EXPOSITOR:
INGENIERO ELECTRONICO
MONTEZA ZEVALLOS FIDEL TOMAS
Tcnico Inspector FAP
CATEDRATICO DE LA UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU
DOCENTE DE LA ESCUELA DE SUB OFICIALES DE LA Fuerza Area del
Per
Telfonos:
969251176
RPM: #717337
Email:
monteza5@hotmail.com
(Telefnica)
PER
INDICE
- INTRODUCCION.
- CONTENIDO :
1. La unin PN polarizada directamente.
2. La unin PN polarizada inversamente.
3. El diodo ideal y el diodo real.
4. Curva caracterstica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
- CONCLUSIONES.
- BIBLIOGRAFIA.
INTRODUCCIO
N
Semiconductores de unin PN
1. La unin PN polarizada directamente.
SisepolarizalauninPNensentidodirecto,esdecirelpolopositivodelapila
alareginPyelpolonegativoalareginN.
La tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la
distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo
unacirculacindeelectronesdelareginNalareginPyunacirculacinde
huecosensentidocontraro.
nodo
Ctodo
Semiconductores de unin PN
1. La unin PN polarizada directamente.
Tenemosasunacorrienteelctricadevalorelevado,puestoquelauninPN
sehaceconductora,presentandounaresistenciaelctricamuypequea.
El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el
circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al
convencionalestablecidoparalacorrienteelctrica.
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta
resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y
resistenciainfinitaenelsentidoopuesto.
Semiconductores de unin PN
2. La unin PN polarizada inversamente.
Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir el polo positivo de la
pilaalareginNyelpolonegativoalareginP.
La tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la
distribucinespacialdecargasenlaunin,produciendounaumentodeiones
negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la
circulacindeelectronesyhuecosatravsdelaunin.
nodo
Ctodo
Semiconductores de unin PN
3. El diodo ideal y el diodo real.
El diodo ideal
El diodo real.
Semiconductores de unin PN
4. Curva caracterstica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
La Figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo
real.
Semiconductores de unin PN
4. Curva caracterstica INTENSIDAD-VOLTAJE del diodo.
Porencimade0Voltios,lacorrientequecirculaesmuypequea,hastaque
nosealcanzalatensindebarrera(VON).
Elpasodeconduccinacortenoesinstantneo:apartirdeV ONlaresistencia
queofreceelcomponentealpasodelacorrientedisminuyeprogresivamente,
hastaquedarlimitadasloporlasresistenciasinternasdelaszonasPyN.
Laintensidadquecirculaporlauninaumentarpidamente.Enelcasodelos
diodosdesilicio,VONsesitaentornoa0,7V.
DIRECCIONES INTERNET:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/campo_electrico/campo/campo.ht
m
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_9.htm