Fetcompleto 121025080058 Phpapp02

Eletrnica II
Transistores de Efeito de Campo
Introduo
Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente,

isto , a corrente de coletor controlada pela corrente de base.
No caso do FET (Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de

Campo) a corrente controlada pela tenso ou pelo campo
eltrico.
Vantagens do FET em relao ao transistor bipolar: altssima

impedncia de entrada alm de ser um dispositivo de baixo rudo.
gustavo.tai@hotmail.com
Aspectos Construtivos do
O JFET um dispositivo unipolar (o que significa apenas um tipo
JFET
de portador, eltron ou lacuna, responsvel pela corrente
controlada).
Fisicamente, podem ser encontrados dois tipos de JFET: JFETCanal N e JFET Canal-P.
Simbologia:
Terminais:
Fonte (source)
Dreno (drain)
Porta (gate): faz o controle

da passagem dos eltrons.
Construo do JFET
A figura acima mostra um JFET de canal N.
O aspecto construtivo mostrado na figura utilizado apenas para fins

didticos.
Na prtica, extremamente complicado o processo de dopagem nos dois

lados do substrato.
Funcionamento do JFET
O objetivo controlar a corrente iD que

circula entre a fonte e o dreno. Isto pode
ser feito aplicando-se uma tenso na porta.
Com o potencial de porta igual a zero (VG=0

ou VGS=0), aplicando-se uma tenso entre o
dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma
corrente iD, como indica a figura.
Funcionamento
A dopagem da regio da porta muito maior do que

a do canal, desta forma a regio de depleo
(regio de carga espacial) ser muito maior do lado
do canal.
Parmetros encontrados:
IDSS - corrente mxima que o JFET pode produzir, na

qual ocorre o estrangulamento do canal quando VGS=0.
VPO tenso mxima de saturao ou de

estrangulamento (pinch-off).
VP tenso na qual ocorre o corte do dispositivo.
BVDSS tenso de ruptura do dispositivo para VGS = 0.
Funcionamento
Consideremos inicialmente VDS=0 e

apliquemos uma tenso VGS com a
polaridade indicada na figura e que
polariza reversamente a juno PN.
Inicialmente o canal estar todo aberto e
entre e dreno e fonte existir um canal
com uma determinada resistncia.
Como a tenso aplicada na resistncia
zero a corrente resultante ser zero (ID=0).
Funcionamento
Se a tenso de porta for aumentada,
aumenta a polarizao reversa o que faz a
regio de carga espacial avanar mais no
canal at fech-lo totalmente.
A tenso de porta que provoca o
fechamento total do canal chamada de
tenso de pinamento (pinch-off em
ingls), VPO, sendo uma quantidade
negativa no caso de canal N e positiva
para o canal P.
Funcionamento
Agora consideremos VGS=0 e apliquemos uma

tenso entre dreno e fonte com a polaridade
indicada na figura .
O que acontece com a corrente quando V DS
varia?
Inicialmente com o VDS pequeno o canal
praticamente no se altera e dentro de certos
limites o dispositivo se comporta como uma
resistncia.
medida que VDS aumenta, a corrente de dreno
aumenta provocando uma queda de tenso ao
longo do canal que faz com que o estreitamento
no seja uniforme.
10
Na figura a corrente de dreno provoca entre o

ponto A e a fonte uma tenso V A e entre o ponto
B e a fonte uma tenso VB estando claro que
VA>VB.
Estas tenses so aplicadas na juno de
forma reversa e no ponto onde a tenso reversa
maior a regio de carga espacial avana mais
no canal,isto , o estreitamento maior prximo
do dreno.
IDSS = corrente de curto circuito entre dreno e fonte
ou drain-source shorted current e corresponde
corrente mxima de dreno que o JFET pode
produzir.
11
O estreitamento mximo quando a tenso de dreno

for igual tenso de pinamento em modulo.
Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, as
regies de carga espacial no se tocam, ao invs disso o
estreitamento aumenta ao longo do canal conforme
figura e a corrente de dreno se mantm
aproximadamente constante em IDSS, isto , o dispositivo
passa a se comportar como uma fonte de corrente
constante.
Na pratica existe um pequeno aumento em ID quando
VDS aumenta alm de VP.
Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, eventualmente ser atingida uma

tenso que provocar a ruptura da juno, destruindo o dispositivo. Esta tenso
designada por BVDSS
12
Aumento da Camada de Depleo e

