SCR (Rectificador Controlado

de Silicio)
Parte 1

CONTROL ELECTRONICO DE
POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

de Silicio)
Es un dispositivo biestable porque puede o no conducir
bajo ciertas condiciones a pesar de estar directamente
polarizado.

Corriente Alterna (Rectificador) ITRMS (root jeans

square)
IT
Corriente directa (conmutador) (ITav (average o
promedio)

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POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

de Silicio)
La cada de tensin de nodo a ctodo
(independientemente de si es CA o CD) se le denomina
corriente de tiristor cuando circula en el mismo IT.

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POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

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ICBO: Corriente de Colector emisor con base abierta

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

de Silicio)

Grafica o curva caracterstica de SCR directamente

polarizada

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Vac VBO; zona de polarizacin directa en estado de No
induccin; no conduce y exhibe alta impedancia.

Holding Point: punto de mantenimiento o sostenimiento (V T, IN)

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

de Silicio)
Es de observarse en la curva caracterstica del SCR en el
1er cuadrante que esta polarizado de manera directa y
posee un comportamiento dual denominado biestable, es
decir, conduce ofreciendo resistencia nula cuando se
iguala o se excede a la tensin de sobre ruptura pero
ofrece una alta resistencia y no conduce cuando la tensin
entre nodo ctodo es menor a la tensin de sobre ruptura
cuando la corriente en la terminal de control es cero; a
este tipo de operacin se le conoce como: Natural.

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Cuando se iguala la tensin de sobre ruptura el dispositivo
exhibe un efecto de resistencia negativa, y se origina un
punto de mantenimiento cuyas coordenadas son del
voltaje del tiristor (VT), y la corriente de mantenimiento
(IM) el cul si se disminuye en valor cualquiera de ellos o
ambos el SCR se conmutara del estado de conduccin al
estado de bloqueo o no conduccin. Eso simplifica que son
las cantidades mnimas de voltaje y corriente para que el
dispositivo perdure en un estado de conduccin en un
rgimen de tiempo continuo.

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POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Si se aplica una corriente en la terminal compuerta
(corriente mnima de disparo), se va a disminuir la tensin
de sobre ruptura de la curva caractersticas tensincorriente del SCR; si aplicaremos una corriente de disparo
mxima el voltaje de sobre ruptura se va a disminuir
totalmente, de tal manera que dicha curva se asemejara a
la de un diodo convencional en el primer cuadrante (en
condiciones de polarizacin directa), lo anterior se debe a
que la potencia en el dispositivo es constante y que si
incrementamos la corriente del mismo en operacin su
tensin de sobre ruptura disminuye.

Nota: la tensin de sobre ruptura y la corriente de disparo

de compuerta IGT varia inversamente proporcional.

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Alta ganancia
VBE = K IC/IB = = hfe
IE = IC + IB IB IC

IC IE;

VBE = K IC/IE = = hfb

= / 1-

= / + 1

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POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

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ANALISIS ALFA ()

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Aplicando la Ley de Corrientes de Kirchoff (L. C. K.)
IC1 = 1 IE IC2 = 2 IE
IE = IC1 + IC2 + ICBO
IE = 1 IE + 2 IE + ICBO
IE = IE (1 + 2) + ICBO
IE = 1 (1 + 2) = ICBO

IE = ICBO/ 1 (1 + 2)

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ECUACION DE TRANSFERENCIA DEL SCR

IE ICBO/ 1 (1 + 2)

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POTENCIA

SCR (Diodo Rectificador Controlado

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Bajo que condiciones la Ec. De transferencia se manifiesta de
forma biestable.
1.- El SCR es un IC de baja escala.
2.- ICBO es una corriente de fuga y en condiciones comunes
bipolares 1 por lo tanto un SCR no puede ser diseado con
transistores discretos; es decir nicamente estas pueden ser
integrados (en baja escala), donde las sean << 1.
3.- Como es un dispositivo biestable en la zona de polarizacin
directa de no conduccin la
IE z ICBO se considera (1 + 2) Y 1.

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SCR (Diodo Rectificador Controlado

de Silicio)
De otra manera, en la zona de polarizacin directa en el
estado de conduccin la

IE High; por lo tanto se considera (1 + 2) 1

Una vez aplicada una seal de base en el transistor Q2 es
amplificada B2 veces y a su vez, es alimentada como
corriente de colector IC2 a la base del transistor Q1, esta
corriente se va amplificar B1 veces, y a su vez se volver a
alimentar a la base del transistor Q2, formndose un
proceso regenerativo que involucra la retroalimentacin
positiva y es por eso que una vez en conduccin el SCR
perdurara en dicho estado por tiempo indefinido aunque la
conmutacin de no conduccin a conduccin sea natural o
forzada.

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POTENCIA

PARAMETROS SCR

1. VDRM (Maximun repetitive direct Voltage)

Este parmetro se define como la mxima tensin de
polarizacin directa aplicada entre las terminales nodo
ctodo (con IGT = 0 corriente de compuerta), que
mantendr al SCR en estado de no conduccin; cuando se
alcanza este voltaje o valor de este voltaje se alcanzara la
tensin de sobre ruptura (VBO), y el SCR se conmutara de
no conduccin a conduccin de manera natural.

