Cap 3 - Fox

Absoro Interbanda

3.1 Transies
interbanda
Absoro interbanda so
processos fsicos que acontecem
quando eltrons so excitados
entre as bandas de um slido por
fazer transies pticas.

Frequncia do fton

Transies interbanda no sero

menos que
possveis a
>Eg

3.1 Transies
interbanda

Gap direto: mnimo da banda de conduo e

mximo da banda de valncia esto na mesma
posio na zona de Brillouin (no centro onde k=0)
Gap indireto: para conservar o momento
necessrio emitir um fnon

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
A taxa de transio dada pela regra de ouro de
Fermi
Elemento matriz: descreve o efeito da perturbao
externa causada pela onda de luz nos eltrons

H: perturbao associada com a onda de luz

r: vetor posio do eltron

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
Perturbao causada por um campo eltrico

p: momento dipolo-eltrico da partcula = -er

A onda de luz descrita por ondas planas da forma:

Portanto a perturbao pode ser escrita como:

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
Funes de Bloch: descrevem os estados dos
eltrons em um slido cristalino

ui e uf: funes envelope

V: volume de normalizao
ki e kf: vetores de onda dos estados inicial e final
do eltron

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
Substituindo a perturbao da eq. 3.6 e as funes
de onda das eq. 3.7 e 3.8 na eq. 3.3:

Simplificaes:

O elemento matriz representa o momento de

dipolo magntico da transio

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
Mais simplificaes

O termo g(hw) na equao 3.2 a densidade de estados de

juno avaliada na energia do fton. A densidade de juno
conta com o fato de que ambos os estados inicial e final do
eltron esto dentro de uma banda contnua:
g(k): densidade de estados no momento do espao

Gradiente da curva de disperso E-k no diagrama de bandas

3.2 Taxa de transio para

absoro direta
g(k) pode ser trabalhado calculando o nmero de estados k
no volume incremental entre as cascas no espao k de raio
k e k+dk. Isto igual ao nmero de estados por unidade de
volume no estado k, a saber 1/(2) multiplicado pelo
volume incremental 4kdk. Portanto g(k) dado pela
frmula:

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Os eltrons de valncia de um semicondutor quadrivalente so derivados dos orbitais s e p

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
No caso da figura anterior as transies pticas da
banda de valncia para a banda de conduo so de
estados-p para estados-s
Isso permite a concluso de que as transies entre a
banda de valncia e a banda de conduo so
eltrico-dipolo
Ou seja, a probabilidade das transies interbanda
atravs do bandgap em materiais como esse (GaAs)
so altas

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
A densidade de estados de juno

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
A conservao da energia durante uma transio
heavy-hole ou light-role requer que:

Massa reduzida:

The effective masses are expressed in units of the free

electron mass m0

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Escrevendo a eq. 3.21 de uma forma mais simples:

A densidade de estados de juno pode ser trabalhada

substituindo a eq. 3.23 nas eq. 3.14 e 3.15

O fator de densidade de estados aumenta conforme (hwEg)^1/2 para energias de fton maiores do que o bandgap

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
A dependncia da frequncia do limite da
banda de absoro

= coeficiente de absoro
Essa absoro aproximada pois no esto se considerando 3 coisas:
- Atrao de Coulomb entre os eltrons e buracos
- Presena de impurezas
- Se a energia do fton acima do Eg a densidade de estados de juno
no vai obedecer as frequncias dadas pela eq. 3.24

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Efeito Franz Keldish aplicao de um campo
eltrico. Causa dois efeitos principais
1: o coeficiente de absoro para energias de fton
menor que Eg no mais zero

2: o coeficiente de absoro para hw>Eg modulado

por uma funo ondulatria. As oscilaes em (hw) so
chamadas de oscilaes de Franz Keldish
A modulao de constantes tpcias por campo eltrico
um exemplo de efeito eletro-ptico

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Limite de banda de absoro em um campo
magntico
conhecido em fsica clssica que a aplicao de um
campo mag. Forte com densidade de fluxo B faz com que
os eltrons faam um movimento circular em torno do
campo na frequncia cclotron wc dada por:

Nveis de energia quantizadas (nveis de Landau)

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Energia dos eltrons (e buracos)

Em termos absolutos em relao a E=0 no topo da

banda de valncia

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Energia de transio

Esperamos alta absoro em qualquer energia de fton

que satisfaa a equao anterior com kz=0. Isto d
origem a uma srie de picos igualmente espaados no
espectro de absoro com energias dadas por:

3.3 Absoro no limite da banda

em semicondutores com gap direto
Injeo de spin: possvel criar um spin por absoro
de luz polarizada. As regras de seleo s permitem
que transies especficas ocorram
Luz com polarizao circular positiva gera 3 vezes
mais eltrons
A polarizao do spin do eltron dada por:

N(+1/2) e N(-1/2) representa a qtde de eltrons com spin

positivo ou negativo
O uso de luz polarizada pode produzir polarizao de spin de
50%

3.4 Absoro no limite da banda em

semicondutores com gap indireto
Energia de transio

h e q : energia e vetor do fnon

Sinais + e -: indicam absoro ou emisso de fnon
Transio de segunda ordem: a taxa de transio menor

3.4 Absoro no limite da banda em

semicondutores com gap indireto
A absoro tem um limite prximo a Eg mas no exatamente em Eg

O nmero de fnons com frequncia angular excitados em

uma temperatura T proporcional a formula Bose-Einstein

3.5 Absoro interbanda

acima do limite da banda

3.7.1 Fododiodos

Apndice D