Estreitamento do Canal
A partir de um certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal

(estreitamento mximo), fazendo com que a corrente iD permanea
praticamente constante.
Essa tenso chamada de tenso de estrangulamento ou pinch off (VPO) e

corresponde tenso mxima de saturao do JFET.
13
A corrente de dreno para VGS=0, no seu ponto mximo, denominada

corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted
current (IDSS) e corresponde corrente mxima de dreno que o JFET pode
produzir.
Mostramos abaixo a curva caracterstica de dreno.
14
Curvas de Dreno
Com uma pequena tenso entre dreno e fonte VDS, a regio N

funciona como uma resistncia e a corrente iD aumenta
linearmente conforme VDS aumenta.
Conforme VDS aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e a

regio de porta (VGS), polarizando reversamente essa juno.
Isso faz com que a camada de depleo aumente, estreitando o

canal, o que aumenta a resistncia na regio N, fazendo com que
diminua a taxa de crescimento de iD.
15
Aplicando-se entre porta e fonte uma tenso de polarizao reversa

(VGS1<0), haver um aumento na camada de depleo, fazendo com
que o estrangulamento do canal ocorra para valores menores de V DS e
ID. O mesmo ocorre para outros valores negativos de VGS.
16
Para cada valor de VGS, obtm-se uma curva caracterstica de dreno, at

que ele atinja a tenso de corte = VP, na qual iD praticamente zero.
Para qualquer FET a tenso de corte VP igual, em mdulo, tenso de

estrangulamento do canal (VPO).
VP = VPO
A corrente atravs da porta (iG) muito pequena e desprezvel, garantindo

uma altssima impedncia de entrada (ZE).
Essa resistncia pode ser calculada atravs da tenso mxima V GS que
causa o corte do JFET (com VDS=0) e da corrente de porta de corte IGSS
(gate-source shorted current).
ZE = VGS(VDS=0)
IGSS
17
Exemplo:
No JFET BF245, para VGS = 20V, com VDS = 0, tem-se IGSS =

5nA. Calcule ZE.
Relembrando: ZE = VGS(VDS=0)
IGSS
ZE = 20 / 5x10-9 = 4G
18
H uma grande semelhana entre as curvas do JFET e a curva

caracterstica de sada do transistor bipolar, tendo, inclusive, as mesmas
regies: corte, saturao, ativa e de ruptura.
Parmetros encontrados:
IDSS - corrente mxima que o JFET pode
produzir, na qual ocorre o estrangulamento
do canal quando VGS=0.
VPO tenso mxima de saturao ou de
estrangulamento (pinch-off).
VP tenso na qual ocorre o corte do
dispositivo.
BVDSS tenso de ruptura do dispositivo
para VGS = 0.
19
Exemplo de Curvas de
Dreno
Se a tenso de porta foi fixada em
VGS=0V, e a tenso de dreno for variada,
o grfico da corrente de dreno em
funo da tenso de dreno obtido,
IDxVDS, tendo VGS como parmetro.
A figura mostra o circuito para obter as

curvas caractersticas de dreno.
O grfico no prximo slide mostra a

curva de dreno do JFET quando VGS=0 e
a tenso de dreno varia, para um JFET
(2N4393) canal N com VP= - 2,81V.
20
Se a tenso de
dreno aumentar
mais ainda,
eventualmente
ser atingida
uma tenso,
BVDSS para a
qual a juno PN
sofrer ruptura.
21
Exemplo de Curvas de
Dreno com VDS=0 a corrente de dreno ID tambm zero.
Inicialmente
Com VDS aumentando e inicialmente bem menor do que V P o comportamento de
uma resistncia, isto , se a tenso de dreno dobrar de valor a corrente de dreno
tambm dobra de valor.
Dizemos que a regio de operao chamada de regio hmica ou saturao (o
JFET se comporta como uma resistncia controlada por V GS).
medida que a tenso de dreno se aproxima da tenso de pinamento (V PO) e o
canal se aproxima do estreitamento mximo, a curva comea a se inclinar (resistncia
do dreno aumenta).
A corrente de dreno para VDS=VPO denominada de IDSS, corrente na saturao.
Se a tenso de dreno aumentar alm desse valor a variao da corrente de dreno
fica constante em IDSS.
Por exemplo para o transistor 2N4393 IDSS=30mA.
22
23
Se agora for aplicada uma tenso, de porta de digamos VGS = -1V, e o