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PARAMETROS SCR
2. VRRM (Maximun repetitive reverse voltage)
Este parmetro se define como a mxima tensin inversa
aplicada entre nodo ctodo del SCR sin posibilidad de
destruirlo, estableciendo las propiedades rectificadoras del
mismo, es del mismo valor al parmetro anterior pero con
signo de polaridad contraria, por ninguna razn deber
excederse en su valor ya que se destruira el dispositivo de
manera irreversible debido a la zona de avalancha zener.

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PARAMETROS SCR

3. ITRMS (root mean square thyristor corrent)

Este parmetro se define como la mxima cantidad de
corriente que puede conducir el SCR entre sus terminales
nodo ctodo durante 180 de conduccin; los de baja
potencia toleran corrientes de 500 a 800 mA, (mARMS)los de
potencia media de 700 a 800 ARMS, y los de alta potencia
hasta 5000 ARMS.

ITRMS = Ief = 1/T T0 I(t)

dt

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PARAMETROS SCR
4. ITav (Avenage Thyristor Current)
La corriente promedio de tiristor se define como el valor
mximo de la corriente de nodo o ctodo que circula en un
estado de rgimen permanente para manejos de conmutacin
o directa continua, su valor aproximado es igual al factor de
forma por la corriente RMS como lo indica la ecuacin:

ITav = 2/ ITRMS

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PARAMETROS SCR
5. ITSM (Maximun surge thyristor current)
Este parmetro se define como la Imax instantnea que
puede soportar el SCR o el tiristor en una carga de
naturaleza inductiva; no deber de excederse el tiempo de
aplicacin mayor a 8.33 ms, ni repetirse durante los 180
de conduccin elctricos, por que el disparo se destruira
de manera irreversible. El tiristor puede tolerar de 20 a 30
veces el valor de esta corriente, cuyo valor es de 6 a 10
veces la corriente IRMS.

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PARAMETROS SCR

6. Igt (gate trigger current)

La corriente de disparo de gatillo o compuerta es necesaria para
conmutar al SCR del estado de bloqueo al estado de conduccin
(aplicada al electrodo de control), es susceptible a variaciones de
temperatura, el tipo de impedancia de la fuente que suministra
dicha corriente, y tambin su valor es de 100 a 200 A si es de
baja potencia o de compuerta sensible, hasta un rango de 15 mA
los de potencia media y los de alta potencia hasta 150 mA.
La Igt es solo de CD.

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PARAMETROS SCR
7. Vgt (gate trigger voltage)
Este parmetro se define como el voltaje aplicado entre las
terminales gatillo ctodo del tiristor o del SCR con el
objeto de suministrar una estabilidad y polarizacin.
Cuando el SCR se le conmute del estado de bloqueo al de
conduccin, siendo principalmente susceptible a las
variaciones de temperatura y a la naturaleza de la
impedancia de la red que aplica dicho voltaje, manifisestan
una caida de 0.6V a 0.7V los de baja potencia, hasta 2.6V
los de potencia media y hasta 4.6V los de alta potencia.

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PARAMETROS SCR
8. VT (thyristor voltage) o VF (forwar voltage)
Este parmetro se define como la cada de tensin entre
las terminales nodo ctodo de un SCR nicamente en el
estado de conduccin; los de potencia baja manejan de 1 a
2V, los de potencia media de 2V a 3V y los de alta potencia
hasta 5V; al suprimir o eliminar este voltaje el SCR se
conmutara del estado de conduccin hacia la extincin o
no conduccin.

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PARAMETROS SCR

9. tgt /time trigger thyristor)

time

turn on tgt

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PARAMETROS SCR

10. tq (time quiet)

time turn off tq
Este parmetro se define como el tiempo necesario para
conmutar al SCR del estado de conduccin al estado de
bloqueo, normalmente el tiempo que influye en el bloqueo
es el tiempo de recuperacin en el cual los portadores
mayoritarios y minoritarios son reacomodados dentro de la
estructura del SCR principalmente por el efecto de cargas
de naturaleza inductiva, manifestndose tiempos de
conmutacin de 2 s para los mas veloces, mientras que
para los mas lentos o de gran potencia suele ser hasta
tiempos de 500 s o 0.5 ms.

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PARAMETROS SCR
En un circuito equivalente del SCR a base de transistores
complementarios la terminal compuerta es posicionada en
la base del transistor NPN ya que los portadores
mayoritarios son los electrones, mientras que en la base
del transistor complementario PNP son los huecos
electrnicos que manifiestan una movilidad (lenta), hasta
de 12 veces menor a sus homlogos los electrones, por
este motivo el SCR es extremadamente veloz
complementado por la situacin regenerativa que provoca
la retroalimentacin positiva de ambos transistores por lo
que el tiempo requerido para conmutar al SCR del estado
de bloqueo al estado de bloqueo al de condicin suele ser
de .2s hasta 15s.

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PARAMETROS SCR

El tiempo de disparo de encendido (tgt), tambin se puede ver

modificada por la impedancia reactiva, capacitiva o inductiva
manifestada en la terminal compuerta o gate (alta velocidad)
rectificacin no afecta.