cilndrica para el alambre conductor

pi * D 2
A=
4

2 * pi * D * dD pi * D * dD
dA =
=
4
2
pi * D * dD
dA
2dD
2
=
=
2
pi * D
A
D
4
dt dD
dl
=
=t
D
l

dA
2 * dl
=A
l
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Estructura cristalina: Forma como se ordenan y empaquetan


los tomos. El empaquetamiento presenta patrones de
repeticin en las 3 dimensiones. La estructura cristalina se
caracteriza mediante las redes de Bravais

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Tema: Sensores de fuerza

En los solidos los tomos que los forman efectan tan solo
pequeas oscilaciones en torno de ciertas posiciones de
equilibrio ubicadas en los nodos de la red.

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La temperatura desde la perspectiva de la mecnica


estadstica esta relacionada a la energa cintica promedio que
tienen las partculas que constituyen el sistema: tomos o
molculas

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Los tomos en un cristal estn hasta tal punto rgidamente


vinculados entre si que no cabe hablar de movimiento
individual de un tomo por separado con independencia del
movimiento de los dems tomos de la red

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Tema: Sensores de fuerza

Teora de bandas

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Efecto piezorresistivo: Variacin que experimenta la


resistividad como resultado de un esfuerzo mecnico. El
esfuerzo cambia el espaciamiento interatmico, lo cual afecta
la banda prohibida haciendo mas fcil para los electrones
alcanzar la banda de conduccin. Esto resulta en un cambio en
la resistividad.

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Los cambios de resistividad se deben a la variacin de la


amplitud de las oscilaciones de los nodos de la red cristalina. Si
este se tensa la amplitud aumenta pero si se comprime la
amplitud disminuye.

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Si la amplitud de las oscilaciones de los nudos aumenta la


velocidad de los electrones disminuye y la resistividad
aumenta. Si dicha amplitud disminuye la resistividad tambin
disminuye.

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Tema: Sensores de fuerza

Para el caso de los metales los cambios porcentuales de


resistividad y de volumen son proporcionales:

dp
dV
=C
p
V

El cambio de volumen se puede expresar como:


pi * l * D 2
V=
4
2
pi * (l * D 2 )' pi
pi
*
l
*
D
*
D'
pi
*
D
*l'
V'=
= (2lDD ' + D 2l ' ) =
+
4
4
2
4

2V pi * l * D
Usando
=
D
2
dA
2D'
2dl
Como
=
=A
D
l

2 * V * D' Vl'
V'=
+
D
l

V ' 2D' l'


=
+
V
D l

V ' l' 2dl l'


= = (1 - 2)
V l
l
l

dV dl
= (1 - 2)
V
l

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R' l' A' p'
Si no se rebasa el limite elstico la ecuacin:
= +
R

Se convierte en:

dR dl
dl dp
= - (- 2 ) +
R
l
l
p

dp
dV
dl
usando
=C
= C( (1 - 2) )
p
V
l

dR dl
dl
dl
dl
= + 2 + C( (1 - 2) ) = (1 + 2 + C(1 - 2) )
R
l
l
l
l

dR
dl
=K
R
l
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El factor de galga expresa la sensibilidad al esfuerzo. Se define


como la variacin fraccional de resistencia elctrica sobre la
variacin fraccional de longitud

GF =

( Rf - Ri)/Ri
( Lf - Li)/Li

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Tema: Sensores de fuerza

Para pequeas variaciones la resistencia del hilo deformado


puede ponerse como:

R = R0 (1 + x )
X=k*deformacin unitaria

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Tema: Sensores de fuerza

Para un material tipo p:

dR
= 119.5i + 4 * i 2
R0
i: Deformacin unitaria
Para el material tipo n:

dR
= - 110i + 10 * i 2
R0

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Tema: Sensores de fuerza


4. Ventajas
Fcil de utilizar
No son influidos por campos magnticos
Son adecuados tanto para medidas estticas como dinmicas
En caso de emplear semiconductores puede tener una
sensibilidad muy alta
En condiciones de iluminacin habituales se pueden despreciar
los efectos pticos sobre el sensor
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Tema: Sensores de fuerza


5. Desventajas
Seal de salida dbil
La temperatura es una fuente de interferencias
El soporte tiene que ser una superficie plana
Para mediciones de tensiones pequeas se recomienda utilizar
semiconductores, por lo que el costo es mayor.
Los cambios de resistencia son menos lineales si se trabaja con
semiconductores
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Tema: Sensores de fuerza


6. Aplicaciones
https://www.youtube.com/watch?v=gqMeIDwj6u4

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Tema: Sensores de fuerza


7. Circuito de acondicionamiento
El puente de Wheatstone se emplea para medir los cambios de
resistencia pequeos y amplificar la dbil seal que entrega el
sensor

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Ignacio Moreno Velasco. Apuntes de instrumentacin electronica.Universidad de

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Tema: Sensores de fuerza


8. Sensor FSR 400
https://www.sparkfun.com/datasheets/Sensors/Pressure/fsrguid
e.pdf
Caractersticas estticas
Caractersticas dinmicas
Exactitud:15% a 25%

Retardo: 1-2mseg

Precisin: 1%
Sensibilidad: 100 g a 10kg

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Tema: XXXXXX

9. CONCLUSIONES
El uso de galgas realizadas con semiconductores permite tener
un control muy alto sobre los procesos industriales que
demanden una vigilancia rigurosa.
Realizar prototipos con montajes fsicos que incluyan sensores
es necesario para verificar simulaciones realizadas en
programas CAD o incluso para realizar medidas en sistemas
donde las dimensiones sean limitantes para la simulacin.

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Tema: XXXXXX

10. REFERENCIAS
Coughlin, Driscoll. (1999). Amplificadores operacionales y
circuitos integrados lineales (p. 518). Mxico: Prentice-Hall.
Pallas. (2007). Sensores y acondicionadores de seal (p. 474).
Espaa: ALFAOMEGA.

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