procedimento repetido, isto , a tenso de dreno variada a partir de
zero, ser obtida uma curva semelhante anterior porm com um valor
de corrente na saturao menor que IDSS.
O valor de VDS que provocar o pinamento ser menor, neste caso
aproximadamente 1,8V.
De uma forma geral o valor de VDS que provoca o pinamento dado
por:
24
O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS chamado de curvas

caractersticas de dreno.
25
Curva de Transferncia
A curva de transferncia ou de transcondutncia mostra como i D varia em

funo da tenso VGS aplicada porta, conforme mostra a curva.
Esta curva obtida para o maior valor de VDS indicado na curva de dreno.
Esta curva um trecho de parbola que tem como equao:
Alguns fabricantes no fornecem a curva de transferncia. Com

a equao anterior possvel obt-la, esta equao vlida
para qualquer JFET.
O JFET possui tolerncias muito elevadas.

Por isso os manuais fornecem as curvas tpicas ou mdias de
dreno e transferncia, ou os valores mximos e mnimos para o
par IDSS e VP.
Isso resultaria em duas parbolas, sendo uma para valores

mximos e outra para valores mnimos.
27
Exemplo de Curva Caracterstica
28
Com os dados mnimos e mximos de IDSS e VP e atravs da equao

da curva de transferncia, as duas parbolas podem ser traadas,
como mostradas a seguir:
Pontos da parbola mnima:

Para VGS = -0,3V ID = 0,32mA
Para VGS = -0,1V ID = 1,28mA
Pontos da parbola mxima:
Para VGS = -6V ID = 0,41mA
Para VGS = -3V ID = 2,54mA
Para VGS= -1V ID = 5mA
1,28
29
Curva caracterstica de Dreno
As curvas
caractersticas de
transferncia relacionam a
sada, corrente de dreno
(ID), com a entrada, tenso
de porta (VGS).
Essas curvas so
obtidas para um valor de
VDS, por exemplo VDS=5V.
O grfico de IDxVGS
chamado de curva
caracterstica de
transferncia, pois
transfere os valores de
entrada para a sada.
30
Curva Caracterstica De Transferncia

O grfico
de IDxVGS
chamado de
curva
caracterstica
de
transferncia
, pois
transfere os
valores de
entrada para
a sada.
31
A equao que relaciona corrente de dreno com tenso de

porta dada aproximadamente por:
onde IDSS a corrente de dreno na saturao

para VGS=0 e VP a tenso de pinamento.
Exemplo: Se VGS= -1V qual a corrente de dreno considerando o

transistor 2N4393?
Como Vp= -2,81V e IDSS=36mA ento:
Valor que pode ser obtido diretamente das curvas caractersticas.
32
Polarizao do JFET
Polarizar um JFET determinar o seu ponto quiescente ou de operao (IDQ,

VGSQ e VDSQ).
A potncia dissipada pelo JFET polarizado dada por:

PD = VDSQ . IDQ
Ateno na hora de polarizar um JFET:

A tenso VDD deve ser menor que B DVSS;
A potncia dissipada pelo JFET deve ser menor que PDmx, dada pelo fabricante;
A configurao fonte (source) comum a mais utilizada para o JFET. Assim

os tipos de polarizao estaro baseados nela.
33
Polarizao com VGS Constante
Impe-se uma tenso VGSQ constante na porta atravs de VGG para obter a
corrente IDQ desejada.
Dessa forma a juno est polarizada reversamente, por isso,

-VGG.
Assim o resistor RG utilizado apenas para definir a impedncia de

entrada do circuito, no influenciando na polarizao do JFET.
Para polarizar o transistor basta calcular R D.
Malha de sada:
RD.IDQ + VDSQ VDD = 0
VGSQ =
RD = (VDD VDSQ) / IDQ

34
Exemplo:
A) Polarizar o JFET BF245A no seguinte ponto quiescente: I DQ = 1mA, VDSQ =

15V e VGSQ = -1V.
RD = (VDD VDSQ) / IDQ = (25 15) / 1x10-3
RD = 10 K
B) Analisar as variaes do ponto quiescente
em funo das tolerncias do transistor.
Traa-se a reta de VGS constante (VGSQ = -1V) sobre a curva de
transferncia deste transistor e tem-se:
35
Reta com VGS constante (VGSQ = -1V)
O ponto quiescente Q poder se

localizar em qualquer posio
entre Q1 e Q2.
A variao de IDQ vai de 0 a 5mA.
Este tipo de polarizao

apresenta dois inconvenientes:
1) Necessita de duas fontes de

alimentao;
2) Seu ponto quiescente pode ter
variaes brutais com VGS
constante.
36
DATASHEET DO BF 245
Localizao dos Terminais
37
DATASHEET DO BF 245
38
DATASHEET DO BF 245
39
CURVAS FORNECIDAS PELO DATASHEET DA

PHILIPS
40

PHILIPS
41
Autopolarizao
Utiliza apenas uma fonte de alimentao, eliminando-se V GG.
Isto feito utilizando-se um resistor R S em srie com a fonte JFET, para gerar
uma tenso reversa na juno porta-fonte.
O resistor RS produz uma realimentao negativa.
Se a corrente de dreno i D aumenta, a tenso sobre R S tambm aumenta.
Isto faz aumentar a tenso reversa porta-fonte (V GS) estreitando o canal,

reduzindo novamente a corrente i D.
gustavo.tai@hotmail.c
42
Autopolarizao
Existem duas formas de determinar os valores dos resistores de polarizao (R S e

RD): pela reta de carga traada sobre as curvas de dreno e pela reta de
autopolarizao traada sobre a curva de transferncia.
mais interessante utilizar a curva de transferncia para definir a polarizao, pois
os manuais sempre fornecem pelo menos os parmetros IDSS e VP que a definem.
Determinao da Reta de Autopolarizao

traada sobre a curva de transferncia, podemos obt-la da malha de
entrada.
-VGS = RS.ID RG.IG
IG praticamente nula devido alta impedncia de entrada, tem-se:
-VGS = RS.ID
43
Reta de Autopolarizao
Um ponto da reta de
autopolarizao a origem
o outro deve encontrar a
curva de transferncia.
44
Anlise das Tolerncias do JFET
O ponto quiescente pode estar

localizado em qualquer posio
entre Q1 e Q2.
A variao possvel de IDQ na

autopolarizao menor que
com VGS constante e este
circuito mais estvel.
45
Determinao dos Resistores de

Polarizao
Da equao da reta de
autopolarizao, obtm-se:
RS = - VGSQ/ IDQ
Da malha de sada, obtm-se:

VDD = RD.IDQ + VDSQ + RS.IDQ
RD = (VDD- VDSQ + VGSQ) / IDQ
O valor de VDSQ fixado por RD .

46
Exemplo:
Dada a curva de transferncia do JFET BF245A (PDmx = 300mW), determinar os valores de
RS e RD do circuito de autopolarizao para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V.
47
Determinao da Reta de Autopolarizao
1 Ponto: Q 2 Ponto: Origem
Do ponto Q da reta de autopolarizao, obtm-se: VGSQ = -1V
Clculo de RS e RD:
RS = -VGSQ / IDQ = -(-1) / 1x10-3
RS = 1K
RD = (VDD VDSQ + VGSQ) / IDQ = (25 15 1) /1x10-3 = 9K
Potncia dissipada pelo JFET (deve ser menor que P Dmax):

PD = VDSQ.IDQ = 15. 1x10-3 = 15mW.
48
Polarizando o JFET Sem a Curva de

Para isso utiliza-se os valores mnimos de I
e V , fornecidos pelos
Transferncia
DSS
manuais.
Os dois pontos (IDSS, -VP) e a origem definem a reta de autopolarizao.
Com os parmetros (IDSSmax, -VPmax) e (IDSSmn, -VPmn), calculam-se dois

valores para o resistor RS, sendo um para a parbola mxima e outro para
a mnima:
RSmax = -VPmax / IDSSmax
RSmn = -VPmn / IDSSmn
Um valor intermedirio entre RSmn e RSmax garante um ponto quiescente

prximo ao da parbola correspondente dos parmetros tpicos do JFET.
49
Exemplo:
Para o JFET BF245A, o manual do fabricante fornece os
seguintes parmetros:
50
Polarizao por Diviso de Tenso na

Este tipo de polarizao umaPorta
mistura dos dois processos anteriores.
A tenso VGG em RG2 e a tenso em RS, impem VGS na porta do JFET,

sendo que VGG deve ser menor que VRS para garantir polarizao reversa
entre porta e fonte.
Como a corrente iG praticamente zero, VGG pode ser calculada por:

VGG = RG2 .VDD
RG1 + RG2 (divisor de tenso)
51
Determinao da Reta de
Autopolarizao
A tenso VGS fica definida pela diferena entre a tenso VRS e VGG:
-VGS = RS.ID VGG
1 Ponto: para ID = 0 VGS = VGG
2 Ponto: para VGS = 0
Verifica-se que a reta deslocada de zero para VGG na abscissa (eixo

horizontal), diminuindo sua inclinao.
Em relao aos processos de polarizao anteriores, este processo tem

uma variao ainda menor de IDQ.
ID = VGG / RS
52
Reta de Autopolarizao e Variaes do

Ponto Q
Malha de entrada:
RS = (VGG VGSQ) / IDQ
Malha de Sada
RD = VDD VDSQ RS
IDQ
53
Exemplo:
Determinar os valores de RG1, RG2, RS e RD do circuito de autopolarizao do

JFET BF245A (PDmax = 300mW), para o ponto quiescente: IDQ = 1mA,
VGSQ =
-1V e VDSQ = 15V.
Como VGG deve ser menor que VGSQ, ser utilizado: VGG = 0,5V.
Para encontrar RG1 e RG2 devemos arbitrar um
deles, neste caso RG2 = 10K.
Relembrando:
VGG = __RG2___. VDD
RS.IDQ VGG + VGS = 0
IG
RG1 + RG2 RD.IDQ + VDSQ + RS.IDQ VDD =0

Resp: RG1= 490K, RS = 1,5K, RD = 8,5K.
54
Chave Analgica
Iremos polarizar o JFET para funcionar nas
regies de corte e saturao, como uma chave DC.
Quando VG < VP, o JFET encontra-se na regio de corte, isto ID =0 e

VS 0. como se ele funcionasse como uma chave aberta.
Quando VG = 0, para um valor adequado de R, a corrente ID pode levar o

JFET a operar na regio de saturao. como se ele funcionasse como
uma chave fechada, VS VDD.
55
Na regio de saturao, a curva de dreno tem uma

inclinao que define a resistncia entre dreno e fonte
para sinais DC, denominada RDS(on), calculada por:
RDS(on) = VDS(sat) / IDSsat
RDS(on) pode
variar entre unidades a centenas de Ohm.
Ao
lado mostrado o circuito equivalente para o JFET

funcionando como chave DC.
Quando
a chave est fechada, a tenso V DD divide-se

entre RDS(on) e R.
Para
minimizar o efeito de RDS(on) utiliza-se R>> RDS(on).
56
Amplificador Fonte Comum
A configurao fonte comum a mais utilizada para o JFET, atuando como

amplificador de pequenos sinais (baixa potncia) e baixa frequncia.
Os capacitores C1 e C2 tm a finalidade de acoplar o sinal AC, respectivamente, do

gerador de entrada porta e do dreno carga de sada.
O capacitor CS serve para desacoplar o sinal AC da fonte, desviando-o para o
terra.
57
Modelo Simplificado do JFET
Este modelo vlido para valores de pico a pico de iD correspondentes a no

mximo 10% de IDQ e para frequncias menores que a frequncia de corte
superior natural do JFET.
O parmetro gfs denominado condutncia de transferncia ou,

simplesmente, transcondutncia, e reflete o quanto a corrente de sada iD
est sendo controlada pela tenso de entrada VGS.
Portanto, gfs pode ser obtida por:

58
Modelo Simplificado do JFET
Os manuais fornecem o valor mximo de gfs, simbolizado por gfso, isto

, quando VGS=0, porm seu valor pode ser calculado por:
Mas, para a anlise do amplificador, o que interessa o g fs para o

ponto quiescente do JFET. Este valor pode ser calculado em funo de
gfso e por uma das expresses abaixo:
59
Modelo Simplificado do Amplificador
O amplificador, para sinais AC pode ser representado pelo modelo do JFET

acrescido dos resistores de polarizao vistos pelo gerador de entrada,
mostrado abaixo.
Determinao dos principais parmetros do amplificador:

Impedncia de Entrada Total ZET
Como ZE muitssimo alta, tem-se:
ZET = RG1 / / RG2
60
Modelo Simplificado do Amplificador

Impedncia de Sada Total vista pela Carga ZST
ZST = RD
Ganho de Tenso Total sem Carga AvT
Ignorando a presena da carga RL, a tenso na sada VL = -gfs.VGS.RD.
Dividindo-se a tenso de sada pela tenso de entrada, tem-se:
Circuito equivalente final:
61
Exemplo:
Para o amplificador a seguir, calcular
a tenso na carga e o ganho de tenso
total AvT (considerando a carga). Dados:
IDSS =8mA, VP= -2V, IDQ= 2mA, VGSQ= -1V.
62
Exemplo:
63
DATASHEET DO BF 245
Localizao dos Terminais
64
DATASHEET DO BF 245
65
DATASHEET DO BF 245
66

PHILIPS
67

PHILIPS
68
Exerccios JFET
Dados os principais
parmetros do JFET
BF256C na tabela:
1)Calcule os valores para desenhar as parbolas mxima e mnima e desenhe a curva de
transferncia do BF 256C com base nos valores mximos calculados.
2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V, IDQ = 5mA e VDSQ = 10V.
3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarizao para VDD = 25V, IDQ = 5mA, VDSQ =
10V e adote VGSQ = 2,4V.
4)Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tenso na porta para VDD = 25V, IDQ = 5mA,
VDSQ = 10V, VGSQ = 2,4V, VGG = 2V e adote RG2 = 1M .
5)Implemente uma chave analgica que funcione de forma inversa da apresentao
apresentada, ou seja, VG = 0 VS 0 e para VG < VP VS VE.
69
Exerccios JFET
1) Calcule os valores para desenhar as parbolas mxima e
mnima e desenhe a curva de transferncia do BF 256C com
base nos valores mximos calculados.
Parbola mnima:
Com VGS= -0,4V
Com VGS= -0,3V
Com VGS= -0,2V
Com VGS= -0,1V
ID = 0,44mA
ID = 1,76mA
ID = 3,96mA
ID = 7,04mA
Parbola mxima:
Com VGS= -7V
Com VGS= -5V
Com VGS= -3V
Com VGS= -1,5V
Com VGS= -1V
ID = 0,28mA
ID = 2,53mA
ID = 7,03mA
ID = 11,88mA
ID = 13,78mA
70
Exerccios JFET
2) Polarize o BF 256C com VGS constante para VDD = 25V, IDQ = 5mA e VDSQ = 10V.
RD.IDQ + VDSQ VDD = 0
RD = (VDD VDSQ) / IDQ
RD = (25 -10) / 5m = 3K
3) Polarize o BF256C pelo processo de autopolarizao para VDD = 25V, IDQ= 5mA,
VDSQ = 10V e adote VGSQ = 2,4V.
Como IG0 (ZE muito alta) -VGS = RS.ID
RD = (VDD - VDSQ + VGSQ) / IDQ
RS = 2,4 / 5m = 480
RD = (25 10 2,4) / 5m = 2,52K
71
Exerccios JFET
4) Polarize o BF256C pelo processo de divisor de tenso na porta para VDD = 25V,
IDQ = 5mA, VDSQ = 10V, VGSQ = 2,4V, VGG = 2V e adote RG2 = 1M.
VGG = __RG2___. VDD
RG1 + RG2
-VGS = RS.ID VGG

(divisor de tenso)
Da malha de sada temos:
RD = VDD VDSQ RS
IDQ
RS = 4,4 / 5 = 880
RG1 = (25M 2M) / 2 = 11,5M
RD = [ (25 10) / 5m] - 880 = 2,12K

72
Exerccios JFET
5) Implemente uma chave analgica que funcione de forma inversa da
apresentada, ou seja, VG = 0 VS 0 e para VG < VP VS VE.
73

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Eletrnica II

Transistores de Efeito de Campo

Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente,

No caso do FET (Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de

Vantagens do FET em relao ao transistor bipolar: altssima

Porta (gate): faz o controle

A figura acima mostra um JFET de canal N.

O aspecto construtivo mostrado na figura utilizado apenas para fins

Na prtica, extremamente complicado o processo de dopagem nos dois

O objetivo controlar a corrente iD que

Com o potencial de porta igual a zero (VG=0

A dopagem da regio da porta muito maior do que

IDSS - corrente mxima que o JFET pode produzir, na

VPO tenso mxima de saturao ou de

VP tenso na qual ocorre o corte do dispositivo.

BVDSS tenso de ruptura do dispositivo para VGS = 0.

Consideremos inicialmente VDS=0 e

Agora consideremos VGS=0 e apliquemos uma

Na figura a corrente de dreno provoca entre o

O estreitamento mximo quando a tenso de dreno

Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, eventualmente ser atingida uma

Aumento da Camada de Depleo e

A partir de um certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal

Essa tenso chamada de tenso de estrangulamento ou pinch off (VPO) e

A corrente de dreno para VGS=0, no seu ponto mximo, denominada

Com uma pequena tenso entre dreno e fonte VDS, a regio N

Conforme VDS aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e a

Isso faz com que a camada de depleo aumente, estreitando o

Aplicando-se entre porta e fonte uma tenso de polarizao reversa

Para cada valor de VGS, obtm-se uma curva caracterstica de dreno, at

Para qualquer FET a tenso de corte VP igual, em mdulo, tenso de

A corrente atravs da porta (iG) muito pequena e desprezvel, garantindo

No JFET BF245, para VGS = 20V, com VDS = 0, tem-se IGSS =

H uma grande semelhana entre as curvas do JFET e a curva

A figura mostra o circuito para obter as

O grfico no prximo slide mostra a

Se agora for aplicada uma tenso, de porta de digamos VGS = -1V, e o

O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS chamado de curvas

A curva de transferncia ou de transcondutncia mostra como i D varia em

Esta curva um trecho de parbola que tem como equao:

Alguns fabricantes no fornecem a curva de transferncia. Com

O JFET possui tolerncias muito elevadas.

Isso resultaria em duas parbolas, sendo uma para valores

Exemplo de Curva Caracterstica

Com os dados mnimos e mximos de IDSS e VP e atravs da equao

Pontos da parbola mnima:

Curva caracterstica de Dreno

Curva Caracterstica De Transferncia

A equao que relaciona corrente de dreno com tenso de

onde IDSS a corrente de dreno na saturao

Exemplo: Se VGS= -1V qual a corrente de dreno considerando o

Valor que pode ser obtido diretamente das curvas caractersticas.

Polarizar um JFET determinar o seu ponto quiescente ou de operao (IDQ,

A potncia dissipada pelo JFET polarizado dada por:

Ateno na hora de polarizar um JFET:

A configurao fonte (source) comum a mais utilizada para o JFET. Assim

Polarizao com VGS Constante

Dessa forma a juno est polarizada reversamente, por isso,

Assim o resistor RG utilizado apenas para definir a impedncia de

Para polarizar o transistor basta calcular R D.

RD = (VDD VDSQ) / IDQ

A) Polarizar o JFET BF245A no seguinte ponto quiescente: I DQ = 1mA, VDSQ =